1109

Контактные явления в полупроводниках

Доклад

Физика

Свойства контактов полученных из полупроводниковых материалов. Структура простейшего контакта, p-n перехода. Прямое напряжение на переходе. Контакт металл-полупроводник.

Русский

2013-01-06

272 KB

122 чел.

Контактные явления в полупроводниках.

Здесь речь пойдет о свойствах контактов полученных из полупроводниковых материалов; это

а) pn переход,

б) контакты p+-p и n+-n, + означает материал с повышенной концентрацией примеси,

в) p- полупроводник – металл и n- полупроводник – металл (контакты Шоттки),

г) несимметричные контакты, в которых концентрации примесей различны в областях полупроводника (N – концентрация примесей в 1/см3 Nn > Np или Np > Nn),

д) гетероконтакты выполненные из полупроводников различного типе , например, дырочный германий (p-Ge) и электронный кремний (n-Si).

Вспомним свойства обычного p-n перехода. На рис. 4 показана его простейшая структура, хотя существует довольно много технологий его изготовления (сплавная, точечная, меза и др.), которые придают ему особые свойства.

                                      

                            Рис. 4 Структура простейшего контакта, p-n перехода

По законам диффузии концентрации электронов и дырок стремятся выровняется, поэтому  носители из приконтактных областей уходят в область пониженной концентрации (дырки из p в n, электроны наоборот). Атом примеси лишается носителя и в кристалле образуются неподвижные ионы (см. рис. 4). За счет этих зарядов возникает электрическое поле Евн, препятствующее движению носителей, процесс диффузии прекращается. Итог таков.

- В области контакта образовался слой не содержащий носителей тока, по существу слой диэлектрика (запирающий слой).

-Если его не убрать, контакт не будет проводить электрический ток.

Электрическое поле контакта создает потенциальный и энергетический (Wб) барьеры для носителей и это отражается на энергетической диаграмме. Построим ее (рис. 5), вспомнив положение уровней Ферми в примесных полупроводниках.

                                      Рис. 5 Энергетическая диаграмма p-n перехода

Сам p-n переход это слой обедненный подвижными носителями, по сути слой диэлектрика.

Далее будем подавать на переход напряжение от внешнего источника ЭДС. При подаче  «+» в p область а «–» в n область кристалла на переходе возникает внешняя напряженность электрического поля Евнеш направленная навстречу Е вн (см. рис. 4). Результирующее поле уменьшается, запирающий слой исчезает и структура переходит в состояние проводимости. Это напряжение называется прямым, Uпр. На энергетической диаграмме происходит деформация уровня Ферми в сторону уменьшения энергетического барьера, рис. 6. Ток через переход обеспечивается основными носителями, количество которых велико.

                   

                  Рис.6 Прямое напряжение на переходе

При смене полярности источника (обратное напряжение на переходе) происходит обратная картина. Энергетический барьер на переходе возрастает, проводимость ухудшается и тока практически не будет. Весьма небольшой обратный ток возникнет за счет неосновных носителей, то-есть тех немногочисленных электронов, которые есть в «p» области кристалла и дырок, которые есть в «n» области. Суммарный ток неосновных носителей называется током насыщения I0.

Контакты типа p+-p и n+-n обладают очень слабыми нелинейными свойствами, в специальных приборах не применяются и используются как омические контакты, например, при создании вывода из p и n областей.

Контакты Шоттки на основе соединения металла и полупроводника обладают интересными свойствами, которые зависят от подбора материалов (рис. 7). В физике твердого тела существует понятие «работа выхода электрона W»; это энергия, которую необходимо затратить электрону для выхода из тела в окружающее пространство.

                 Рис. 7. Контакт «металл-полупроводник»

Допустим, есть контакт металла и «n» полупроводника их работы выхода находятся в следующем соотношении. При таком соотношении работ, электроны из металла будут переходить в полупроводник и насыщать его приконтактный слой. Проводимость этого слоя увеличивается. В структуре все области обладают хорошей проводимостью. Таким образом, сформировался обычный проводящий (омический)   контакт. Иная картина получится при обратном соотношении работ выхода,  Wм>Wn. Теперь уже электроны уходят из полупроводника в металл. К электронам в металле, которых очень много добавляются перешедшие, которые практически не меняют его проводимость. А вот электроны ушедшие из полупроводника ухудшают его проводимость, обнажают атомы примеси, за счет чего на контакте образуется электрическое поле. В итоге возник энергетический барьер, как и в «p-n» переходе, но обладающий особыми свойствами, это

-высокое быстродействие,

-небольшой порог открывания.

Контакт с такими свойствами называется диодом Шоттки.

Несимметричные контакты – это p-n переходы в которых концентрация примесей в p и n областях различна. Такой контакт обозначается  p+-n  (или p-n+) и показан на рис. 8.

При прямых напряжениях большее количество дырочной примеси обеспечивает прямой ток в основном за счет дырочных носителей. В этом основное отличие несимметричного перехода от симметричного. Область с повышенной концентрацией примеси называется эмиттером, а с пониженной – базой.

                              

                                Рис.8 Несимметричный контакт  

Такой же результат получается и у гетероперехода. На рис.9 показана энергетическая диаграмма контакта кремния и арсенида галлия.

                                    Рис. 9 Гетеропереход

Так как ширина запрещенной зоны у этих материалов различна, Wз1<Wз2, возникают различные по высоте энергетические барьеры  для электронов и дырок. В данном случае барьер для электронов Wб значительно меньше чем для дырок. При подаче прямого напряжения в первую очередь исчезает препятствие для движения электронов и прямой то перехода это ток электронов.

Для несимметричных и гетеропереходов вводится показатель – коэффициент инжекции  γ, равный отношению тока преобладающих носителей к прямому суммарному току через открытый переход, γ=In/(In+Ip).

Сведения этого раздела подробно изложены в курсе физики.


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

15948. Основи конституційної юриспруденції 2.15 MB
  СТАНІСЛАВ ШЕВЧУК ОСНОВИ КОНСТИТУЦІЙНОЇ ЮРИСПРУДЕНЦІЇ Навчальний посібник ХАРКІВ 2002 ББК 67.9 4 Укр 300 Ш37 РецеНЗеНТИ: МЛ.Козюбра доктор юридичних наук проф. членкор. АпрН України суддя Конституційного Суду України; Мартиненко ПФ. проф. суддя Кон
15949. Способы передвижения и маскировки сотрудников ОВД при участии в специальной операции 2.89 MB
  Министерство внутренних дел Российской Федерации Уральский юридический институт И.Н. Шевель Способы передвижения и маскировки сотрудников ОВД при участии в специальной операции Учебнометодические рекомендации ...
15950. Основи інформаційного права України 1.47 MB
  Основи ІНФОРМАЦІЙНОГО ПРАВА УКРАЇНИ НАВЧАЛЬНИЙ ПОСІБНИК За редакцією доктора економічних наук М.Я. Швеця доктора юридичних наук Р.А. Калюжного доктора економічних наук П.В. Мельника Рекомендовано Міністерством освіти і науки України Київ Знання 2004 ...
15951. Международное сотрудничество в области изобретательского и авторского права 1.62 MB
  Анализируются основные международные соглашения по охране промышленной собственности и авторскому праву. Особое внимание уделяется перспективам многостороннего сотрудничества стран социализма в этих областях. Исследуются политико-правовые аспекты участия государств в создании универсальной системы научно-технического и культурного сотрудничества.
15952. Вина и наказание в советском уголовном праве 386.5 KB
  Одним из важнейших принципов применения наказания в советском уголовном праве является принцип личной ответственности. Личная ответственность, порождаемая индивидуальной виной данного преступника, — это несокрушимая основа советского уголовного права
15953. Конституцiйне право зарубiжних країн 1.32 MB
  КОНСТИТУЦiЙНЕ ПРАВО ЗАРУБiЖНИХ КРАЇН В.М. ШАПОВАЛ КОНСТИТУЦiЙНЕ ПРАВО ЗАРУБiЖНИХ КРАЇН Затверджено Мiнiстерством освiти України як пiдручник для студентiв юридичних вищих навчальних закладiв i факультетiв Київ ПЕРЕДМОВА Дано загальн
15955. Административный ресурс как специфическая форма политической коррупции 464 KB
  50 Министерство образования и науки Российской Федерации ГОУ ВПО Саратовская государственная академия права Центр по изучению транснациональной преступности и коррупции при Американском университете г. Вашингтон США Саратовский Центр по исс...
15956. Государственное управление и и государственная служба за рубежом 981.5 KB
  В процессе становления российской демократической государственности и формирования отвечающей современным требованиям государственной службы важное место принадлежит изучению, анализу и использованию зарубежного опыта. Этот опыт может оказать немалую помощь в поисках оптимальных вариантов политических, правовых и организационных решений, способствующих созданию в России подлинно демократического общества.