1120

Принципы использование тиристоров

Доклад

Физика

Принцип действия тиристора. Полупроводниковые источники света. Светоизлучающие диоды. Механические колебания диодов кристаллической решетки. Характеристики СИД. Полупроводниковый лазер. Система зеркал – оптический резистор.

Русский

2013-01-06

108 KB

22 чел.

Принципы использование тиристоров.

Довольно многочисленная группа приборов, предназначенная для коммутации. В некоторых из них малый ток позволяет переключать большой. В некотором смысле это аналог механического выключателя .

В эту группу входят следующие приборы.

- Динисторы, неуправляемые переключатели. Состояние определяется только величиной приложенного напряжения. Электроды  называются «Анод» и «Катод».

- Тринисторы, именно их и называют не совсем корректно тиристорами. Это  управляемые переключатели, имеющие управляющий электрод (УЭ). Небольшой ток этого электрода осуществляет коммутацию большого тока протекающего по аноду и катоду. Управление может осуществляется по катоду а) и по аноду б).

- Симисторы, симметричные тиристоры, не требуют для работы определенной полярности напряжения. Имеются неуправляемые а) и управляемые б).

                       

Кроме того, имеются тиристоры с двумя управляющими электродами, фототиристоры,  тиристоры работающие на включение и выключение и др.

Принцип действия тиристора.

динистор

На переходах напряженность ЭП: уходят носители тока из приграничных областей. Если на анод подать положительный заряд, а на катод – отрицательный, то ЭП открывается, КП будет закрыт. Через  КП потечет ток неосновных носителей I0.

На ЭП2, который открывается не полностью. Существует электрическое поле, которое тормозит дальнейшее движение электронов. Электроны начинают задерживаться в Б2. Во второй базе будет отрицательный заряд электронов (неравновесный отрицательный заряд). Дырки будут тормозиться в Б1, где есть положительный заряд. Под действием положительного и отрицательного зарядов возникает напряженность ЭП, которая открывает КП. Ток сам себя увеличивает: КП открывается, что приводит к увеличению тока и неравновесного заряда, больше открывается КП и ток еще больше – положительная обратная связь. Переход происходит лавинообразно.

  1.  тиристор включен

1-2 идет включение тиристора

2-3 включение резистора в включенное состояние

1. Uвкл - напряжение включения

2. Imin – минимальный ток удерживает открытое состояние

3. Uост – остаточное напряжение

4. Imах – максимальный ток, который может пропустить динистор

5. τвкл/выкл – быстродействие тиристора

Тиристор

Uупр способствует более раннему открытию ЭП, за счет чего накопление неравновесного заряда, необходимого для открытия КП, происходит при меньших сильных напряжениях.

Uвкл = Uост

Iу = Iспр – ток, который делает характеристику спряженной.

Тиристор не выключается по управляемому электроду, т.к. после открытия тиристора по структуре идут большие токи. Выключить тиристор можно только снижением анодного напряжения, при котором ток анода будет меньше Iаmin.

Применение – силовые схемы.


Регулирует источник постоянного напряжения.

Полупроводниковые источники света.

Область применения: волоконно-оптические связи, обтроны.

Два вида полупроводниковых источников света:

- светоизлучающие диоды (СИД)

- полупроводниковые лазеры

Светоизлучающие диоды.


Wг – нагрев кристалла

Wг+ Wфон. + Wф. – энергия фотонов

Фотоны – механические колебания диодов кристаллической решетки. Основная энергия – энергия фотонов.

Полупроводниковые соединения – материалы для создания СИДов.

GaAs, GaAlAs

Фиксированная локализованная частота излучения определяется шириной запрещенной зоны. При прохождении тока процесс рекомбинации электронов идет случайно.

Характеристики СИД.

1. Риз = 1-10 мВт

2. ВАХ

3. Риз = f(λ)

Полупроводниковый лазер.

Нужно сделать так, чтобы излучение переходов электронов было больше. Это можно сделать, если создать состояние инверсной населенности – когда вопреки статистике Ферми и Максвелла на дне запрещенной зоны электронов больше, чем у потолка валентной зоны. Этого можно достичь несколькими энергетическими воздействиями полупроводников.

Два условия достижения инверсной населенности.

1. p-n переход должен создаваться на основе вырожденных полупроводников.

2. p-n переход должен находиться в открытом состоянии.

Область инверсной населенности возникает в самом переходе – индуцированное излучение.

Положительная обратная связь по световому потоку

Все электроны опускаются на низкие уровни энергии (когерентный источник света).

Система зеркал – оптический резистор.

Свойства лазера во многом зависят от размеров резистора.

Характеристики полупроводникового лазера.

1. Iпор – пороговый ток: если I<Iпор – обычный светодиод.

2. спектральная характеристика

 

при больших размерах оптического резонатора

при малых размерах оптического резонатора

излучение многомодовое

3. Ризл = 10 мВт – непрерывный режим

              100 мВт - импульсный режим

4. модуляционная характеристика


Приемники света (фоточувствительные приборы).

Фоторезистор, фотодиод, фототиристор.

Фотодиод.

Если Wф > ΔW, то возникает генерация электронно-дырочных пар, растет число неосновных носителей, которые формируют обратный ток I0.

Р3>P2>P1

Рф – фототок

 

p-i-n – фотодиод

Характеристики.

1. η – коэффициент чувствительности

2. спектральные характеристики

При коротких длинах волн глубина волны в полупроводнике чувствительность уменьшается, а при больших длинах волн энергии фотонов недостаточно, чтобы вызвать генерацию электронно-дырочных пар.

Обтрон

Обтрон состоит из источника света и приемника. В качестве источника света – СИД. Приемники могут быть различны:

  •  резистивный обтрон
  •  диодный обтрон
  •  транзисторный обтрон
  •  тиристорный обтрон

Достоинства: между входом и выходом отсутствует связь проводников (гальваническая связь).


А         К

А         К

                    УЭ            а)

                                УЭ

А         К

      УЭ                                б)

                                

а)

УЭ

б)

ЭП1               КП               ЭР2

                   +     -             -     +      -      +   -

К                                                                                   А

                   +      -             -    +      -      +   -

                   +      -             -    +      -      +   -

-                                                   +

                   +      -             -    +      -      +   -

            n                  p                   n                  p

    

                   Э1       Б1       Е1       Б2       Е2      Э2

+q                                            -q

      Ia

                                            3

                                        

                                        Uост

                                 2

  Imin       

          диод         1

        0

                                                       I0             Uвкл      Ua

                                                                    ЭП1

     А              p               n                    p                n                 K

    +                                                                                            -

      

      Uупр

                                         УЭ        

      Ia

                                            

                                        

                                        Uост

                                

  Imin       

                   I0

        0

                                               Iy3  >   Iy2    >    Iy1      Ua

                                                       Uупр 

       +           -

220В                                                            Rн 

Uупр

+

                                                       Ризл

+          p                                    n                                 -

Ip

-

+

Зона проводимости

 

                Электрон

          ∆W                        Запрещенная зона

                  Дырка

Валентная зона

  Риз

                                           10-80 нМ

                          0.85 мкМ                                 λ

-

+

             Зона проводимости

 

                

                                                          Запрещенная зона

          Ф             ∆W                             Ф   

     рекомбинирует

                  

       Валентная зона

-

p                              n

Ризл

Ф2

Ф1

езонатор

Перло

Риз 

                                                0,1 нМ

              λ

Риз 

                                                       10-20 нМ

              λ

Риз

Iпр

p                              n

+

-

-

+

             Зона проводимости

 

                

             Wф                                     Запрещенная зона

                        

                           ∆W                             

                  

       Валентная зона

Uобр         Io = IT        темновой ток

Р=0

P1                   Iф

P2

P3

                                                                         Iобр

-          p                         i                 n                      +                          

η

λ

     Uвых

Вход

+        Е

       Iпр

-

           выход


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

80244. Рынок и его инфраструктура 94.5 KB
  Рынок и его инфраструктура План 1. Сущность функции и структура рынка Объединенное понятие рынок как место массовой куплипродажи товаров лишь частичного отражает содержание которое вкладывается в понятие рынок экономической науки и хозяйственной практикой. Рынок в широком смысле объединяет в себе несколько понятий. Вовторых рынок есть вся совокупность процессов торговли актов куплипродажи который характеризуется такими признаками как вид продаваемых товаров объем продаж способ торговли уровень цен.
80245. Основы саморегулирования рыночной экономики 134 KB
  Объективные факторы: экономические: базовый уровень развития производства; объём реальных потребностей и уровень их удовлетворения; средний уровень денежных доходов населения; рыночные цены; уровень цен товаровзаменителейи взаимодополняемых товаров; принципы распределения доходов; условия предоставления кредитов качество товара. Он отражает причинноследственную связь между изменением цены и изменением величины спроса. Рост цены при прочих неизменных условиях вызывает снижение спроса что способствует разрешению противоречия...
80246. Экономическая роль государства в рыночной экономике 74.5 KB
  Необходимость и сущность государственного регулирования рыночной экономики. Формы государственного регулирования рыночной экономики. Необходимость и сущность государственного регулирования рыночной экономики. Государственное регулирование экономики сложилось не сразу.
80247. Доходы и их распределение. Заработная плата 81.5 KB
  Марксистская теория исходит из того что новая стоимость товара созданная трудом наемных работников проходя через сферу обращения в ходе конкурентной борьбы распределяется и перераспределяется принимая различные формы: заработной платы наемных работников; прибыль капиталистов; процентов ссудных капиталистов банкиров; ренты владельцев земли и других природных факторов объектов добывающей промышленности и строительства. Объективное распределение доходов зависит от того что вновь созданная стоимость слагается из необходимого продукта...
80248. ОСОБЕННОСТИ ФОРМИРОВАНИЯ ЦЕН В ЗАВИСИМОСТИ ОТ МОДЕЛИ РЫНКА 55.5 KB
  Рынок совершенной конкуренции: характерные черты и механизм ценообразования. Особенности рынка несовершенной конкуренции. Механизм рыночных цен позволяет стимулировать рациональное использование ограниченных и редких ресурсов добиваться эффективного хозяйствования решать триаду экономических проблем: что как и для кого производить На решение этих проблем направлен и механизм конкуренции. Монополия вырастая из конкуренции на определенном этапе своего развития уничтожает конкуренцию но рыночная конкуренция как известно неотъемлемый...
80249. Особенности предпринимательства в агропромышленном комплексе 65.5 KB
  Аграрные отношения это составная часть экономических отношений которые складываются в сельском хозяйстве в связи с владением и использованием земли как главного средства производства в сельскохозяйственной отросли. Это обусловлено использованием в производстве земли как специфического искусственно невоспроизводимого средства производства различающегося по плодородию места расположению. Эти свойства наоборот даже могут улучшаться что приведет к росту ценности земли. Тесная зависимость земли от природноклиматических условий сезонный...
80250. ДЕНЕЖНОЕ ОБРАЩЕНИЕ. ФИНАНСОВАЯ СИСТЕМА И ФИСКАЛЬНАЯ ПОЛИТИКА 78 KB
  Особенности рынка денег. Особенности рынка денег. Сущность денег состоит в том что они: обладают всеобщей обмениваемостью; представляют собой кристаллизацию меновой стоимости; являются воплощением всеобщего рабочего времени. С развитием общества изменялись функции и виды денег.
80251. МИРОВОЕ ХОЗЯЙСТВО И ЕГО ЭВОЛЮЦИЯ 73.5 KB
  Постсоциалистические страны переходят от плановораспределительной к рыночной экономике. В соответствии с этими критериями в мировой системе хозяйства выделяется промышленноразвитые и новые индустриальные страны; высокодоходные государства экспортирующие сырье и энергоносители; наименее развитые и бедные страны мира. Кроме того различают страны с развитой развивающейся рыночной экономикой и страны с нерыночной экономикой. Используя абсолютные преимущества в специализации производства страны обмениваются избыточной продукцией и...
80252. МИРОВАЯ ВАЛЮТНАЯ СИСТЕМА 71.5 KB
  Международные валютные отношения это совокупность экономических отношений между странами юридическими и частными лицами международными экономическими и финансовокредитными организациями по поводу образования и движения валюты. в этот период имели место стабильные золотые валюты и другие международные ликвидные ресурсы в большинстве развитых стран был четкий механизм определения взаимных валютных паритетов курсов международный валютный рынок согласованный порядок взаимных международных платежей на основе вексельного обращения оно...