14706

Изучение спектров поглощения воды в оптических материалах

Лабораторная работа

Физика

Лабораторная работа №2 Изучение спектров поглощения воды в оптических материалах Цель работы: Измерить зависимости интенсивности от длины волны для лампы и образца; Получить спектр поглощения ниобата лития. Схема опыта: Ход работы: ...

Русский

2013-06-09

156.95 KB

1 чел.

Лабораторная работа №2

Изучение спектров поглощения воды в оптических материалах

Цель работы:

  1. Измерить зависимости интенсивности от длины волны для лампы и образца;
  2. Получить спектр поглощения ниобата лития.

Схема опыта:

Ход работы:

  1. Измерение зависимости I(λ) поведено в диапазоне от 2800 до 3000 нм.
  2.  

I(λ)

Измерение зависимости I(λ) для образца LiNbO3.

λ, нм

  1. По формуле  ,  где αпогл – коэффициент поглощения, d = 3,5 мм -толщина образца,  Iл(λ), Iо(λ) – соответствующие зависимости для лампы и образца, строим зависимость α(λ).

 

  1.  Выразим αпогл через дБ по формуле: α(дБ) = 10∙lg(e)∙d∙ α(см-1)

  1. По графикам определяем, что при λ=2900 нм коэффициент поглощения максимален и составляет α=1,476 см-1 = 2,24 дБ.

Вывод:

На лабораторной работе были проведены измерения зависимостей интенсивности излучения от длины волны для лампы и для образца LiNbO3. На основе полученных измерений, а также измерений толщины образца была построена зависимость коэффициента поглощения от длины волны.

По графику определено, что на длине волны 2900 нм происходит максимальное поглощение. Данный максимум поглощения не соответствует спектру поглощения «чистого» LiNbO3 и говорит о том, что в образце существует дефект (вода). Наличие таких дефектов приводит появлению нежелательных эффектов при работе с материалом.


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

36897. Адміністрування локальної мережі з використанням FRIENDLY PINGER 1.75 MB
  ІНСТРУКЦІЯ до проведення лабораторної роботи №19 Адміністрування локальної мережі з використанням FRIENDLY PINGER Предмет: Комп’ютерна практика Автор і дата затвердження програми: Новиченко В. Київ Лабораторна робота № 19 Адміністрування локальної мережі з використанням FRIENDLY PINGER 1 Мета роботи Ознайомитись з можливостями програми FRIENDLY PINGER призначеної для адміністрування моніторингу й інвентаризації комп'ютерних мереж. Побудувати топологію локальної мережі згідно з варіантом завдання 2. Сучасні комп’ютерні мережі.
36898. Исследование характеристик усталостной прочности конструкционных материалов при циклических испытаниях 730.5 KB
  Цель работы: Ознакомиться с проблемой усталости авиационных конструкций; параметрами характеризующими цикл нагружения; существующими разновидностями цикла напряжения; характеристиками сопротивления усталости при регулярном напряжении; кривой усталости. ВОПРОСЫ Перечислить основные этапы в гражданской авиации которые связаны с проблемой усталости конструкции самолета. Чем они характеризуются Дать определение...
36899. Ознакомление с работой на учебной микро-ЭВМ 171.73 KB
  Задание 1 Краткое назначение блоков структурной схемы микроЭВМ БП – блок микропроцессора и схем обрамления обеспечивающих его работу формирующий МД МА и сигналы управления микроЭВМ. БУ – блок управления режимами работы МП. БИСМ – блок индикации состояния магистралей. БУКП – блок управления картой памяти.
36900. Изучение принципа работы ОЗУ 356.65 KB
  Изучение принципа работы ОЗУ Цель работы: исследование принципа работы ОЗУ и мультиплексного способа организации общей шины. Задание 1 УГО ОЗУ в соответствии с рисунком 1 А0А3 – адресные входы; CS – выбор микросхемы; W R – запись считывание; DIO1DIO8 – совмещенные информационные вводывыводы Рисунок 1 Задание 2 Провести очистку ячеек памяти ОЗУ по адресам 0 1 2 3 4 D E F Задание 3 Записать 10 8 по адресам 6 11 считать записанную информацию Задание 4 Составить алгоритм работы ОЗУ Алгоритм работы ОЗУ в соответствии с рисунком 2...
36901. КОНТРОЛЬ РАЗМЕРОВ ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ ДЕТАЛЕЙ 353 KB
  Цель работы приобрести первичные практические навыки в выполнении измерений с помощью различных универсальных измерительных средств приобрести навыки в оценке годности детали по линейным размерам I. С помощью выбранных универсальных измерительных средств определить действительные размеры проверяемой детали результаты занести в столбцы 712 таблицы 1 и дать заключение о ее годности. Варианты заданий Номер Контролируемые параметры детали образцов А1 А2 А3 А4 А5 А6 А7 1 130 4011 30 50 185H9 32h12 34h8 2 130 395h9 30 50 185D10...
36902. Изучение среды и простейших элементов 405.5 KB
  Домашнее задание выполняется по различным вариантам. В данном варианте меняется только цвет фона всей формы и цвет фона окна Text3. Варианты индивидуальных заданий. Разработать Windowsприложение вычисления значения функции у средствами Visul Bsic Вариант №1 у = b^2 c^2 –t^2 Вариант №2 y = bc^3 – c t^2 Вариант №3 y = b^3 c t^2 Вариант №4 y = c3 t c^2 Вариант №5 y = c^2 b t^2 Вариант №6 y = tk^5 c b^3 Вариант №7 y = c^3 t^2 b^5 Вариант №8 y = c^2 t b^2 Вариант №9 y = c^3 t b^2...
36903. Разработка приложений с разветвляющимися алгоритмами 359 KB
  Lbel1 Cption При х = Lbel2 Cption Функция вычисляется по формуле: Lbel3 Cption Получен результат Y = Lbel4 Cption Lbel5 Cption Лабораторная работа 2.Вариант 37 Text1 Text Text2...
36904. Изучение основных явлений поляризации света 483 KB
  Изучение основных явлений поляризации света. Цель работы: Получение и исследование поляризованного света и исследование свойств обыкновенных и необыкновенных лучей полученных с помощью двояко преломляющего кристалла. Принципиальная схема установки или её главных узлов: 1 упражнение: 2 упражнение: ИС – источник света; ИС – источник света; П – поляроид 1поляризатор; Д...
36905. Изучение физических явлений, лежащих в основе работы полупроводникового фотоэлемента с запирающим слоем, определение зависимости фототока от освещенности, снятие ширины запрещенной зоны полупроводника 713 KB
  Цель работы: Изучение физических явлений лежащих в основе работы полупроводникового фотоэлемента с запирающим слоем определение зависимости фототока от освещенности снятие ширины запрещенной зоны полупроводника. На рисунке выше Ес – энергия дна свободной зоны Ев – энергия потолка валентной зоны; Fм Fп – уровни Ферми металла и полупроводника Ам Ап – работы выхода электрона из металла и полупроводника. Если уровень Ферми изолированного металла Fм лежит выше уровня Ферми полупроводника Fп – т. Ам Ап то в первый момент их...