13035

Операционные усилители. Обратная связь, ее влияние на характеристики радиоэлектронных схем (на примере операционных усилителей)

Лабораторная работа

Коммуникация, связь, радиоэлектроника и цифровые приборы

Лабораторная работа №9 Операционные усилители. Обратная связь ее влияние на характеристики радиоэлектронных схем на примере операционных усилителей. Цель работы: изучение операционных усилителей и схем выполненных на их основе; исследование влияния обратной с...

Русский

2013-05-07

295.5 KB

20 чел.

Лабораторная работа №9

Операционные усилители. Обратная связь, ее влияние на характеристики радиоэлектронных схем (на примере операционных усилителей).

Цель работы:  изучение операционных усилителей и схем, выполненных на их основе; исследование влияния обратной связи на характеристики схем, выполненных на основе операционных усилителей.

Приборы:  1. Измерительная панель лабораторного стенда.

                   2. Генератор гармонического сигнала.    

                   3. Осциллограф двухканальный.

                   4. Электронный вольтметр.

                   5. Соединительные провода.

9.1 Теоретическое введение

Понятие «обратная связь» (ОС) относится к числу распространенных, оно давно вышло за рамки узкой области техники и употребляется сейчас в широком смысле. В системах управления обратная связь используется для сравнения выходного сигнала с заданным значением и выполнения соответствующей коррекции. В качестве «системы» может выступать что угодно. Для примера воспользуемся книгой Е.Носова «Незнайка на Луне»,  «После того, как Скуперфильд проработал несколько дней подручным на тестомешалке, ему поручили работу на макаронном прессе. Здесь обязанностью Скуперфильда было следить, как из макаронного пресса бесконечным пучком лезли макаронные трубочки и регулировать их плотность и толщину. Если тесто становилось слишком жидким - а это сразу отражалось на толщине трубочек он давал сигнал тестомешальщикам подбавить муки;  если же тесто становилось слишком густым, он давал сигнал прибавить водички. Как только трубочки достигали надлежащей длины, Скуперфильд нажимал кнопку, в результате чего приводил в движение электрический нож и разрезал трубочки, которые падали в паровой котел...», в описанном случае в качестве система выступая процесс изготовления макарон, а элементом обратной связи являлся Скуперфильд, который следил за выходными данными (макаронами),  сравнивая их с ожидаемыми результатами и, соответственно корректировал входные данные (добавлял муку или воду). В усилительной схеме выходной сигнал должен быть кратен входному, поэтому в усилителе с обратной связью входной сигнал сравнивается с определенной частью выходного сигнала.

Отрицательная обратная связь (OOC) - это процесс передачи выходного сигнала обратно на вход, при котором погашается часть входного сигнала. Может показаться, что это глупая затея, которая приведет лишь к уменьшению коэффициента усилителя. Именно такой отзыв получил Гарольд С. Биэк, который в 1923 г. пытался запатентовать ООС. Действительно, ООС уменьшает коэффициент усиления, но при этом она улучшает другие параметры схемы, например устраняет искажения и нелинейность, сглаживает частотную характеристику (приводит ее в соответствие с нужной), делает поведение схемы предсказуемым. Чем глубже ООС, тем меньше зависят от характеристик усилителя с разомкнутой ООС внешние характеристики усилителя, и, в конечном счете, оказывается, что они зависят только от свойств самой схемы ОС. Операционные усилители обычно используют в режиме глубокой обратной связи, а коэффициент усиления по напряжению без ООС достигает в этих схемах миллиона.

Цепь ОС может быть частотно-зависимой, тогда коэффициент усиления будет определенным образом зависеть от частоты, если же цепь ОС является амплитудно-зависимой, то усилитель обладает нелинейной характеристикой. Вообще говоря, тот параметр, по которому вводится обратная связь, с ее помощью улучшается. Например, если для ОС использовать сигнал, пропорциональный выходному току, то получим хороший источник тока.

ОС может быть и положительной; ее используют, например, в генераторах. Как ни странно, она не столь полезна, как ООС. Скорее она связана с неприятностями, т. к. в схеме с ООС на высокой частоте могут возникать достаточно большие сдвиги по фазе, приводящие к возникновению положительной ОС и нежелательным - автоколебаниям. Для того чтобы эти явления возникали, не нужно прикладывать большие усилия, а вот для предотвращения нежелательных автоколебаний прибегают к различным методам коррекции.

Рассматривая схемы с обратной связью, мы будем иметь дело с операционными усилителями (ОУ). ОУ - это дифференциальный усилитель постоянного тока с очень большим коэффициентов усиления и несимметричным выходом (раз постоянного тока, т. е. частота тока равна 0, то в нем в качестве элементов связи между каскадами не используют конденсаторы, т. к.  и при , ). Прообразом ОУ может служить классический дифференциальный усилитель (с которым вы встречались в предыдущей лабораторной работе) с двумя входами и несимметричным выходом. Правда, реальные ОУ обладают значительно более высоким коэффициентом усиления (порядка 105- 106) к меньшими входными импедансами, а также допускают изменение выходного сигнала почти в полном диапазоне питающего напряжения. Условное обозначение, принятое для всех типов ОУ, приводится на рис. 9.1

Рис. 9.1, Условное обозначение ОУ.

Входы обозначают (+) и (-): неинвертирующий и инвертирующий входы. Работают они следующим образом: выходной сигнал изменяется в положительном направлении, когда потенциал на входе «+» становится более положительным, чем потенциал на входе «-», и наоборот. Символы «+» и «-» не означают, что на одном входе потенциал всегда должен быть более положительным, чем на другом; эти символы просто указывают относительную фазу выходного сигнала (проще говоря, для входа «+» входной и выходной сигналы совпадают по фазе; «-» - сигналы в противофазе). На схемах часто не показывают подключение источников питания к ОУ и вывод, предназначенный для заземления. ОУ обладают колоссальным коэффициентом усиления по напряжению и никогда не используются без обратной связи. Можно сказать, что ОУ созданы для работы с обратной связью.

Коэффициент усиления схемы без ОС так велик, что при наличии замкнутой петли ОС характеристики усилителя зависят только от схемы обратной связи (первом приближении).

Идеальный операционный усилитель имеет следующие характеристики:    

1. Входной импеданс (как для дифференциального, так и для синфазного сигнала) равен бесконечности, а входные токи - нулю.

2. Выходной импеданс (при разомкнутой ОС) равен нулю.

3. Коэффициент усиления по напряжению равен бесконечности.

4. Коэффициент усиления синфазного сигнала равен нулю.

5. Выходное напряжение равно нулю, когда напряжение на обоих входах одинаково (напряжение сдвига равно нулю).

6. Выходное напряжение может изменяться мгновенно (бесконечная скорость нарастания).

Перечисленные характеристики не зависят от температуры и изменений напряжения питания.

Для анализа поведения ОУ, охваченного петлей ОC познакомимся с важнейшими правилами, определяющими его поведение. Эти правила справедливы почти для всех случаев жизни.

Во-первых, ОУ обладает таким большим коэффициентом усиления по напряжению, что изменение напряжения между входами на несколько долей милливольта вызывает изменение выходного напряжения в пределах его полного диапазона, поэтому не будем рассматривать это небольшое напряжение, а сформулируем правило 1:

1. Выход ОУ стремится к тому, чтобы разность напряжений между его входами была равна нулю.

Во-вторых, ОУ потребляет очень небольшой входной ток; не вдаваясь в подробности, сформулируем правило 2:

2. Входы операционного усилителя ток не потребляют.

Здесь необходимо дать пояснение: правило 1 не означает, что ОУ действительно изменяет напряжение на своих входах. Это невозможно (это было бы несовместимо с правилом 2). ОУ «оценивает» состояние входов, с помощью внешней схемы ОС передает напряжение с выхода на вход так, что в результате разность напряжений между входами становится равной нулю (если это возможно).

Эти правила создают достаточную основу для рассмотрения схем на ОУ.

Рассмотрим схему на рис. 9.2.

Рис. 9.2 Инвертирующий усилитель.

Проанализировать ее будет нетрудно, если вспомнить приведенные выше правила:

Потенциал точки В равен потенциалу земли, следовательно, согласно правилу 1, потенциал точки А также равен потенциалу земли.

Это означает, что:  а) паление напряжения на резисторе  равно ,

                                б) паление напряжения на резисторе  равно

Воспользовавшись теперь правилом 2, получим:

, или  коэффициент усиления по напряжению равен:

Анализ получился простым. Но он не позволяет судить о том, что на самом деле происходит в схеме. Для того, чтобы понять как работает обратная связь, представим себе, что на вход подан некоторый уровень напряжения,  к  примеру 1 В. Для конкретизации допустим, что резистор  имеет сопротивление 10 кОм, а резистор  - 100 кОм. Теперь представим себе, что напряжение на выходе решило выйти из повиновения и стало равно 0 В. Что произойдет? Резисторы  и  образуют делитель напряжения, с помощью которого потенциал инвертирующего входа поддерживается равным 0,91 В. ОУ фиксирует рассогласование по входам, и напряжение на его выходе начинает уменьшаться. Изменение продолжается до тех пор, пока выходное напряжение не достигнет значения - 10 В, в этот момент потенциалы входов ОУ станут одинаковыми и равными потенциалу земли. Аналогично если напряжение на выходе начнет уменьшаться и дальше и станет более отрицательным, чем - 10 В, то потенциал на инвертирующем входе станет ниже потенциала земли, в результате выходное напряжение начнет расти.

Входной импеданс данной схемы определяется просто. Потенциал точки А всегда равен 0 В (так называемое мнимое заземление, или квазинуль сигнала). Следовательно,  Выходной импеданс этой схемы равен долям Ома.

Схема, которую мы рассматривали, называется инвертирующим усилителем. Недостатком этой схемы является то, что она обладает малым входным импедансом, особенно для усилителей с большим коэффициентом усиления по напряжению (при замкнутой ОС), в которых резистор , как правило, бывает не большим. Этот недостаток устраняет схема, представленная на рис. 9.3.

Рассмотрим ее. Анализ ее также крайне прост: . Напряжение  снимается с делителя напряжения: . Если , то коэффициент усиления равен .

Это неинвертирующий усилитель. В приближении, которым мы воспользуемся, входной импеданс этого усилителя бесконечен. Выходной - доли Ома.

Рис. 9.3, Неинвертирующий усилитель.

На основе ОУ можно строить почти идеальные интеграторы, на которые не распространяется ограничение . Схема показана на рис. 9.4.

Рис. 9.4. Интегратор на основе ОУ.

Входной ток  протекает через конденсатор С. В связи с тем, что инвертирующий вход имеет потенциальное заземление, выходное напряжение определяется следующим образом:  или .

Входным сигналом в этой схеме может быть и ток, в этом случае резистор не нужен.

Дифференциаторы подобны интеграторам, в них только меняется местами резистор R   и конденсатор С  (рис. 9.5).

Рис. 9.5 Дифференциатор на основе ОУ.

Неинвертирующий вход ОУ заземлен, поэтому, изменения входного напряжения, с некоторой скоростью вызывает появление тока , а, следовательно, и  выходного напряжения: .

На базе ОУ можно построить множество различных схем, Ограничимся рассмотрением уже упомянутых схем. Мы показали, что свойства различных устройств полностью определялись характером обратной связи. При выполнении лабораторной работы обратите внимание на то, что на испытательной панели для построения различных схем использовались микросхема одного типа

Принципиальная схема данного ОУ показана на рис. 9.6.

Рис. 9.6 Принципиальная схема используемого ОУ.

Дадим необходимые пояснения. Интегральной микросхемой, или микросхемой, называют микроэлектронике изделия, выполняющие определенную функцию преобразования и обработки сигнала и имеющее высокую плотность электрически соединенных элементов и кристаллов, которое с точки зрения требований к испытаниям, приемке и эксплуатации рассматривается как единое целое.

Число элементов,  содержащихся в одной интегральной микросхеме, определяет ее степень интеграции. Так, в микросхемах 1-й. степени интеграции содержится до 10 -  элементов и компонентов включительно, 2-й степени - 10 - 100,  3-й - 100 - 1000, 4-й - 103 - 104, 5-й - 104 - 105. Схемы 1-й и 2-й степеней интеграции называют интегральными микросхемами (ИС), схемы 3-й степени интеграции - средними (СИС), схемы 4-й - большими (БИС), а 5-й - сверхбольшими (СБИС).

Из всех ИС наибольшее распространение получили полупроводниковые микросхемы, изготавливаемые по планерной технологии групповым методом, при котором на пластине кремния диаметром 50 мм и более одновременно изготавливается множество микросхем, имеющих форму прямоугольника со сторонами 4-6 мм, К ним и относятся ОУ.

В основе изготовления полупроводниковых ИС лежит планарная технология, обеспечивающая одновременное изготовление нескольких сотен микросхем на одной пластинке монокристаллического кремния. Планерная технология базируется на технологии, разработанной для производства планерных, т.е. плоских, транзисторов, имеющих выводы эмиттера и базы с одной пластинки.

Для изготовления полупроводниковых ИС применяют кремний с эпитаксиальным покрытием. Эпитаксия представляет собой процесс выращивания пленок с упорядоченной кристаллической структурой. Эпитаксиальный слой, как и пластина, на которой он выращивается, состоит из кремния, причем атомы пленки продолжают монокристаллическую структуру пластинки. Для его получения необходимо нагреть пластину кремния до температуры 1200 °С в атмосфере кремниевого тетрахлорида и водорода. Водород превращает тетрахлорид в кремний, осаждающийся на пластинке. Обычно эпитаксиальный слой имеет меньшую проводимость, чем полупроводниковая пластина, и другой тип проводимости вследствие введения в атмосферу тетрахлорида и водорода соответствующей легирующей примеси. Толщина эпитаксиального слоя - от нескольких десятков до 1,5 мкм.

При планарной технологии широко применяются многократное на несение на кремниевую пластинку с уже имеющимся на ней эпитаксиальным слоем и снятие с нее изолирующего покрытия из двуокиси кремния (SiO2), образующейся при нагреве такой пластинки в атмосфере водяного пара. В эпитаксиальном слое путем диффузии примесей создаются участки с различными типами проводимости. Таким способом в коллекторном слое создается базовый слой, а затем в базовом слое - эмиттерный. Диффузия производится через "окна" в изолирующем слое. Для их получения используется фоторезист - процесс, заключающийся в следующем: в темноте на изолирующий слой двуокиси кремния наносится фоточувствительное покрытие пол названием «фоторезист», что означает «сопротивляющийся свету», а правильнее – «сопротивляющийся благодаря свету».

Освещенный ультрафиолетовым светом слой фоторезиста изменяет свои свойства: либо растворимость фоторезиста резко уменьшается (негативный фоторезист), либо он разрушается и становится легко удаляемый (позитивный фоторезист). Таким образом, при создании «окон» на покрытие из негативного фоторезиста накладывается фотомаска, прозрачная в местах, где фоторезист, а, следовательно, и покрытие из двуокиси кремния должны остаться, и затемненная там, где должны быть созданы окна. При травлении неэкспонированный фоторезист растворяется и не защищает изолирующего покрытия. После образования окна оставшийся слой фоторезиста удаляется более сильным растворителем и механической шлифовкой.

На рис. 9.7 показаны последовательные стадии изготовления транзистора полупроводниковой микросхемы при пленарной технологии. На кремниевой пластинке с выращенной эпитаксиальной пленкой n-типа, покрытой двуокисью кремния (рис. 9.7, а), создаются окна, через которые производится диффузия примеси р-типа. Диффундируемая примесь проникает в эпитаксиальный слой (рис. 9.7, б). В результате создастся островок эпитаксиального слоя с диодной изоляцией (запертый диод). На таких изолированных островках формируются элементы полупроводниковой ИС: транзисторы, диоды и резисторы. При формировании транзистора на этом островке, являющимся коллекторной областью транзистора (рис. 9.7, в), с помощью диффузии примеси р-типа создается базовая область. На следующей стадии с помощью диффузии примеси n-типа создаются эмиттер и коллекторный контакт (рис. 9.7, г), а затем напылением алюминия создаются контакты базы, эмиттера, коллектора и подложки (основания).

Аналогично можно сформировать диод, но чаше в качестве диода используют транзистор. Замыкая коллектор и базу, получают так называемый эмиттерный диод, а замыкая эмиттер и базу, - коллекторный.

Рис. 9.7. Некоторые стадии изготовления n-р-n-транзистора полупроводниковой микросхемы:

а - кремниевая пластинка с эпитаксиальным слоем, покрытым двуокисью кремния;

б- диффузия примеси р-типа для получения диодной изоляции;

в - диффузия примеси р-типа для создания базы;

г - диффузия примеси n-типа для создания эмиттера и контакта с коллектором;

д - транзистор с контактами базы, эмиттера, коллектора и подложки (основания).

На рис. 9.8, а показан резистор, сформированный внутри изолированного "островка". На рис. 9.8, 6 показан конденсатор, а на рисунке 9.8, в и г - структура типичных транзисторов микросхем. Транзистор на рис. 9.8, в является n-р-n-транзистором. В нем токи от эмиттера к базе и от базы к коллектору идут вертикально, поэтому он называется вертикальным. Транзистор на рис. 9.8, г является горизонтальным р-n-р-транзистором. Он имеет худшие параметры, чем вертикальный, например, его коэффициент передачи . Однако, он применяется в ИС, так как изготовление горизонтального р-n-р-транзистора не требует дополнительных технологических операций.

На рис. 9.8, в и г показан «утопленный» «n+» слой, уменьшающий сопротивление в цепи коллектора и базы.

Площадь, занимаемая одним элементом микросхемы, - около 10-2 мм2 . Например длина и ширина транзистора полупроводниковой микросхемы - около 0,1 мм. На площади 1 мм2 можно разместить около 100 элементов. Размеры  по глубине еще меньше. Например, толщина базы транзистора составляет (0,3 - 1,0)* 10-6м. Емкости эмиттерного и коллекторного переходов транзисторов полупроводниковых ИС малы благодаря малым размерам транзистора. Это позволяет получить хорошие высокочастотные характеристики микросхем.

На поверхность полупроводниковой микросхемы наносят защитное покрытие их двуокиси кремния SiO2, являющейся хорошим диэлектриком. Микросхема помешается в герметичный корпус, защищающий ее от внешних воздействий.

Полупроводниковые микросхемы наиболее перспективны вследствие высокой надежности и малой трудоемкости их изготовления.

Благодаря тому, что в полупроводниковых микросхемах большая часть соединений выполнена внутри кристалла и не может быть разрушена без разрушения микросхемы, устранены основные причины ненадежности обычных схем - пайка и внешние соединения между элементами. Следует отметить и малую трудоемкость изготовления таких микросхем, что объясняется заменой ручной сборки обычных схем одновременным изготовлением на одной пластинке монокристаллического кремния нескольких сотен микросхем.


Рис. 9.8. Структура основных элементов микросхемы:

а - резистора; б - конденсатора; в - вертикального транзистора; г - горизонтального р-n-р-транзистора.

9.2 Электрическая схема

В данной работе исследуется следующие схемы: неинвертирующий и инвертирующий усилители, дифференциатор и интегратор.

Неинвертирующий усилитель.

Инвертирующий усилитель

Дифференциатор

Интегратор

Для изучения влияния обратной связи на указанные усилители, необходимо выделить их коэффициенты усиления по напряжению при различных положениях переключателей В1 и В2, т.е. всего получается по 4 комбинации для каждой схемы.

9.3 Ход работы

Для определения коэффициента усиления на вход схемы подайте от генератора синусоидального сигнала сигнал с частотой в пределах от 1 до 10 кГц такой амплитуды, чтобы амплитуда выходного сигнала была меньше значения напряжения питания. Не рекомендуется для выходного сигнала превышать амплитуду 8 В. Напомним, что максимальное выходное напряжение любого усилителя не может превосходить напряжение питания. Таким образом, при большом коэффициенте усиления схемы возможна ситуация, когда выход схемы находится в насыщении - входное напряжение растет, а выходное уже достигло значения напряжения питания и остается постоянным. Естественно, что расчет коэффициента усиления в этом случае будет неверным. Чтобы этого не произошло, соблюдайте данную рекомендацию ( В). При каждом положении переключателей проведите не менее трех измерений при различных значениях входного напряжения . Для контроля входного и выходного напряжений рекомендуется использовать осциллограф: для точных их измерений - электронный вольтметр. По результатам опытов заполните таблицу №1.

Сравнение фазы входного и выходного сигнала инвертирующего и неин-вертирующего усилителя проводится с помощью двухканального осциллографа (или одноканальным с помощью фигур Лиссажу). Более подробно об этом вы можете узнать из лабораторной работы № 1.

Изменяя частоту синусоидального сигнала, подаваемого на вход (с обязательным контролем постоянства его амплитуды) и измеряя электронным вольтметром выходное наложение вы можете построить амплитудно-частотную характеристику схем;   при . Для большей наглядности одновременно вы можете подключить осциллограф.

опыта

Uвх,

В

Uвых,

В

R1,

кОм

R2,

кОм

Коэф.

усиления

Коэф.

усиления

Средн.

Расч.

Неинвертирующий

усилитель

Инвертирующий усилитель

1

2

8

U1

U2

U3

U1

U2

U3

U1

U2

U3

U1

U2

U3

U1

U2

U3

U1

U2

U3

R1

R1//

R1//

R2

R2

R2//

A1

A2

A3

A1

A2

A3

A1

A2

A3

Aср 

Aср

Aср

А

А

А

Для определения скорости нарастания выходного напряжения подадим на вход усилителя прямоугольный импульс со стенда и получим осциллограмму выходного импульса. Скорость нарастания будет определяться изменением напряжения в единицу времени. Поясним это рис. 9.9. Показан передний фронт импульса. На нем выбирается любой достаточно линейный участок. Скорость определится как  .

Изучение дифференциатора и интегратора сводится к качественному наблюдению и зарисовке получаемых осциллограмм. Это - прямоугольный импульс,  снимаемый со стенда; сигнал, получившийся после прохождения прямоугольным импульсом интегратора (рис. 9.5); сигнал, получившийся после прохождения прямоугольным импульсом 2-х схем: интегратора и дифференциатора (рис. 9.5 и 9.6), т.е. выход интегратора соединяется со входом дифференциатора, а выходной сигнал снимается с выхода дифференциатора.

Рис. 9.9. Определение скорости нарастания выходного напряжения.

Также пронаблюдайте и зарисуйте сигналы, получающиеся после прохождения прямоугольным импульсом схемы рис. 9.6 и последовательно двух схем рис. 9.6 и 9.5.

Определить коэффициент усиления инвертирующего усилителя при
различных положениях переключателей в схеме. Сравнить их с расчетными. Сделать выводы о влиянии ОСС на коэффициент усиления.

Проделать упражнение,  аналогичное первому,  с неинвертирующим усилителем.

Сравнить по фазе выходной и входной сигналы  для инвертирующего
и неинвертирующего усилителей. Зарисовать полученные осциллограмм.

Снять АЧХ инвертирующего и неинвертирущего усилителей.

Определить скорость нарастания выходного напряжения для инвертирующего и неинвертирующего усилителей.

Снять осциллограмму прямоугольного импульса со стенда и осциллограммы, полученные при прохождении его через дифференциатор; интегратор; дифференциатор и интегратор; интегратор и дифференциатор.

По полученным результатам показать выполнение соотношения

для дифференциатора и

для интегратора.

9.4 Вопросы для подготовки к зачету.

1. В начале работы приведен отрывок из книги Е.Носова "Незнайка на Луне". Не могли бы вы вспомнить какой-либо сюжет из любого художественного произведения, свидетельствующий о широком распространении принципа обратной связи.

2. В чем состоит принцип обратной связи и для чего она используется?

3.  Идеальный операционный усилитель. Его основные характеристики.

4. Что такое дифференциальный усилитель?

5. Отличие реального ОУ от идеального.

6. Использование ООС в ОУ.

7. Правила, лежащие в основе работы ОУ.

8. Объяснить принцип работы и характеристики схем, изученных в данной лабораторной работе.

9. Как вы считаете, можно ли использовать различные электронные схемы типа дифференциаторов и интеграторов для решения, например,  дифференциальных уравнений. Если да, то как это сделать?

10. Дать понятие о технологии производства интегральных микросхем.


+

-

Выход

Неинвертирующий

Вход

Инвертирующий

Вход

+

-

Выход

Вход

R1

R2

A

В

+

Выход

Вход

R1

A

В

R2

+

-

Uвх

Uвых

C

R

+

-

Выход

Вход

R

A

В

C

Вх 1

Вх 2

10

9

4

1

2

3

5

12

7

Вых

-Uи.п.

+Uи.п.

R1

R3

R4

R8

R7

R5

R6

R9

R2

R12

R10

R11

SiO2.

Эпитаксиальный слой n-типа

кремний р-типа

n.

P+

n.

p.

a)

б)

n.

n.

p.

P+

p.

n.

n.

n.

p.

P+

n.

n+.

p.

база.

эмиттер.

коллектор.

основание.

p.

n+.

P+

в)

г)

p

n

n+

Кремний р-типа

д)

Кремний р-типа

д)

P+

n

p

SiO2.

д)

к

б

э

n+

p

P+

n

n+

б

к

э

n+

p

n

P+

а)

б)

в)

+

-

Вход

R1

В1

Выход

В2

+

-

Вход

В1

Выход

В2

+

-

Вход

Выход

С

+

-

Вход

Выход

t, c

U, B

U

U1

U2


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

8029. Знакомство с пакетом MatLab 49.74 KB
  Знакомство с пакетом MatLab Выполнить действия в Matlab и сравнить полученный результат с приведенным ответом. Задать мат...
8030. Алгоритм обмена сообщениями о статусе синхронизации - SSM 113.5 KB
  Алгоритм обмена сообщениями о статусе синхронизации - SSM 1 Цель работы Изучение алгоритма обмена сообщениями о статусе синхронизации SSM (SynchronizationStatusMessage, укр. - ПСС, повідомлення про статус синзхронізації), широк...
8031. Педагогика как наука, её выделение в особую отрасль знания и предмет исследования 21.2 KB
  Педагогика как наука, её выделение в особую отрасль знания и предмет исследования Становление и развитие педагогики как науки. Категориальный аппарат педагогики Педагогика - с греческого детоводство. В Древней Греции называли педагогом раба, котор...
8032. Традиционно выделяют три этапа в истории педагогической мысли 28.92 KB
  Традиционно выделяют три этапа в истории педагогической мысли: Донаучный (с древнейших времен до XVIIв.). эмпирический (первобытнообщинный, рабовладельческий и феодальный строй). Народные педагогика, решавшая решающую роль в духовном и физичес...
8033. Современная педагогика 21.21 KB
  Современная педагогика - это наука о закономерностях воспитания в течение всей жизни. В процессе развития педагогики образовывались все новые связи с другими науками, что привело к выделению различных отраслей педагогики в системе педагогически...
8034. Связь педагогики с различными естественными и гуманитарными науками 21.28 KB
  Связь педагогики с различными естественными и гуманитарными науками Педагогика взаимосвязана с философией и использует ее основные методологические подходы (системный, личностный, деятельностный, полисубъектный и др.) для обоснования сущности педаго...
8035. Педагогические категории и понятия 24.69 KB
  Педагогические категории и понятия Основные педагогические понятия, выражающие научные обобщения, принято называть педагогическими категориями. К ним относятся воспитание, обучение, образование. Педагогика широко оперирует также общенаучными категор...
8036. Методы педагогических исследований 47.5 KB
  Методы педагогических исследований - это пути, с помощью которых педагоги-исследователи добывают знания о предмете. Существует много методов накопления знаний. Среди них выделим традиционные (эмпирические) и новые (экспериментальные, теоретичес...
8037. Проблема целеполагания в педагогике. Трактовка цели в законодательных и директивных документах Р Б 27.2 KB
  Проблема целеполагания в педагогике. Трактовка цели в законодательных и директивных документах Р Б Образование как целостный педагогический процесс имеет целенаправленный характер. Цель образования определяет содержание, методы, формы, средства, рез...