1117

Полевые транзисторы

Доклад

Физика

В полевых транзисторах применяется полевой принцип управления, малый уровень шумов, улучшение температурная стабильность параметров, повышение радиационной стойкости. Канал полевого транзистора. Стоковые (выходные) характеристики транзистора. Включение источников к полевому транзистору. Полевой транзистор Шоттки.

Русский

2013-01-06

128.5 KB

70 чел.

Полевые транзисторы.

          Транзисторы – активные приборы. Они требуют для работы источника питания и , забирая от него энергию, способны усиливать сигнал. Транзисторы бывают полевые и биполярные.

Эти приборы обладают рядом преимуществ перед биполярными.

  1.  В полевых транзисторах применяется полевой принцип управления. Ко входу транзисторы подводится напряжение, которое образует электрическое поле, управляющее выходным током. Такой принцип работы не требует тока во входной цепи и потому входное сопротивление  бесконечно велико  ( 1014 - 1020 Ом).
  2.  Малый уровень шумов. Собственные помехи малы, поэтому транзистор способен усиливать слабые сигналы.
  3.  Лучшая температурная стабильность параметров.
  4.  Лучшая радиационная стойкость.
  5.  Меньшие размеры в интегральном исполнении.
  6.  Принципиальная возможность взаимозамены  двух выводов, стока и истока, что весьма существенно в микросхемах.

Разберем принцип работы полевого транзистора с р-n переходом. Его структура

показана на рис.1.  Канал, в данном примере имеет электронную проводимость, а затвор дырочную. Образовавшийся p-n переход несимметричный и это принципиально. Количество примесей в области затвора больше , чем в области канала. Поэтому основная толщина самого контакта простирается в области канала.  Затвор по периметру охватывает область канала.

                     Рис.1 Полевой транзистор с p-n переходом

Подадим положительное напряжение на сток и отрицательное напряжение на затвор. Имеющийся  p-n переход будет включен в обратном направлении и ток по выводу затвора практически равен нулю. Особо отметим это свойство транзистора.

При протекании тока в  канале под затвором образуется падение напряжения в канале,   которое является обратным для р-n перехода, причем, ближе к истоку  U1оно будет меньше, чем ближе к стоку U2. Таким образом, p-n переход оказывается под разными обратными напряжениями. От этого зависит его ширина. Вспомните поведение барьерной емкости- чем больше обратное, тем толще переход. Так как U2 (падение напряжения в канале) U1, в сечении 2 толщина p-n перехода будет больше , рис.2.

 

Рис. 2 Канал полевого транзистора

С ростом напряжения на стоке Uст, увеличивается то в канале  I стока. Обратные напряжения для p-n перехода увеличиваются, причем U2 гораздо быстрее, чем U1. Толщина перехода увеличивается ,за счет чего сечение канала уменьшается, его сопротивление растет  и ток в канале начинает ограничиваться. Таким образом, рост тока стока замедляется.

        Еще раз отметим последовательность событий.     Если увеличивается I стока, растут обратные для р-n перехода напряжения U2, U1, происходит его расширение, сечение канала уменьшается и наступает самоограничение тока Iстока. Все это получило отражение на выходной стоковой характеристики, рис. 3.


Рис. 3. Стоковые (выходные) характеристики транзистора.

Если теперь подключить источник  минусом на  затвор (рис.4), то обратное напряжение на переходе возрастет, канал еще более сузится и ток по стоку уменьшится. На рис. 3 этот случай отражен во второй характеристики семейства при Uз=-1В. Итак, мы получили возможность управлять током стока с помощью напряжения на затворе; заметим, что p-n переход при этом управлении остается закрытым, что обеспечивает высокое входное сопротивление транзистора. Обратите внимание и на то, что полярности источников на затворе истоке различные. В схемотехнических задачах это не совсем удобно.

Рис. 3 Включение источников к полевому транзистору

Полевые транзисторы с переходом имеют графическое изображение на электрических схемах различное при p и n каналах, рис. 5.


  

          Рис. 5 Графическое изображение полевого транзистора

а) p канал,   в) n канал

Помимо стоковых характеристик имеются еще характеристики прямой передачи, это зависимость тока стока от напряжения затвора. Ее вид показан на рис. 6 для р –канального транзистора. Для n – канального ее вид подобен, но расположена она в области положительных напряжений затвора.   

                                     

             Рис. 6. Характеристика прямой передачи полевого транзистора

Полевой транзистор Шоттки имеет тот же принцип действия – модуляция сечения канала за счет расширения области контакта металл – полупроводник. Его структура показана на рис. 7.


Рис. 7 Полевой транзистор Шоттки

Напомним основные свойства контакта металл – полупроводник. При соотношении работ выхода электронов Wn<Wм, электроны из полупроводника переходят в металл. Образуется в n полупроводнике область обедненная носителями тока – диэлектрик. Ее расширение или сужение под действием напряжения на затворе происходит вглубь канала, что и приводит в конечном итоге к изменению тока стока.

Стоковые (выходные) характеристики транзисторы имеют такой же вид, что и у предыдущего с p-n переходом.

Более разнообразны полевые структуры МОП (МДП).на рис.8 показана структура МОП транзистора с изолированным затвором и индуцированным каналом. Его основа – полупроводниковый кристалл, обычно кремния, с проводимостью р. Имеется две области n+ с повышенной концентрацией примеси: это сток и исток.

                    

                 Рис. 8 МОП транзистор с индуцированным каналом.

Сверху кристалл покрыт тонкой пленкой SiO2 (0.8мкм), которая является хорошим диэлектриком и защищает транзистор от механических воздействий. На диэлектрик напыляется металлическая пленка, границы которой точно совмещены с границами n+ областей. Это металлический затвор.

Если напряжение на затворе отсутствует, ток стока равен нулю при любой полярности приложенного напряжения; структура  n+ - p - n+ - два встречно включенных диода.

В p подложке основными носителями являются дырки, но за счет генерации носителей через запрещенную энергетическую зону кремния, появляются и электронные носители (см. выше понятия генерации и рекомбинации). Это не основные носители, их сравнительно мало, но они есть. И вот здесь они играют ключевую роль.

Подадим на затвор положительное напряжение. Поскольку затвор изолирован от всего, это пластина конденсатора, под ним возникает напряженность электрического поля Е, направленная вглубь подложки. Электроны подложки начинают притягиваться к поверхностному слою, непосредственно под пластиной затвора. Это явление происходит по всей площади и так как границы затвора совмещены с границами стока и истока в поверхностном слое происходит инверсия типа проводимости; была n+ - p - n+, стала n+ - n - n+. В полевой структуре образовался канал. Конечно, это наступает только при определенной величине напряжения, Uпор. Для таких структур в дискретном исполнении Uпор=4-7 В. Больше напряжение на затворе, больше напряженность электрического поля, больше электронов в канале и больше ток стока. Характеристика прямой передачи транзистора показана на рис. 9.

                           

                   Рис. 9 Характеристика прямой передачи

Далее будем менять напряжение на стоке. Ток стока увеличивается, в канале возникает падение напряжения. Из за сопротивления канала оно будет расти по направлению к стоку и представлять некоторую компенсацию напряженности поля затвора. Отсюда следует, что у стока напряженность поля затвора будет сильно ослаблена, число электронов в в канале не велико и канал сузится. Точно так же , как и в полевом транзисторе с p-n переходом произойдет самоограничение тока стока. Это обстоятельство формирует стоковую, основную, характеристику транзистора. Она изображена на рис. 10 и отражает управляющую роль затвора.

           

              

                 Рис. 10 Стоковые характеристики МОП транзистора

                Такие транзисторы работают в режиме обогащения канала. Особо обратим внимание на то, естественное состояние транзистора закрытое, для этого на него не надо ничего подавать. Это обстоятельство очень удобно при проектировании цифровых схем, в которых интерес представляет два состояния, закрытое и открытое. Это и определило область его использования.

Существует и другой тип МОП структур. В процессе изготовления в область между стоком и истоком (канала) вносится электронная примесь (рис.11). От истока к стоку имеем структуру n+ - nn+, которая уже изначально проводит ток. Электроны из созданного канала можно удалять, на затвор для этого подается отрицательное напряжение –Uз, или привлекать, подав +Uз. Таким образом, канал можно обеднять и обогащать носителями. Вольт – амперные формируются под влиянием этого и показаны на рис. 12.

                          

Рис. 11 Структура полевого транзистора со встроенным каналом

                                         а)                                                                     б)

                   Рис. 12 Стоковые а) и прямой передачи б) характеристики

                                 полевого транзистора со встроенным каналом

Особенностью этого транзистора является то, что при отсутствии напряжения на затворе структура находится в активном режиме, то – есть, способна усиливать сигнал. Поэтому такие транзисторы весьма удобны в усилительных схемах.

Мы рассмотрели полевые  МОП транзисторы. Противоположная проводимость канала ничего в принципе работы не меняет; изменятся только полярности источников питания и рассуждения о поведении электронов заменятся рассуждениями о дырках.

Условные графические изображения транзисторов на схемах показаны на рис. 13.


          

                         а)                                                      б)

        

                           в)                                                     г)

Рис. 13 Условное графическое изображение МОП транзисторов:

          а) встроенный n канал, б) встроенный р канал,

          в) индуцированный n канал, г) индуцированный р канал,

       И – исток, С – сток, З – затвор, П – подложка.

По выводу подложки можно, хотя и не очень эффективно, управлять током стока, это как бы второй управляющий электрод. Чаще всего в схемах его соединяют с истоком.

Заканчивая эту тему, обратим внимание на следующее. Вход МОП транзистора по затвору изолирован слоем диэлектрика SiO2от подложки и канала. Поэтому входное сопротивление равно практически бесконечности. Это очень важное преимущество, так как на выход источника входного сигнала, например, такого же транзистора можно включить большое количество транзисторов. В логических схемах это называется большим коэффициентом разветвления по входу.

Для всех электронных приборов вводятся схемы замещения, которые хотя и не строго объясняют его характеристики, но позволяют значительно облегчить анализ их работы в схеме. Существует такая схема замещения (рис. 14) и для полевого транзистора. Она отражает его возможности как усилителя с определенными выходными параметрами. На высокой частоте, когда необходимо учитывать влияние межэлектродных емкостей Ссток-исток, Сзатвор-исток, Сзатвор-сток,  в схему добавляются соответствующие конденсаторы.

  

                  Рис. 14 Схема замещения полевого транзистора на низкой частоте

По этой схеме вводятся параметры: Ri – выходное сопротивление по стоковому выводу  Ri= ΔIcUc, S -  крутизна характеристики  SIc`/ΔUз. Эти параметры можно определить по стоковым характеристикам. Все необходимые приращения для этого показаны на рис. 15.

  

Рис. 15 Определение параметров транзистора

Основные области применения МОП транзисторов следующие. Транзисторы со встроенным каналом используются как усилители; транзисторы же с индуцированным каналом применяются для построения логических схем.


-

P - затвор

З

-Uз

N - канал

исток

сток

И

С

+Uc

Электроны

U1

U2

Ic

исток

сток

 канал

U11

p-затвор

Сечение канала

+ + + + + +

+ + + + + +

З

С

И

З

С

И

Ic

+Uз

-

металл - затвор

З

-Uз

N - канал

исток

сток

И

С

+Uc

Электроны

U1

U2

n+

n+

Сток

Исток

Затвор   SiO2  +Uс

- - -  Электроны

- - - - - -  подложки

                 p-Si

                            Подложка

Е

Канал n

n+

n+

n- канал

         Si -p

Исток

Сток

Затвор  SiO2

Подложка

П

З

С

И

П

З

С

И

П

З

С

И

П

З

С

И

                            

    ΔI΄c                

 ΔIc

  з 

 

 и 

 

       Uc

         Ic

 

  dUc

ΔUз


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

50506. ПРИБОРЫ АНАЛОГОВЫЕ А542М 1.81 MB
  Перечень вложенных схем Приложение Г Схема электрическая принципиальная смонтированной платы прибора Приложение Е Схемы электрические соединений прибора: рисунок Схема электрическая соединений одноканального прибора; рисунок Схема электрическая соединений двухканального прибора Приложение Л Расположение элементов на плате канала измерения В связи с постоянной работой по совершенствованию изделий повышающей их надежность и улучшающей условия эксплуатации в конструкцию могут быть внесены незначительные изменения не...
50509. ОПРЕДЕЛЕНИЕ КОЛИЧЕСТВА АНТРОПОГЕННЫХ ЗАГРЯЗНЕНИЙ, ПОПАДАЮЩИХ В ОКРУЖАЮЩУЮ СРЕДУ В РЕЗУЛЬТАТЕ РАБОТЫ АВТОТРАНСПОРТА 223.5 KB
  Применение этой присадки позволяет сократить потребление топлива но загрязняет атмосферу соединениями свинца. При сжигании в автотранспортных установках топлива в воздух выбрасывается с продуктами сгорания сернистый ангидрид который соединяясь с атмосферной влагой образует сернистую и серную кислоты попадающие в конечном счете в почву и воду. В автомобильных двигателях химическая энергия топлива преобразуется в тепловую а затем в механическую работу. Курчатова подсчитано что во избежание гибельного парникового эффекта нужно...
50511. Теория информационной безопасности и методология защиты информации. Методические указания 2.41 MB
  Защита ПО от несанкционированного использования с помощью электронных ключей HSP Защита ПО от несанкционированного использования с помощью электронных ключей HSP Цель Познакомиться на практике с методами и средствами программно-аппаратной защиты программ и данных на примере электронных ключей HSP. Научиться программировать под электронные ключи HSP с использованием PIфункций для защиты программ от НСД. Программно-аппаратные средства Компьютерная лаборатория с ЛВС; электронные ключи HSP: HSP4 Stndrd HSP4 Memo HSP4 Time HSP4 Net;...
50512. АРХИВИРОВАНИЕ ДАННЫХ. РАБОТА С АРХИВАТОРАМИ КРАТКИЕ ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ СВЕДЕНИЯ 159 KB
  Наиболее известные архиваторы Название Описание 7ZIP http: 7zip. Он поддерживает ZIP 7z RR CB GZIP BZIP2 и TRархивы. Степень сжатия которая достигается этим архиватором чрезвычайно высока при использовании родного формата 7zip но при использовании опций обычного ZIPформата степень сжатия меньше. LZip Мощная программа для работы как с Zipфайлами так и с архивами других форматов всего 35 и компрессирование разных форматов.
50513. Изучение затухающих электромагнитных колебаний в колебательном контуре с помощью осциллографа 519.5 KB
  Цель работы: Изучение с помощью электронного осциллографа электромагнитных колебаний возникающих в колебательном контуре содержащем индуктивность емкость и активное сопротивление; изучение условий возникновения затухающих колебаний в контуре; расчет основных физических...
50514. Использование СУБД ACCESS для публикация данных в Web 58 KB
  Результат создания страницы доступа к данным просмотреть в Web броузере. Статические HTMLстраницы Такая Webстраница содержит некоторые неизменяемые данные полученные путем преобразования данных таблицы или запроса CCESS в документ формата HTML. При создании такой страницы создается один документ для каждой таблицы формы или страницы отчета CCESS.