15302

Исследования полупроводникового резистора

Лабораторная работа

Физика

В результате проделанной работы я получил конечные значения запрещённой зоны проводника, изучил вольт-амперную характеристику полупроводника Германия. Также получил зависимость ln R от 1000/T произведение тангенца угла наклона на постоянную Больцмана умноженное на 2 численно равно величине запирающего слоя

Русский

2013-06-11

52 KB

43 чел.

ОТЧЕТ

по лабораторной работе №33

“Исследования полупроводникового резистора”

  1.  Расчетная  формула для измеряемой величины:

где к=-постоянная Больцмана;

R1, R2 –сопротивление резистора при температурах Т1 и Т2.

  1.  Средства измерений и характеристики.

Наименование средств измерений и его номер

Предел измерений или номинальное значение меры

Цена деления шкалы

Класс точности

Основной предел погрешности осн.

Милли амперметр

5 мА

0,1 мА

0,05 мА

Вольтметр

10 В

0,1 В

0,05 В

Вольтметр универсальный

999,9 Ом

0,1 Ом

0,05 Ом

Термометр

100 С

2 С

1 С

3.    Снятие вольтамперной характеристики полупроводникового резистора

3.1   Схема электрической цепи

3.2   Результаты измерений

Таблица I.

Сила тока I, мА

0

0,1

0,2

0,3

0,4

0,5

0,6

Напряжение U, В

0

0,6

1,7

2,8

3,9

5

6

4. Задача 2. Исследование температурной зависимости электрического сопротивления полупроводнкового резистора и определение ширины запрещённой зоны в соответственном проводнике.

Таблиця II.

Зависимость сопротивления полупроводникового резистора от температуры

T, C

T, K

R, Ом

Ln R

22

295

3,39

767,7

6,643

26

299

3,34

731,0

6,594

30

303

3,30

683,5

6,527

34

307

3,26

653,5

6,482

38

311

3,22

611,5

6,416

42

315

3,17

571,2

6,348

46

319

3,13

534,1

6,381

50

323

3,10

500,1

6,215

5. Расчёт ширины запрещённой зоны в иследуемом проводнике по графику

=(6,527-6,482)/(3,3-3,26)*2*=3,105Дж;

(3,105*10Е-23)/(1,6*10Е-19)=1,941*10Е-4ЭВ;

6. Оценка погрешностей

6.1 Среднее квадратичное отклонение:

6.2 Граница случайной погрешности:

Примечание: Систематической погрешностью в данной  работе пренебрегают.

7. Окончательные результаты

8. Выводы: В результате проделанной работы я получил конечные значения запрещённой зоны проводника, изучил вольт-амперную характеристику полупроводника Германия. Также получил зависимость ln R от 1000/T произведение тангенца угла наклона на постоянную Больцмана умноженное на 2 численно равно величине запирающего слоя. В работе использовались: Нагреватель, термометр, амперметр, вольтметр, униворсальный вольтметр дла получения значения сопротивления полупроводника при данных условиях. В задаче также сказано, что систематической порешностью можно пренебреч.


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

50106. СПЕКТРАЛЬНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ФОТОЭЛЕМЕНТА 166.5 KB
  Тогда с учетом формул 6 и 7 для спектральной чувствительности фотоэлемента можно записать: 8 Согласно выражению 8 отношение спектральной чувствительности фотоэлемента γλ для произвольной длины волны λ к его чувствительности γγm для фиксированной длины волны λт будет равно: 9 В формуле 9 Um обозначает напряжение в цепи при освещении фотоэлемента светом с длиной волны λт и считается что в изучаемой спектральной области при постоянной величине входной щели монохроматора интервал длин волн dλ для разных λ изменяется...
50108. Техніка ударів по мячу головою 77 KB
  Техніка ударів по м’ячу головою. У другій фазі його тулуб швидко подається вперед і верхньою частиною голови він б’є по м’ячу. Удар по м’ячу головою з місця Послідовність навчання Удар по нерухомому м’ячу.
50110. ВЕТРОВЫЕ НАГРУЗКИ 95.5 KB
  Скорость ветра Для измерений характеристик ветра на метеостанциях в настоящее время используются анеморумбометры М63М или их модификации который обеспечивает автоматическое измерение средней скорости за 10 минут в диапазоне 140 м с максимальной скорости до 60 м с и направления ветра. Они предназначены для измерения скорости ветра от 0 до 40 м с. При этом определяли среднюю скорость ветра максимальную скорость порыв в срок наблюдений а также направление ветра. Для определения скорости ветра наблюдается колебание доски в течение 2...
50112. Дослідження спектрального розподілу фотопровідності та пропускання напівпровідникових кристалів 229.5 KB
  Прилади і обладнання Монохроматор УМ2 джерело світла селеновий фотоелемент зразок напівпровідникового кристалу Опис установки Оптична схема експериментальної установки для дослідження спектрального розподілу фотопровідності пропускання та поглинання напівпровідникових матеріалів зібрана на базі монохроматора УМ2 рис.1 в окрему групу виділені основні елементи монохроматора. Світловий пучок що випромінюється джерелом світла 1 фокусується конденсорною лінзою 3 на вхідній щілині 6 монохроматора. Для одержання спектрального розподілу...
50114. Рух по діагоналі. Рух по колу. Команди та дії 83.5 KB
  Стройові вправи. Загальнорозвивальні вправи. Прикладні вправи. Стройові вправи.