10290

Переход количества в качество

Доклад

Логика и философия

Переход количества в качество Материалистическая диалектика термин марксистсколенинской философии. В широком смысле употребляется в качестве синонима диалектического материализма. В более специальном диалектика развернутая в рамках диалектического материализ

Русский

2013-03-24

10.73 KB

0 чел.

Переход количества в качество

Материалистическая диалектика — термин марксистско-ленинской философии. В широком смысле употребляется в качестве синонима диалектического материализма. В более специальном — диалектика, развернутая в рамках диалектического материализма как общая теория развития, логика и теория познания.В первом законе Энгельс определяет категории качества, количества и меры. Качество — это внутренняя определенность предмета, явление, которое характеризует предмет или явление в целом. Количество есть внешняя определенность вещи. Качество и количество не могут существовать вне зависимости друг от друга, так как любая вещь или явление определяется и качественной характеристикой и количественными показателями. «Демонстрацией» качественной и количественной определенности выступает мера, то есть соотношение показателей, своеобразное равновесие. Нарушение меры меняет качество и превращает одну вещь в другую, или одно явление в другое. Происходит перерыв постепенности, или качественный скачок — это всеобщая форма перехода от одного качественного состояния к другому.Классическим примером перехода от количественных изменений к качественным являются превращения лёд — вода — пар.


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

69014. Високочастотні властивості p-n структур 188.5 KB
  Таким чином при прямій напрузі електрони переходять із однієї області у іншу без витрат енергії утворюючи струм. В цьому випадку навпроти заповнених рівнів pобласті знаходяться заповнені рівні nобласті і електрони здійснюють тунельні переходи з ВЗ pн п в ЗП nн п в обох напрямках і сумарний...
69015. Р-п структури різного призначення. Випрямні властивості р-n переходу 267 KB
  Їх виготовляють за сплавною або дифузійною технологією. Конструкції малопотужних сплавних і дифузійних діодів однакові. До кристалу з р-n переходом припаюють виводи і розміщують у корпусі на кристалодержаку. Вивід емітера ізольований від корпусу, вивід бази зв’язують з корпусом...
69016. МОДЕЛІ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ СТРУКТУР 160 KB
  Барєрна ємність визначається нерухомими іонами атомів домішок дифузійна рухомими носіями заряду. Барєрна ємність існує при зворотній напрузі дифузійна при прямій. Барєрна ємність Барєрну ємність СБАР утворює обємний заряд нерухомих позитивних іонів атомів домішок Q який розміщується...
69018. Статичні характеристики біполярних транзисторів 290 KB
  Статичні характеристики біполярних транзисторів Вольтамперні характеристики БД Для розрахунку електричних ланцюгів що містять транзистори необхідно знати залежності між струмами і напругами на їх входах та виходах. Вхідна статична характеристика це залежність вхідного струму від...
69019. Робота транзистора в ключовому режимі 131.5 KB
  В апаратурі телекомунікацій часто виникає необхідність використання каскадів, котрі пропускають сигнал або його не пропускають. Такі каскади називають ключовими. Вони будуються на БТ, які працюють у ключовому режимі (режимі перемикання).
69020. Багатопереходні структури. Призначення, будова, класифікація та позначення тиристорів 215.5 KB
  Основу тиристора складає пластинка з монокристалу силіцію з областями p і nтипу які чергуються рис. Анод і катод тиристора мають відводи. Класифікація і позначення тиристорів середньої і малої потужності Крім того відвод у тиристора може бути і від внутрішньої області.