14736

Изучение конструкции установки для осаждения эпитаксиальных слоев твердых растворов А iii B V ЭПИТРОН – 1С

Лабораторная работа

Производство и промышленные технологии

Лабораторная работа №4 Изучение конструкции установки для осаждения эпитаксиальных слоев твердых растворов А iii B V Эпитрон – 1С. Цель работы: I изучить физикохимические основы процесса получения структур типа из газовой фазы; 2 изучить конструкцию технические х

Русский

2013-06-09

1.45 MB

7 чел.

Лабораторная работа №4

Изучение конструкции установки для осаждения эпитаксиальных слоев твердых растворов А iii  B V    Эпитрон – 1С.

Цель работы: I) изучить физико-химические основы процесса получения структур типа из газовой фазы; 2) изучить конструкцию, технические характеристики установки и порядок ее работы.

Продолжительность работы - 4 ч.

Теоретические сведения

Успех промышленного внедрения приборов на основе  GaAs  был обусловлен внедрением эпитаксиальной технологии, базирующейся на процессах осаждения из газовой и жидкой фаз.

Методы получения эпитаксиальных слоев  из газовой фазы

Среди существующих методов синтеза GaAs наибольшее распространение получили следующие методы  хлоридный,  хлоридно-гидридный и МОС-гидридный /I/.

Хлоридный и хлоридно-гидридный методы основаны на реакции взаимодействия монохлорида галлия  GaCl  с мышьяком As в среде водорода:

  (1)

Так как  GaCl  - соединение неустойчивое даже при комнатной температуре, то его необходимо получать непосредственно в реакторе взаимодействием источника галлия Ga с AsCl3 (хлоридный метод) или HCl (хлоридно-гидридный метод).

Следовательно, реактор должен содержать две зоны: зону источника (получение GaCl) и зону осаждения. (получение эпитаксиальных слоёв GaAs). Между ‘этими зонами находится зона смешения, в которой происходят процессы взаимодействия GaCl с другими компонентами (например, с легирующими добавками, РН3    и т.п.).

Основными компонентами? Участвующих в реакциях синтеза GaAs являются: в хлоридном методе -Ga, AsCl3, и H2,; в хлоридно-гидридном методе - Ga, HCl  AsH3, PH3 и H2. Меньший набор реагентов в хлоридном методе и более совершенная очистка их обеспечивают наибольшую чистоту получаемых слоев.

Схемы реакторов для получения эпитаксиальных слоёв GaAs хлоридным и хлоридно-гидридным  методами  представлены соответственно на рис.1 и 2

Рис.1 Схема установки получения эпитаксиальных слоёв GaAs хлоридным

методом:

1 – газофазный легирующий компанент;  2 – очищенный водород;  

3 –  - запорные вентили;  4 - - расходомеры;  5 – испаритель с лигатурой;

6 – испаритель с AsCl3,;  7 – источник Ga,;  8 – подложкодержатель;

 9 – подложка;  10 – реактор;  11 – нагреватель.

Преимуществом хлоридно-гидридного метода перед хлоридным является его гибкость, которая обеспечивается простотой изменения состава парогазовой смеси (ПГС), связанная с независимым друг от друга вводом отдельных компонентов AsH3 и.Н2. Так, вводя в систему фосфин (PH3) можно наращивать слои GaAs1-x P x 

с заданными значениями x вплоть до.x = 1 (GaP). Хлоридно-гидридный метод используется также и для получения слоев InAs, InP, GaN и т.п. Состав, однородность и электрофизические свойства слоев определяются составом ПГС [2].

Промышленная реализация хлоридно-гидридного метода нашла свое воплощение в отечественной установке "Эпитрон".

Хлоридный и хлоридно-гидридный методы имеют существенный недостаток - это наличие источника галлия в объеме реактора, что усложняет конструкцию реактора и снижает его надёжность. Поэтому поиск более простой технологии привел к появлению MОC-гидридного метода (МОС - металло-органическое соединение).

Рис.2  Схема установки получения эпитаксиальных слоёв GaAs хлоридно-гидридным методом:

1 – источник галлия;  2 – зона смешения;  3 – зона осаждения.

В основе МОС – гидридного метода лежит использование в качестве источника галлия его органических соединений:  триметилгаллия (ТМГ) Ga(CH3)3, триэтилгаллия (ТЭГ) Ga(C2H5)3, эфират триметилгаллия (ЭТМГ) Ga(CH3)O(C2H5)2.

Эти соединения представляют собой легкокипящие жидкости, пары которых разлагаются в реакторе. Пирофорность и токсичность этих соединений требует особо осторожного обращения с ними.

При температурах (400-600) °С в присутствии арсина и водорода идет эпитаксиальный синтез:

  (2)

Ввиду различной кинетики разложения МОС и ХХХ одной из главнейших задач метода является организация процесса смешения и подвода этих компонентов в зону осаждения эпитаксиальных слоев.

Техническое описание и принцип работы установки

Назначение

Установка «Эпитрон» предназначена для получения эпитаксиальных структур арсенида-фосфида галлия (хлоридно-гидридным методом) и работает совместно с высокочастотным генератором ГВЧ-11 мощностью 60 кВт частотой 440 кГц.

Для нормального функционирования установки необходимы следующие энергоносители:

а) водород Н2 под давлением  Па (ГОСТ 3022-70);

б) воздух под давлением ( 4 ÷5)∙105 Па (ГОСТ 11882-73);

в) азот N2  под давлением  Па;

г) хлористый водород HCl, осушенный под давлением  Па;

д) фосфин , арсин AsH3, аммиак , селено-водород , все перечисленные газы разбавлены водородом и подаются в установку под давлением  Па;

е) вода при температуре (10 ÷ 22) °С и давлении  Па, необходимая для охлаждения фланцев реактора и генератора.

Установка подсоединяется к системе вытяжной вентиляции производительностью не ниже 1 .

Основные технические характеристики установки

  1.  Производительность (пластин Ø 36 мм) за цикл 32 шт.
  2.  Температура в зоне источника  (8502) °С
  3.  Температура в зоне осаждения   (7501) °С
  4.  Максимально достижимая температура   (10005) °С.
  5.  Мощность, потребляемая в режиме разогрева  120 кВА
  6.  Мощность в установившемся режиме   60 кВт

Время готовности после включения установки не более 10 мин В установке используется семь технологических газов (H2, AsH3, HCl, H2Se, PH3, NH3), предназначенных для проведения различных технологических операций. Расходы газов изменяются от 0,01 до 4,0 . Максимальная погрешность измерения расходов газа в каждом канале не превышает 2% от верхнего предела расхода [3].

Установка обеспечивает:

ручное и автоматическое управление процессом;

программное автоматическое управление путем выдачи любой (программируемой) комбинации из 16 независимых команд в любом из 15 последовательных временных интервалов;

программное изменение температуры зоны осаждения;

программное изменение одного из газов-реагентов;

цифровую индикацию расходов газов;

цифровую индикацию температуры в зоне подложкодержателя.

Управление работой установки может осуществляться как с помощью программатора "Время-команда" (ПВК), расположенного в шкафу управления, так и с помощью внешней ЭВМ.

 

 Состав и конструкция установки

В состав установки (рис.3) входят /4/: шкаф реактора1; шкаф управления с газовой системой2;  блок пылезащиты  - 3.

Шкаф реактора, выполненный в виде сварного металлического каркаса с дверцами и крышками, имеет три отсека: освещения (верхний), реактора (средний) и механизмов (нижний).

В отсеке освещения установлены две люминесцентные лампы и датчик воздушного потока, обдувающего отсек реактора сверху вниз. Воздух проходит через отсек механизмов вверх по коробу, образованному задними стенками отсека реактора и шкафа, и далее в систему вытяжной вентиляции.

В отсеке реактора размещен непосредственно сам реактор. В состав реактора (рис. 4) входят: кварцевый колпак 1, индуктор 2 с элементами его крепления и верхний подвижный фланец 3, к которому крепятся указанные узлы. Нижний неподвижный фланец 4 реактора закреплен на силовой раме. 

Внутри реактора расположен графитовый колпак 5 (нагреваемый в поле индуктора), от которого нагреваются подложки.

В колпаке размещены: источник галлия 6; подложкодержатель 7, выполненный в виде набора кварцевых пластин 8, устанавливаемых на кварцевом

экране 9 под углом 4° к направлению потока парогазовой смеси; графитовая ловушка 10 и цилиндр-подставка для нагревателя 11.

Внутрь подложкодержателя через специальные отверстия в нижнем фланце и ловушке введены термопары 14 градуировки ХА (хромель-алюмель), предназначенные для контроля и регулирования температуры в зоне осаждения.

Для усреднения параметров ПГС (по объему реактора) подложкодержатель в процессе осаждения вращается со скоростью около трех оборотов в минуту. Вращение передается ему через длинный кварцевый шток, соединенный в нижнем отсеке шкафа с приводом вращения. Между верхней частью этого штока и коаксиальной системой трубок размещен графитовый подшипник, который является направляющей и вместе с тем предотвращает обратную диффузию газов-реагентов.

Графитовая ловушка изолирует вращающуюся кварцевую систему, верхний и нижний фланцы и опору нагревателя от конденсирующихся продуктов реакции. Эти продукты направляются в ловушку, а затем выводятся продувочным водородом через нижний фланец.

Все газы выводятся из ловушки через графитовую трубку I2.

Индуктор выполнен в виде многовитковой катушки из медной трубки; каждый виток индуктора закреплен на двух изолированных стойках и может перемещаться в вертикальном направлении, чем и обеспечивается настройка температурного профиля по высоте реактора.

Кварцевый реактор и индуктор крепятся с помощью скоб 13 к подвижному фланцу, выполненному из алюминиевого сплава и покрытому антикоррозионным металлическим покрытием. Внутри фланца имеются две трубки: одна - для водоохлаждения резинового кольцевого уплотнения реактора, другая - для подачи водорода в зазор между реактором и подставкой нагревателя.

Подвижный фланец крепится к штоку механизма подъема и перемещается с ним в вертикальном направлении при загрузке и разгрузке реактора.

Неподвижный фланец выполнен также из алюминиевого сплава с покрытием и имеет внутри трубку для водоохлаждения резинового кольцевого уплотнения между фланцами.

В нижнем отсеке размещены:

-  механизм подъема реактора;

-  механизм вращения подложкодержателя;

- два прижима для уплотнения реактора;

- коллекторы отвода продуктов реакции;

- шаровой клапан;

- токоподводы индуктора;

-  линии водоохлаждения;

- газоподводящие трубки.


Рис.3. Компановка установки «Эпитрон  - 1с»:

1 – шкаф реактора;  2 – шкаф управления;  3 – блок пылезащиты;  4 – ВЧ – генератор;  5 - токоподводы


Рис. 4.  Схема устройства реактора:

1 – кварцевый колпак;  2 – индуктор;  3 – верхний фланец;  4 – нижний фланец;  5 – графитовый колпак;  6 – источник галлия;  7 – подложкодержатель;  8 – кварцевые пластины;  9 – экран;  10 – ловушка;  11 – подставка нагревателя;  12 – графитовая трубка;  13 – прижимающие скобы;  14 – термопары.

В состав механизм подъема реактора входят:

-  электродвигатель переменного тока;

-  червячный редуктор;

- карданная передача;

- устройство реечного зацепления зубчатого колеса привода со штоком подъема.

Механизм вращения подложкодержателя состоит из;

- двигателя переменного тока;

- редуктора и двух обойм с постоянными магнитами.

Одна из обойм - ведущая соединена с выходом редуктора. Вторая - ведомая установлена внутри нижнего фланца реактора. При вращении магнитное зацепление с ней ведомой, с которой соединена кварцевая трубка, передающая вращение подложкодержателю.

На рис.4 показана схема транспортирования газов через реактор. Продукты реакции выводятся из реактора на "свечу" через коллектор и трубы, расположенные на задней стенке шкафа реактора.

Шкаф управления содержит управляющую, контрольно-измерительную аппаратуру и "шкаф газовый".

В верхней части шкафа управления расположена панель с лампами, сигнализирующими о понижении давления в каналах технологических газов до  Па. Световая сигнализация дублируется звуковой.

За дверцей ниже панели сигнализации расположены электронные блоки регуляторов расхода газов (РРГ). На этих блоках имеются задатчики расходов, значения которых устанавливаются до начала процесса. Рядом с каждым блоком расположены цифровые измерители расходов. Расход фосфина программируется (от нуля до величины, указанной на его задатчике) с помощью программатора, установленного в этом шкафу.

Справа от блоков регуляторов расхода расположен регулятор температуры, предназначенный для задания и поддержания ее с заданной точностью.

В средней части шкафа газового находится панель управления. В ее верхней части расположены лампы сигнализации отклонения в режиме работы установки. К ним относятся:

ослабление потока очищенного воздуха через отсек реактора;

отсутствие достаточного давления воды в цепи водоохлаждения;

увеличение крутящего момента привода подъема реактора;

перегрев нижнего фланца;

повышение давления в реакторе;

понижение давления в магистрали до Па.

В левой части панели управления расположен пульт управления газовой системой (рис.5). Все линии системы, за исключением линии , содержат на входе нормально закрытые (НЗ) пневматические клапаны, управляемые дистанционно. В качестве управляющего газа используется очищенный воздух. На линиях реагентов по ходу газов установлены последовательно фильтры, реле давления, регуляторы расходов и тройниковые пневмоклаланы, соединенные общим коллектором.

На линии  и  установлены регуляторы давления (РД). На линии  установлен нормально открытый (НО) пневмоклапан, обеспечивающий подачу азота в реактор и систему при продувке и в аварийных режимах.

Установка значений расходов газов производится вручную с помощью блоков газовых и в дальнейшем поддерживается автоматически.

Для удобства и наглядности управления клапанами системы газораспределения, а также режимов работы системы на лицевой стороне шкафа управления имеется световая сигнализация о состоянии газовой системы и режимах работы её. С помощью десяти кнопок оператор может сформировать парогазовую смес требуемого состава и направить её в реакционную камеру.

Все операции по управлению газовой системой фиксируются лампами сигнализации, расположенными рядом с кнопками. Лампы "" и "Температура по программе" сигнализируют о включении аналоговых программаторов этих операций.


Рис. 5.  Схема газовая: 1 – Клапан нормально открытый (НО); 2,3 – клапан нормально закрытый (НЗ);

4 – регулятор давления;  5 – мановакууметр;  6,7 – ротаметр;  8 – фильтр;  9 – вентиль;  10 – клапан; 11 – клапан обратный;  А21…А27 – сбросной клапан


В нижней части лицевой панели шкафа за дверцей расположены четыре программатора. Два из них типа ПВХ 15x20 М предназначены для автоматического управления временной последовательностью срабатывания и включения органов газовой системы нагрева и устройств программных. Два других программатора типа 15ИПП-1 позволяют регулировать шток одного из реагентов (например, РН3) и температуру подложкодержателя по непрерывной временной программе.

Блок пылезащиты состоит из каркаса, нагнетателя воздуха и фильтра, в котором применена фильтрующая ткань типа ФПП. Пройдя систему фильтра, воздух от нагнетателя поступает в поток реактора.

Подготовка установки к работе

1.  Проводится внешний осмотр установки для выявления видимых дефектов, повреждений, проверяется надежность электрических контактов, уплотнений газовой и водяной систем, наличие водоохлаждения.

2. Продуваются азотом все газовые магистрали и поджигается запальная "свеча" на газовом очистителе.

3. Подается азот на вход в установку, устанавливаются его давление  Па и необходимый расход в шкаф газовый (для предохранения его от коррозии).

  1.  Подаются на установку при давлении:

воздух – (4÷5)∙105 Па;

водород – (2±0,2) ∙105 Па;

технологические газы - (1±0,2) ∙105 Па.

  1.  Кнопкой       включается автомат, расположенный за нижней (съемной) дверью шкафа управления, о чем сигнализирует светоиндикатор "Питание" на панели шкафа управления.
  2.  Нажимаются кнопки ХХ на всех электронных блоках, о чем свидетельствует загорание светоиндикаторов на панелях блоков.

7.   На электронных блоках РРГ-I нажимаются кнопки "Задание внешн."

8. Отжимается кнопка "Авт.ручн." на лицевой панели шкафа, о чем свидетельствует включение светоиндикатора "Режим ручн." на лицевой панели.

  1.  При отключенном ВЧ генераторе включается установка и проверяется работа:

электромагнитных и пневматических клапанов газовой системы на открывание-закрывание;

привода подъема-опускания реактора;

привода вращения подложкодержателя;

нагнетателя воздуха;

программаторов и системы блокировок.

Убедившись в нормальном функционировании исполнительных органов, приводят органы их управления в исходное положение.

10. Проверяется механизм герметизации реактора: при правильно отрегулированном переключателе опускания реактора происходит его уплотнение и шаровой клапан открывается.

  1.  Герметичность реактора проверяется (при закрытом шаровом клапане) гелиевым течеискателем.
  2.  Герметичность газовой системы проверяется подачей в каждый канал чистого азота (аргона) с давлением до  Па (клапаны 3 должны быть закрыты). При герметичности системы должно наблюдаться падение давления, фиксируемое манометрами.

Порядок работы на установке

1. Обслуживание установки осуществляется одним оператором.

  1.  Реле времени предварительной продувки  устанавливается на режим 5 мин. На такой же режим устанавливается и реле времени окончательной продувки.
  2.  Перед продувкой магистралей и линий водородом их следует продуть азотом.
  3.  К каналам газов-реагентов подключается чистый водород, устанавливается давление его на входе в систему около 1∙105 Па и в течение 30 мин продуваются на "свечу" все каналы реагентов. После этого закрываются клапаны каналов.
  4.  Реактор и подводящие линии продуваются чистым водородом.
  5.  На регуляторе температуры реактора устанавливается необходимый режим регулирования (ПИД).
  6.  С помощью оптического пирометра производится настройка температурного профиля нагревателя растягиванием или сжатием витков ВЧ индуктора. Температура фиксируется цифровым индикатором температуры.
  7.  После того, как индикатор температуры покажет 800-820 °С, нагреватель отжигается в течение одного часа в Н2, травится в течение одного часа в , затем отжигается и охлаждается в Н2  и по достижении температуры 200 °С - в потоке N2.

9. По эксплуатационной документации подготавливаются к работе программаторы.

10. Затем проводится технологический процесс в следующей последовательности:

а) реактор поднимается выше источника на 50-70 мм, в него загружается галлий и источник ставится в рабочее положение;

б) реактор опускается до поддожкодержателя, снимаются пластины (держатели подложек), размещаются на них подложки и закрепляются пластины на пьедестале;

в) убедившись в равномерности радиального зазора между ловушкой и подставкой нагревателя, опускают реактор;

г) переключателем "Авт.ручн." выбирается режим работы;

д) при ручном режиме работы устанавливается следующая последовательность операций:

нажимается кнопка " N2 усиленное" и реактор продувается усиленным потоком  N2;

по окончании продувки (реактора и магистрали) N2, нажимается кнопка "H2 в магистраль", начинается продувка H2;

кнопкой "Вращение" включает совращение поддожкодержателя;

нажатием кнопки "Накал" включается накал генераторной лампы;

нажатием кнопки "Нагрев" подается питание на индуктор;

нажатием кнопки " AsH3 в реактор" AsH3 поступает в реактор;

нажатием кнопки "HCl усиленное" производится травление реактора и подложек;

- нажатием кнопки " HCl в Ga" к источнику галлия подается HCl;

- нажатием кнопки " в реактор" в реактор поступает H2Se

- нажатием кнопки "PH3, в реактор" включается аналоговый программатор расхода PH3, поступающего в реактор;

нажатием кнопки " NH3 в реактор" в реактор поступает NH3;

сотключаются кнопки " H2Se ", " PH3", " NH3", " AsH3";

нажимается кнопка "H2 в магистраль";

нажимается кнопка "N2 усиленное";

е) при автоматическом режиме работы устанавливается следующая последовательность операций:

продувка азотом;

продувка водородом;

включение ВЧ генератора;

подача AsH3 при температуре 600 °С;

травление HCl;

подача HCl в источник с галлием (осаждение слоя )

подача H2Se  в реактор;

включение программатора 15ИПП-1 ("PH3 по программе") и РРГ-клапана PH3 (наращивание переходного слоя);

подача в реактор NH3;

прекращение подачи газов-реагентов;

включение программатора "Температура по программе", управляющего охлаждением;

включение (при температуре 200-300 °С) продувки N2;

включение звукового и светового сигналов об окончании процесса;

ж) после выгрузки пластин реактор герметизируется и проводится его программируемая очистка, которая включает:

последовательную продувку N2, и  H2;

ВЧ нагрев в потоке H2;

усиленное травление HCl;

охлаждение и продувку;

сигнализацию об окончании травления.

После этого реактор готов к следующей загрузке.

Лабораторное задание

  1.  Изучить методы получения эпитаксиальных структурGaAs, , .
  2.  Изучить устройство и принципы работы основных узлов установки.
  3.  Изучить газовую схему установки.
  4.  Изучить порядок работы установки.
  5.  Провести имитацию процесса наращивания эпитаксиального слоя  и .

Оборудование и материалы

  1.  Для выполнения работы используется следующее оборудование и материалы:
  2.  Установка 02ЭИ-36-001 "Эпитрон".
  3.  Газы: воздух давлением  Па, азот давлением  Па.
  4.  Гелиевый течеискатель ПТИ-6.
  5.  Пинцет.
  6.  Подложки или их имитаторы.

Порядок проведения работы

Рекомендуется следующий порядок выполнения работы:

  1.  изучить метод получения эпитаксиальных структур , , обратив особое внимание на гидридный метод, на его преимущества перед другими;
  2.  ознакомиться с назначением установки и с ее основными техническими характеристиками;
  3.  изучить устройство, принцип работы и характеристики узлов установки;
  4.  изучить газовую систему установки, обратив внимание на назначение и принципы работы элементов газовой системы (запорных вентилей, электромагнитных и электропневматических клапанов, фильтров, регуляторов давления и расхода газа, дозаторов и т.п.);

  1.  изучить порядок работы установки в ручном и автоматическом режимах;
  2.  по заданию преподавателя проверить герметичность реактора или каналов газовой системы;
  3.  провести имитацию процесса эпитаксиального наращивания слоя   и с использованием , в качестве газа-носителя  и газов-реагентов.

Требования к отчету

Отчет должен содержать:

  1.  название работы;

цель работы;

краткое техническое описание установки и назначение установки;

краткое описание, назначение и характеристики узлов установки;

упрощенную газовую схему установки (одного - двух рабочих каналов);

краткое описание последовательности работы установки;

методику проверки на герметичность реактора и каналов газовой системы.

Контрольные вопросы

  1.  Перечислите методы получения эпитаксиальных структур  и дайте их краткую характеристику.
  2.  Перечислите методы получения эпитаксиальных структур  GaAs, GaP, GaAs1-x P x  и дайте их краткую характеристику.
  3.  В чем состоит преимущество хлоридно-гидридного метода получения эпитаксиальных структур  GaAs, GaP, GaAs1-x P x
  4.  Каково назначение установки "Эпитрон"?
  5.  Назовите основные технические данные установки "Эпитрон".
  6.  Каковы функции газовой системы?
  7.  Каково устройство реактора установки?
  8.  Перечислите основные и технологические операции процесса получения эпитаксиальных структур. GaAs1-x P x
  9.  Назовите основные узлы установки и их назначение.

10. Расскажите кратко о порядке работы установки в ручном и автоматическом режимах.

Литература

1.Чистяков Ю.Д., Райнова Ю.П. Физико-химические основы технологии. микроэлектроники. - М.: Металлургия, 1979. - 407 с.

2.Черняев В.Н., Кожитов Л.В. Технология эпитаксиальных слоев арсенида галлия и приборы на их основе. - М.: Энергия, 1979. -232 с.

  1.  Барил М.А., Самойликов В.К. Газовые системы оборудования производства полупроводниковых приборов интегральных схем. -1М.: Энергия, 1978. - 112 с.
  2.  Масленников П.Н. и др. Оборудование полупроводникового производства. - М.: Радио и связь, 1981. - 336 с.


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

64120. Потребительский кредит 257.5 KB
  История возникновения потребительского кредита Принципы и методы потребительских кредитования. Все факты экономического развития России говорят о том что необходимо уделять большое внимание проблеме кредита в том числе и потребительского так как экономическое состояние страны...
64121. ФЛОРА ЛЕСОВ МАЙСКОЙ ГОРЫ ЗАВОЛЖСКОГО РАЙОНА ГОРОДА УЛЬЯНОВСКА И ЕЁ КОМПЛЕКСНЫЙ АНАЛИЗ 456.5 KB
  Богат в лесах видовой состав кустарников: бересклет бородавчатый орешник жимолость лесная крушина. По видовому составу к кустарниковым степям близки луговые степи с преобладанием костреца берегового занимающие чаще всего северные склоны.
64122. Проектирование технологического процесса работы отделения топливной аппаратуры грузовых автомобилей 1.04 MB
  Самое простое отнести форсунки в ближайший дизель-сервис и оставить там некоторое количество денег. Для начала надо разобраться в устройстве дизельной форсунки и в том что там происходит и что на что может влиять. Сечение форсунки представлено на рис.
64124. Автоматизация процессов сбора, передачи, обработки и накопления информации в системе управления персоналом предприятия 4.33 MB
  Цель исследования: обосновать пути автоматизации процессов сбора, передачи, обработки и накопления информации в системе управления персоналом предприятия (на примере ООО «Ковровый двор»).
64125. КРИМІНАЛЬНА ВІДПОВІДАЛЬНІСТЬ ФІЗИЧНИХ ОСІБ ЗА МІЖНАРОДНІ ЗЛОЧИНИ 167 KB
  Розкрити поняття міжнародного злочину та встановити, які саме діяння містять його ознаки; визначити компетенцію Міжнародного кримінального суду; охарактеризувати міжнародний та регіональний рівні співробітництва держав у боротьбі з міжнародної злочинністю.
64126. Розробка інформаційної системи у вигляді веб-сайту 5.32 MB
  Постановка задачі Розробка системи Логічна модель роботи системи Розробка серверної частини Реалізація системи Значення інформаційних технологій для правоохоронних органів не можливо не перебільшити: бази даних викрадених автомобілів правопорушників та злочинців відбитків...
64127. Разработка проекта жилого дома 1.08 MB
  Проект выполнен с соблюдением всех норм и требований состоит из следующих разделов: архитектурно-конструктивная часть содержащая 4 листа графики на которых изображены: лист –3 фасада план кровли технико-экономические показатели ТЭП; лист –план 12 этажа разрез 11 экспликация помещений...