13033

РАСПРОСТРАНЕННЫЕ СХЕМОТЕХНИЧЕСКИЕ РЕШЕНИЯ, ИСПОЛЬЗУЮЩИЕ ТРАНЗИСТОР В СВОЕЙ ОСНОВЕ

Лабораторная работа

Коммуникация, связь, радиоэлектроника и цифровые приборы

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА №6 РТ РАСПРОСТРАНЕННЫЕ СХЕМОТЕХНИЧЕСКИЕ РЕШЕНИЯ ИСПОЛЬЗУЮЩИЕ ТРАНЗИСТОР В СВОЕЙ ОСНОВЕ Цель работы: знакомство с наиболее распространенными схемотехническими решениями лежащими в основе радиотехнических конструкций; изучение принципа их ра...

Русский

2013-05-07

426.5 KB

3 чел.

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА №6 РТ

РАСПРОСТРАНЕННЫЕ СХЕМОТЕХНИЧЕСКИЕ РЕШЕНИЯ, ИСПОЛЬЗУЮЩИЕ ТРАНЗИСТОР В СВОЕЙ ОСНОВЕ

Цель работы: знакомство с наиболее распространенными схемотехническими решениями, лежащими в основе радиотехнических конструкций; изучение принципа их работы и их характеристик.

Приборы: 1. Измерительная панель лабораторного стенда.

  1.  Электронный вольтметр.
  2.  Осциллограф.
  3.  Генератор гармонического сигнала.
  4.  Тестер.

6.1. Теоретическое введение

В данной лабораторной работе вы познакомитесь с некоторыми транзисторными схемами, нашедшими широкое применение в радиотехнике. Вначале обратимся еще раз к самому транзистору. Такое пристальное внимание к нему неслучайно – понимание работы транзистора, на наш взгляд, является «гвоздем» всей радиотехники и ключом к пониманию дальнейшего курса автоматики, и основ вычислительной техники.

Работа транзистора подчиняется следующим правилам (для транзистора n-p-n-типа; для транзистора p-n-p-правила сохраняются с учетом изменения полярности):

  1.  Коллектор имеет более положительный потенциал, чем эмиттер.
  2.  Цепи база – эмиттер и база – коллектор работают как диоды. Обычно диод база – эмиттер открыт, а диод база – коллектор смещен в обратном направлении.
  3.  Каждый транзистор характеризуется максимальными значениями IК, IБ, UКЭ (они обычно указываются в справочниках). За превышение этих значений приходится расплачиваться новым транзистором. Следует помнить и о предельных значениях других параметров, например, рассеиваемой мощности (IК·UКЭ), температуры, UБЭ и др.
  4.  Если правила 1-3 соблюдены, то ток IК прямо пропорционален току IБ, и можно записать следующее соотношение

    (6.1)

(коэффициент усиления по току β также обозначается h21).

Отметим, что параметр β нельзя считать удобным вследствие его большого разброса для различных транзисторов одного типа. Он также зависит от IК, UКЭ и температуры. Схема будет плохой, если на ее характеристики влияет величина параметра β.

Из второго правила следует, что напряжение между базой и эмиттером нельзя увеличивать неограниченно, т. к. если потенциал базы будет превышать потенциал эмиттера более, чем на 0,6 – 0,8 В (прямое напряжение диода), то возникает очень большой ток. Следовательно, в работающем транзисторе напряжения на базе и эмиттере связаны следующим соотношением:

UБUЭ + 0,6 В (UБ = UЭ + UБЭ).    (6.2)

Еще раз уточним, что полярности напряжений указаны для n-p-n-транзисторов.

Обращаем ваше внимание на то, что ток коллектора не связан с проводимостью диода. Дело в том, что обычно к диоду коллектор – база приложено обратное напряжение. Более того, ток коллектора мало зависит от напряжения на коллекторе, в то время как прямой ток, а следовательно, и проводимость диода, резко увеличивается при увеличении приложенного напряжения.

Следует помнить, что в любой заданный момент времени транзистор может:

а) быть в режиме отсечки, т. е. выключиться (отсутствует ток коллектора);

б) находиться в активном режиме (небольшой ток коллектора, напряжение на коллекторе выше, чем на эмиттере);

в) перейти в режим насыщения (напряжение на коллекторе приблизительно равно напряжению на эмиттере: UКUЭ ≈ 0,2 В).

 6.1.1. Схема Дарлингтона.

В некоторых случаях, особенно при использовании эмиттерных повторителей, усиление по току одного транзистора оказывается недостаточным. В этих случаях цепь можно дополнить транзистором, согласно рис. 6.1 – схемой составного транзистора, или схемой Дарлингтона. В ней эмиттерный ток первого транзистора образует базовый ток второго транзистора. Таким образом, коэффициент усиления тока у этой пары равен произведению коэффициентов усиления тока каждого из этих двух транзисторов в отдельности:

.      (6.3)

Соединенные таким образом транзисторы ведут себя как один транзистор с выводами Б ', Э ' и К ' с достаточно малым быстродействием, т. к. транзистор VT1 не может быстро выключить транзистор VT2. С учетом этого свойства обычно между базой и эмиттером транзистора VT2 включают резистор R, показанный на рис. 6.1 пунктиром. Резистор предотвращает смещение транзистора VT2 в область проводимости за счет токов утечки транзисторов VT1 и VT2. Сопротивление резистора выбирают так, чтобы токи утечки создавали на нем падение напряжения, не превышающее падения напряжения на диоде, и вместе с тем, чтобы через него протекал ток, малый по сравнению с базовым током транзистора VT2.

Рис. 6.1. Схема Дарлингтона.

Рассчитаем параметры такого составного транзистора по аналогии с расчетом эмиттерного повторителя. Вычислим входное сопротивление схемы Дарлингтона. Оно равно

.      (6.4)

Теперь . Ток эмиттера равен . Следовательно

    

и

.     (6.5)

Но коэффициент усиления по напряжению эмиттерного повторителя примерно равен единице, т. е. , поэтому

.     (6.6)

Далее

   ,

откуда

.      (6.7)

Поскольку β >> 1, получаем

.       (6.8)

Таким образом, входное сопротивление эмиттерного повторителя равно сопротивлению эмиттерной нагрузки, умноженному на коэффициент усиления тока транзистора.

Теперь найдем выходное сопротивление RВЫХ схемы Дарлингтона. Чтобы его найти, можно воспользоваться самым общим методом:

,      (6.9)

где IЭ'(кз) – ток короткого замыкания эмиттера, который равен

.   (6.10)

Поскольку , то, подставляя (6.11) в (6.10), можем записать

.      (6.11)

 Таким образом, эмиттерный повторитель уменьшает выходное сопротивление генератора в число раз, равное коэффициенту усиления тока транзистора.

6.1.2. Транзисторный источник тока.

Рассмотрим теперь транзисторный источник тока. Хотя такие источники тока не столь известны, они не менее полезны и важны, чем источники напряжения. Источники тока являются неизменной составной частью таких радиотехнических схем, как дифференциальные усилители, интеграторы, генераторы пилообразных наложений и др. В схемах усилителей и стабилизаторов они обеспечивают широкий диапазон напряжений. И, наконец, источники постоянного тока требуются в некоторых областях, не имеющих прямого отношения к электронике, например в электрохимии, электрофорезе.

Схема простейшего источника тока показана на рис. 6.2. При условии, что Rн << R (иными словами Uн << U), ток сохраняет почти постоянное значение и равен приблизительно I = U/R.

Простейшему резистивному источнику тока присущи естественные недостатки. Для того чтобы получить хорошее приближение к источнику тока, следует использовать большие напряжения, а при этом на резисторе рассеивается большая мощность. Кроме того, током источника трудно управлять в широком диапазоне с помощью напряжения, формируемого где либо в другом узле схемы.

Рис. 6.2. Простейший источник тока.

Очень хороший источник тока можно построить на основе транзистора (рис. 6.3). Работает он следующим образом: напряжение на базе UБ > 0,6 В поддерживает эмиттерный переход в открытом состоянии: UЭ = UБ – 0,6 В. В связи с этим

.

Так как для больших значений коэффициента β IЭIК, то ток

    (6.12)

независим от напряжения UК до тех пор, пока транзистор не перейдет в режим насыщения (UК > UЭ + 0,2 В). Таким образом, при изменении нагрузки Rн, а следовательно, и напряжения цепи, в определенных пределах ток через нее остается практически неизменным. Диапазон выходного напряжения, в котором источник тока дает постоянное значение силы тока, называется рабочим диапазоном.

Рис. 6.3. Транзисторный источник тока.

Возникает ряд вопросов: как сильно отличается транзисторный источник тока от идеального? Иными словами, изменяется ли ток в нагрузке при изменении напряжения (сопротивления нагрузки)? И если да, то почему?

Наблюдаются эффекты двух видов:

При заданном токе коллектора напряжение UБЭ и коэффициент β (эффект Эрли) несколько изменяются при изменении напряжения коллектор – эмиттер. Изменение напряжения UБЭ связанное с изменением напряжения на нагрузке, вызывает изменение выходного тока, т. к. напряжение на эмиттере (а следовательно, и эмиттерный ток) изменяется даже если напряжение на базе фиксировано. Изменение значения коэффициента β приводит к небольшим изменениям выходного (коллекторного) тока при фиксированном токе эмиттера, т. к. IК = IЭIБ; кроме того, немного изменяется напряжение на базе в связи с возможным изменением сопротивления источника смещения, обусловленного изменениями коэффициента β
(а следовательно, тока базы). Эти изменения незначительны, но все же вносят дополнительный вклад в изменение выходного тока. Все эти изм
енения приводят к тому, что источник тока работает хуже идеального: выходной ток незначительно зависит от напряжения и, следовательно, его сопротивление не бесконечно.

Напряжение UБЭ и коэффициент β зависят от температуры. В связи с этим при изменении температуры окружающей среды возникает дрейф выходного тока. Кроме того, температура перехода изменяется при изменении напряжения на нагрузке (в связи с изменением мощности, рассеиваемой транзистором) и приводит к тому, что источник тока работает не как идеальный.

Отметим, что, применяя более сложные схемы транзисторных источников тока, можно устранить перечисленные недостатки.

 6.1.3. Дифференциальный усилитель

В дифференциальном (разностном) усилителе изменения напряжений в одной части схемы уравновешиваются равными по величине и противоположными по знаку изменениями напряжений в другой части схемы. В самом названии указывается, что выходное напряжение усилителя является разностью напряжений в двух частях схемы. Дифференциальный усилитель показан на рис. 6.4.

У симметричной схемы дифференциального усилителя имеются два входа: вход (1) и вход (2). Обычно используется только один выход, сигнал с которого, как правило, поступает в дальнейшем на усилитель постоянного тока. Напряжение покоя на коллекторе VT1 составляет примерно 4,5 В относительно земли. Чтобы понять, почему это так, нам следует считать транзисторы идентичными и коллекторный ток покоя в каждом из них равным IК.

В этом случае ток эмиттера каждого транзистора ~ IК, а ток в общем эмиттерном резисторе R1 примерно равен 2IК.

Поскольку база каждого транзистора соединена с землей, то из этого следует, что потенциал эмиттеров также примерно равен потенциалу земли (в действительности, конечно, на 0,6 В ниже потенциала земли). Напряжение, падающее на R1, примерно равно UКК .

Рис. 6.4. Классический транзисторный дифференциальный усилитель.

Определяя коэффициент усиления напряжения дифференциального усилителя, мы рассмотрим два случая в отношении входных сигналов. В первом случае на вход (1) и на вход (2) подан один и тот же сигнал UВХ. Из принципа действия эмиттерного повторителя следует, что точная копия этого входного сигнала появится на общем эмиттерном резисторе R1. Значит, полный переменный ток в R1 (I1) будет равен

.      (6.13)

Полагая снова транзисторы идентичными, находим, что этот ток разветвляется поровну между ними, так что переменный коллекторный ток в VТ1 равен переменному коллекторному току VТ2, то есть . Поэтому

.

Далее, согласно (6.13)

(величиной 1/β пренебрегаем),

поэтому коэффициент усиления сигнала

.     (6.14)

Если R1 = RК и на обоих входах одновременно действует один и тот же сигнал, то полный коэффициент усиления напряжения равен одной второй. Такого рода входное воздействие называется синфазным входным сигналом, а соответствующий коэффициент усиления — коэффициентом передачи синфазного сигнала. Чем больше сопротивление эмиттерного резистора R1 по сравнению с коллекторной нагрузкой RК, тем меньше коэффициент передачи синфазного сигнала.

Теперь мы рассмотрим поведение усилителя по отношению к дифференциальному входному сигналу, то есть в случае, когда сигнал на входе (1) отличается от сигнала на входе (2). У каждого транзистора в эмиттере есть динамическое сопротивление rЭ, которое напрямую связано с крутизной транзистора S:

; если S – в мА/В, то rЭ – в кОм.   (6.15)

Рассмотрим переменные токи, протекающие по сопротивлению rЭ в каждом транзисторе. Будет разумно предполагать, что сопротивление R1 много больше по величине, чем rЭ, так что синфазным переменным током (I1), текущим в резисторе R1 можно пренебречь по сравнению с токами IЭ1 и IЭ1.

.

Но

.

Мы видим, таким образом, что дифференциальный усилитель реагирует на разность потенциалов между его входами. Обратите внимание, что если UВХ(1) положительнее UВХ(2), то выходной сигнал отрицателен, а если UВХ(2) положительнее UВХ(1), то выходной сигнал положителен. Вот почему вход (1) называется инвертирующим входом, а вход (2) — неинвертирующим. Дифференциальный коэффициент усиления напряжения равен

.   (6.16)

Как и в однокаскадном усилителе с транзистором, включенным по схеме с общим эмиттером, коэффициент усиления напряжения имеет вид произведения крутизны на сопротивление нагрузки. Эффективная крутизна дифференциального усилителя Sэфф оказывается равной половине крутизны любого из транзисторов в отдельности, т. е.

,

где IЕ — средняя постоянная составляющая эмиттерного тока каждого транзистора (в мА), а IТ — средняя постоянная составляющая тока в резисторе R1 (в мА), это сумма двух равных по величине эмиттерных токов. Значит,

.     (6.17)

Из приведенного рассмотрения нам известно, что дифференциальный усилитель обладает очень малым коэффициентом усиления, когда на оба входа подан один и тот же (синфазный) сигнал, но чувствителен и имеет большой коэффициент усиления по отношению к разности потенциалов между входами (к дифференциальному сигналу).

Одним из следствий колебаний температуры является изменение напряжения база-эмиттер. В простом усилителе постоянного тока, например в таком, какой показан на рис. 6 4, это приводит к изменению выходного напряжения. Однако в случае дифференциального усилителя, в предположении идентичности транзисторов, подвергаемых одному и тому же температурному воздействию, изменение напряжений база-эмиттер на их входах будет одинаковым и, следовательно, эти изменения будут проявляться на выходе всего лишь уменьшенными в число раз, равное небольшому коэффициенту усиления синфазного сигнала. Полезный же сигнал подается на входы дифференциального усилителя как разностный сигнал и усиливается в число раз, равное большому по величине дифференциальному коэффициенту усиления.

У большинства источников сигнала один вывод заземлен; простейший способ подключить такой источник ко входам дифференциального усилителя в режиме подачи разностного сигнала заключается в том, чтобы заземлить один из входов дифференциального усилителя, а другой вход соединить с «сигнальным» выводом источника сигнала.

Стандартный метод оценки «качества» дифференциального усилителя состоит в измерении относительного ослабления синфазного сигнала (ООСС), равного отношению дифференциального коэффициента усиления напряжения к коэффициенту передачи напряжения синфазного сигнала:

.     (6.18)

Обычно ООСС выражается в децибелах:

дБ.    (6.19)

Заметьте, что здесь используется множитель 20, поскольку принимаются во внимание коэффициенты усиления напряжения, а не мощности.

 6.1.4. Транзисторный ключ.

В переключающей схеме, изображенной ни рис. 6.5, коллекторный ток определяется, главным образом, напряжением питания UКК и сопротивлением нагрузки Rн.

Рассмотрим, что происходит с коллекторным током в схеме на
рис. 6.5, если базовый ток постепенно увеличивается, начиная от нуля. К
огда ключ S1 разомкнут, базовый ток не течет и ток коллектора ничтожно мал. Замыкание ключа приводит к появлению тока базы IБ = UКК /RБ, где мы пренебрегли разностью потенциалов на переходе база-эмиттер. Ток коллектора, протекающий по нагрузке Rн, равен IК = β UКК /RБ. Для конкретной схемы, приведенной на рисунке, при β = 100 и при максимальном значении RБ (50 кОм) получим:

.

Падение напряжения на Rн определяется произведением RнIК  и в нашем случае равно 50 · 0,02 = 1 В. Транзистор при этом находится в линейном режиме; уменьшение RБ приводит к увеличению тока базы, увеличению тока коллектора и, следовательно, к увеличению падения напряжения на Rн. В этих условиях схема могла бы быть использована как усилитель напряжения.

Рис. 6.5. Транзисторный ключ.

Теперь рассмотрим случай, когда

и ток базы равен

.     (6.20)

Следовательно, коллекторный ток равен

.    (6.21)

С точки зрения нагрузки транзистор ведет себя как пара контактов ключа. Из закона Ома следует, что ток нагрузки в этой ситуации не может превышать величины UКК /Rн. Поэтому дальнейшее увеличение тока базы не может увеличить ток коллектора, который определяется теперь только сопротивлением нагрузки и напряжением питания. Транзистор находится в насыщении.

Грубо говоря, глубокое насыщение имеет место, когда

.

Для схемы типа той, какая показана на рис. 6.5, когда ток базы задается просто подключением резистора к источнику питания, мы выбираем

.     (6.22)

Следовательно, для эффективного переключения нам следует выбирать сопротивление базового резистора в зависимости от сопротивления нагрузки.

В режиме переключений транзистор работает либо с фактически нулевым током коллектора (транзистор выключен) или с фактически нулевым напряжением на коллекторе (транзистор включен). В обоих случаях мощность, рассеиваемая на транзисторе, очень мала. Значительная мощность рассеивается только в то время, когда происходит переключение: в это время и напряжение коллектор-эмиттер и ток коллектора имеют конечные значения.

Маломощный транзистор с максимально допустимой рассеиваемой мощностью менее одного ватта, может переключать мощность в нагрузке в несколько ватт. Следует обратить внимание на то, что максимальные значения коллекторного напряжения и тока не должны выходить за допустимые пределы; кроме того, желательно осуществлять переключения возможно быстрее, чтобы избежать рассеяния чрезмерно большой мощности.

6.2. Электрические схемы

В данной работе исследуются схемы, показанные на рисунках
6.6 – 6.9.

Рис. 6.6. Схема Дарлингтона.

Рис. 6.7. Транзисторный источник тока.

Рис. 6.8. Дифференциальный усилитель.

Рис. 6.9. Транзисторный ключ.

6.3. Методика проведения измерений

6.3.1. Исследуя схему Дарлингтона, вам необходимо убедиться в выполнении соотношения β = β1·β2, т. е. определить коэффициенты усиления каждого транзистора VT1 и VT2 по методике, описанной в лабораторной работе № 3 РТ. Затем аналогично определить коэффициент усиления схемы Дарлингтона. Для исследования транзисторов должны быть замкнуты между собой следующие точки схемы:

VT1:

1 — 2;

4 — 6;

VT2:

1 — 3;

7 — 8;

Схема Дарлингтона:

1 — 2;

4 — 5;

8 — 9.

Точки замыкаются при помощи имеющихся гибких перемычек. Коэффициент усиления по току β1 определяется по падению напряжения на известных сопротивлениях R2 и R4. Коэффициент усиления β2 второго транзистора – по падению напряжений на известных сопротивлениях R3 и R4, а β – по падению напряжения на R2 и R4. Численные значения сопротивлений приведены на рис. 6.6.

6.3.2. Для исследования источника тока изменяйте нагрузку R3 во всем диапазоне – от крайнего правого положения ручки переменного резистора до крайнего левого. Пользуясь данными вольтметра V и миллиамперметра мА (в качестве него можно использовать тестер), найдите сопротивление R3, применяя закон Ома для участка цепи. По полученным данным постройте зависимость тока от сопротивления нагрузки
I = I(R3).

6.3.3. Исследование дифференциального усилителя начинается с измерения коэффициентов усиления синфазного Ксинф и дифференциального Кдиф сигналов.

Для измерения коэффициента усиления синфазного сигнала Ксинф соедините точки 2–3 схемы между собой и подайте на них умеренный сигнал
≈ 1В. С помощью вольтметра или осциллографа измерьте входное
UВХ и выходное UВЫХ напряжения. Для этого нужно соединить последовательно точки 1–2 и 1–4 так, как показано на рис. 6.8.

Для измерения Кдиф необходимо соединить точки 1–2 схемы, на клеммы 3–5 подать малый порядка 1 В и 10 кГц сигнал от генератора синусоидального сигнала. Измерить UВХ и UВЫХ.

В работе необходимо будет снять частотную характеристику коэффициента дифференциального усиления и ООСС. Для этого можно, например, изменять частоту подаваемого сигнала от 1кГц до 50 кГц с шагом 5 кГц и определять при каждом значении частоты величину Кдиф или ООСС.

6.3.4. Исследование транзисторного ключа начинается с проверки его работоспособности: замыкая переключатель S1, убедитесь, что вольтметр V1 регистрирует напряжение. С помощью двух вольтметров, точки подключения которых указаны на рис. 6.9, снимите передаточную характеристику ключа – зависимость UВЫХ = f(UВХ). В качестве одного из вольтметров можно использовать тестер; входное напряжение изменяется с помощью сопротивления R1.

6.4. Упражнения на лабораторную работу

6.4.1. Для схемы Дарлингтона:

6.4.1.1. проверить соотношение (6.3);

6.4.1.2. снять входную I = I(UВХ) и выходную IК = IК(UВЫХ) характеристики схемы Дарлингтона; сравнить их с характеристикам одиночного транзистора, полученными в предыдущих работах;

6.4.1.3. измерить входное и выходное сопротивление схемы Дарлингтона; сравнить результат с рассчитанными по формулам (6.8) и (6.11) данными.

6.4.2. Для источника тока:

6.4.2.1. построить (экспериментально) зависимость тока от сопротивления нагрузки;

6.4.2.2. рассчитать ток данного источника по формуле (6.12) и сравнить с экспериментальным.

6.4.3. Для дифференциального усилителя:

6.4.3.1. рассчитать коэффициент усиления синфазного сигнала Ксинф по формуле (6.14); определить его экспериментально; сравнить полученные результаты между собой;

6.4.3.2. рассчитать коэффициент усиления дифференциального сигнала Кдиф по формуле (6.17); определить его экспериментально; сравнить полученные результаты между собой; снять частотную характеристику
Кдиф = Кдиф(ν);

6.4.3.3. рассчитать коэффициент ослабления синфазного сигнала ООСС по формуле (6.18); определить его экспериментально; сравнить полученные результаты между собой; снять частотную характеристику.

6.4.4. Для транзисторного ключа:

6.4.4.1. привести ключ в работоспособное состояние;

6.4.4.2. снять его передаточную характеристику;

6.4.4.3. найти минимальный ток базы, при котором транзистор входит в насыщение (см. формулу (6.20)).

6.5. Контрольные вопросы. Задания по УИРС

  1.  Схема Дарлингтона. Её основные параметры и область применения. Сравните между собой отдельный транзистор и схему Дарлингтона.
  2.  Принцип действия транзисторного источника тока. Область его применения.
  3.  Объясните, чем вызвано то, что даже в рабочем диапазоне источника тока, ток в цепи коллектора не является строго постоянным.
  4.  Дифференциальный усилитель, его характеристики, принцип работы и область применения.
  5.  Транзисторный ключ. Принцип действия. Область применения.
  6.  При напряжении питания 15 В и коэффициенте усиления транзистора
    β = 100 какое сопротивление необходимо поставить в цепи базы транз
    исторного ключа, если ток в нагрузке должен быть равен 50 мА?
  7.  Существует прибор для измерения коэффициентов усиления по току транзисторов. Внешне он представляет собой коробку со стрелочным прибором (миллиамперметром), отградуированным в единицах тока и в числовых значениях коэффициента β, с гнездом для подключения транзистора и регулятором (переменным сопротивлением). Как, по-вашему, может быть сделан такой прибор и как он должен работать?
  8.  У вас нет прибора, описанного в п. 7, но имеется тестер. Как с помощью тестера проверить транзистор, чтобы ответить, исправен он или нет?
  9.  Как, по-вашему, среди тех приборов, установок, радиоаппаратуры и т.п., которые окружают вас дома или в институте, есть ли такие, в которых целесообразно использовать транзисторный ключ вместо обычного выключателя?
  10.  Предложите способы использования (демонстрационные опыты, занимательные игрушки, приборы физического кабинета и т.п.) транзисторных схем, изученных в данной лабораторной работе, в школе. Предложение подкрепите необходимым эскизом или схемой.

PAGE  7


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

61285. Работа с разными материалами. Аппликация.«Веселая обезьянка» 20.98 KB
  Составление алгоритма практической работы 7. Прежде чем начать работу приготовь рабочее место правильно все что нужно для работы приготовь заранее 3. Во время работы содержи рабочее место в порядке 5.