13338

Призначення та будова системи мащення

Лабораторная работа

Производство и промышленные технологии

Лабораторна робота №4 Тема : Призначення та будова системи мащення Мета: Ознайомитися практично з призначеннями і схемами Загальні теоретичні відомості Система мащення призначена для подачі масла до деталей що труться часткового їх охолодження і видалення прод...

Украинкский

2013-05-11

117.7 KB

118 чел.

Лабораторна робота №4

Тема : Призначення та будова системи мащення

Мета: Ознайомитися практично з призначеннями  і схемами

Загальні теоретичні відомості

Система мащення призначена для подачі масла до деталей, що труться, часткового їх охолодження і видалення продуктів спрацювання.

Система мащення складається з:
     - піддона картера;
     - масляного насоса з маслоприймачем; 
     - масляного фільтра;
     - каналів для подачі масла під тиском, просвердлених в блоці циліндрів, головці блоку і в інших деталях двигуна.
     Піддон картера є резервуаром для зберігання масла. Коли ви заливаєте масло через маслозаливную горловину, воно проходить по пустотах усередині двигуна і опускається в піддон картеpa. Рівень масла, яке є в піддоні, можна виміряти масляним щупом через отвір в картері двигуна.
     Масляний насос під тиском подає масло (через фільтр і канали) до деталей кривошипно-шатунного, що
ся, і газорозподільного механізмів. Насос складається з двох шестерень і приводиться в дію від колінчастого вала двигуна. При обертанні шестерень, зуби захоплюють масло і нагнітають його у головну магістраль.
 
     Редукційний клапан служить для обмеження тиску в системі масляних каналів двигуна. При надмірному тиску пружина стискається, і частина масла надходить назад.
     Масляний фільтр служить для очищення масла, яке проходить через нього, від механічних домішок. Він встановлюється зразу ж після насоса і пропускає через себе все масло, яке поступає в масляну магістраль. Найчастіше фільтр має нерозбірну конструкцію і підлягає заміні одночасно з плановою зміною масла в двигуні.
     Вентиляція картера двигуна забезпечує відсмоктування з картера і відведення у впускний трубопровід парів бензину і відпрацьованих газів, які потрапляють в нижню частину двигуна. Під час тактів стиску і робочого ходу ці випари і гази частково прориваються в картер двигуна, розріджують масло і дуже агресивні по відношенню до деталей кривошипно-шатунного механізму.
     Вентиляція картера здійснюється примусово за рахунок розрідження, яке виникає в карбюраторі при роботі двигуна. Корпус повітряного фільтра з'єднується з картером двигуна за допомогою шланга, по якому картерні гази прямують спочатку в карбюратор, а потім в циліндри на допалювання. 

     В двигунах внутрішнього згоряння застосовується комбінована система

мащення - під тиском і способом розбризкування. До самих навантажених поверхонь, що труться, масло подається під тиском, а решта деталей механізмів двигуна змащується бризками масла і масляним туманом.
     До підшипників колінчастого і розподільного валів масло підходить по каналах системи, звичайно ж, під тиском.
     Зробивши свою справу, тобто, змастивши, трохи охолодивши і забравши з собою продукти спрацювання, масло стікає назад у піддон картера двигуна.

     При обертанні колінчастого валу, його кривошипи ударяють по поверхні масла в піддоні картера, при цьому утворюються масляні бризки і туман, які

потрапляють на дзеркало циліндрів, поршень і поршневий палець. Всі рухомі деталі кривошипно-шатунного і газорозподільного механізмів немов би купаються в маслі. Цим досягається висока стійкість до спрацювання вузлів сучасних двигунів

Індивідуальне завдання

Схема системи мащення автомобіля Ваз 2106

Висновок: на цій лабораторній роботі ознайомився практично з призначеннями  і будовою системи мащення двигуна внутрішнього згорання.


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

37905. Исследования полупроводникового диода 566 KB
  С точки зрения зонной теории полупроводниками являются кристаллические вещества у которых при 0 К валентная зона полностью заполнена электронами а ширина запрещенной зоны невелика например для германия она равна 072 эВ. Выясним природу этих носителей на примере полупроводника из германия. Все атомы германия нейтральны и связаны друг с другом ковалентными связями. Чтобы создать проводимость необходимо разорвать хотя бы одну из связей удалив из атома германия электрон и перенеся его в какуюлибо другую кристаллическую ячейку где все...
37906. Изучение статических характеристик и определение коэффициента усиления транзистора 84.5 KB
  Инжекция носителей тока. Инжекция носителей тока В основе работы транзистора лежит явление полупроводников р и n типа рn переход к которому приложено внешнее электрическое поле в пропускном прямом направлении рис.1 В этом случае потенциальный барьер основных носителей на границе рn перехода снижается и под влиянием внешнего поля дырки переходят из р в n полупроводник а электроны в обратном направлении из n в р полупроводник и в цепи возникает прямой ток. Процесс рекомбинации происходит не...
37907. ИССЛЕДОВАНИЕ ТЕМПЕРАТУРНОЙ ЗАВИСИМОСТИ МЕТАЛЛОВ И ПОЛУПРОВОДНИКОВ 4.96 MB
  Электропроводность зависит от температуры структуры вещества и от внешних воздействий напряженности электрического поля магнитного поля облучения и т. Характер зависимости σ от температуры Т различен у разных веществ. Увеличение температуры приводит к возрастанию тепловых колебаний кристаллической решетки на которых рассеиваются электроны и σ уменьшается. при более низких температурах когда влиянием тепловых колебаний на рассеяние электронов можно пренебречь сопротивление практически не зависит от температуры.
37908. Определение постоянной Планка методом задерживающего потенциала 120 KB
  Михайлов Определение постоянной Планка методом задерживающего потенциала: Методические указания к лабораторной работе № 80 по курсу общей физики Уфимск. Методические указания знакомят студентов с уравнением Эйнштейна для фотоэффекта и с методом задерживающего потенциала позволяющего определять постоянную Планка. Студентам предлагается экспериментально получить график зависимости задерживающего потенциала от частоты падающего на фотокатод света и вычислить постоянную Планка и работу выхода.
37909. ДИФРАКЦИЯ ЭЛЕКТРОНОВ 951 KB
  Гипотеза деБройля 4 2. Контрольные вопросы 11 Список литературы 11 ЭЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА № 85 ДИФРАКЦИЯ ЭЛЕКТРОНОВ Цель работы Изучение гипотезы деБройля о волновых свойствах микрочастиц. Определение длины волны деБройля электронов дифрагированных на образцах с кубической кристаллической решеткой. Теоретическая часть Гипотеза деБройля В 1924 г.
37910. Исследование зависимости теплового излучения абсолютно черного тела от температуры 104 KB
  Лабораторная работа № 86 Исследование зависимости теплового излучения абсолютно черного тела от температуры 1. Цель работы Исследование зависимости интегральной излучательной способности абсолютно черного тела от температуры и проверка выполнения закона СтефанаБольцмана. зависит от температуры тела. Для спектральной характеристики теплового излучения вводится понятие излучательной способности тела или спектральной плотности излучательности 2.
37911. Изучение поляризованного света и внутренних напряжений в твердых телах оптическим методом 338.5 KB
  16 Лабораторная работа № 66 Изучение поляризованного света и внутренних напряжений в твердых телах оптическим методом 1. Закон Малюса Из электромагнитной теории света вытекает что световые волны поперечны. Естественные источники света излучают волны неполяризованные. При взаимодействии света с веществом основное действие оказывает электрическая составляющая электромагнитного поля световой волны электрические взаимодействия сильнее магнитных.
37912. ИЗУЧЕНИЕ ДИСПЕРСИИ СВЕТА 641.5 KB
  2 угол при вершине которой т. преломляющий угол равен P падает световая волна частоты ω угол падения равен i1. Угол наименьшего отклонения δ преломляющий угол P и показатель преломления связаны между собой соотношением .2 Угол отклонения лучей призмой тем больше чем больше преломляющий угол призмы.
37913. ИЗУЧЕНИЕ ЯВЛЕНИЯ ПОГЛОЩЕНИЯ СВЕТА ВЕЩЕСТВОМ 1.85 MB
  13 ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА № 68 ИЗУЧЕНИЕ Явления ПОГЛОЩЕНИЯ СВЕТА ВЕЩЕСТВОМ 1. Определение коэффициентов поглощения исследуемых растворов в зависимости от длины волны поглощаемого света. Явление поглощения света веществом можно объяснить как с точки зрения волновых представлений так и с точки зрения квантовых представлений. С точки зрения квантовых представлений удается вычислить собственные частоты колебаний атомов и молекул на основе спектров поглощения.