В избранное
749. Изучение источника вторичного электропитания (ИВЭП) 153 KB
  Линейный стабилизированный источник вторичного электропитания. График по полученным данным. С ростом сопротивления сила тока уменьшается, а напряжение стабильно. На участке стабилизации напряжение остается стабильным при любом изменении силы тока, т.к. на ней действует стабилизатор.
772. Измерение теплоемкости 791 KB
  Изменение положения тигля в ячейке. Различие в теплофизических и физических характеристиках образца и стандарта. Отличие средней температуры образца от измеряемой температуры. Значения параметров кинетических уравнений элементарных стадий.
785. Термодинаміка і статистична фізика 407 KB
  Основою термодинамічного підходу є встановлення зв’язків між безпосередньо вимірюваними в макроскопічних дослідах величинами. Внутрішня енергія або ентропія є однозначною функцією стану. Принцип Нернста стосовно абсолютного нуля температур. Правило рівноваги фаз Максфела.
802. Режимы движения жидкости 61.5 KB
  Определить режимы движения жидкости методом визуализации картин течения на установке Рейнольдса. Определить режим движения по значениям критерия Рейнольдса.
818. Исследование спектров амплитудно-модулированных сигналов 263 KB
  Модуляция гармоническим колебанием. Модуляция периодической последовательности прямоугольных импульсов. Значения амплитуд и частот спектральных составляющих.
885. Определение ускорения свободного падения при помощи универсального маятника 130 KB
  Определение ускорения свободного падения при помощи универсального маятника. Абсолютная погрешность ускорения свободного падения. Окончательный результат с записью средних абсолютных погрешностей косвенных измерений.
960. Исследование физических свойств механизма 449.5 KB
  Определение недостающих размеров механизма. Определение уравновешивающей силы методом рычага Жуковского. Геометрический расчет равносмещённого зубчатого зацепления. Определение скоростей и частот вращения звеньев. Синтез плоского кулачкового механизма.
1001. Измерение низких сопротивлений материалов 184 KB
  Определение удельного сопротивления металлов и других низкоомных материалов с помощью измерительного усилителя. Концентрация свободных электронов в металле при однократной ионизации. отношение удельной теплопроводности к удельной проводимости металла.
1007. Расчет электромагнитного поля и волн 286 KB
  Взаимодействие электромагнитного поля с электронами. Вероятность перехода в поле электромагнитной волны. Собственные значения и собственные функции гамильтониана Рашбы. Правила отбора для внутризонных переходов в квантовых ямах. Правила отбора для межзонных переходов. Спиновый эффект Холла (с гамильтонианом Рашбы).
1048. Определение расхода воздуха и изобарно-изотермического потенциала для системы каменный уголь – карбонат магния 422.5 KB
  Определение расхода воздуха и объема продуктов сгорания. Построение графика зависимости T=f(∆G). Определение изобарно-изотермического потенциала (энергии Гиббса).
1108. Общие сведения о полупроводниках 52.5 KB
  Модель атома. Энергетическая диаграмма полупроводника. Энергетические диаграммы полупроводников. Элементы, IV группа таблицы Менделеева германий (Ge), кремний (Si).
1109. Контактные явления в полупроводниках 272 KB
  Свойства контактов полученных из полупроводниковых материалов. Структура простейшего контакта, p-n перехода. Прямое напряжение на переходе. Контакт металл-полупроводник.
1110. Классификация полупроводниковых диодов 29 KB
  Приборы, использующие свойства полупроводников. Приборы, использующие свойства контактов. Транзисторы, самые популярные полупроводниковые приборы. Светоизлучающие приборы. Фоточувствительные приборы.
1111. Выпрямительные диоды 61 KB
  Вольт-амперные характеристики выпрямительных диодов. Допустимый прямой ток. Допустимое обратное напряжение. Структура p-i-n диода.
1112. Кремниевый стабилитрон 65.5 KB
  Процессы в p-n переходе при обратном напряжении. Энергетическая диаграмма p-n перехода при больших концентрациях. Пробои p-n перехода. ВАХ кремниевого стабилитрона. Характеристика стабилизатора.
1113. Импульсные диоды 38.5 KB
  Процессы в импульсном диоде. Работа импульсного диода. Материалы с высокой подвижностью носителей. Пример применения импульсного диода. Форма напряжения на нагрузочном сопротивлении.
1114. Использование варикапа 49.5 KB
  Основная характеристика варикапа и эквивалентная схема. Структура варикапа. Допустимое обратное напряжение.
1115. Туннельный диод 54 KB
  Энергетическая диаграмма вырожденного p-n перехода. Вольт-амперная характеристика туннельного диода. Генератор на туннельном диоде. Отрицательное динамическое сопротивление на падающем участке. Координаты точки пика и впадины.
1116. Применение варистора 36.5 KB
  Вольт-амперная характеристика варистора. Допустимая рассеиваемая мощность. Нелинейное полупроводниковое сопротивление. Множество хаотически расположенных p-n переходов.
1117. Полевые транзисторы 128.5 KB
  В полевых транзисторах применяется полевой принцип управления, малый уровень шумов, улучшение температурная стабильность параметров, повышение радиационной стойкости. Канал полевого транзистора. Стоковые (выходные) характеристики транзистора. Включение источников к полевому транзистору. Полевой транзистор Шоттки.