1120

Принципы использование тиристоров

Доклад

Физика

Принцип действия тиристора. Полупроводниковые источники света. Светоизлучающие диоды. Механические колебания диодов кристаллической решетки. Характеристики СИД. Полупроводниковый лазер. Система зеркал – оптический резистор.

Русский

2013-01-06

108 KB

20 чел.

Принципы использование тиристоров.

Довольно многочисленная группа приборов, предназначенная для коммутации. В некоторых из них малый ток позволяет переключать большой. В некотором смысле это аналог механического выключателя .

В эту группу входят следующие приборы.

- Динисторы, неуправляемые переключатели. Состояние определяется только величиной приложенного напряжения. Электроды  называются «Анод» и «Катод».

- Тринисторы, именно их и называют не совсем корректно тиристорами. Это  управляемые переключатели, имеющие управляющий электрод (УЭ). Небольшой ток этого электрода осуществляет коммутацию большого тока протекающего по аноду и катоду. Управление может осуществляется по катоду а) и по аноду б).

- Симисторы, симметричные тиристоры, не требуют для работы определенной полярности напряжения. Имеются неуправляемые а) и управляемые б).

                       

Кроме того, имеются тиристоры с двумя управляющими электродами, фототиристоры,  тиристоры работающие на включение и выключение и др.

Принцип действия тиристора.

динистор

На переходах напряженность ЭП: уходят носители тока из приграничных областей. Если на анод подать положительный заряд, а на катод – отрицательный, то ЭП открывается, КП будет закрыт. Через  КП потечет ток неосновных носителей I0.

На ЭП2, который открывается не полностью. Существует электрическое поле, которое тормозит дальнейшее движение электронов. Электроны начинают задерживаться в Б2. Во второй базе будет отрицательный заряд электронов (неравновесный отрицательный заряд). Дырки будут тормозиться в Б1, где есть положительный заряд. Под действием положительного и отрицательного зарядов возникает напряженность ЭП, которая открывает КП. Ток сам себя увеличивает: КП открывается, что приводит к увеличению тока и неравновесного заряда, больше открывается КП и ток еще больше – положительная обратная связь. Переход происходит лавинообразно.

  1.  тиристор включен

1-2 идет включение тиристора

2-3 включение резистора в включенное состояние

1. Uвкл - напряжение включения

2. Imin – минимальный ток удерживает открытое состояние

3. Uост – остаточное напряжение

4. Imах – максимальный ток, который может пропустить динистор

5. τвкл/выкл – быстродействие тиристора

Тиристор

Uупр способствует более раннему открытию ЭП, за счет чего накопление неравновесного заряда, необходимого для открытия КП, происходит при меньших сильных напряжениях.

Uвкл = Uост

Iу = Iспр – ток, который делает характеристику спряженной.

Тиристор не выключается по управляемому электроду, т.к. после открытия тиристора по структуре идут большие токи. Выключить тиристор можно только снижением анодного напряжения, при котором ток анода будет меньше Iаmin.

Применение – силовые схемы.


Регулирует источник постоянного напряжения.

Полупроводниковые источники света.

Область применения: волоконно-оптические связи, обтроны.

Два вида полупроводниковых источников света:

- светоизлучающие диоды (СИД)

- полупроводниковые лазеры

Светоизлучающие диоды.


Wг – нагрев кристалла

Wг+ Wфон. + Wф. – энергия фотонов

Фотоны – механические колебания диодов кристаллической решетки. Основная энергия – энергия фотонов.

Полупроводниковые соединения – материалы для создания СИДов.

GaAs, GaAlAs

Фиксированная локализованная частота излучения определяется шириной запрещенной зоны. При прохождении тока процесс рекомбинации электронов идет случайно.

Характеристики СИД.

1. Риз = 1-10 мВт

2. ВАХ

3. Риз = f(λ)

Полупроводниковый лазер.

Нужно сделать так, чтобы излучение переходов электронов было больше. Это можно сделать, если создать состояние инверсной населенности – когда вопреки статистике Ферми и Максвелла на дне запрещенной зоны электронов больше, чем у потолка валентной зоны. Этого можно достичь несколькими энергетическими воздействиями полупроводников.

Два условия достижения инверсной населенности.

1. p-n переход должен создаваться на основе вырожденных полупроводников.

2. p-n переход должен находиться в открытом состоянии.

Область инверсной населенности возникает в самом переходе – индуцированное излучение.

Положительная обратная связь по световому потоку

Все электроны опускаются на низкие уровни энергии (когерентный источник света).

Система зеркал – оптический резистор.

Свойства лазера во многом зависят от размеров резистора.

Характеристики полупроводникового лазера.

1. Iпор – пороговый ток: если I<Iпор – обычный светодиод.

2. спектральная характеристика

 

при больших размерах оптического резонатора

при малых размерах оптического резонатора

излучение многомодовое

3. Ризл = 10 мВт – непрерывный режим

              100 мВт - импульсный режим

4. модуляционная характеристика


Приемники света (фоточувствительные приборы).

Фоторезистор, фотодиод, фототиристор.

Фотодиод.

Если Wф > ΔW, то возникает генерация электронно-дырочных пар, растет число неосновных носителей, которые формируют обратный ток I0.

Р3>P2>P1

Рф – фототок

 

p-i-n – фотодиод

Характеристики.

1. η – коэффициент чувствительности

2. спектральные характеристики

При коротких длинах волн глубина волны в полупроводнике чувствительность уменьшается, а при больших длинах волн энергии фотонов недостаточно, чтобы вызвать генерацию электронно-дырочных пар.

Обтрон

Обтрон состоит из источника света и приемника. В качестве источника света – СИД. Приемники могут быть различны:

  •  резистивный обтрон
  •  диодный обтрон
  •  транзисторный обтрон
  •  тиристорный обтрон

Достоинства: между входом и выходом отсутствует связь проводников (гальваническая связь).


А         К

А         К

                    УЭ            а)

                                УЭ

А         К

      УЭ                                б)

                                

а)

УЭ

б)

ЭП1               КП               ЭР2

                   +     -             -     +      -      +   -

К                                                                                   А

                   +      -             -    +      -      +   -

                   +      -             -    +      -      +   -

-                                                   +

                   +      -             -    +      -      +   -

            n                  p                   n                  p

    

                   Э1       Б1       Е1       Б2       Е2      Э2

+q                                            -q

      Ia

                                            3

                                        

                                        Uост

                                 2

  Imin       

          диод         1

        0

                                                       I0             Uвкл      Ua

                                                                    ЭП1

     А              p               n                    p                n                 K

    +                                                                                            -

      

      Uупр

                                         УЭ        

      Ia

                                            

                                        

                                        Uост

                                

  Imin       

                   I0

        0

                                               Iy3  >   Iy2    >    Iy1      Ua

                                                       Uупр 

       +           -

220В                                                            Rн 

Uупр

+

                                                       Ризл

+          p                                    n                                 -

Ip

-

+

Зона проводимости

 

                Электрон

          ∆W                        Запрещенная зона

                  Дырка

Валентная зона

  Риз

                                           10-80 нМ

                          0.85 мкМ                                 λ

-

+

             Зона проводимости

 

                

                                                          Запрещенная зона

          Ф             ∆W                             Ф   

     рекомбинирует

                  

       Валентная зона

-

p                              n

Ризл

Ф2

Ф1

езонатор

Перло

Риз 

                                                0,1 нМ

              λ

Риз 

                                                       10-20 нМ

              λ

Риз

Iпр

p                              n

+

-

-

+

             Зона проводимости

 

                

             Wф                                     Запрещенная зона

                        

                           ∆W                             

                  

       Валентная зона

Uобр         Io = IT        темновой ток

Р=0

P1                   Iф

P2

P3

                                                                         Iобр

-          p                         i                 n                      +                          

η

λ

     Uвых

Вход

+        Е

       Iпр

-

           выход


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

80734. Sentence in traditional syntax 27.07 KB
  From the traditional point of view the nuclear of syntax is formed by the gram. Subject and gram. Predicate. Periphery is formed by other parts of a sentence: complements, objects, two types of adjuncts (attributes and adverbial modifiers). These parts of a syntax are called secondary and are normally optional.
80735. Parts of speech classification, gram-l classes of words 27.62 KB
  There are three main criteria according to which we classify the words into a different gram. classes. They are meaning, form function. not the individual lexical meaning of each word but the meaning common to all the words of a given class which constitutes its essence; form, it’s the morphological characteristics of a type of word...
80736. Text linguistic 28.24 KB
  One-direction sequences can be used in dialogue, when a utterance is not a rejoinder, but a continuation the stimulating utterance addressed the same third party or to both speakers themselves, e. g. St. Erth, all money goes fellows who don’t know a horse from a haystack.- Canynge. And care less want men racing to whom a horse in something.
80738. Morphology: General Principles. Structure of English words 27.02 KB
  Lexicology- is a brunch of linguistics which study the meaning and use of words. In English as in many other languages the word is the smallest unit able to form a sentence by itself. Most words consist of meaningful parts called morphemes, accordingly all Eng. Words fall into two large classes...
80739. The Etimology of English words 26.49 KB
  Etimology study the origin of words and word equivalents. Acc. to the origin all present-day Eng. Words can be divided into two groups: native words, which have been part of the Eng. Vocabulary since the old Eng. period; borrowed words (loan words) which were taken from another lang-ge at a certain stage of Eng. history.
80741. Title as the coding unit of text 27.42 KB
  Lets begin with the units used in titles. Usually these are nouns in the niminative position in singular or plural, combined with position or without it (Mother, Devils, War and Peace) But there may be verbs used in the imperative mood (Live with Lightning), in the firm of the infinitive (to let)...
80742. Syntax and its object. The problem of sentence definition 28.07 KB
  The problem of the definition of S. remains unsolved. There exist 400 different definitions of a S. which fall into 4 main types: psychological, logical, phonetical, structural. The following definition of a S.5 that the S. is a minimal unit of communication is adopted by almost every grammarian.