15249

Исследование ДТЛ, РТЛ и ТТЛ. Работа с АЦП и ЦАП

Лабораторная работа

Коммуникация, связь, радиоэлектроника и цифровые приборы

Лабораторный практикум № 3 по курсу Электротехника и электроника часть 2 на тему Исследование ДТЛ РТЛ и ТТЛ. Работа с АЦП и ЦАП Вариант № 6 Данный отчет посвящен выполнению лабораторного практикума с использованием программных средств Micro-Cap 9 и MathCAD 15.

Русский

2013-06-11

1.07 MB

90 чел.

Лабораторный практикум № 3

по курсу « Электротехника и электроника, часть 2 »

на тему

«Исследование ДТЛ, РТЛ и ТТЛ.

Работа с АЦП и ЦАП»

Вариант № 6


СОДЕРЖАНИЕ

 Аннотация………………………………………………………………………………………………3

  1.  Исследование РТЛ. Микрокап.………………………………………………………………..4
  2.  Исследование РТЛ. Мультисим……………………………………………………………….6
  3.  Исследование ДТЛ. Микрокап ……………………………………………………………….8
  4.  Исследование ДТЛ. Мультисим …………………………………………………………….10
  5.  Исследование ТТЛ. Микрокап...……………………………………………………………..12
  6.  Исследование ТТЛ. Мультисим ……………………………………………………………..15
  7.  Исследование ЦАП  и АЦП в Мультисиме.………………………………………………...16

 Заключение…………………………………………………………………………………………..20

 Список литературы………………………………………………………………………………….21


Аннотация

Данный отчет посвящен выполнению лабораторного практикума с использованием программных средств Micro-Cap 9 и MathCAD 15.

В данной работе проводится исследование ДТЛ, РТЛ и ТТЛ .

В работе изучаются:

  •  логические схемы;
  •  их поведение при разных подаваемых входных сигналах,
  •  временные характеристики,
  •  таблицы истинности,
  •  работа с АЦП и ЦАП

  1.  Исследование РТЛ. Микрокап.

 

Тип транзистора определяется номером транзистора по списку в файле Sovbipol.lib:

.MODEL KT3107I                PNP(IS=10E-15 VAF=70 VAR=8V BF=460 IKF=.1A NC=4 NE=4

+                            ISE=50NA ISC=50NA RB=5 RE=.5 CJC=10PF CJE=14PF

+                            TR=100NS TF=.6NS )

Проводим временной анализ. Для этого настраиваем источники как показано на рисунке ниже:

Получаем характеристики:

Теперь исследуем логическую схему на реакции ее транзисторов при изменении подаваемого напряжения(Dinamic DC):

Получили ряд возможных реакций. Составим таблицу истинности:

Q1

Q2

OFF

OFF

OFF

ON

ON

OFF

ON

ON

 

2.Исследование РТЛ. Мультисим.

Схема:

 Проводим временной анализ. Для этого настраиваем источники также как в программе Микрокап:

Результаты для исследования реакций транзисторов получились идентичными.

Вывод:

РТЛ-элемент выполняет функцию ИЛИ-НЕ в позитивной логике или И-НЕ в негативной. Относительное низкоомное базовое сопротивление обеспечивает полное открывание транзисторов при малом потреблении тока, что однако приводит к малой нагрузочной способности элемента.

   3.Исследование ДТЛ. Микрокап.

Тип транзистора определяется номером транзистора по списку в файле Sovbipol.lib:

.MODEL KT3107I                PNP(IS=10E-15 VAF=70 VAR=8V BF=460 IKF=.1A NC=4 NE=4

+                            ISE=50NA ISC=50NA RB=5 RE=.5 CJC=10PF CJE=14PF

+                            TR=100NS TF=.6NS )

Проводим временной анализ. Для этого настраиваем источники как показано на рисунке ниже:

Теперь исследуем логическую схему на реакции ее транзисторов при изменении подаваемого напряжения(Dinamic DC):

Получили ряд возможных реакций. Составим таблицу истинности:

D1

D2

D3

D4

Q1

ON

ON

OFF

OFF

OFF

ON

OFF

OFF

OFF

OFF

OFF

ON

OFF

OFF

OFF

OFF

OFF

OFF

ON

ON

 

4.Исследование ДТЛ. Мультисим.

Схема:

 Проводим временной анализ. Для этого настраиваем источники также как в программе Микрокап:

Результаты для исследования реакций транзисторов получились идентичными.

Вывод:

РТЛ-элемент выполняет функцию И-НЕ. Низкий уровень на любом из входов («0») приводит к закрытию транзистора, то есть высокому уровню на выходе («1»). Транзистор открыт только тогда, когда на каждый из входов подается высокий уровень.

5.Исследование ТТЛ. Микрокап.

Тип транзистора определяется номером транзистора по списку в файле Sovbipol.lib:

.MODEL KT3107I                PNP(IS=10E-15 VAF=70 VAR=8V BF=460 IKF=.1A NC=4 NE=4

+                            ISE=50NA ISC=50NA RB=5 RE=.5 CJC=10PF CJE=14PF

+                            TR=100NS TF=.6NS )

Проводим временной анализ.

Теперь исследуем логическую схему на реакции ее транзисторов при изменении подаваемого напряжения(Dinamic DC):

Получили ряд возможных реакций. Составим таблицу истинности:

Q1a

Q1b

D1

D2

Q2

ON

ON

OFF

OFF

OFF

ON

OFF

OFF

OFF

OFF

OFF

ON

OFF

OFF

OFF

OFF

OFF

ON

ON

ON

6.Исследование ТТЛ. Мультисим.

Схема:

Проводим временной анализ. Для этого настраиваем источники также как в программе Микрокап:

Результаты для исследования реакций транзисторов получились идентичными.

Вывод:

РТЛ-элемент выполняет функцию И-НЕ. Как более эффективная технология, она устраняет проблему задержки прохождения сигнала. Данная проблема решена путем замены диодов на мультиэммитерный транзистор, что позволяет добиться более плотной схемы.

7.Исследование ЦАП  и АЦП в Мультисиме.

Схема:

Аналоговый сигнал является непрерывной функцией времени, в АЦП он преобразуется в последовательность цифровых значений. Следовательно, необходимо определить частоту выборки цифровых значений из аналогового сигнала. Частота, с которой производятся цифровые значения, получила название частота дискретизации АЦП.

Непрерывно меняющийся сигнал с ограниченной спектральной полосой подвергается оцифровке (то есть значения сигнала измеряются через интервал времени T — период дискретизации) и исходный сигнал может быть точно восстановлен из дискретных во времени значений путём интерполяции. Точность восстановления ограничена ошибкой квантования. Однако в соответствии с теоремой Котельникова-Шеннона точное восстановление возможно только если частота дискретизации выше, чем удвоенная максимальная частота в спектре сигнала.

Поскольку реальные АЦП не могут произвести аналого-цифровое преобразование мгновенно, входное аналоговое значение должно удерживаться постоянным по крайней мере от начала до конца процесса преобразования (этот интервал времени называют время преобразования). Эта задача решается путём использования специальной схемы на входе АЦП — устройства выборки-хранения — УВХ. УВХ, как правило, хранит входное напряжение на конденсаторе, который соединён со входом через аналоговый ключ: при замыкании ключа происходит выборка входного сигнала (конденсатор заряжается до входного напряжения), при размыкании — хранение. Многие АЦП, выполненные в виде интегральных микросхем содержат встроенное УВХ.

В моем получается примерно 4762Гц. Вычислено из периода с учетом 8 разряда.

Точность:

Имеется несколько источников погрешности АЦП. Ошибки квантования и (считая, что АЦП должен быть линейным) нелинейности присущи любому аналого-цифровому преобразованию. Кроме того, существуют так называемые апертурные ошибки которые являются следствием джиттера (англ. jitter) тактового генератора, они проявляются при преобразовании сигнала в целом (а не одного отсчёта).

Эти ошибки измеряются в единицах, называемых МЗР — младший значащий разряд. В приведённом выше примере 8-битного двоичного АЦП ошибка в 1 МЗР составляет 1/256 от полного диапазона сигнала, то есть 0,4 %, в 5-ти тритном троичном АЦП ошибка в 1 МЗР составляет 1/243 от полного диапазона сигнала, то есть 0,412 %, в 8-тритном троичном АЦП ошибка в 1 МЗР составляет 1/6561, то есть 0,015 %

1.Характеристика:

Так как отсутствует фильтр – ступеньки. Вниз характеристика не идет, так как отрицтельные значения вольт измерить нельзя.

2.Для их измерения можно включить в схему операционный усилитель или диодный мост, что приведет к смещению характеристик вверх.

Или можно:

3.При увеличении получаем большие искажения:

При уменьшении наоборот:

Заключение: Выполнив данную работу, я ознакомился с устройством логических цепей и их использование. Научился работать с АЦП и ЦАП и анализировать их в MultiSim. Изучил новые для себя возможности пакетов программ MultiSim и MicroCap.

Список литературы:

  1.  Методички для выполнения ЛР №3.
    1.  Лекции. Преподаватель: Загидулин Р.Ш..  


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

44309. Менеджмент организаций и администрирование. Методические рекомендации 345.5 KB
  Целью методических рекомендаций является оказание помощи студентам специальности Менеджмент организаций и администрирвоание обучающимся по программе магистров в подготовке и оформлении магистерской работы. Выбор и утверждение темы магистерской работы Структура и содержание магистерской работы Оформление магистерской работы
44311. Зорі та їх скупчення. Галактики. Історія Всесвіту 101 KB
  Зорі це велетенські розкидані по космосу клуби газу які світяться. Зорі настільки далеко що навіть у найпотужніші телескопи здаються нам тільки маленькими крапочками які світяться на нічному небі. Зорі світяться через те що неймовірний тиск у їх центрі викликає реакцію ядерного синтезу.
44312. Влияние новых видов заквасок на качество ржано-пшеничного хлеба 6.78 MB
  Управление процессом приготовления закваски:. Регулирование температуры выведения закваски. Регулирование влажности закваски Регулирование соотношения выброженной закваски и питательной смеси.
44315. Высшая мера наказания в Советской России и Российской Федерации 431.5 KB
  Происхождение понятие и эволюция смертной казни в России с древнейших времен до XVIII века. Происхождение и понятие смертной казни Смертная казнь в Российской Федерации Среди множества проблем активно обсуждаемых сегодня в нашем обществе стоит вопрос о высшей мере наказания – смертной...
44316. Разработка автоматизированной информационной системы учета основных средств 6.72 MB
  Основной особенностью системы 1С: Предприятие является её конфигурируемость. Собственно система 1С: Предприятие представляет собой совокупность механизмов, предназначенных для манипулирования различными типами объектов предметной области.
44317. Особенности технологического процесса получения керамики из продукта химического диспергирования сплава Al-Si (12%масс.) 9.97 MB
  Другой проблемой является создание мембран и фильтрующих керамических элементов с многослойной структурой с высокими прочностными свойствами. Одним из решений этой проблемы может стать использование нанокристаллических порошков, в процессе спекания которых, происходит формирование особых многозеренных нанокристаллических структур с высокой прочностью связи на границах зерен