1110

Классификация полупроводниковых диодов

Доклад

Физика

Приборы, использующие свойства полупроводников. Приборы, использующие свойства контактов. Транзисторы, самые популярные полупроводниковые приборы. Светоизлучающие приборы. Фоточувствительные приборы.

Русский

2013-01-06

29 KB

39 чел.

Классификация полупроводниковых диодов.

На основе свойств полупроводниковых материалов созданы многочисленные группы приборов. Они составляют основу аналоговых и цифровых устройств, на которых, в свою очередь, создается современная аппаратура автоматики и связи.

1. Приборы, использующие свойства  полупроводников.

-Терморезисторы – сопротивления  чувствительны к изменению температуры. Используются для измеряют СВЧ  излучения, измерения температуры и температурной стабилизации режима других nполупроводниковых приборов.

-Тензорезисторы – это сопротивления у которых воздействием механических усилий меняется величина. Могут использоваться в микрофонах.

-Магниторезисторы -  сопротивления чувствительные к напряженности магнитного поля, применяются для измерения напряженности этих полей.

2. Приборы, использующие свойства контактов. Это различные типы диодов.

-Выпрямительные диоды, применяются для выпрямления переменного напряжения.

-Стабилитроны, применяются для стабилизации напряжения.

-Импульсные диоды. Область применения -  переключающие схемы.

-Варикапы – электрически управляемые конденсаторы.

-Туннельные диоды – для генерации и усиления электрических сигналов.

-Варисторы  – нелинейные полупроводниковые сопротивления. Не совсем диоды, но в них используется свойство p-n перехода.

3. Транзисторы, самые популярные полупроводниковые приборы. Используются при создании генераторов, усилителей и т. д. Обязательно требуют источника питания, у которого забирается мощность необходимая для преобразования сигнала. По этому признаку транзисторы считаются активными приборами.  

-Биполярные транзисторы, имеют два p-n перехода, имеют структуру p-n-p – транзистор прямой проводимости и n-p-n - транзистор обратной проводимости.

-Полевые транзисторы. Довольно многочисленная группа; с p-n переходом, транзисторы Шоттки, МОП (МДП) транзисторы, которые бывают с индуцированным каналом и встроенным каналом.

4.Тиристоры, это 4-х слойные структуры p-n-p-n. Область применения – коммутация больших токов и напряжений (переключатели).

-Динисторы – неуправляемые тиристоры.

- Тиристоры – управляемые тиристоры.

-Симисторы – симметричные неуправляемые тиристоры.

-Триак -  управляемые симметричные тиристоры.

5. Фоточувствительные приборы. Используются в оптических линиях связи и оптронах.

-Фоторезистор.

-Фотодиод.

-Фототранзистор.

-Фототиристор.

6. Светоизлучающие приборы. Используются в оптических линиях связи и оптронах.

-Полупроводниковый лазер на гетероструктурах.

-Инжекционный светодиод.

7. Микросхемы. Современные приборы, работающие на  основе вышеперечисленных структур. По технологическому признаку имеются следующие микросхемы.

- Полупроводниковые, самые распространенные в настоящее время. Основа  - полупроводниковый кристалл.

- Пленочные, элементы изготавливаются из пленок на диэлектрической подложке.

- Гибридные, используется полупроводниковая и пленочная технология.