14556

Проектирование автогенератора с мостом Вина

Книга

Коммуникация, связь, радиоэлектроника и цифровые приборы

ЭЛЕКТРОНИКА €œПроектирование автогенератора с мостом Вина€ Методические указания к курсовой работе для студентов направления ЭЭ очной/ заочной/ заочносокращенной формы обучения Содержание Задание на курсовую работу Выбор блоксхемы. ...

Русский

2013-06-06

2.13 MB

38 чел.

ЭЛЕКТРОНИКА

“Проектирование автогенератора с мостом Вина”

Методические указания к курсовой работе

для студентов  направления ЭЭ

очной/ заочной/ заочно-сокращенной формы  обучения

Содержание

  1.  Задание на курсовую работу        
  2.  Выбор блок-схемы.         
  3.  Расчет элементов используемых в схеме:

3.1 Выходной усилительный каскад       

3.2  Эмиттерный повторитель №3 на транзисторах VT7-VT-8   

3.3  Аттенюатор          

3.4  Эмиттерный повторитель №2 на транзисторах VT5-VT-6   

3.5  Цепь Вина          

3.6  Нелинейная отрицателная обратная связь     

3.7  Предварительный усилитель       

3.8  Эмиттерный повторитель №1 на транзисторах VT1-VT-2   

  1.  Расчет разделительных конденсаторов       
  2.  Расчет параметрических стабилизаторов напряжения    
  3.  Расчет радиаторов         
  4.  Расчет АФХ и ФЧХ усилителя на транзисторе VT-4     
  5.   Расчет искажений на высоких частотах      
  6.  Карты режимов          
  7.  Спецификация элементов        
  8.  Список использованных источников.       
  9.  Приложение А          
  10.  Приложение Б          
  11.  Приложение В          


ЗАДАНИЕ НА КУРСОВУЮ РАБОТУ ПО ДИСЦИПЛИНЕ «ЭЛЕКТРОНИКА»:

Спроектировать  электронное устройство, учитывая параметры, приведенные в техническом задании.

Согласно шифру задания определяется проектируемое  устройство: если первая цифра шифра «1» - усилитель мощности, если «2»- автогенератор.

 

Дополнительные  требования, предъявляемые к  выполнению курсовой работы:

1. Использовать при расчетах минимальное значение β транзистора, приведенное в справочнике, но не более 150.

2. Диапазон частот у автогенератора разбивть на поддиапазоны, с коэффициентом перекрытия 10 или √10, между собой поддиапазоны должны перекрываться на 10n.

3. Во всех каскадах ввести обратную отрицательную связь с глубиной не менее 5, т.е. F≥5.

4. Для одного из каскадов рассчитать АЧХ  и  ФЧХ до М=√2.

5. Привести карту режимов и спецификацию элементов.

6. Все элементы должны быть пронумерованы. Нумерация элементов сквозная.

7. Отклонение всех параметров от расчетных (заданных) не более ±10%.

8. В аттенюаторе регулировка плавная и дискретная.

9. Значения резисторов и конденсаторов выбираются в соответствии номиналами  (использовать ряд Е24).

10. Оформление курсовой работы согласно ГОСТ.

11. Привести информацию об изготовлении печатных и монтажных плат.

12. Спроектировать принципиальную электрическую схему электронного устройства (согласно 1-ой цифре шифра) и привести в графической части работы на листе формата А3.

Обязательные пункты, входящие в содержание курсовой работы приведены в приложении А.

Пример титульного листа приведен в приложении Б.

Далее приведена полная методика расчета электронного устройства – АВТОГЕНЕРАТОРА С МОСТОМ ВИНА.


ВЫБОР БЛОК-СХЕМЫ

Автономный источник синусоидальных колебаний, работающий в режиме самовозбуждения, называется генератором. Он является преобразователем энергии источника питания в энергию колебаний переменного тока требуемой частоты.

RC-генераторами называются автогенераторы, частота входных колебаний которых определяется цепями, состоящими из сопротивлений и емкостей.

Структурная схема RC-автогенератора с мостом Вина  может быть представлена в виде замкнутой системы.

  •  Источник питания (на схеме не обозначен);
  •  Цепь Вина используется как частотозадающая цепь;
  •  Повторитель (П1) служит для согласования фазирующей цепи с усилителем напряжения по сопротивлению;
  •  Усилители напряжения (УН1, УН2) обеспечивают баланс фаз и баланс амплитуд (при введении нелинейной отрицательной обратной связи);.
  •  Повторители (П2 и П3) согласуют задающий генератор с усилителем мощности по сопротивлению  и обеспечивающих необходимый режим работы аттенюатора
  •  Аттенюатор (АТТ) служит для плавной и ступенчатой регулировки уровня ослабления выходного напряжения.
  •  Усилитель мощности (УМ), охваченный отрицательной обратной связью, предназначен для обеспечения заданной мощности на заданном сопротивлении нагрузки.


РАСЧЕТ ЭЛЕМЕНТОВ ИСПОЛЬЗУЕМЫХ В СХЕМЕ

Расчет автогенератора с мостом Вина следует начать с расчета выходного оконечного каскада.

ВЫХОДНОЙ УСИЛИТЕЛЬНЫЙ КАСКАД

Принципиальная электрическая схема выходного оконечного каскада:

Выбор режима работы.

Выбор режима «А» несет в себе небольшие нелинейные искажения по сравнению с другими режимами работы, хотя КПД автогенератора в этом режиме небольшой примерно 30-45 %. В то время как режим «В» обеспечивает чрезмерно большие нелинейные искажения, вызванные наличием нелинейного участка в начале входной вольтамперной характеристики. КПД режима «В» составляет 50-60 %.

Расчет будем вести в режиме «А».


1. Определяем амплитудные значения тока и напряжения на нагрузке:

(A)

(B)

  1.  Определим максимально допустимую мощность рассеивания на транзисторах VT12, VT13:

(Вт),

где ηА – КПД, равный 35 - 40%. Поскольку в режиме «А» предельный КПД составляет 50%, а реальный не выше 35 - 40%.

  1.  Определим UКЭ12=UКЭ13:

(В),

где U0 - запас, исключающий попадание рабочей точки в область насыщения, для различных типов транзисторов колеблется в пределах 0,5 - 3 В, для маломощных транзисторов можно выбирать в пределах 1-2 В;

КПΣ - коэффициент передачи всего усилителя мощности. Практически значение КПΣ находится в пределах 0,7-0,9, в зависимости от величины нагрузки. При нагрузках ниже 5-10 Ом следует принимать меньшее значение.

Принимаем U0 =  (В), КПΣ =  и определяем UКЭ12=UКЭ13.

Определим величину напряжения источника питания

ЕК = 2·UКЭ12,13 + 2·Uзащ= 2·UКЭ12,13 + 2·UR43 = (В),

где Uзащ – падение напряжения на резисторе защиты (R43), можно принять в пределах 0,8 – 1 В.

Принимаем ЕК =  (В), в соответствии со стандартным рядом источников питания.

Пересчитываем значения напряжений коллектор-эмиттер транзисторов 12 и 13:

(В)

Выбираем из справочника  транзисторы VT13, VT12, соответствующие по мощности, току покоя и по верхней граничной частоте полосы пропускания, основные характеристики сводим в таблицу вида:

Модель

Тип

P, Вт

Uкэ доп, В

Ikmax, A

βmin

fгр, МГц

Cк, пФ

Iко, мА

VT12

VT13

Необходимо учитывать, что у выбираемых в качестве выходных транзисторов допустимое напряжение Uк доп должно соответствовать неравенству .

Определяем токи покоя и токи базы транзисторов VT12, VT13:

Iп12 = 0,5·IНМАХ + IН.У.  (А),

где IН.У.- неуправляемая часть тока покоя, определяемая наличием теплового тока коллектора IK0 (определяется из справочных данных).

 (мА),

(А),

(А),

(А);

Определим значение резистора защитыRз = R43, Значение резистора защиты Rз должно быть достаточно большим, чтобы ограничить на допустимом уровне величину тока через транзисторы VT12  и VT13 и в то же время снижений коэффициента полезного действия при введении Rз должно быть незначительным:

(Ом),

где значение Uбэ12,13 дано в техническом задании.

Значение резистора Rз=R43 принимаем в соответствии с рядом Е24.

Определяем ток покоя транзисторов VT10:

(А)

Определяем постоянное напряжение UКЭ10,11:

 (В)

Определим мощность, рассеиваемую на транзисторах VT10, VT11:

PК10,11 = UКЭ10,11·Iп10  (Вт)

Выбираем из справочника  транзисторы VT10, VT11, соответствующие по мощности, току покоя и по верхней граничной частоте полосы пропускания, основные характеристики сводим в таблицу вида:

Модель

Тип

P, Вт

Uкэ доп, В

Ikmax, A

βmin

fгр, МГц

Cк, пФ

Iко, мА

VT10

VT11

Определим сквозной ток через транзисторы VT10, VT11:

 (А)

Определим токи покоя и токи базы транзисторов VT10, VT11

   (А);

(А);

 (А)

Определим ток покоя транзистора VT9:

Для обеспечения максимальных усилительных свойств транзистора VT9, можно принять значение Iп9=0,005А.

Определим напряжение на резисторе R36:

(В)

Определим напряжение на участке  коллектор-эмиттер транзистора VT9, при этом значение Uбэ можно принять равным 0,7 В для всех остальных транзисторов в данном устройстве:

  (В)

Определим мощность, рассеиваемую на коллекторе транзистора VT9:

 (Вт)

Выбираем из справочника  транзистор VT9, соответствующий по мощности, току покоя и по верхней граничной частоте полосы пропускания, основные характеристики сводим в таблицу вида:

Модель

Тип

P, Вт

Uкэ доп, В

Ikmax, A

βmin

fгр, МГц

Cк, пФ

Iко, мА

VT9

Определим сквозной ток и ток базы транзистора VT9

 (А)

 (А)

Выбираем ток делителя . Пусть   (А).

Определим значения сопротивлений в схеме и выберем  резисторы в соответствии с рядом  Е24:

 (А)

 (Ом),

 (В)

 (А)

Пересчитаем  значение сопротивления R43:

 (Ом),

(В)

 (А)

 (Ом),

 (В)

 (А)

 (Ом)

 (В)

 (А)

 (Ом),

 (В)

 (В)

 (В)

 (А)

 (Ом) 

 (В)

 (В)

 (В)

 (А)

(В)

(Ом),

принимаем  R33<R34 

Пересчитываем значения сопротивления резисторов в соответствии с рядом Е24: R33+R34 =  (Ом)

 (А)

 (Ом),  

 (В)

 (А)

 (Ом),

принимаем  R37<R41 

Пересчитываем значения сопротивления резисторов в соответствии с рядом Е24: R37+R41=   (Ом)

21. Определим коэффициент передачи повторителя на транзисторах VT10÷VT13:

22.  Проверим правильность выбранного значения UКЭ9 :

23. Определим коэффициент усиления предварительного каскада:

;

где rб9 - объемное сопротивление базы, можно принять в пределах 200-400 Ом;

rЭ9 - сопротивление эмиттерного перехода, определяется следующим образом:

(Ом);

RВХ.П – входное сопротивление выходного каскада в целом, определяется:

RВХ.П = 0,5·10·12·RН   (Ом);

- эквивалентное сопротивление предварительного каскада, определяется:

(Ом)

24. Определим коэффициент усиления каскада в целом:

КУМ = К·КП 

25. Охватим каскад глубокой отрицательной параллельной обратной связью по напряжению.

Глубина обратной связи определяется как:

где: К f0 - исходный коэффициент нелинейных искажений, равный 5%, т.е. Кf0=0,005

Кf - заданный коэффициент нелинейных искажений,

Входное сопротивление транзистора VT9 определяется следующим образом:

  Rвх.VT9=rб9+rэ9∙(1+β9)

Входное сопротивление выходного каскада без ООС определяется как:

RВХ.У.М = RВХ.VT9. || R32 || R37

Т.к. RВХ У.М.→R31   принимаем R31 равным  входному сопротивлению выходного каскада,  R31 =    (Ом) в соответствии с рядом Е24.

Определяем эквивалентное сопротивление:

RЭКВ = RВХ.У.М || R31 (Ом)

Определяем сопротивление R38:

(Ом),

Из полученного выражения следует, что:

Пересчитаем значение глубины обратной связи:

F= 1+βэкв·КУМ

Определим коэффициент усиления выходного каскада с ООС:

При этом необходимо пересчить входное сопротивление усилителя мощности:

(Ом)

26. Определим входное напряжение усилителя мощности.

(В)

27. Определим значение емкости конденсатора фильтра и выберем конденсатор в соответствии с рядом Е24:

(мкФ)

28. Определим значение емкости конденсатора С27 и выберем конденсатор в соответствии с рядом Е24:

(мкФ)

29. Определим значение емкости конденсатора С28 и выберем конденсатор в соответствии с рядом Е24:

(мкФ)

30. Определим значение емкости в цепи компенсации С30 и выберем конденсатор в соответствии с рядом Е24:

(мкФ)


ЭМИТТЕРНЫЙ ПОВТОРИТЕЛЬ №3 НА ТРАНЗИСТОРАХ VT8, VT7.

Нагрузкой этого  эмиттерного повторителя является выходной каскад, поэтому:

 UН = UBX= (В)

 RН = RВХ.У.М.= (Ом)

  1.    Примем значение тока покоя транзистора VT8  равным 5 мА

IП8 = 5 (мА)

  1.    Рассчитаем напряжение на участке коллектор-эмиттер транзистора VT8:

UКЭ8 = Uн+U0  (В)

Определим мощность, рассеиваемую на коллекторе транзистора VT8 PК8 = UКЭ8·IП8  (мВт)

4. Выбираем транзисторы VT7, VT8, в соответствии с полученными параметрами, основные характеристики сводим в таблицу вида:

Модель

Тип

P, Вт

Uкэ доп, В

Ikmax, A

βmin

fгр, МГц

Cк, пФ

Iко, мА

VT7

VT8

5. Зададимся напряжением питания из расчета, что EК < UКДОП

Принимаем ЕК = (В)

6. Определим ток базы транзистора VT8

(мА)

7. Определим ток базы и ток покоя транзистора VT7:

По графику зависимости  от тока эмиттера определяем, что  = (7-10).

(мА)

(мА)

8. Примем ток делителя  (мА)

Определим значение сопротивления резистора в цепи эмиттера транзистора VT8:

IR29=Iб8+IП8   (мА)

  (Ом)

Принимаем R29 =  (Oм)

В соответствии с этим пересчитаем значения напряжений на участке коллектор-эмиттер транзистора VT8  и определим падение напряжения на резисторе 29:

UКЭ8К-R29IR29  (В)

UR29=R29IR29 (В)

9. Определим значение сопротивления резистор R28:

R28 =  15 RН (Ом)

Принимаем R28 = (Ом)

Тогда:

IR28= Iб7   (мА)

UR28=R28IR28  (В)

10. Определим значения сопротивлений резисторов  в цепи делителя:

(мкА)

(Ом)

Принимаем R27 =  (Ом)

Тогда:

UR27=R27IR27  (В)

(В)

(А)

(Ом)

Принимаем R26 =  (кОм)

11. Определим значения эквивалентного сопротивления резистора эмиттера  RЭ~:

RЭ~ = RH || R27 || R29 || R26  (Ом)

12. Определим коэффициент передачи повторителя:

(Ом)

13. Определим входное сопротивление повторителя:

(Ом)

14. Определим выходное сопротивление повторителя:

RВЫХП = rЭ8  (Ом)

15. Определим значение емкости конденсатора  С24:

 (мкФ)

Примем С24= (мкФ)

Рассчитаем напряжение, которое необходимо подать на вход повторителя:

(В),

Где = .


АТТЕНЮАТОР

Аттенюатор – это устройство, уменьшающее амплитуду сигнала без искажения его формы. Аттенюатор с помощью резистора R25  обеспечивает плавную регулировку и при помощи резисторов R22-R24 – дискретную.

Т.о. аттенюатор должен обеспечивать дискретное переключение диапазонов и плавное изменение сигнала внутри них:

В техническом задании нам дан аттенюатор со следующими ослаблениями:

0;      -X;  -Y;       -Z.

Разобьем на участки:

(-Z; -Y);

(-Y; -X);

(-X; 0).

Примем R25=3300 Ом, чтобы получался не слишком большой разброс между крайними значениями резисторов .

         ( -∞ -                                          0)  дБ

(-∞ -              - первый диапазон (-X))   дБ

(-∞ -               - второй диапазон (-Y)) дБ

(-∞ -               - третий диапазон (-Z)) дБ

В качестве потенциометра R25 выберем резистор с сопротивлением в пределах от 2,0 до 5,1 кОм.

Диапазон ослабления определяется следующим образом:

.(дБ)

Отсюда  (Ом)

  1.   дБ.

 (Ом) 

Принимаем значение R22=   Ом, в соответствии с рядом Е24.

Тогда ослабление будет несколько  отличатся от заданного, реально получаем:

 (дБ)

  1.   дБ.

 (Ом) 

Принимаем значение R23=   Ом, в соответствии с рядом Е24.

Тогда ослабление будет несколько  отличатся от заданного, реально получаем:

 (дБ)

  1.   дБ.

 (Ом) 

Принимаем значение R24=   Ом, в соответствии с рядом Е24.

Тогда ослабление будет несколько  отличатся от заданного, реально получаем:

 (дБ)

Определим токи проходящие через сопротивления аттенюатора:

(мА),

где входное напряжение аттенюатора соответствует входному напряжению эмиттерного повторителя на транзисторах VT7- VT8:

UвхА=UвхП3

 (мА)

 (мА)

 (мА)

Рассчитаем мощность, рассеиваемую на резисторах аттенюатора:

(Вт)


ЭМИТТЕРНЫЙ ПОВТОРИТЕЛЬ №2 НА ТРАНЗИСТОРАХ VT5, VT6.

В качестве нагрузки данного эмиттерного повторителя примем R25 аттенюатора:

 UН = UBX А (В)

 RН = R25 (Ом)

  1.    Примем значение тока покоя транзистора VT6  равным 5 мА

IП6 = 5 (мА)

  1.    Рассчитаем напряжение на участке коллектор-эмиттер транзистора VT6:

UКЭ6 = Uн+U0  (В)

  1.  Определим мощность, рассеиваемую на коллекторе транзистора VT6:

PК6 = UКЭ6·IП6  (Вт)

  1.    Выбираем транзисторы VT5, VT6, в соответствии с полученными параметрами, основные характеристики сводим в таблицу вида:

Модель

Тип

P, Вт

Uкэ доп, В

Ikmax, A

βmin

fгр, МГц

Cк, пФ

Iко, мА

VT5

VT6

  1.  Зададимся напряжением питания из расчета, что:

Ек=2∙Uкэ6  (В)

Принимаем ЕК =  (В), в соответствии с рядом напряжений источников питания. 

  1.  Определим ток базы транзистора VT6:

(А),

При этом, Iк6<< Ikmax.

  1.  Определим ток базы и ток покоя транзистора VT7:

По графику зависимости  от тока эмиттера определяем, что =(7-10).

(А)

(А)

  1.  Примем ток делителя  (А)
  2.  Определим сопротивление резистора в цепи эмиттера транзистора VT6:

IR21=Iб6+IП6  (А)

 (Ом)

Принимаем R21 =  (Oм)

В соответствии с этим пересчитаем значения напряжений на участке коллектор-эмиттер транзистора VT6  и определим падение напряжения на резисторе 21:

UКЭ6К-R21IR21  (В)

UR21=R21IR21  (В)

  1.   Примем  значение сопротивления R20 максимально большим (≈3900-15000 Ом):

R20 =   (Ом)

Тогда:

IR20= Iб5   (А)

UR20=R20IR20   (В)

  1.  Определим резисторы в цепи делителя

  (А)

Uбэ5, Uбэ6 примем равными 0,7 В

(Ом)

Принимаем R19 =  (Ом)

UR19=R19∙IR19   (В)

Пересчитаем значение напряжения Uбэ5 :

 (В)

(А)

(Ом)

Принимаем R18 =   (Ом)

  1.  Определим RЭ~:

RЭ~ = RH || R19 || R21 || R18  (Ом)

  1.  Определим коэффициент передачи повторителя:

(Ом)

  1.   Определим входное сопротивление повторителя

(Ом)

15. Определим выходное сопротивление повторителя

RВЫХП = rЭ6  (Ом)

16.  Определим значение  емкости С21:

 (мкФ)

Примем С21=   (мкФ)

Определим входное напряжение повторителя:

(В)

Перед тем как начать расчет усилителя напряжения нам надо рассчитать входное сопротивление моста Вина, учесть отрицательную обратную связь, которую мы вводим для стабилизации коэффициента усиления, а значит и выходного сигнала.


ЦЕПЬ ВИНА  

Перед тем как начать расчет усилителя напряжения нам надо рассчитать входное сопротивление моста Вина, учесть отрицательную обратную связь, которую мы вводим для стабилизации коэффициента усиления, а значит и выходного сигнала.

Изменение частоты  производится дискретно (грубо) с помощью конденсаторов и плавно с помощью переменных резисторов.

Входное сопротивление моста Вина определяется следующим образом:

На частоте квазирезонанса   следовательно:

Выходное сопротивление моста Вина определяется:

  

На частоте квазирезонанса   

Нагрузкой для моста Вина является эмиттерный повторитель на транзисторах VT1 и VT2 , поэтому предположим, что входное сопротивление эмиттерного повторителя  будет максимально большим – в пределах от 150 до 250 кОм. Для того, чтобы Rвхп не шунтировало мост Вина:

 (Ом)

 (Ом)

Примем значения сопротивлений резисторов цепи Вина  R1 и  R3, равными максимальному значению сопротивления цепи Вина (RmaxЦВ), а значения R2 и  R4, равными минимальному значению (RmixЦВ).

R1=R3=  (Ом), а R2=R4=  (Ом).

Определим значение выходного сопротивления цепи Вина:

 (Ом)

 (Ом)

Определим значение входного сопротивления цепи Вина:

 (Ом)

 (Ом)

Рассчитаем ёмкости C1÷С12:

   

   

1. Для первого  диапазона (X) Гц (10X)  Гц, (Х=fн из технического задания), при R1+R2=  Ом :

 (Ф),

принимаем  =    (Ф)

Пересчитаем значения первого частотного диапазона в соответствии с принятыми значениями емкостей конденсаторов С12:

 (Ф),       (Ф)

2. Для второго  диапазона (10X)  Гц (100X)  Гц:

 (Ф) 

принимаем C3=C4= (Ф)

Пересчитаем значения второго частотного диапазона в соответствии с принятыми значениями емкостей конденсаторов С34:

 (Ф),       (Ф)

3. Для третьего диапазона (100X) Гц (1000X) Гц:

 (Ф)

принимаем C5=C6= (Ф)

Пересчитаем значения третьего  частотного диапазона в соответствии с принятыми значениями емкостей конденсаторов C5=C6:

 (Ф),       (Ф)

 

Определим токи, протекающие в резисторах:

(А)

 (А)


ОТРИЦАТЕЛЬНАЯ НЕЛИНЕЙНАЯ ОБРАТНАЯ СВЯЗЬ

В качестве нелинейного элемента выбираем лампу накаливания. Нелинейный элемент (НЭ)  вводится нами в схему для ограничения амплитуды. Сопротивление НЭ зависит от температуры, а та в свою очередь от баланса мощностей.  При этом постоянная времени НЭ, работающего в автогенераторе, должна быть намного больше периода колебаний на самой нижней рабочей частоте, в этом случае температура НЭ на протяжении периода колебаний не может следовать за изменениями мгновенной мощности и остается постоянной с высокой степенью точности. Таким образом, сопротивление НЭ является функцией действующего значения тока или напряжения, а получаемые автоколебания - синусоидальными. Характеристики нелинейного элемента – лампы накаливания:

Тип

Uст, В

Iср, мА

Iр.о., мА

Iн, мА

t, с

НСМ12х5

0,5 3

1

0,6 1,8

6

0,4

Найдем напряжение лампы:

  (В)

Рассчитаем значения элементов, через которые реализована обратная связь.

Найдем сопротивление лампочки с помощью ом-амперной характеристики.

Iл=0,0013 А, Rл = 1200 Ом

Выбираем резистор R12 из условия  R12 >> Rл , предположим, что  R12=3∙Rл=3600 Ом.

Принимаем R12 = 3,6 (кОм)

Rэ~=R12 || Rл  =   (кОм)

RСВ = 2·(R12 || Rл ) =   (кОм)

R13 = RСВ =    (кОм)

Посчитаем сопротивление ООС:

 (Ом)

Определим коэффициент отрицательной обратной связи и коэффициент усиления:

, где Rн=Rвх. п на VT5,6

Определим значения напряжений на резисторах R12 и R13

UR12 = UH = (В)

UR13 = 2UH =  (В)

Определим значение емкости  конденсатор в цепи ОС:

 (Ф)

Принимаем С18=  (мкФ)


ПРЕДВАРИТЕЛЬНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ

Этот усилитель выполняет две основные функции:

обеспечивает баланс фаз

обеспечивает коэффициент усиления 3

Рассчитаем элементы, относящиеся к усилительному  каскаду на транзисторе VT4.

Усилитель напряжения работает на нагрузку (эмиттерный повторитель), на мост Вина, на ООС.

 Uвых.у = Uвх.п2 =   (В)

 Rн. у = RООС||RвхЦВmin.||Rвхп2   (Ом)

  1.  Определим ток в нагрузке:

(А)

  1.  Зададимся  IKmin4 и UКЭmin4 :

(мА)

(В)

  1.  Определим IKMAX4

IKmax4 = (2~5) ∙ (2·IH4 + IKmin4)   (А)

  1.  Определим 4 :

  1.  Определим напряжение питания:

Зададимся 4 = 0,05

 (В)

Принимаем ЕК =     (В)

Пересчитаем 4

  1.  Определяем значение сопротивления резистора в цепи коллектора транзистора VT4:

 (Ом)

Принимаем R16 =   (Ом)

  1.  Определим падение напряжения на резисторе R17  и величину напряжения, до которого зарядится конденсатор С20:

UR17 = EK · 4    (В)

UC20 = ∙Uвых.у. + UКЭmin4 + UR17    (В)

  1.  Определим покоя транзистора VT4 - IП4:

 (мА)

  1.  Определим напряжение на участке коллектор-эмиттер транзистора VT4 - UКЭ4:

UКЭ4 = EK – (IП4+ IKmin4) ∙ R16 - UR17 (В)

  1.  Определим допустимую мощность, рассеиваемую на транзисторе VT4:

PКДОП = IП4 · UКЭ4   (Вт)

  1.   Выбираем транзистор VT4, в соответствии с полученными параметрами, основные характеристики сводим в таблицу вида:

Модель

Тип

P, Вт

Uкэ доп, В

Ikmax, A

βmin

Iко, мА

VT4

  1.   Так как значение Ik0 сильно отличается от IKmin4, то произведем перерасчет с учетом того, что IKmin4= Iko=30 мкА
  2.  Определим максимальный ток коллектора транзистора VT4 -  IKmax4 :

IKmax4 = (2~5) ∙· (2·IH4 + IKmin4)   (мА)

  1.  Определим ток базы транзистора VT4:

(мА)

  1.   Определим резистор в цепи эмиттера

 (Ом) По ряду Е24 принимаем R17=   Ом.

  1.  Определим ток делителя:

IД = (2~5)· IБ4   (мА)

  1.  Определим значения сопротивлений  резисторов делителя базы:

UR16=R16∙()  (В)

 (Ом)

Принимаем R14=   (Ом)

UБЭ4= -R14∙()  (В)

 (Ом)

Принимаем R15=  (Ом)

 (А)

  1.  Определим значение емкости  конденсатора в  цепи эмиттера:

(Ф)

Принимаем С19 = (мкФ)

  1.  Определим коэффициент усиления каскада на транзисторе VT4:

,

где значение сопротивления  в области базы примем rБ4 = 400 (Ом).

(Ом)

Rк~4 = RH4 || R16  (Ом)

  1.  Определим входное и выходное сопротивления каскада на транзисторе VT4:

RВХ4= R14 || R15 || (rБ4 + rЭ4· (1+4))  (Ом)

 rК4 =    (Ом)

RВЫХ4 = rK4 || R16  (Ом)

  1.  Определим входное напряжение каскада на транзисторе VT4:

  (В)

Рассчитаем элементы, относящиеся к усилительному  каскаду на транзисторе VT3.

UВЫХ.У. = Uвх4 (В)

RН.У. = RВХ4= (Ом)

  1.  Определим ток в нагрузке:

(мА)

  1.  Зададимся значениями тока и напряжения IKmin3 и UКЭmin3:

 (мА)

 (В)

  1.  Определим максимальное значение тока коллектора транзистора VT3 - IKMAX3 :

IKmax3 = (2~5) · (2·IH3 + IKmin3)  (мА)

  1.   Определим величину  :

  1.  Определяем значение сопротивления  резистора в цепи коллектора транзистора VT3:

 (Ом)

Принимаем R11 =   (Ом)

Определим падение напряжения на разделительном конденсаторе С17:

    UC17 = ∙UВЫХ.У. + UКЭmin3 + UR12  (В)

  1.  Определим ток покоя транзистора VT3IП3 :

 (мА)

  1.  Определим значения напряжения на участке коллектор-эмиттер транзистора VT3:

UКЭ3 = EK – (IП3+ IKmin3)· R11 - UR12  (В)

Определим допустимую мощность, рассеиваемую на транзисторе VT3:

PКДОП = IП3 · UКЭ3  (Вт)

  1.  Выбираем транзистор VT3, в соответствии с полученными параметрами, основные характеристики сводим в таблицу вида:

Модель

Тип

P, Вт

Uкэ доп, В

Ikmax, A

βmin

Iко, мА

VT3

  1.  Определим ток базы транзистора VT3:

(мА)

  1.   Определим значение сопротивления  резистора в цепи эмиттера:

 (Ом)

По ряду Е24 принимаем R12=   (Ом)

  1.  Определим ток делителя:

IД = (2~5)· Iб3  (мА)

  1.  Определим значение сопротивлений  резисторов делителя базы:

UR11=R11∙()   (В)

 (Ом)

Принимаем R10=      (Ом)

UБЭ3= -R10∙()  (В)

 (Ом)

Принимаем R9=     (Ом)

 (А)

  1.  Определим значение емкости конденсатора в  цепи эмиттера :

(Ф)

Принимаем С16 =    (Ф)

  1.  Определим коэффициент усиления каскада (без ООС) на транзисторе VT3:

где: rБ3 = 400 (Ом)

 (Ом)

RK~3 = RH3 || R11   (Ом)

  1.  Определим входное сопротивление каскада на транзисторе VT3:

RВХ3=R10||R9||(rб3+rэ3 (1+3)) (Ом)

Определим выходное сопротивление каскада на транзисторе VT3:

rК3 =    (Ом)

RВЫХ4 = rK3 || R11   (Ом)

  1.  Определим общий коэффициент усиления каскадов:

K=K3∙K4

  1.   Определим входное напряжение предварительного усилителя:

 (В)


ЭМИТТЕРНЫЙ ПОВТОРИТЕЛЬ №1 НА ТРАНЗИСТОРАХ VT1, VT2.

Нагрузкой этого  эмиттерного повторителя является предварительный усилитель, поэтому:

 UН = UBX=    (В)

 RН = RВХ.3=    (Ом)

Примем значение тока покоя транзистора VT2  равным 5 мА

IП2 = 5 (мА)

  1.  Примем значение максимального напряжения на участке коллектор-эмиттер равным 20 В, тогда минимальное значение этого напряжения составит:

UКЭ2min= 0,1∙UКЭ2max = 2 (В)

Рассчитаем значение напряжения UКЭ2:

  UКЭ2=Uн+ UКЭ2min (В)

  1.  Определим мощность, рассеиваемую на коллекторе транзистора VT2:

PК2= UКЭ2·IП2   (Вт)

  1.  Определим напряжение источника питания:

Ек=2∙UКЭ2 (В)

Примем Ек=   (В)

  1.  Выбираем транзисторы VT1, VT2, в соответствии с полученными параметрами, основные характеристики сводим в таблицу вида:

Модель

Тип

P, Вт

Uкэ доп, В

Ikmax, A

βmin

fгр, МГц

Cк, пФ

Iко, мА

VT1

VT2

  1.  Определим ток базы транзистора VT2:

 (мА)

  1.  Определим ток базы и ток покоя транзистора VT1:

По графику зависимости  от тока эмиттера определяем, что ≈7,5.

(А)

 (А)

  1.  Примем значение  тока делителя равным:  (А)
  2.  Определим значение сопротивления резистора в цепи эмиттера транзистора VT2:

IR8=Iб2+IП2   (А)

 (Ом)

Принимаем R8 =   (Oм)

UКЭ2К-R8IR8   (В)

UR8=R8IR8    (В)

  1.  Примем значение сопротивления  резистора R7 =6200 Ом:

Тогда:

IR7= Iб1  (А)

UR7=R7IR7  (В)

  1.  Определим значение сопротивлений  резисторов в цепи делителя:

  (А)

(Ом)

Принимаем R5 =    (Ом)

UR5=R5IR5  (В)

(В)

 (А)

(Ом)

Принимаем R6 =    (Ом)

Будем вести расчет эмиттерного повторителя по переменному току:

  1.  Определим эквивалентное сопротивление эмиттера RЭ~ :

RЭ~ = RH || R5 || R6 || R8  (Ом)

  1.  Определим коэффициент передачи повторителя:

(Ом)

.

  1.   Определим входное сопротивление повторителя:

(Ом)

  1.  Определим выходное сопротивление повторителя:

RВЫХ.П = rЭ2    (Ом)

  1.   Определим  значение емкости конденсатора  С14:

 (Ф)

Примем С14=  (мкФ)

  1.   Определим входное напряжение повторителя:

 (В)


РАСЧЕТ РАЗДЕЛИТЕЛЬНЫХ КОНДЕНСАТОРОВ

Значения емкости разделительных конденсаторов рассчитываются исходя из приходящихся на них частотных искажений в области нижних частот. Имеется 9 разделительных конденсаторов. Распределим искажения равномерно между ними:

,

где n - количество разделительных емкостей.

Заданные коэффициенты  частотных искажений в области нижних частот приведены в техническом задании. Определим, какие частотные искажения приходятся на одну разделительную емкость:

Следовательно емкость конденсатора должна быть:

Разделительные емкости рассчитываются следующим образом:

во входной цепи   (Ф),

где МВХ - частотные искажения, вносимые входной цепью.

Определим значение емкостей  конденсаторов С13 ,С15, С17, С20,  С22,  С23,  С25,  С26,  С31:

Конденсатор С13.

 (Ом);

 (Ом);

Выбираем конденсатор С13 типа  (  )  на(  ) мкФ,  (  ) В.

Конденсатор С15.

(Ом);

 (Ом);

Конденсатор С17.

  (Ом);

 (Ом);

Конденсатор С20.

  (Ом);

  (Ом);

Конденсатор С22.

 (Ом);

  (Ом);

Конденсатор С23.

  (Ом);

 (Ом);

Конденсатор С25.

  (Ом);

  (Ом);

Конденсатор С26.

 (Ом);

 (Ом);

Конденсатор С31.

 (Ом);

 (Ом);


РАСЧЕТ ПАРАМЕТРИЧЕСКИХ СТАБИЛИЗАТОРОВ НАПРЯЖЕНИЯ

Так как выходной усилительный каскад питается от источника питания ЕК =  В, а  остальным каскадам и эмиттерным повторителям необходимы другие значения напряжений источников питания, то необходимо уменьшить напряжение  питания выходного каскада для остальных элементов схемы.  Для  решения этой задачи  применяется схема параметрического стабилизатора напряжения:

    Принципиальная электрическая схема параметрического стабилизатора напряжения на стабилитроне приведена на рисунке:

 


       Принцип действия данного стабилизатора основан на стабилизации напряжения на нагрузке (на Rн) на уровне напряжения стабилизации стабилитрона VD1. Данный стабилизатор представляет собой делитель напряжения, одним из плечей которого является балластный резистор R1, а вторым - соединенные стабилитрон VD1 и нагрузка Rн. Расчет делителя напряжения проще всего производить, используя закон Ома для участка цепи. т.о. расчет сводится к выбору номинала и мощности балластного резистора R1.

        Исходными данными для расчета являются:

            a) Входное напряжение (Uвх к), в данном случае равное напряжению источника питания всего устройства или напряжению питания выходного каскада.

            b) Необходимое напряжение на нагрузке (Uк э.п. на VTi  или Uк ус на VTi), в данном случае равное напряжению питания для какого-либо эмиттерного повторителя либо предварительного усилителя.

            c) Ток, потребляемый нагрузкой (Iн), в данном случае равный  току для какого-либо эмиттерного повторителя либо предварительного усилителя.

 

1. С учетом исходных данных выбирается стабилитрон с напряжением стабилизации UVD1 (или Uст), равным или близким U , и током стабилизации Iст, большим примерно в 2 раза, чем ток, потребляемый нагрузкой. Далее,  у выбранного  стабилитрона сводим  основные характеристики в таблицу вида:

Позиционное обозначение

Тип

Uст min, В

Uст max, В

Uст ном, В

Iст, A

VDi

2. Как видно из рисунка, ток протекающий  через балластный  резистор R1 является суммой тока стабилизации стабилитрона VD1  -  Iст и тока, потребляемого нагрузкой Iн. Именно этот ток (Iн=IR1) и следует использовать в дальнейших расчетах. В качестве IR1 принимается сумма токов протекающих через эмиттерный повторитель или  предварительный усилитель:

 (А)

Например, для эмиттерного повторителя на VT7-VT8 значение тока IR1 определяется следующим образом:

 IR1VT7,8=Iст+Iд + Iб7 + Iк7 + Iк8  (А)

Для эмиттерного повторителя на транзисторах VT5-VT6:

 IR1VT5,6= Iст+Iд + Iб5 + Iк5 + Iк6  (А)

Для эмиттерного повторителя на транзисторах VT1-VT2:

 IR1VT1,2= Iст+Iд + Iб1 + Iк1 + Iк2  (А)

Для предварительного усилителя на транзисторах VT3,VT4:

 IR1VT3,4= Iст+Iд + Iб5 + Iк5+Iб6 + Iк6  (А)

Из закона Ома для участка цепи определяем значение тока, проходящего через балластный резистор:

 (А)

3. Значение балластного сопротивления определяется из предыдущего пункта т.е.:

 (Ом)

Реальное значение сопротивления R1 выбирается, как ближайшее к полученному из ряда Е24.

4. Имея значение сопротивления резистора R1 и ток, протекающий через него, рассчитывается  мощность рассеяния резистора R1:

   (Вт)

Пример расчета для одного из нескольких, необходимых в схеме, параметрических стабилизаторов:

Выходной усилительный каскад питается от источника питания ЕК = 50 В, а эмиттерный повторитель №1 на транзисторах VT1- VT2 от ЕК = 9 В, то необходимо уменьшить напряжение  питания.  

1. Выбираем стабилитрон с подходящими параметрами:

В качестве стабилизатора VD1 выбираем:

Позиционное обозначение

Тип

Uст min, В

Uст max, В

Uст ном, В

Iст ном, A

VD1

КС482А

9

10,2

8,5

0,005

Рассчитаем сопротивление R41:

R41 =   (В), где

2. Определяем значение суммы токов, протекающих через балластный резистор:

IR41 = Iст + (А)

тогда  IR41 = Iст +=5+3,314 = 8,314 мА

UR41 = Eк - 9 = 50 - 9 =41 В

3. Определяем значение сопротивления балластного резистора:

R41 =  кОм

Принимаем:   R41 = 5,1 кОм

4. Определяем мощность рассеяния резистора R41:

PR41 = UR41IR41 = 0,341 Вт


РАСЧЕТ РАДИАТОРОВ

Радиаторы предназначены для отвода  тепла от транзисторов в схеме, при мощности, превышающей 1,5 Вт. Т.о. те транзисторы, на которых рассеивается мощность более 1,5 Вт необходимо вынести за разъем, а также рассчитать для каждого площадь  радиатора.

Площадь радиатора определим следующим образом:

 (см2)  ,  где

Т-коэффициент теплоизлучения от теплоотвода в окружающую среду (для дюралюминия  Т = 1,5 ( мВт / см2С );

RТп-с – тепловое сопротивление переход-среда, определяется следующим образом:

     (К/Вт),  где

Тс - температура  среды  (в техническом задании задан диапазон рабочих температур усилителя – от 10 до 30 °С , выбираем верхнее значение этого диапазона → Тс=30°С);

Тп - температура  р-п - перехода, (определяется исходя из справочных данных, можно принять в пределах от 125 до 200 °С);

Рс – мощность, которую необходимо рассеять.

Затем необходимо привести рисунок радиатора с указанием его линейных размеров (в см).

Пример:

В качестве выходных  транзисторов   VT12 и  VT13 выбраны  транзисторы  типа  КТ928Г . У  них  температура p-n-перехода Тп = 150С (данные из справочника). Необходимо  рассеять  мощность  Pк = 19,14 ( Вт ).  Произведем расчет теплового сопротивления переход-среда:

 К/Вт

Определим площадь радиатора из дюралюминия:

 см2

Рисунок:


РАСЧЕТ АЧХ И ФЧХ УСИЛИТЕЛЯ НА ТРАНЗИСТОРЕ
VT4

Рассчитаем амплитудно-частотную и фазо-частотную характеристики для предварительного усилителя на транзисторе VT4, без ОС, для диапазона частот, где частотные искажения не превышают .

Для расчета АЧХ воспользуемся формулами:

, где

К4 – коэффициент усиления на средних частотах для усилительного каскада на транзисторе VT4.

1. Рассчитаем зависимость коэффициента усиления на НЧ от частоты:   

Определим значение коэффициента частотных искажений в области низких частот:

-

  ,  где

 (с)

 (с)

Определим частоту, на которой Мн=:

=

∙=

Решив это уравнение относительно fн получим значение нижней граничной частоты полосы пропускания. Т.О. fн=   Гц.

Задаваясь различными значениями частот fн  найдем значения соответствующих коэффициенту усиления Kнч:

fн, Гц

Mн

Kнч

1

2

3

4

5

6

7

2. Рассчитаем зависимость коэффициента усиления на ВЧ от частоты:

 

Определим значение коэффициента частотных искажений в области высоких частот:

, где

 (с)

С0на VT4К4М2  (пФ)       

  (с) 

Определим частоту, на которой Мв=:

=

Решив это уравнение относительно fв получим значение нижней граничной частоты полосы пропускания. Т.О. fв=   Гц.

Задаваясь различными значениями частот fв  найдем значения соответствующих коэффициенту усиления Kвч:

fв, Гц

Mв

Kвч

1

2

3

4

5

6

7

Для расчета ФЧХ воспользуемся формулой:

 

Задаваясь различными значениями частот f,  найдем значения соответствующих фаз :

f, Гц

, рад.

, град.

M

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

Пользуясь данными расчетов, приведенных выше, необходимо произвести построение АЧХ и ФЧХ:

Пример:

АЧХ

ФЧХ:


РАСЧЁТ ИСКАЖЕНИЙ НА ВЫСОКИХ ЧАСТОТАХ

Частотные искажения, возникающие на высоких частотах, обусловлены зависимостью транзисторов от частоты, а также наличием паразитных емкостей.

Основные искажения вносят предварительный каскад на транзисторах VT3-VT4 и усилиителем мощности на транзисторах VT9-VT13. Искажения, вносимые эмиттерными повторителями, не будут учитываться ввиду того, что применены транзисторы с высокой граничной частотой, а также присутствуют 100%- обратные связи, охватывающие каждый повторитель.

Суммарные частотные искажения:

 

Искажения , вносимые предварительным каскадом:

, где значения параметров для транзистора VT3:

-постоянная времени коэффициента ,

 (с)-постоянная времени нагрузки каскада.

 (Ф)-емкость коллекторного перехода транзистора VT3;

 (Ф) -емкость монтажа;

 (Ф)  -емкость нагрузки.

, где значения параметров для транзистора VT4:

-постоянная времени коэффициента ,

 (с)-постоянная времени нагрузки каскада.

 (Ф)-емкость коллекторного перехода транзистора VT4;

 (Ф) -емкость монтажа;

 (Ф)  -емкость нагрузки.

Искажения, вносимые повторителем на VT9-VT12:

Далее определяются суммарные искажения:

Затем полученный результат сравнивается с тем, который задан техническим заданием и делается вывод: удовлетворяет ли суммарный коэффициент частотных искажений на высоких частотах   техническому заданию.


КАРТЫ РЕЖИМОВ

 В карте режимов необходимо  привести информацию обо всех элементах рассчитанного устройства, сведенную в таблицы, следующего вида:

Резисторы:

Позиционное

обозначение

R, Ом

U, В

I, А

P, Вт

Тип

R1*

22000

0,698

0,000032

0,000022

СП3-30-0,125

 

Конденсаторы:

Позиционное обозначение

C, мкФ

U, В

UMAX, В

Тип

С1*

0,043

0,655

25

К10-17

 

Транзисторы:

Позиционное

обозначение

Uбэ, В

Uкэ, В

IБ, А

IК, А

IЭ, А

PК, Вт

Тип

VT1*

0,638

4,819

0,0000039

0,000029

0,000033

0,00014

1Т311Л

 

Стабилитроны:

Позиционное

обозначение

UСТ, В

I, мА

P, мВт

Тип

VD1*

12

22,549

0,2705

КС512А1

Лампа накаливания:

Тип

Uст, В

Iср, мА

Iр.о., мА

Iн, мА

t, с

НСМ12х5*

0,5 3

1

0,6 1,8

6

0,4

 *-примеры


СПЕЦИФИКАЦИЯ ЭЛЕМЕНТОВ

 В спецификации элементов необходимо  привести информацию о количестве, наименовании, типе и позиционном обозначении (номере) всех элементах рассчитанного устройства, сведенную в таблицы, следующего вида:

Резисторы:

Позиционное обозначение

Наименование

Количество

R2, R4, R5, R6…*

МЛТ-0,125

35

Конденсаторы:

Позиционное обозначение

Наименование

Количество

C1, C2, C3, C4, C5…*

К10-17

19

Транзисторы:

Позиционное обозначение

Наименование

Количество

VT1, VT2, VT3…*

1T311Л

8

Стабилитроны:

Позиционное

обозначение

Наименование

Количество

VD1*

КС512А1

1

Лампа накаливания:

Позиционное

обозначение

Наименование

Количество

HL*

НСМ12х5*

1

* - примеры


СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ


Приложение А

Содержание

  1.  Техническое задание.        
  2.  Возможная область применения усилителя мощности    
  3.  Выбор блок-схемы.         
  4.  Характеристики аналогичного устройства выпускаемого промышленностью  
  5.  Расчет элементов оконечного каскада      
  6.  Расчет повторителя на транзисторах VT7, VT8    
  7.  Расчет аттенюатора         
  8.  Расчет повторителя на транзисторах VT5, VT6    
  9.  Расчет  усилителя на транзисторе VT4       
  10.   Расчет предварительного усилителя на транзисторе VT3    
  11.  Расчет повторителя на транзисторах VT1, VT2    
  12.  Расчет разделительных емкостей      
  13.  Расчет параметрического стабилизатора напряжения   
  14.  Расчет радиаторов         
  15.  Расчет АФХ и ФЧХ         
  16.   Расчет искажений на высоких частотах     
  17.  Карты режимов         
  18.  Спецификация элементов        
  19.  Технология производства и изготовления печатных и монтажных плат   
  20.  Список использованных источников.         


Приложение Б

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ Российской Федерации

Федеральное  государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования

«Тюменский государственный нефтегазовый университет»

Институт кибернетики, информатики и связи

Кафедра «Кибернетических систем»

ПОЯСНИТЕЛЬНАЯ ЗАПИСКА

к курсовой работе

по дисциплине «Электроника»

на тему «Проектирование усилителя мощности»

или

на тему «Проектирование автогенератора»

вариант 

Выполнил:

студент группы 

Иванов Н.А.

Проверила:

ассистент каф. КС

Сидорова А. Э.

         Дата защиты_____________                      Оценка___________

Тюмень 2012


Приложение В

Ряды номинальных значений базовых электронных элементов

Номинальные сопротивления резисторов, выпускаемых отечественной промышленностью в соответствии с рекомендациями МЭК, стандартизованы. Для постоянных резисторов установлено шесть рядов: Е6, Е12, Е24, Е48, Е96, Е192, а для переменных резисторов установлен ряд Е6. Кроме этого допускается использовать ряд Е3.
Цифра после буквы Е указывает число номинальных значений в каждом десятичном интервале. Номиналы сопротивлений соответствуют числам в приведенных ниже таблицах или числам, полученным умножением или делением этих чисел на 10n (n - целое положительное или отрицательное число).

Номинальные сопротивления по ряду Е3, Е6, Е12, Е24

Е3

Е6

Е12

Е24

Е3

Е6

Е12

Е24

Е3

Е6

Е12

Е24

1,0

1,0

1,0

1,0

2,2

2,2

2,2

2,2

4,7

4,7

4,7

4,7

 

 

 

1,1

 

 

 

2,4

 

 

 

5,1

 

 

1,2

1,2

 

 

2,7

2,7

 

 

5,6

5,6

 

 

 

1,3

 

 

 

3,0

 

 

 

6,2

 

1,5

1,5

1,5

 

3,3

3,3

3,3

 

6,8

6,8

6,8

 

 

 

1,6

 

 

 

3,6

 

 

 

7,5

 

 

1,8

1,8

 

 

3,9

3,9

 

 

8,2

8,2

 

 

 

2,0

 

 

 

4,3

 

 

 

9,1


+E
К

D1

R41


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

6872. Эмиссия центрального банка 50.5 KB
  Эмиссия ЦБ Вопросы. Этапы эмиссии ЦБ Проспект эмиссии ЦБ Федеральная служба по финансовым рынкам. 1 НПА: ФЗ от 22.04.1996 О рынке ЦБ. Признаки эмиссионных ЦБ: Закрепляет совокупность имущественных и неимущественных прав, п...
6873. Правовые основы инвестиционного процесса. Особенности правового регулирования иностранных инвестиций 35.5 KB
  Правовые основы инвестиционного процесса. Особенности правового регулирования иностранных инвестиций. Правовая основа: Закон об иностранных инвестициях. Сущность правоотношений в сфере иностранных инвестиций состоит в создании правовых усло...
6874. Дослідження символьних типів 107 KB
  Дослідження символьних типів Теоретичні відомості Змінні символьного типу забезпечують зберігання символів, які можуть бути відображені на відображаючих та друкуючих пристроях. Фактично, такі змінні містять коди символів. У мові Pascal використовуют...
6875. Дослідження залежності опору металів і напівпровідників від температури 320.5 KB
  Дослідження залежності опору металів і напівпровідників від температури Мета роботи: порівняння закономірностей температурної залежності електропровідності металів і напівпровідників визначення температурного коефіцієнта опору металів визначення ш...
6876. Створення геоприв’язаної карти 3.87 MB
  Створення геоприв'язаної карти Однією з базових задач в роботі із супутниковими знімками, є прив'язка їх до існуючої карти, чи створення нової карти на основі супутникових зображень. В даній роботі ми розглянемо процес створення геоп...
6877. Ефект Холла. Визначення знаку носіїв струму, їх концентрації і рухливості у напівпровідниках і напівметалах за допомогою ефекту Холла 262.5 KB
  Ефект Холла Мета роботи: визначення знаку носіїв струму, їх концентрації і рухливості у напівпровідниках і напівметалах за допомогою ефекту Холла. Зміст роботи і завдання Ознайомитись із приладами, які використовуються в роботі. Виміряти...
6878. Дослідження характеристик дуги постійного струму 405 KB
  Дослідження характеристик дуги постійного струму 1 Мета роботи Метою роботи є ознайомлення з електричною дугою постійного струму, її статичними вольт-амперними і регулювальними характеристиками, умовами існування стаціонарного дугового розряду і виб...
6879. Дослідження діелектричних властивостей сегнетоелектриків 226.5 KB
  Дослідження діелектричних властивостей сегнетоелектриків Мета роботи: дослідження процесів, що відбуваються при поляризації сегнетоелектриків та визначення їх діелектричних характеристик. Зміст роботи і завдання. Ознайомитись з експериментальною у...
6880. Головне меню програми та MDI інтерфейс 74.18 KB
  Головне меню програми та MDI інтерфейс Хід роботи 1)Створив новий проект, додав 2 форми, розмістив необхідні компоненти на формах. Далі вказав головну батьківську форму...