1110

Классификация полупроводниковых диодов

Доклад

Физика

Приборы, использующие свойства полупроводников. Приборы, использующие свойства контактов. Транзисторы, самые популярные полупроводниковые приборы. Светоизлучающие приборы. Фоточувствительные приборы.

Русский

2013-01-06

29 KB

37 чел.

Классификация полупроводниковых диодов.

На основе свойств полупроводниковых материалов созданы многочисленные группы приборов. Они составляют основу аналоговых и цифровых устройств, на которых, в свою очередь, создается современная аппаратура автоматики и связи.

1. Приборы, использующие свойства  полупроводников.

-Терморезисторы – сопротивления  чувствительны к изменению температуры. Используются для измеряют СВЧ  излучения, измерения температуры и температурной стабилизации режима других nполупроводниковых приборов.

-Тензорезисторы – это сопротивления у которых воздействием механических усилий меняется величина. Могут использоваться в микрофонах.

-Магниторезисторы -  сопротивления чувствительные к напряженности магнитного поля, применяются для измерения напряженности этих полей.

2. Приборы, использующие свойства контактов. Это различные типы диодов.

-Выпрямительные диоды, применяются для выпрямления переменного напряжения.

-Стабилитроны, применяются для стабилизации напряжения.

-Импульсные диоды. Область применения -  переключающие схемы.

-Варикапы – электрически управляемые конденсаторы.

-Туннельные диоды – для генерации и усиления электрических сигналов.

-Варисторы  – нелинейные полупроводниковые сопротивления. Не совсем диоды, но в них используется свойство p-n перехода.

3. Транзисторы, самые популярные полупроводниковые приборы. Используются при создании генераторов, усилителей и т. д. Обязательно требуют источника питания, у которого забирается мощность необходимая для преобразования сигнала. По этому признаку транзисторы считаются активными приборами.  

-Биполярные транзисторы, имеют два p-n перехода, имеют структуру p-n-p – транзистор прямой проводимости и n-p-n - транзистор обратной проводимости.

-Полевые транзисторы. Довольно многочисленная группа; с p-n переходом, транзисторы Шоттки, МОП (МДП) транзисторы, которые бывают с индуцированным каналом и встроенным каналом.

4.Тиристоры, это 4-х слойные структуры p-n-p-n. Область применения – коммутация больших токов и напряжений (переключатели).

-Динисторы – неуправляемые тиристоры.

- Тиристоры – управляемые тиристоры.

-Симисторы – симметричные неуправляемые тиристоры.

-Триак -  управляемые симметричные тиристоры.

5. Фоточувствительные приборы. Используются в оптических линиях связи и оптронах.

-Фоторезистор.

-Фотодиод.

-Фототранзистор.

-Фототиристор.

6. Светоизлучающие приборы. Используются в оптических линиях связи и оптронах.

-Полупроводниковый лазер на гетероструктурах.

-Инжекционный светодиод.

7. Микросхемы. Современные приборы, работающие на  основе вышеперечисленных структур. По технологическому признаку имеются следующие микросхемы.

- Полупроводниковые, самые распространенные в настоящее время. Основа  - полупроводниковый кристалл.

- Пленочные, элементы изготавливаются из пленок на диэлектрической подложке.

- Гибридные, используется полупроводниковая и пленочная технология.


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

48729. Історія України. НАВЧАЛЬНО-МЕТОДИЧНИЙ ПОСІБНИК 482.09 KB
  Вивчення історії України має не тільки пізнавальне, а й виховне значення, в якому закладено глибокий гуманістичний зміст. Зокрема, одним із головних завдань викладання вітчизняної історії є виховання у студентської молоді почуття патріотизму, громадянської свідомості, виховання майбутніх спеціалістів, яким належить утверджувати державність України.
48730. Методы локализации неисправностей на аппаратуре СВ и РМ 91 KB
  БИВ блок индикатора вспомогательный. Задана внешнее проявление неисправности на экране ЭЛТ БИВ отсутствует изображение. Отследим тракт прохождения сигнала при выводе цифровой информации на экране БИВ. Наша неисправность выражается как отсутствие изображения на экране БИВ.
48731. Проектирование ОКС №7 на городской телефонной сети с УВС и УИС 788.5 KB
  Рисунок 1 – Схемы организации резервного обходного маршрута для направления нормального пучка А→В при пункте назначения F В зависимости от количества возможных маршрутов резервирования для направления нормального пучка А→В возможны варианты: один резервный маршрут. Если резервный маршрут для направления пучка А→В совпадает с нормальным маршрутом из табл. Резервные маршруты совпадают с нормальными маршрутами за исключением одного звена для которого организован резервный маршрут который выбирается из таблицы 11. В данную таблицу вносится...
48732. ПРОЕКТИРОВАНИЕ АНАЛОГОВО-ЦИФРОВОГО ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ С USB ВЫХОДОМ 1.37 MB
  Расчет аналоговой части АЦП Расчет цифровой части АЦП Микросхема АЦП Фильтр нижних частот Заключение Библиографический список Введение Аналогоцифровой преобразователь АЦП представляет собой устройство обеспечивающее преобразование аналогового сигнала в цифровой код который передается в микропроцессорную систему.
48733. Организация производства асфальта с полимерными добавками 317.5 KB
  Таблица 1. Европа Япония Китай Канада по достоинству оценили физикотехнические свойства асфальта с полимерными добавками и используют его повсеместно Таблица 2. Таблица 2. Проведем анализ внешней и внутренней среды предприятия чтобы выявить сильные и слабые стороны ООО СМУ АБЗ Таблица 3.
48734. Проектирование электрической сети для электроснабжения потребителей цнлюлозно – бумажной промышленности 1.35 MB
  По заданному расположению источника питания и потребителей электроэнергии составляем схемы электрической сети. Находим расстояние между районной электрической станцией РЭС и подстанциями, и между подстанциями.
48735. Проектирование электрической сети 1.54 MB
  Главным потребителем электроэнергии является промышленность. За последние 10 лет в структуре энергобмена страны более чем в два раза увеличилась доля электроэнергии, потребляемой на потенциально-бытовые нужды
48737. Коэффициент передачи двигателя по регулирующему воздействию 662.5 KB
  Исходя из данной САР для устойчивого состояния системы необходимо чтобы Мвр = Мс. В соответствии с уравнением замыкания системы et = yt – x1t Þ DUt = Uyt – Uтгt 4. мы снова пришли к устойчивому состоянию системы при котором Мвр = Мс. Принцип работы системы.