11919

Получение вольт-амперной характеристики вакуумного диода и определение удельного заряда электрона

Лабораторная работа

Физика

1. ТЕОРИЯ РАБОТЫ Цель работы получение вольтамперной характеристики вакуумного диода и определение удельного заряда электрона. При достаточно малых анодных напряжениях при кот. не достигается ток насыщения зависимость силы тока от анодного напряжения в вакуумном...

Русский

2013-04-14

351 KB

9 чел.

1. ТЕОРИЯ РАБОТЫ

Цель работы - получение вольт-амперной характеристики вакуумного диода и определение удельного заряда электрона.

При достаточно малых анодных напряжениях (при кот. не достигается ток насыщения) зависимость силы тока от анодного напряжения в вакуумном диоде описывается законом Богуславского-Ленгмюра

, где k=1,5,где величина С для диода с цилиндрическим анодом и катодом равна

Здесь =8,85.10-12 Ф/м,  – радиус анода,  – некоторый экспериментально подбираемый численный коэффициент.

Устройство простейшей электронной лампы, содержащей всего 2 электрода, показано на рисунке. В стеклянный баллон, из кот. выкачан воздух до давления порядка 10-5 Па, впаяно 2 металлических электрода: катод, представляющий собой тонкую вольфрамовую нить, и цилиндрический анод. Катод располагается вдоль оси симметрии анода. Заметим, что в некоторых лампах анод разделён на три секции. Наружные секции A называются охранными кольцами. Они имеют потенциал центральной секции A и служат для уменьшения рассеяния поля вблизи неё.

2. РЕЗУЛЬТАТЫ ИЗМЕРЕНИЙ

Для UH1=4,7 В:         

i

UR

UA

1

1.6

8.9

2

3.9

16.8

3

6.9

23.3

4

10.7

30.7

5

14.0

36.5

6

17.7

42.8

7

21.2

48.3

8

25.2

55.1

9

29.5

61.7

10

33.2

67.9

Для UH2=4,4 В:

i

UR

UA

1

1.7

9.0

2

3.8

16.0

3

7.0

23.3

4

10.1

29.9

5

13.7

36.3

6

17.6

43.8

7

20.9

49.2

8

24.4

56.2

9

28.5

63.3

10

31.5

70.1

3. РАСЧЁТЫ

Вычисляем значения анодного тока I, анодного напряжения UA и логарифмов этих величин:

Для UH1=4,7 В:

ln(I)

ln(Ua)

-10,9

0,7

-8,1

2,3

-7,2

2,8

-6,6

3,2

-6,3

3,4

-6,0

3,6

-5,8

3,8

-5,6

3,9

-5,4

4,0

-5,3

4,2

Для UH2=4,4 В:

ln(I)

ln(Ua)

 

-0,7

-8,1

2,2

-7,2

2,8

-6,6

3,2

-6,2

3,4

-6,0

3,6

-5,7

3,7

-5,5

3,9

-5,4

4,0

-5,2

4,1

Результаты округляются до десятых, так как по ним строится график зависимости ln(I)(ln(UA)).

По графику определяем:

Для UH1=4,7 В:

Ln(C)= -11,1                   K= 1,51          C=1,38*10-5

Для UH2=4,4 В:

Ln(C)= -11,4                   K= 1,55          C= 1,12*10-5

Средние значения:

Ln(C )= -11,25                K= 2,53          C= 1,25*10-5

Используя вышеприведённую формулу, рассчитываем удельный заряд электрона:

1,89*1011 ()

4. РАСЧЕТ ПОГРЕШНОСТЕЙ

Оценка погрешности для C как результата измерений.

а) Прямые измерения.

Величина  вычисляется по графику ln(I)(ln(UA)):

 

б) Косвенные измерения. 

Относительная погрешность  вычисляется по формуле:

 

Вывод: Значение погрешности объясняется главным образом неточностью измерения величины ln(C) по графику ln(I)(ln(UA)), то есть погрешность является случайной погрешностью прямых измерений.

5. РЕЗУЛЬТАТ

Табличное значение  составляет

Нами   получено  

        Видно, что табличное значение с учётом погрешностей попадает в экспериментально най   денный интервал.

Окончательный результат при aдов=0,95:


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

40601. Подход RАD. Стадии реализации и внедрения 19.83 KB
  На данной фазе разработчики производят итеративное построение реальной системы на основе полученных в предыдущей фазе моделей а также требований нефункционального характера. Тестирование системы осуществляется непосредственно в процессе разработки. После окончания работ каждой отдельной команды разработчиков производится постепенная интеграция данной части системы с остальными формируется полный программный код выполняется тестирование совместной работы данной части приложения с остальными а затем тестирование системы в целом. Завершается...
40602. Стандарты проектирования 26.29 KB
  Важнейшие шаги процесса BSP их последовательность получить поддержку высшего руководства определить процессы предприятия определить классы данных провести интервью обработать и организовать данные интервью можно встретить практически во всех формальных методиках а также в проектах реализуемых на практике. ISO IEC 12207:1995 стандарт на процессы и организацию жизненного цикла. В соответствии с базовым международным стандартом ISO IEC 12207 все процессы ЖЦ ПО делятся на три группы: 1.
40603. Стандарты проектирования. АИС 53 KB
  Вендрова Проектирование ПО Ход урока Организационный момент 24 мин: Приветствие оформление документов к занятию Повторение пройденного материала применяемая методика выводы1520 мин Устные ответы на вопросы: Дайте характеристику стадии реализации по классической схеме Дайте характеристику стадии реализации по методологии RD Дайте характеристику стадии внедрения по классической схеме Дайте характеристику стадии внедрения по методологии RD Как осуществляется оценка размера приложений Перечислите основные...
40604. Создание SADT-диаграмм по произвольным проектам 574.5 KB
  Стандарт IDEF0 базируется на трех основных принципах: Принцип функциональной декомпозиции любая функция может быть разбита на более простые функции; Принцип ограничения сложности количество блоков от 2 до 8 в BPwin условие удобочитаемости; Принцип контекста моделирование делового процесса начинается с построения контекстной диаграммы на которой отображается только один блок главная функция моделирующей системы. Диаграммы главные компоненты модели все функции и интерфейсы на них представлены как блоки и дуги. Место соединения дуги...
40605. Создание ERD диаграмм методом IDEF I 499.5 KB
  Панель Toolbox Вид кнопки Назначение кнопки Создание новой сущности. Для установки категориальной связи нужно щелкнуть по кнопке далее по сущностиродителю и затем по сущностипотомку. Для связывания двух сущностей нужно щелкнуть по кнопке далее по сущностиродителю затем по сущностипотомку. Создание связи многие ко многим Создание неидентифицирующей связи После создания сущности ей нужно задать атрибуты.
40606. Построение диаграмм вариантов использования 70.24 KB
  Краткие сведения о диаграмме вариантов использования. Диаграмма вариантов использования является самым общим представлением функциональных требований к системе. Для последующего проектирования системы требуются более конкретные детали которые описываются в документе называемом сценарием варианта использования или потоком событий flowofevents.
40607. Построение диаграмм классов 196.48 KB
  Повторить общие сведения о диаграммах классов Построить диаграмму классов Сформировать отчет по практической работе №7 После того как мы определились с функциональными требованиями к системе и её границами начнём анализировать предметную область с целью построения диаграммы классов. Основные элементы диаграммы классов Основными элементами являются классы и связи между ними. Ассоциация ssocition представляет собой отношения между экземплярами классов.
40608. Построение диаграмм состояний 263.95 KB
  Повторить общие сведения о диаграммах состояний Построить диаграмму состояний Сформировать отчет по практической работе №8 Диаграмма состояний определяет последовательность состояний объектавызванных последовательностью событий. Порядок построения диаграммы Создайте диаграмму состояний для объектов класса Заказ. Соответствующая диаграмма состояний представлена на рисунке: Сохраните диаграмму.
40609. Представление конкретной модели ИС в виде DFD диаграмм 254 KB
  Шаг 1: Создание новой модели В меню File выбрать NewПоявится диалоговое окно BPwin В поле Nme напечатать Банкомат Проверить что в группе Type выбрано Dtflow DFD Нажать OKПоявился пустой прямоугольник контекстного действия. Напечатать:Банкоматзатем нажать OK. Нажать OK. Шаг 4: Рисование внешней ссылки На инструментальной панели BPwin нажать кнопку Externl Reference.