11802

Статические характеристики биполярных транзисторов

Лабораторная работа

Коммуникация, связь, радиоэлектроника и цифровые приборы

7 Лабораторная работа № 3 Статические характеристики биполярных транзисторов Цель работы: экспериментальное определение основных статических параметров и характеристик биполярных транзисторов БТ и исследование их работы в схеме транзисторного ключ

Русский

2013-04-11

520.75 KB

19 чел.

7

Лабораторная работа № 3

«Статические характеристики биполярных транзисторов»

Цель работы: экспериментальное определение основных статических параметров и характеристик биполярных транзисторов (БТ) и исследование их работы в схеме транзисторного ключа.

1. Коэффициент усиления по току БТ в схеме с ОЭ

Схема

Схема измерительной установки для определения статических параметров и характеристик биполярных транзисторов

Таблица 1:

Rб, кОм

Uкэ, В

Uбэ, В

Iб, мА

Iк, мА

=Iк/Iб

1000

10

0,670

0,00944

1,354

143,432

500

10

0,692

0,019

2,988

157,263

400

10

0,699

0,023

3,867

168,130

300

10

0,707

0,031

5,310

171,290

250

10

0,712

0,037

6,458

174,541

200

10

0,720

0,046

8,178

177,783

150

10

0,728

0,062

11,000

177,419

125

10

0,734

0,074

13,000

175,676

100

10

0,741

0,093

16,000

172,043

50

10

0,762

0,185

31,000

167,568

40

10

0,768

0,231

37,000

160,173

30

10

0,778

0,307

47,000

153,094

20

10

0,791

0,461

64,000

138,829

10

10

0,815

0,919

106,000

115,343

2

10

0,896

4,552

292,000

64,148

1

10

0,960

9,040

435,000

48,119


График 1:

2. Измерение обратного тока базы:

Таблица 2:

Rб, кОм

Iб, мА

Uбэ, В

Iк, мА

Uкэ, мкВ

0

10

10

-0,000012

1,234

3. Получение входной характеристики транзистора в схеме с общим эмиттером

Схема

Таблица 3:

Rб, кОм

Iб, мА

Uбэ, В

Iк, мА

Uкэ, мкВ

50

0,188

0,616

0,185

0,185

5

1,861

0,694

1,757

1,757

2

4,626

0,747

4,06

4,06

1

9,186

0,814

7,216

7,216

График:

 

Графики схожи с осциллограммой, имеют экспоненциальный характер


4. Выходные характеристики БТ в схеме с ОЭ

Схема

Таблица 4:

Rб=100кОм

Eк, В

0,05

0,1

0,15

0,2

0,3

0,5

1

5

10

Iб=0,094 мА

Iк, А

0,00029

2,00023

0,00732

0,012

0,014

0,014

0,015

0,015

0,016

Rб=50кОм

Eк, В

0,05

0,1

0,15

0,2

0,3

0,5

1

5

10

Iб=0,187 мА

Iк, А

0,00057

0,00411

0,013

0,022

0,027

0,027

0,029

0,03

0,031

Rб=25кОм

Eк, В

0,05

0,1

0,15

0,2

0,3

0,5

1

5

10

Iб=0,373, мА

Iк, А

0,00108

0,7115

0,02

0,035

0,047

0,048

0,048

0,051

0,054

График:

График полностью схож с осциллограммой


5. Передаточные характеристики БТ в схеме с ОЭ

График по Табл.1:

Осциллограмма:

Очень похожи


6. Передаточные характеристики транзисторного ключа

Таблица 5:

Rб, кОм

1000

500

200

100

80

75

50

25

2

Iб, мА

0,00933

0,019

0,046

0,093

0,116

0,123

0,185

0,37

4,597

Iк, мА

1,32

2,949

7,789

15

18

19

20

20

20

Uбэ

0,67

0,692

0,72

0,741

0,747

0,749

0,751

0,754

0,805

Uкэ, В

9,34

8,526

6,105

2,552

0,999

0,509

0,186

0,149

0,083

Графики:

Вывод: в ходе работы были получены основные статистические характеристики и параметры БТ. Были определены коэффициент усиления по току (βmax=177,783), обратный ток базы, входные и выходные характеристики БТ, передаточные характеристики БТ, построены их графики.


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

19070. Одномерный гармонический осциллятор: простейшие вычисления с осцилляторными функциями 290 KB
  Семинар 15. Одномерный гармонический осциллятор: простейшие вычисления с осцилляторными функциями В различных задачах квантовой механики приходится вычислять интегралы с осцилляторными функциями. Проблема заключается в том что явных выражений для функций с большим...
19071. Непрерывный спектр. Прохождение через потенциальные барьеры 273.5 KB
  Семинар 10. Непрерывный спектр. Прохождение через потенциальные барьеры Напомнить что при энергиях больших значений потенциала на плюс и минус бесконечностях спектр решений уравнения Шредингера непрерывный. Собственные функции нельзя нормировать на единицу. Далее ...
19072. Низкоразмерные физические системы. Типы и виды наноструктур. Квантовые ямы, проволоки, точки 272.5 KB
  ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ФИЗИКА НАНОСТРУКТУР Лекция 1. Введение. Низкоразмерные физические системы. Типы и виды наноструктур. Квантовые ямы проволоки точки Настоящий курс посвящен экспериментальным аспектам физики низкоразмерных систем. Будут рассмотрены следую...
19073. Гетеропереходы. Свойства полупроводниковых соединений AIIIBV 77.5 KB
  Лекция 2. Гетеропереходы. Свойства полупроводниковых соединений AIIIBV. Как создать квантовую структуру. Простейшая квантовая структура в которой движение электрона ограничено в одном направлении это тонкая пленка или просто достаточно тонкий слой полупроводник
19074. Понятие эпитаксии. Молекулярно-лучевая эпитаксия, лазерное и магнетронное распыление 505.5 KB
  Лекция 3. Понятие эпитаксии. Молекулярнолучевая эпитаксия лазерное и магнетронное распыление Методы получения наноструктур. Эпитаксия. Исследование искусственно созданных полупроводниковых сверхрешеток и квантовых ям с характерными размерами порядка длины своб
19075. Основы литографических процессов. Фотолитография 101.5 KB
  Лекция 4. Основы литографических процессов. Фотолитография В технологии микроэлектронных устройств литографические процессы универсальны и наиболее часто повторяемы. Они используются для получения контактных и прецизионных масок. Литографические процессы формирую...
19076. Электрические методы измерения. Классический эффект Холла 137 KB
  Лекция 5. Электрические методы измерения. Классический эффект Холла. К электрическим методам измерения относятся измерения вольтамперных характеристик эффекта Холла вольтфарадных характеристик. Вольтамперные характеристики измеряются двухконтактным и четыре...
19077. Принципы резонансного туннелирования. Резонансно-туннельный диод (РТД) на двух-барьерных и трех-барьерных структурах. Вольт-амперные характеристики РТД. Генерация излучения на РТД 745 KB
  Лекция 6 Принципы резонансного туннелирования. Резонанснотуннельный диод РТД на двухбарьерных и трехбарьерных структурах. Вольтамперные характеристики РТД. Генерация излучения на РТД. Введение В последнее время бурно развивается новая область науки физик
19078. Вольтфарадные характеристики структур с квантовыми ямами 662 KB
  Лекция 7. Вольтфарадные характеристики структур с квантовыми ямами Для контроля параметров квантоворазмерных структур состава структуры положения квантовых ям в структуре глубины квантовой ямы концентрации носителей заряда в яме и т.д. широко используются такие