14626

Изучение методики разработки программ в системе MATLAB при изучении кинематического управления роботами

Лабораторная работа

Физика

Лабораторная работа №1: Вариант 1 Изучение методики разработки программ в системе MATLAB при изучении кинематического управления роботами. Изучение методики разработки программ в системе MATLAB при изучении кинематического управления роботами Цель работы: Изу...

Русский

2013-06-08

156.5 KB

8 чел.

Лабораторная работа №1:

Вариант 1

Изучение методики разработки программ  в системе MATLAB при изучении кинематического управления роботами.

Изучение методики разработки программ  в системе MATLAB при изучении кинематического управления роботами   

Цель работы: Изучение команд и  синтаксиса системы MATLAB, а также способов графического представления результатов вычислений на экране дисплея.

Объектом исследования лабораторной работы является

 двухзвенный робот, представленный на рисунке

L1=0,3;   a=0,1;   ;   q2=0,15;

Текст программы:

L=[0.3 0]

a=0.5

q=[0.785 0.15]

pause

for k=1:3

 x=q(2)*cos(q(1))

 y=q(2)*sin(q(2))

 z=L(1)

 qk=[q(1) q(2)]

q(1)=q(1)+0.04*k;

q(2)=q(2)+0.03*k;

x0(k)=x;

y0(k)=y;

z0(k)=z;

pause

end

view(5,5)

plot3([0,x0(1)],[0,y0(1)],[0,z0(1)],'mo-','MarkerSize',5,'LineWidth',1)

x0

pause

y0

pause

z0

qk

pause;

hold on;

plot3([0,x],[0,y],[0,z],'ro-','MarkerSize',5,'LineWidth',1)

x

y

z

pause

st = 'Нажмите любую кнопку...';

disp(st);

pause;

xab=[0 0]; yab=[0 0]; zab=[0 L(1)];

xbc=[0 x0(1)]; ybc=[0 y0(1)]; zbc=[L(1) z0(1)];

xabk=[0 0]; yabk=[0 0]; zabk=[0 L(1)];

xbck=[0 qk(2)*cos(qk(1))]; ybck=[0 qk(2)*sin(qk(2))]; zbck=[L(1) L(1)];

view(5,5)

l1=line(xab,yab,zab)

pause;

hold on;

l2=line(xbc,ybc,zbc)

pause;

xlabel('X');

ylabel('Y');

zlabel('Z');  

grid on;

l1=line(xabk,yabk,zabk)

pause;

hold on;

l2=line(xbck,ybck,zbck)

pause;

plot3([x0(1),x0(2)],[y0(1),y0(2)],[z0(1),z0(2)],'ro -','MarkerSize',5,'LineWidth',2)

pause;

hold on;

plot3([x0(2),x0(3)],[y0(2),y0(3)],[z0(2),z0(3)],'mo -','MarkerSize',5,'LineWidth',2)

pause;  

plot3([0,x0(3)],[0,y0(3)],[0,z0(3)],'ro-','MarkerSize',5,'LineWidth',2)

rotate3d on;

pause;

hold off;

Результаты расчета обобщенных и абсолютных координат для трех точек ведены в таблицу:

Абсолютные координ

Обобщенные координаты

x

y

z

q1

q2

1 точка

0.1061

0.0224

0.3000

0.7850

0.1500

2 точка

0.1221

0.0322

0.3000

0.8250

0.1800

3 точка

0.1482

0.0570

0.3000

0.9050

0.2400

   

 

 

 


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

69002. Шуми електронних приладів. Фізична природа шумів 186.5 KB
  Шуми або флюктуації є випадковими процесами. Виникають з подачею напруги живлення на електроди елементу. Їх можна прослуховувати через динамік на вході радіоприймача і підсилювача або побачити на екрані осцилог-рафа. Шуми накладаються на корисні сигнали та рівні постійних напруг і струмів живлення...
69003. P-n перехід у стані рівноваги. Утворення електронно-діркового переходу 342.5 KB
  Розглянемо напівпровідник н п який має дві прилеглих області: одна з провідністю nтипу друга pтипу. Оскільки концентрація дірок у дірковій області pp напівпровідника вище ніж в електронній pn а концентрація електронів у електронній області nn вище ніж у дірковій np між областями буде існувати...
69004. ФІЗИЧНІ ПРОЦЕСИ В р-n ПЕРЕХОДІ ПРИ ДІЇ ЗОВНІШНЬОЇ ЕЛЕКТРИЧНОЇ НАПРУГИ 105.5 KB
  Оскільки концентрація рухомих носіїв заряду в рп переході менша ніж в областях п та р напівпровідника опір рп переходу буде більший ніж опір області п та р тому можна вважати що вся напруга прикладається до рп переходу При дії зовнішньої напруги порушується рівновага між дифузійним і дрейфовим струмами в рп переході...
69005. Фізичні процеси в біполярних транзисторах з декількома p-n переходами 308 KB
  Для забезпечення інжекції вприскування дірок з емітера в базу необхідна пряма емітерна напруга. Це відбувається тому що товщина бази W значно менше дифузійної довжини вільного пробігу дірок LP. Колекторна напруга вибирається зворотною UК тому виникає екстракція втягування дірок із бази...
69006. БУДОВА, ПРИНЦИП РОБОТИ ТА СТАТИЧНІ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПОЛЬОВОГО ТРАНЗИСТОРА З ІНДУКОВАНИМ КАНАЛОМ 141.5 KB
  При відсутності напруги UЗВ і за наявності напруги UСВ опір між стоком і витоком що визначається двома підключеними назустріч рn переходами великий а струм ІС дуже малий 109. З подачею напруги UЗВ 0 в напівпровіднику виникає електричне поле яке вилучає електрони поверхневого шару підложки...
69007. Параметри біполярного транзистора 364.5 KB
  Для оцінки можливостей застосування транзисторів використовують їх параметри. Параметри транзисторів це числа. Числені значення параметри можуть бути виміряні знайдені за статичними характеристиками або розраховані.
69008. Електронні структури з p-n одним переходом 297 KB
  Для отримання великої площі р n переходу використовують сплавну дифузійну і планарну технологію для малої площі точкову. Ємності р n переходу. Варікапи Поняття ємності переходу повязане з нагромадженням обємних зарядів. S площа переходу Рис.
69009. Відомості про електронні прилади апаратури телекомунікацій. Класифікація електронних приладів 113 KB
  До елементів РЕА які найчастіше зустрічаються відносять радіодеталі. Розглянемо основні показники якості електронних елементів. Параметри це величини які характеризують електричні властивості елементів та їх здатність протистояти дії середовища.
69010. Біполярні напівпровідникові структури з одним п/н переходом 211.5 KB
  Сили притягання протонів ядра атома та електронів орбіти урівноважуються силами їх відштовхування. Отже для існування ковалентного зв’язку необхідна пара валентних електронів спільних для двох сусідніх атомів. Однак енергетичні зовнішні впливи на н п призводять до відриву деяких валентних...