11433

ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕКТРЕТНЫХ СВОЙСТВ ОРГАНИЧЕСКОГО СТЕКЛА

Лабораторная работа

Физика

Лабораторная работа № 20 ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕКТРЕТНЫХ СВОЙСТВ ОРГАНИЧЕСКОГО СТЕКЛА. ЦЕЛЬ РАБОТЫ: 1. Изготовить электрет из органического стекла. 2. Изучить свойства полученного электрета. ПРИБОРЫ: 1.Конденсатор разборной. 2. Высоковольтный преобразователь

Русский

2013-04-07

2.06 MB

23 чел.

Лабораторная работа № 20

ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕКТРЕТНЫХ СВОЙСТВ ОРГАНИЧЕСКОГО СТЕКЛА.

ЦЕЛЬ РАБОТЫ:

1. Изготовить электрет из органического стекла.

2. Изучить свойства полученного электрета.

ПРИБОРЫ:

1.Конденсатор разборной.

2. Высоковольтный преобразователь «Разряд -1».

3. Неоновая лампочка ТН –02.

4. Лист оргстекла размером 30х30 см и толщиной 2-5 мм.

5. Гальванометр зеркальный баллистический типа М 17/11.

6. Линейка.

ТЕОРИЯ

Все известные в природе вещества в соответствии с их способностью проводить электрический ток разделяются на три основных класса: диэлектрики, полупроводники, проводники. Если удельная проводимость проводников составляет 105 -106Ом-1 см –1, то у диэлектриков она достигает 10-10 – 10-15 Ом-1 см –1  и меньше. Проводимость полупроводников занимает промежуточную область 105 –10-10 Ом-1 см –1 .

В идеальных диэлектриках нет свободных зарядов, способных под действием внешнего электрического поля перемещаться по всему объему. Все электрические заряды диэлектрика связаны с атомами и молекулами вещества. Под действием поля эти заряды, получившие название связанных зарядов, могут смещаться только в пределах микроскопических объемов. Процесс смещения связанных зарядов под действием внешнего электрического поля называется поляризацией диэлектрика. Количественной мерой поляризации является вектор поляризации . Он численно равен электрическому дипольному моменту единицы объема диэлектрика, который в свою очередь равен произведению числа N элементарных диполей, содержащихся в единице объема вещества, на величину дипольного момента элементарного диполя

   (1).

В результате поляризации на внешних поверхностях диэлектрика, прилегающих к электродам, появляются заряды, противоположные по знаку зарядам электродов (рис.1). Весь образец в целом приобретает дипольный момент

,

где  /– поверхностная плотность связанных зарядов диэлектрика, образовавшихся в результате поляризации;  

S– площадь положительно или отрицательно заряженной поверхности образца.

- напряженность поля, созданного свободными зарядами на обкладках конденсатора;

- напряженность поля, созданного связанными зарядами на внешних поверхностях диэлектрика;

- напряженность результирующего поля внутри диэлектрика.

С другой стороны, дипольный момент всего образца равен

PV = PSL ,

где V- объем диэлектрика. т.к. по определению P представляет собой дипольный момент единицы объема. Отсюда

Р =/    (2).

Следовательно, дипольный момент единицы объема диэлектрика численно равен поверхностной плотности заряда, возникшего вследствии поляризации (в общем случае, когда электрическое поле неперпендикулярно поверхности диэлектрика / = Рn= Рcos, где – угол между нормалью к поверхности и вектором  ).

Напряженность электрического поля внутри диэлектрика Е не равна напряженности поля Ео в отсутствие диэлектрика (рис.1).

Отношение

  (3)

характеризует способность вещества к поляризации. Величину называют относительной диэлектрической проницаемостью. Она имеет определенное значение для каждого диэлектрика, причем у некоторых  диэлектриков – величина постоянная, не зависящая от внешних полей. Существуют группы диэлектриков, у которых величина является функцией электрического поля и сильно зависит от внешних условий: это сегнетоэлектрики и пьезоэлектрики.

Виды поляризации различают в зависимости от того, какие и на какое расстояние смещаются участвующие в ней частицы. Поляризацию разделяют на упругую и релаксационную (или тепловую), которые в свою очередь подразделяются на несколько видов (рис.2).

Рассмотрим упругую поляризация. Существует четыре вида упругой  поляризации. Наиболее распространенной является электронная упругая поляризация, при которых происходит смещение электронных оболочек атомов (ионов) относительно тяжелых, “неподвижных” ядер. Этот вид поляризации наблюдается у всех диэлектриков в любом агрегатном состоянии.

При атомной поляризации происходит смещение атомов, составляющих молекулу, друг относительно друга в электрическом поле. Частным случаем атомной поляризации является ионная упругая поляризация молекул и кристаллов, обусловленная смещением в электрическом поле положительно и отрицательно запряженных ионов относительно положений равновесия. Такого рода поляризация наблюдается в ионных кристаллах, например в щелочных. В молекулярных кристаллах, состоящих из дипольных молекул, наблюдается ориентационная поляризация. В этом случае на молекулу в электрическом поле действует пара сил, молекула упруго поворачивается, изменяя свою первоначальную ориентацию.

Релаксационная поляризация бывает:

1) дипольная или ориентационная (релаксируют дипольные молекулы газов, жидкостей и твердых тел);

2) ионная тепловая поляризация (релаксируют слабо связанные ионы);

3) электронная тепловая поляризация (релаксируют электроны);

4) объемно-зарядовая поляризация ( заряды в диэлектрике смещаются не на микрорасстояния, как при обычных видах поляризации, а на макрорасстояния).

В данной лабораторной работе изучается особый вид диэлектриков–электреты. Электреты – это диэлектрики с заметной остаточной наведенной поляризацией, уничтожение которой требует значительных полей. При отсутствие внешнего воздействия электреты длительно сохраняют наэлектризованное состояние.

Рис.2. Механизмы поляризации.

Они по своим свойствам являются аналогами постоянных моментов. Электреты способны создавать постоянное электрическое поле в окружающем пространстве. Подобные свойства обнаруживаются у ряда органических веществ (пчелинный воск, парафин, нафталин, эбонит, нейлон и др.) и неорганических (сера, титанаты и др.)

Поверхностный заряд электрета есть алгебраическая сумма поляризационных зарядов, обусловленных остаточной поляризацией, и зарядов противоположного знака, абсорбированных из воздуха. Время сохранения наэлектризованного состояния у электретов колеблется от нескольких дней до времени порядка миллионов лет. Закорачивание поверхностей электретов при хранении увеличивает стабильность их зарядов.

Стабильный электрет можно получить, если нагреть диэлектрик до температуры, близкой или равной температуре плавления, в сильном электрическом поле. Под действием поля произойдет упорядочение молекулярных диполей, которое частично сохраняется после охлаждения и снятия внешнего электрического поля. Так формируются термоэлектректы. Фотоэлектреты получаются при освещении светом некоторых диэлектриков в сильном электрическом поле (селен, окись цинка). Электроэлектреты изготовляют при воздействии сильного электрического поля без нагревания и освещения. Магнитоэлектреты – это электреты, изготовленные с помощью нагревания, как и термоэлектреты, но при воздействии не электрического поля, а магнитного.

Электреты применяются как источники постоянного электрического поля. Действие электретных микрофонов, телефонов, вибродатчиков основано на индуцировании переменного тока в электрическом поле электрета. Работу таких устройств можно пояснить схемой, изображенной на рис.3. Если металлическая пластинка будет совершать переодические колебания вблизи поверхности электрета, то во внешней цепи возникает переменный ток.

     Рис.3.

МЕТОДИКА ИЗМЕРЕНИЙ

I. ИЗГОТОВЛЕНИЕ ЭЛЕКТРЕТА И ОПРЕДЕЛЕНИЕ
ЗНАКОВ ЗАРЯДА НА ЕГО ПОВЕРХНОСТИ

1.Для получения электрета необходимо расположить пластинку оргстекла между дисками разборного конденсатора и подать на них в течении 1-2 минут напряжение 25кВ от преобразователя “Разряд -1”1.

2.Выключив напряжение, указать его полярность знаками “+” и “-“ на поверхностях электрета. Кратковременно закоротить конденсатор.

3.Для проверки правильности указанных знаков зарядов на поверхностях полученного электрета, собрать цепь по схеме рисунка 4,

где Сх – разборной конденсатор с электретом, Л – неоновая лампочка.

  1.  Опуская верхний диск разборного конденсатора, заметить какой электрод лампочки светится.
  2.  Поднимая верхний диск разборного конденсатора, заместить возле какого электрода лампочки наблюдается свечение.
  3.  Определить знаки зарядов на поверхностях электрета исходя из следующих соображений: при указанной поляризации электрета (см. рис.5.) и сближении с ним диска 4 на последнем индуцируется положительный заряд, а электрод 1 лампочки заряжается отрицательно. Когда разность потенциалов между электродами 1 и 2 достигнет напряжения зажигания, электроны начнут переходить на нижний электрод 3 конденсатора. В цепи потечет ток, направление которого показано на рис.5 стрелкой. При этом вблизи электрода 1 будет наблюдаться свечение. Если поднимать диск 4, его индуцированный заряд начнет уменьшаться, и в цеи потечет ток в противоположном направлении. При этом свечение будет наблюдаться вблизи электрода 2 лампочки. Если же при опускании диска 4 свечение наблюдается у кольцевого электрода 2, а при удалении – вблизи электрода 1, то значит верхняя поверхность электрета заряжена положительно.

Рис.5.

  1.  Сопоставить знаки зарядов на поверхностях электрета с полярностью напряжения, приложенного к оргстеклу во время поляризации. Сделать выводы.

II  ИЗМЕРЕНИЕ ПОВЕРХНОСТНОЙ ПЛОТНОСТИ ЗАРЯДОВ
ПРИ ОСТАТОЧНОЙ ПОЛЯРИЗАЦИИ И НАПРЯЖЕННОСТИ
 ВНУТРЕННЕГО ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛЯ ЭЛЕКТРЕТА

1.Определить Кб– цену деления зеркального баллистического гальванометра при определенной величине шунта к гальванометру (см. лабораторную работу «Определение емкости конденсатора баллистическим методом»). Можно воспользоваться величинами Кб и Кб, указанными преподавателем.

2.Собрать цепь по схеме, представленной на рис 6.

где Сх – разборной конденсатор с электретом, изготовленным в предыдущем опыте,  г – гальванометр зеркальный баллистический

3.За изолирующую ручку быстро поднять верхний электрод, удалив его от поверхности электрета. Заряд, индуцированный на этом электроде, через гальванометр стечет в землю, он может быть измерен по отклонению указателя гальванометра n. Опыт повторить 5-6 раз , найти nср. Каждый раз образец из органического стекла поляризовать по методике, описанной в пунктах 1 и 2 первой части лабораторной работы, при постоянном напряжении 25 кВ.

q = Кбnср.  (4).

4.Определить величину заряда по формуле (4).

5.Определить поверхностную плотность связанных остаточных зарядов электрета по формуле (5)

 (5),

где / - поверхностная плотность остаточных связанных зарядов электрета, q/ - величина остаточного связанного заряда, q = q/, S - площадь пластины раздвижного конденсатора.

6.Определить напряженность внутреннего электрического поля электрета по формуле (6)

Е =  (6),

где Е – напряженность внутреннего электрического  поля электрета,

0 = 8,85 х 10-12 Ф/м – электрическая постоянная,

= 3.3 – диэлектрическая проницаемость оргстекла.

7.Результаты измерений и вычислений внести в таблицу. Погрешность n определить как среднеквадратичную погрешность среднего арифметического;  q ,  и Е определить по формулам погрешностей, полученным из формул (4, 5, 6).

№ п/п

n,

n

q

q

S

S



Е

Е

(дел)

(дел)

(Кл)

(Кл)

2)

2)

(Кл/м2)

(Кл/м2)

(В/м)

(В/м)

КОНТРОЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ

Какие вещества называются диэлектриками? Дайте определение относительной диэлектрической проницаемости и вектора поляризации.

  1.  Какой процесс называется поляризацией? Перечислите виды поляризации и охарактеризуйте механизм этих процессов.

Какие вещества относятся к электретам? Перечислите виды электретов и охарактеризуйте способы их получения.

Объясните принцип определения знаков зарядов на поверхностях электрета.

Почему происходит свечение газа в неоновой лампочке? Каков механизм этого свечения?

1 Предварительно изучить описание преобразователя «Раздел-1», знать его принцип действия и методику работы с ним.


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

39034. Разработка технического задания на разработку ИС 77.5 KB
  Техническое задание ТЗ – это завершающий предпроектную стадию документ который содержит цели и обоснование проектирования а также определяет основные требования к ИС и исходные данные необходимые при разработке. В настоящее время при составлении технического задания обычно руководствуются требованиями следующих ГОСТов: 34.60289 Техническое задание на создание автоматизированной системы – описывает состав и содержание ТЗ которые распространяются на автоматизированную информационную систему в целом в том числе: общесистемные...
39035. Базовые технологии доступа к БД в Borland C++ Builder и их принципы 156 KB
  Указания к выполнению лабораторной работы Современные информационные системы не могут существовать без Баз Данных. По этой причине современные средства разработки приложений должны обеспечивать программиста средствами которые бы: Обеспечивали универсальный механизм доступа к базам данных построенных с использованием различных СУБД; Обеспечивали приемлемый уровень эффективности; Позволяли быстро разрабатывать полнофункциональные приложения для работы с БД любого размера. В Borlnd C Builder предлагается большое количество компонентов...
39036. Использование Borland C++ Builder в качестве средства быстрой разработки приложений 46 KB
  Компоненты для изучения: BitBtn StringGrid вкладка dditionl DteTimePicker вкладка Win32. Компоненты для изучения: StringGrid вкладка dditionl PgeControl вкладка Win32 Timer вкладка System. Компоненты для изучения: ColorBox вкладка dditionl RichEdit вкладка Win32 Timer вкладка System. Компоненты для изучения: MskEdit вкладка dditionl PgeControl вкладка Win32 Timer вкладка System.
39037. Разработка многооконных приложений с использованием Borland C++ Builder 88.5 KB
  Для добавления новой формы в проект приложения необходимо вызвать команду File New Form главного меню или нажать соответствующую кнопку на панели инструментов. Для каждой формы приложения вызывается метод CreteForm создать форму объекта приложения ppliction. Главная форма автоматически отображается на экране при запуске приложения в то время как остальные формы которые иногда называют вторичными будут созданы но останутся невидимыми для пользователя до тех пор пока не будут явно...
39038. Количество информации. Мера Хартли и мера Шеннона 80.5 KB
  Рассмотрение предложенных способов измерения количества информации удобно начать с примера. Тем не менее только на основе априорной информации мы не можем точно сказать какое именно число очков выпало в результате конкретного подбрасывания. С поступлением новой информации о результате подбрасывания эта неопределенность может уменьшаться.
39039. Понятие информационной системы 98.5 KB
  Сейчас пришло время дать этому понятию более точное определение: Информационная система ИС это взаимосвязанная совокупность средств методов и персонала используемых для хранения обработки и выдачи информации в интересах достижения поставленной цели. Как видно из определения информационные системы обеспечивают сбор хранение обработку поиск выдачу информации необходимой в процессе принятия решений задач из любой области. Основными элементами работы информационных систем являются: ввод новой информации и выдача текущей информации по...
39040. Классификация информационных систем 123 KB
  Основная проблема классификации ИС заключается в том что единой системы оснований для классификации выработать не удалось. Предлагается классифицировать информационные системы по следующим признакам: По масштабам применения – настольные офисные и корпоративные. ПО: различные программные приложения связанных общим информационным фондом Такие приложения создаются с помощью так называемых настольных СУБД FoxPro Prdox dBse MS ccess или с помощью файловой системы и диалоговой оболочки для ввода редактирования и обработки данных. Это...
39041. Документальные информационные системы 237 KB
  Практика показывает что чаще всего информация представлена не в виде структурированных массивов данных а в виде простых текстовых документов. В отличие от ФИПС в результате проведения информационного поиска ДИПС выдает потребителю не конкретные сведения факты а совокупность документов смысловое содержание которых соответствует его запросу. Поэтому для автоматизации информационного поиска необходимо формализовать представление смыслового содержания информационного запроса и документов то есть перейти от их записи на естественном языке...
39042. Фактографические информационные системы 194 KB
  Основными компонентами фактографических систем являются Базы Данных и системы управления Базами Данных СУБД. Ее основные задачи: распределение внешней памяти; определение структуры файла; способы именования файлов и отображение их имен на пространство адресов внешней памяти; обеспечение доступа к данным; обеспечение защиты данных в файлах; способы многопользовательского доступа к файлам. Ограничения файловых информационных систем Разделение и изоляция данных. Обработка данных из разных файлов обычно требует значительных усилий...