1120

Принципы использование тиристоров

Доклад

Физика

Принцип действия тиристора. Полупроводниковые источники света. Светоизлучающие диоды. Механические колебания диодов кристаллической решетки. Характеристики СИД. Полупроводниковый лазер. Система зеркал – оптический резистор.

Русский

2013-01-06

108 KB

20 чел.

Принципы использование тиристоров.

Довольно многочисленная группа приборов, предназначенная для коммутации. В некоторых из них малый ток позволяет переключать большой. В некотором смысле это аналог механического выключателя .

В эту группу входят следующие приборы.

- Динисторы, неуправляемые переключатели. Состояние определяется только величиной приложенного напряжения. Электроды  называются «Анод» и «Катод».

- Тринисторы, именно их и называют не совсем корректно тиристорами. Это  управляемые переключатели, имеющие управляющий электрод (УЭ). Небольшой ток этого электрода осуществляет коммутацию большого тока протекающего по аноду и катоду. Управление может осуществляется по катоду а) и по аноду б).

- Симисторы, симметричные тиристоры, не требуют для работы определенной полярности напряжения. Имеются неуправляемые а) и управляемые б).

                       

Кроме того, имеются тиристоры с двумя управляющими электродами, фототиристоры,  тиристоры работающие на включение и выключение и др.

Принцип действия тиристора.

динистор

На переходах напряженность ЭП: уходят носители тока из приграничных областей. Если на анод подать положительный заряд, а на катод – отрицательный, то ЭП открывается, КП будет закрыт. Через  КП потечет ток неосновных носителей I0.

На ЭП2, который открывается не полностью. Существует электрическое поле, которое тормозит дальнейшее движение электронов. Электроны начинают задерживаться в Б2. Во второй базе будет отрицательный заряд электронов (неравновесный отрицательный заряд). Дырки будут тормозиться в Б1, где есть положительный заряд. Под действием положительного и отрицательного зарядов возникает напряженность ЭП, которая открывает КП. Ток сам себя увеличивает: КП открывается, что приводит к увеличению тока и неравновесного заряда, больше открывается КП и ток еще больше – положительная обратная связь. Переход происходит лавинообразно.

  1.  тиристор включен

1-2 идет включение тиристора

2-3 включение резистора в включенное состояние

1. Uвкл - напряжение включения

2. Imin – минимальный ток удерживает открытое состояние

3. Uост – остаточное напряжение

4. Imах – максимальный ток, который может пропустить динистор

5. τвкл/выкл – быстродействие тиристора

Тиристор

Uупр способствует более раннему открытию ЭП, за счет чего накопление неравновесного заряда, необходимого для открытия КП, происходит при меньших сильных напряжениях.

Uвкл = Uост

Iу = Iспр – ток, который делает характеристику спряженной.

Тиристор не выключается по управляемому электроду, т.к. после открытия тиристора по структуре идут большие токи. Выключить тиристор можно только снижением анодного напряжения, при котором ток анода будет меньше Iаmin.

Применение – силовые схемы.


Регулирует источник постоянного напряжения.

Полупроводниковые источники света.

Область применения: волоконно-оптические связи, обтроны.

Два вида полупроводниковых источников света:

- светоизлучающие диоды (СИД)

- полупроводниковые лазеры

Светоизлучающие диоды.


Wг – нагрев кристалла

Wг+ Wфон. + Wф. – энергия фотонов

Фотоны – механические колебания диодов кристаллической решетки. Основная энергия – энергия фотонов.

Полупроводниковые соединения – материалы для создания СИДов.

GaAs, GaAlAs

Фиксированная локализованная частота излучения определяется шириной запрещенной зоны. При прохождении тока процесс рекомбинации электронов идет случайно.

Характеристики СИД.

1. Риз = 1-10 мВт

2. ВАХ

3. Риз = f(λ)

Полупроводниковый лазер.

Нужно сделать так, чтобы излучение переходов электронов было больше. Это можно сделать, если создать состояние инверсной населенности – когда вопреки статистике Ферми и Максвелла на дне запрещенной зоны электронов больше, чем у потолка валентной зоны. Этого можно достичь несколькими энергетическими воздействиями полупроводников.

Два условия достижения инверсной населенности.

1. p-n переход должен создаваться на основе вырожденных полупроводников.

2. p-n переход должен находиться в открытом состоянии.

Область инверсной населенности возникает в самом переходе – индуцированное излучение.

Положительная обратная связь по световому потоку

Все электроны опускаются на низкие уровни энергии (когерентный источник света).

Система зеркал – оптический резистор.

Свойства лазера во многом зависят от размеров резистора.

Характеристики полупроводникового лазера.

1. Iпор – пороговый ток: если I<Iпор – обычный светодиод.

2. спектральная характеристика

 

при больших размерах оптического резонатора

при малых размерах оптического резонатора

излучение многомодовое

3. Ризл = 10 мВт – непрерывный режим

              100 мВт - импульсный режим

4. модуляционная характеристика


Приемники света (фоточувствительные приборы).

Фоторезистор, фотодиод, фототиристор.

Фотодиод.

Если Wф > ΔW, то возникает генерация электронно-дырочных пар, растет число неосновных носителей, которые формируют обратный ток I0.

Р3>P2>P1

Рф – фототок

 

p-i-n – фотодиод

Характеристики.

1. η – коэффициент чувствительности

2. спектральные характеристики

При коротких длинах волн глубина волны в полупроводнике чувствительность уменьшается, а при больших длинах волн энергии фотонов недостаточно, чтобы вызвать генерацию электронно-дырочных пар.

Обтрон

Обтрон состоит из источника света и приемника. В качестве источника света – СИД. Приемники могут быть различны:

  •  резистивный обтрон
  •  диодный обтрон
  •  транзисторный обтрон
  •  тиристорный обтрон

Достоинства: между входом и выходом отсутствует связь проводников (гальваническая связь).


А         К

А         К

                    УЭ            а)

                                УЭ

А         К

      УЭ                                б)

                                

а)

УЭ

б)

ЭП1               КП               ЭР2

                   +     -             -     +      -      +   -

К                                                                                   А

                   +      -             -    +      -      +   -

                   +      -             -    +      -      +   -

-                                                   +

                   +      -             -    +      -      +   -

            n                  p                   n                  p

    

                   Э1       Б1       Е1       Б2       Е2      Э2

+q                                            -q

      Ia

                                            3

                                        

                                        Uост

                                 2

  Imin       

          диод         1

        0

                                                       I0             Uвкл      Ua

                                                                    ЭП1

     А              p               n                    p                n                 K

    +                                                                                            -

      

      Uупр

                                         УЭ        

      Ia

                                            

                                        

                                        Uост

                                

  Imin       

                   I0

        0

                                               Iy3  >   Iy2    >    Iy1      Ua

                                                       Uупр 

       +           -

220В                                                            Rн 

Uупр

+

                                                       Ризл

+          p                                    n                                 -

Ip

-

+

Зона проводимости

 

                Электрон

          ∆W                        Запрещенная зона

                  Дырка

Валентная зона

  Риз

                                           10-80 нМ

                          0.85 мкМ                                 λ

-

+

             Зона проводимости

 

                

                                                          Запрещенная зона

          Ф             ∆W                             Ф   

     рекомбинирует

                  

       Валентная зона

-

p                              n

Ризл

Ф2

Ф1

езонатор

Перло

Риз 

                                                0,1 нМ

              λ

Риз 

                                                       10-20 нМ

              λ

Риз

Iпр

p                              n

+

-

-

+

             Зона проводимости

 

                

             Wф                                     Запрещенная зона

                        

                           ∆W                             

                  

       Валентная зона

Uобр         Io = IT        темновой ток

Р=0

P1                   Iф

P2

P3

                                                                         Iобр

-          p                         i                 n                      +                          

η

λ

     Uвых

Вход

+        Е

       Iпр

-

           выход


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

34869. Номінальний і реальний ВНП 24 KB
  Номінальний і реальний ВНП ВНП і НД грошові показники. Щоб аналізувати динаміку ВНП НД потрібно щоб ці показники були іміішіі по роках тобто необхідно привести їх до одного рівня цін. індекс цін у даному році = ■ н х 100 ціна ринкового кошика в базовому році Індекс цін ВНП називається дефлятором ВНП. Дефлятор ВНП використовується для коригування номінального ВНП і'ЛИНЯМ ЗМІНИ ЦІН.
34870. Економічне зростання – мета макроекономічного розвитку країни 22 KB
  Економічне зростання мета макроекономічного розвитку країни Економічне зростання це найважливіша макроекономічна категорія яка є показником не лише абсолютного збільшення обсягів суспільного виробництва а й здатності економічної системи задовольняти зростаючі потреби підвищувати якість життя. Саме тому економічне зростання включається до числа основних цілей суспільства поряд з економічною свободою економічною ефективністю тощо. Економічне зростання створює можливості забезпечувати постійно зростаючі потреби людей в товарах і послугах...
34871. Фази економічного циклу 23.5 KB
  Фази економічного циклу Циклічність це форма розвитку національної економіки і світового господарства як єдиного цілого це рух від однієї макроекономічної рівноваги в масштабі економіки в цілому до другої. Криза головна фаза циклу вона завершує попердній цикл і є початком наступного. Депресія фаза циклу яка проявляється у застої виробництва. Піднесення фаза циклу коли виробництво перевищує рівень попереднього циклу і зростає високими темпами.
34872. Поняття і види безробіття 23 KB
  Безробіття - це відсутність можливості для працівників, здатних і бажаючих трудитися, мати робоче місце, що дає право на одержання прибутку.
34873. Класифікація населення україни.Рівень безробіття 24.5 KB
  Рівень безробіття 1. Рівень безробіття безробіття робоча сила. У звязку з тим що добровільне безробіття є і Д нормальним явищем то повна зайнятість припускає що економіка ніколи не V функціонує при 100 зайнятості робочої сили. Повна зайнятість це зайнятість яка складає менше 100 наявної робочої сили що припускає фрикційну та структурну форми безробіття.
34874. Сутність і показники інфляції 23 KB
  сутність і показники інфляції Інфляція це підвищення загального рівня цін. Дефляція зворотне явище тобто зниження загального рівня цін. В економічній літературі дискусійним є питання про те чи всяке підвищення цін є інфляційним. Більшість економістів вважають що будьяке підвищення цін означає інфляцію.
34875. Види інфляції 23.5 KB
  По причині виникнення :1) Інфляція попиту –виникає в результаті перевищення спроса попиту над пропозицією 2)Інфляція іздержок -виникає в результаті збільшення іздержок виробництва і зменшення пропозиції в результаті збільшення заробітної плати і збільшенням уін на ресурси (крива пропозиції буде відхилятися вліво).
34876. Сутність і функції грошей 24.5 KB
  Сутність і функції грошей Гроші це загальний еквівалент що виконує основні функції: міра ітості засіб обігу і засіб заощадження. Гроші як загальний еквівалент виникли ще в VII 111 і до нашої ери і виступали у вигляді товару що виражає вартість всіх і ч товарів що дозволяло легко порівнювати товари між собою. Цю функцію гроші виконують безпосередньо і виступають у якості посередника в товарному обігу. У 1690 року в Північній Америці з'явилися замінники золота у вигляді паперових грошей коли гроші вільно...
34877. Види і засоби, що замінюють гроші 23.5 KB
  Вексель письмове зобовязання боржника сплатити визначену суму грошей у визначений термін. Звичайний вексель має такі реквізити: 1 найменування; 2 визначену суму платежів; 3 зазначення терміну платежу; 4 найменування того кому має бути здійснено платіж; 5 місце дату складання векселю і підпис того хто його видав. Вексель може розпочати самостійний рух якщо він передається від одного власника держателя до іншого шляхом особливого передатного напису індосаменту. Вексель можна передати банку отримавши із певною знижкою борг...