1120

Принципы использование тиристоров

Доклад

Физика

Принцип действия тиристора. Полупроводниковые источники света. Светоизлучающие диоды. Механические колебания диодов кристаллической решетки. Характеристики СИД. Полупроводниковый лазер. Система зеркал – оптический резистор.

Русский

2013-01-06

108 KB

21 чел.

Принципы использование тиристоров.

Довольно многочисленная группа приборов, предназначенная для коммутации. В некоторых из них малый ток позволяет переключать большой. В некотором смысле это аналог механического выключателя .

В эту группу входят следующие приборы.

- Динисторы, неуправляемые переключатели. Состояние определяется только величиной приложенного напряжения. Электроды  называются «Анод» и «Катод».

- Тринисторы, именно их и называют не совсем корректно тиристорами. Это  управляемые переключатели, имеющие управляющий электрод (УЭ). Небольшой ток этого электрода осуществляет коммутацию большого тока протекающего по аноду и катоду. Управление может осуществляется по катоду а) и по аноду б).

- Симисторы, симметричные тиристоры, не требуют для работы определенной полярности напряжения. Имеются неуправляемые а) и управляемые б).

                       

Кроме того, имеются тиристоры с двумя управляющими электродами, фототиристоры,  тиристоры работающие на включение и выключение и др.

Принцип действия тиристора.

динистор

На переходах напряженность ЭП: уходят носители тока из приграничных областей. Если на анод подать положительный заряд, а на катод – отрицательный, то ЭП открывается, КП будет закрыт. Через  КП потечет ток неосновных носителей I0.

На ЭП2, который открывается не полностью. Существует электрическое поле, которое тормозит дальнейшее движение электронов. Электроны начинают задерживаться в Б2. Во второй базе будет отрицательный заряд электронов (неравновесный отрицательный заряд). Дырки будут тормозиться в Б1, где есть положительный заряд. Под действием положительного и отрицательного зарядов возникает напряженность ЭП, которая открывает КП. Ток сам себя увеличивает: КП открывается, что приводит к увеличению тока и неравновесного заряда, больше открывается КП и ток еще больше – положительная обратная связь. Переход происходит лавинообразно.

  1.  тиристор включен

1-2 идет включение тиристора

2-3 включение резистора в включенное состояние

1. Uвкл - напряжение включения

2. Imin – минимальный ток удерживает открытое состояние

3. Uост – остаточное напряжение

4. Imах – максимальный ток, который может пропустить динистор

5. τвкл/выкл – быстродействие тиристора

Тиристор

Uупр способствует более раннему открытию ЭП, за счет чего накопление неравновесного заряда, необходимого для открытия КП, происходит при меньших сильных напряжениях.

Uвкл = Uост

Iу = Iспр – ток, который делает характеристику спряженной.

Тиристор не выключается по управляемому электроду, т.к. после открытия тиристора по структуре идут большие токи. Выключить тиристор можно только снижением анодного напряжения, при котором ток анода будет меньше Iаmin.

Применение – силовые схемы.


Регулирует источник постоянного напряжения.

Полупроводниковые источники света.

Область применения: волоконно-оптические связи, обтроны.

Два вида полупроводниковых источников света:

- светоизлучающие диоды (СИД)

- полупроводниковые лазеры

Светоизлучающие диоды.


Wг – нагрев кристалла

Wг+ Wфон. + Wф. – энергия фотонов

Фотоны – механические колебания диодов кристаллической решетки. Основная энергия – энергия фотонов.

Полупроводниковые соединения – материалы для создания СИДов.

GaAs, GaAlAs

Фиксированная локализованная частота излучения определяется шириной запрещенной зоны. При прохождении тока процесс рекомбинации электронов идет случайно.

Характеристики СИД.

1. Риз = 1-10 мВт

2. ВАХ

3. Риз = f(λ)

Полупроводниковый лазер.

Нужно сделать так, чтобы излучение переходов электронов было больше. Это можно сделать, если создать состояние инверсной населенности – когда вопреки статистике Ферми и Максвелла на дне запрещенной зоны электронов больше, чем у потолка валентной зоны. Этого можно достичь несколькими энергетическими воздействиями полупроводников.

Два условия достижения инверсной населенности.

1. p-n переход должен создаваться на основе вырожденных полупроводников.

2. p-n переход должен находиться в открытом состоянии.

Область инверсной населенности возникает в самом переходе – индуцированное излучение.

Положительная обратная связь по световому потоку

Все электроны опускаются на низкие уровни энергии (когерентный источник света).

Система зеркал – оптический резистор.

Свойства лазера во многом зависят от размеров резистора.

Характеристики полупроводникового лазера.

1. Iпор – пороговый ток: если I<Iпор – обычный светодиод.

2. спектральная характеристика

 

при больших размерах оптического резонатора

при малых размерах оптического резонатора

излучение многомодовое

3. Ризл = 10 мВт – непрерывный режим

              100 мВт - импульсный режим

4. модуляционная характеристика


Приемники света (фоточувствительные приборы).

Фоторезистор, фотодиод, фототиристор.

Фотодиод.

Если Wф > ΔW, то возникает генерация электронно-дырочных пар, растет число неосновных носителей, которые формируют обратный ток I0.

Р3>P2>P1

Рф – фототок

 

p-i-n – фотодиод

Характеристики.

1. η – коэффициент чувствительности

2. спектральные характеристики

При коротких длинах волн глубина волны в полупроводнике чувствительность уменьшается, а при больших длинах волн энергии фотонов недостаточно, чтобы вызвать генерацию электронно-дырочных пар.

Обтрон

Обтрон состоит из источника света и приемника. В качестве источника света – СИД. Приемники могут быть различны:

  •  резистивный обтрон
  •  диодный обтрон
  •  транзисторный обтрон
  •  тиристорный обтрон

Достоинства: между входом и выходом отсутствует связь проводников (гальваническая связь).


А         К

А         К

                    УЭ            а)

                                УЭ

А         К

      УЭ                                б)

                                

а)

УЭ

б)

ЭП1               КП               ЭР2

                   +     -             -     +      -      +   -

К                                                                                   А

                   +      -             -    +      -      +   -

                   +      -             -    +      -      +   -

-                                                   +

                   +      -             -    +      -      +   -

            n                  p                   n                  p

    

                   Э1       Б1       Е1       Б2       Е2      Э2

+q                                            -q

      Ia

                                            3

                                        

                                        Uост

                                 2

  Imin       

          диод         1

        0

                                                       I0             Uвкл      Ua

                                                                    ЭП1

     А              p               n                    p                n                 K

    +                                                                                            -

      

      Uупр

                                         УЭ        

      Ia

                                            

                                        

                                        Uост

                                

  Imin       

                   I0

        0

                                               Iy3  >   Iy2    >    Iy1      Ua

                                                       Uупр 

       +           -

220В                                                            Rн 

Uупр

+

                                                       Ризл

+          p                                    n                                 -

Ip

-

+

Зона проводимости

 

                Электрон

          ∆W                        Запрещенная зона

                  Дырка

Валентная зона

  Риз

                                           10-80 нМ

                          0.85 мкМ                                 λ

-

+

             Зона проводимости

 

                

                                                          Запрещенная зона

          Ф             ∆W                             Ф   

     рекомбинирует

                  

       Валентная зона

-

p                              n

Ризл

Ф2

Ф1

езонатор

Перло

Риз 

                                                0,1 нМ

              λ

Риз 

                                                       10-20 нМ

              λ

Риз

Iпр

p                              n

+

-

-

+

             Зона проводимости

 

                

             Wф                                     Запрещенная зона

                        

                           ∆W                             

                  

       Валентная зона

Uобр         Io = IT        темновой ток

Р=0

P1                   Iф

P2

P3

                                                                         Iобр

-          p                         i                 n                      +                          

η

λ

     Uвых

Вход

+        Е

       Iпр

-

           выход


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

21303. Структурная организация систем обработки данных 156.5 KB
  Организация систем вводавывода. Структура и функции системы вводавывода. Канал вводавывода. Способы организации системы вводаввода.
21304. Уровни комплексирования устройств в вычислительных системах 78.5 KB
  1: 1 прямого управления процессор процессор; 2 общей оперативной памяти; 3 комплексируемых каналов вводавывода; 4 устройств управления внешними устройствами УВУ; 5 общих внешних устройств. Уровень прямого управления служит для передачи коротких однобайтных приказовсообщений. Процессоринициатор обмена по интерфейсу прямого управления ИПУ передает в блок прямого управления байтсообщение и подает команду Прямая запись. Уровень прямого управления не может использоваться для передачи больших массивов данных.
21305. Системы анализа защищенности корпоративной сети (обнаружения уязвимостей) на примере продуктов: Microsoft Baseline Security Analyzer и XSpider 527.5 KB
  Лекция: Системы анализа защищенности корпоративной сети обнаружения уязвимостей на примере продуктов: Microsoft Baseline Security Analyzer и XSpider От эффективности защиты операционных систем напрямую зависит уровень безопасности сетевой инфраструктуры организации в целом. В данной лекции мы познакомимся с такими программными средствами для анализа защищенности ОС как Microsoft Baseline Security Analyzer и сканер безопасности XSpider 7. На этом занятии будут рассмотрены программные средства для анализа защищенности операционных систем...
21306. Обеспечение безопасности хранения данных в ОС Microsoft 543 KB
  Для изменения настроек теневых копий тома отличных от заданных по умолчанию выберите нужный том из списка и нажмите кнопку Параметры рис 3. Окно настройки параметров теневого копирования тома Если вы решили изменить расписание создания теневых копий нажмите кнопку Расписание : появится окно представленное на рис. Окно настройки расписания теневого копирования тома После выполненных настроек нажмите кнопку Включить начнут создаваться теневые копии общих папок на заданном томе. Нажмите ссылку Расширенный режим а затем перейдите на...
21307. Центр обеспечения безопасности (Windows Security Center) в операционной системе Windows XP SP2 1.16 MB
  Лекция: Центр обеспечения безопасности Windows Security Center в операционной системе Windows XP SP2 В этой лекции будет рассмотрен Центр обеспечения безопасности Windows Windows Security Center входящий в состав Windows XP SP2. С помощью этого инструмента пользователь имеет возможность не только контролировать состояние перечисленных выше компонентов но и получать рекомендации по устранению возникающих с этими компонентами проблем В этом занятии будет рассмотрен Центр обеспечения безопасности Windows Windows Security Center входящий...
21308. Средства анализа защищенности 42 KB
  Средства анализа защищенности исследуют сеть и ищут слабые места в ней анализируют полученные результаты и на их основе создают различного рода отчеты. Перечислим некоторые из проблем идентифицируемых системами анализа защищенности: 1. Системы анализа защищенности предназначены для обнаружения только известных уязвимостей описание которых есть у них в базе данных.
21309. Проектирование детали «Вал-шестерня» 354 KB
  По схеме силового нагружения вал-шестерня является двухопорной балкой. Опорными шейками служат: 260k6, которые используются для посадки подшипников поз. 55. Благодаря установке по схеме «враспор» осевой фиксации подшипников не требуется, что упрощает конструкцию шеек вал-шестерни
21310. Технологии межсетевых экранов 202.9 KB
  Основные задачи МЭ: Ограничить доступ пользователей из внешней сети к ресурсам внутренней сети. Обычно внешней сетью является более глобальная относительно внутренней сети например Интернет относительно корпоративной сети или локальная сеть относительно ресурсов локального компьютера. В случае с Интернетом пользователями внешней сети могут быть как удаленные пользователи и партнеры так и хакеры.
21311. Туннелирование 63 KB
  Сложность современных систем такова что без правильно организованного управления они постепенно деградируют как в плане эффективности так и в плане защищенности. Системы управления должны: позволять администраторам планировать организовывать контролировать и учитывать использование информационных сервисов; давать возможность отвечать на изменение требований; обеспечивать предсказуемое поведение информационных сервисов; обеспечивать защиту информации.700 выделяется пять функциональных областей управления: управление конфигурацией...