1110

Классификация полупроводниковых диодов

Доклад

Физика

Приборы, использующие свойства полупроводников. Приборы, использующие свойства контактов. Транзисторы, самые популярные полупроводниковые приборы. Светоизлучающие приборы. Фоточувствительные приборы.

Русский

2013-01-06

29 KB

37 чел.

Классификация полупроводниковых диодов.

На основе свойств полупроводниковых материалов созданы многочисленные группы приборов. Они составляют основу аналоговых и цифровых устройств, на которых, в свою очередь, создается современная аппаратура автоматики и связи.

1. Приборы, использующие свойства  полупроводников.

-Терморезисторы – сопротивления  чувствительны к изменению температуры. Используются для измеряют СВЧ  излучения, измерения температуры и температурной стабилизации режима других nполупроводниковых приборов.

-Тензорезисторы – это сопротивления у которых воздействием механических усилий меняется величина. Могут использоваться в микрофонах.

-Магниторезисторы -  сопротивления чувствительные к напряженности магнитного поля, применяются для измерения напряженности этих полей.

2. Приборы, использующие свойства контактов. Это различные типы диодов.

-Выпрямительные диоды, применяются для выпрямления переменного напряжения.

-Стабилитроны, применяются для стабилизации напряжения.

-Импульсные диоды. Область применения -  переключающие схемы.

-Варикапы – электрически управляемые конденсаторы.

-Туннельные диоды – для генерации и усиления электрических сигналов.

-Варисторы  – нелинейные полупроводниковые сопротивления. Не совсем диоды, но в них используется свойство p-n перехода.

3. Транзисторы, самые популярные полупроводниковые приборы. Используются при создании генераторов, усилителей и т. д. Обязательно требуют источника питания, у которого забирается мощность необходимая для преобразования сигнала. По этому признаку транзисторы считаются активными приборами.  

-Биполярные транзисторы, имеют два p-n перехода, имеют структуру p-n-p – транзистор прямой проводимости и n-p-n - транзистор обратной проводимости.

-Полевые транзисторы. Довольно многочисленная группа; с p-n переходом, транзисторы Шоттки, МОП (МДП) транзисторы, которые бывают с индуцированным каналом и встроенным каналом.

4.Тиристоры, это 4-х слойные структуры p-n-p-n. Область применения – коммутация больших токов и напряжений (переключатели).

-Динисторы – неуправляемые тиристоры.

- Тиристоры – управляемые тиристоры.

-Симисторы – симметричные неуправляемые тиристоры.

-Триак -  управляемые симметричные тиристоры.

5. Фоточувствительные приборы. Используются в оптических линиях связи и оптронах.

-Фоторезистор.

-Фотодиод.

-Фототранзистор.

-Фототиристор.

6. Светоизлучающие приборы. Используются в оптических линиях связи и оптронах.

-Полупроводниковый лазер на гетероструктурах.

-Инжекционный светодиод.

7. Микросхемы. Современные приборы, работающие на  основе вышеперечисленных структур. По технологическому признаку имеются следующие микросхемы.

- Полупроводниковые, самые распространенные в настоящее время. Основа  - полупроводниковый кристалл.

- Пленочные, элементы изготавливаются из пленок на диэлектрической подложке.

- Гибридные, используется полупроводниковая и пленочная технология.


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

48963. Свойства 4−фенил−5,6−ди(этоксикарбонил)−3,4−ди− гидропиримидин−2(1Н)−на 1.72 MB
  Образуется при реакции бензальдегида мочевины и диэтилового эфира 2−оксобутандиовой кислоты в кислой среде. В данном механизме предпологается для подобной реакции три возможных промежуточных соединения образующихся из исходных веществ: бензальдимочивена диэтиловый эфир 2−карбамидобут−2−ендиовой кислоты диэтиловый эфир...
48964. Проект установки для наплавлення 1.46 MB
  Наплавлення – це процес нанесення за допомогою зварювання шару металу на поверхню виробу. Шляхом наплавлення можна отримати вироби зі зносостійкими жароміцними антифрикційними властивостями. Наплавлення застосовують при виготовленні нових та відновленні зношених деталей. При ремонтному відновленні наплавлення ефективне завдяки тому що відновлена деталь часто коштує в декілька разів менше нової деталі і при правильному виборі технології відновлення не поступається їй за працездатністю.
48965. Расчет структуры электромагнитных полей 623.5 KB
  Олемской Задание На курсовую работу Расчет структуры электромагнитных полей по курсу Теория Поля Студент Волошин С. Группа...
48966. Расчет возможных потерь от испарения нефти из резервуара на примере РВС 5000 (№4 в резервуарном парке) ЛПДС «Субханкулово» Туймазинского нефтепроводного управления 657.5 KB
  Кроме того потери нефти и нефтепродуктов при авариях разливах и утечках загрязняют почву грунтовые воды и водоёмы. Многократные перевалки нефтепродуктов и хранение нефти и нефтепродуктов в резервуарах ведут к потерям от испарения. Потери нефти и нефтепродуктов обусловливаются как специфическими их свойствами так и условиями перекачки хранения приёма отпуска техническим состоянием средств транспорта и хранения а также внимательностью и добросовестностью обслуживающего персонала.
48968. Теплообмінник «труба в трубі» 464 KB
  Стабільність роботи теплообмінника досягається деяким збільшенням простору теплообміну в порівнянні з розрахованою що забезпечує стійкі показники роботи теплообмінника в умовах поступового забруднення стінок труби. Опис та обґрунтування вибраної конструкції теплообмінника Опис конструкції основних складальних одиниць та деталей теплообмінника Апарат являє собою вертикальну раму на яку кріпляться елементи труба в трубіâ€ внутрішні труби яких з´єднуються між собою калачами а зовнішні – патрубками перехід з одного ряду до другого...
48969. Расчет структуры полей проводящего шара в диэлектрической среде 227.5 KB
  Цель работы -– расчет структуры полей проводящего шара в диэлектрической среде а также в волноводе для приведенных в задании параметров. Для заданной геометрии и параметров среды получены аналитические выражения значений потенциалов и напряженностей полей проводящего шара в диэлектрической среде а также расчетное соотношение для вектора магнитной индукции. Построены картины структуры статических полей для шара и переменных полей для волновода. Пар–тры: Проводящий шар в диэлектрической среде: R = 4см E0 = 10кВ м εе = 1 ...
48971. Конструктивные элементы токарного составного резца 679.5 KB
  Ограничения на допустимые углы в плане φ и φ1 резца приведены на рисунке 1. Для выбора резца используем ГОСТ 1888273 Резцы токарные расточные с пластинами из твердого сплава для обработки сквозных отверстий. Область применения твердого сплава Т15К6: получерновое точение чистовое точение нарезание резьбы резцами и вращающимися головками рассверливание растачивание и т.