15305

Обработка картинки в растровом редакторе Gimp

Лабораторная работа

Информатика, кибернетика и программирование

Лабораторная работа № 5. Растровый редактор Gimp Вариант 3 Задание к лабораторной роботе: Выполнить задание по инструкции Творчески доработать картинку добавить чтото свое В отчет: Текстовый фал тема название задания скриншот картинки Файл рисунка...

Русский

2013-06-11

931 KB

2 чел.

Лабораторная работа № 5. Растровый редактор Gimp

Вариант 3

Задание к лабораторной роботе:

  1.  Выполнить задание по инструкции
  2.  Творчески доработать картинку (добавить что-то свое)
  3.  В отчет:
  4.  Текстовый фал (тема, название задания, скриншот картинки)
  5.  Файл рисунка (расширение .xcf)

Глаз

Откроем новое изображение с белым фоном.

Создаем новый слой, рисуем на нем круг с помощью инструмента Эллиптическое выделение и заливаем его белым цветом.

Выделение преобразовываем в контур.

Создаем новый слой, заливаем выделение черным цветом, снимаем выделение, переносим слой под слой с белым кругом и применяем фильтр Гауссово размытие, сдвигаем слой немного вправо и вниз − это будет наша тень.

Нажимаем Shift+V, появляется выделение из контура, выделяем границу размером 30 пикселей (Выделение−>Граница), затем (Выделение−>Растушевать) растушуем границы выделения на 10 пикселов, создаем новый слой, заливаем наше выделение черной заливкой с непрозрачностью 30% (непрозрачность устанавливается на панели параметров инструментов), снимаем выделение.

Нажимаем Shift+V, появляется выделение из контура, инвертируем его и Ctrl+X − удаляем ненужные области тени.

Далее рисуем круг меньшего радиуса и на новом слое заливаем выделение градиентом.

Выделение преобразовываем в контур.

Добавляем шумы с помощью фильтра Шум−>Шум HSV.

Применяем фильтр Размывание−>Размывание движением−>Наезд камерой, установите точный центр круга.

Нажимаем Shift+V, появляется выделение из контура, инвертируем его и Ctrl+X − удаляем ненужные области.

Повышаем резкость фильтром Улучшение−>Нерезкая маска.

Рисуем маленький круг и на новом слое заливаем его черным цветом, применяем фильтр Гауссово размытие на 2 пиксела.

Делаем блики.

Создаем новый слой.

Нажимаем Shift+V, появляется выделение из контура, заливаем его белым цветом, затем сдвигаем его влево, оставляя месяц, нажимаем Ctrl+X.

Внизу слева рисуем небольшой эллипс и заливаем его белым цветом.

Применяем фильтр Гауссово размытие на 10 пикселей и устанавливаем прозрачность слоя на 50%.

Кистью белого цвета ставим 2 точки разного размера на черном круге.

Глаз готов!


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

29760. Цільова підготовка педагога до уроку 20.07 KB
  Безпосередня підготовка педагога до уроку передбачає, насамперед, створення поурочного плану-конспекту, який допомагає цілеспрямовано провести урок. Системний підхід до планування уроку вимагає дотримуватися такої послідовності дій
29761. Основные понятия химической термодинамики. Первый закон термодинамики. Закон Гесса. Теплоёмкость 26.25 KB
  Часть системы с присущей ей химическим составом и макроскопическими свойствами называется фазой. В каждый момент времени состояние системы характеризуется параметрами состояния которые разделяются на экстенсивные и интенсивные параметры. Интенсивные определяются лишь специфической природой системы: давление температура химический потенциал и т. Термодинамическими параметрами состояния называются параметры которые измеряются непосредственно и выражают интенсивные свойства системы.
29762. Второй и третий закон термодинамики. Энтропия. Термодинамический потенциал 21.3 KB
  Второй закон термодинамики Все процесс в которых один вид энергии превращается в другой строго подчиняются первому закону термодинамики. Критерий осуществимости процесса в том или ином направлении и устанавливаются вторым законом термодинамики. Математическое выражение второго закона термодинамики Следствием второго закона термодинамики является существование особой функции состояния.
29763. Химический потенциал. Химическое равновесие. Закон действующих масс. Константы равновесия 21.55 KB
  Химическое равновесие Эксперименты показывают что химические реакции одновременно протекают в двух направлениях. Таким образом химическое равновесие помимо равенства скоростей прямой и обратной реакции и постоянства концентраций при неизменных внешних условиях обладают ещё следующими свойствами: Подвижностью т. Возможностью достижения равновесия как со стороны исходных веществ так и со стороны продуктов реакции. С термодинамической точки зрения они необратимы и работа их не является максимальной однако можно мысленно представить...
29764. Фазовое равновесие в гетерогенных системах. Правило фаз Гиббса. Диаграммы состояния 32.71 KB
  Правило фаз Гиббса. Фазовое равновесие в гетерогенных системах. Правило фаз Гиббса. При рассмотрении фазовых равновесий в системах необходимо различать фазы компоненты соединения твёрдые растворы и механические смеси.
29765. Классификация проводящих материалов, особенности тонкоплёночных металлов, проводящие материалы в микроэлектронике 52.44 KB
  Удельное сопротивление алюминия в 16 раза больше удельного сопротивления меди но алюминий в 35 раза легче меди. Недостатками меди являются её подверженность атмосферной коррозии с образованием оксидных и сульфидных плёнок. Например электропроводность меди очень чувствительна к наличию примеси. Содержание в меди 05 никеля олова или алюминия снижает электропроводность меди от 25 до 40.
29766. Классификация полупроводниковых материалов. Собственные и примесные полупроводники. Примеси в полупроводниках 29.49 KB
  Примеси в полупроводниках. Преднамеренное введение примеси называется легированием соответствующие примеси легирующие а полупроводник легированным или примесным. Кроме легирующих примесей существуют случайные или фоновые примеси непреднамеренно вводимые в полупроводник в процессе его производства и обработки. Фоновые примеси как правило ухудшают основные свойства материала и затрудняют управление ими.
29767. Монокристаллический кремний. Его применение, получение и свойства 36.46 KB
  Применение полупроводникового кремния. тонн кремния ежегодно Япония США Германия. Это базовый материал микроэлектроники который потребляет 80 полупроводникового кремния. Более 90 всех солнечных элементов изготавливаются из кристаллического кремния.
29768. Поликристаллический кремний. Применение, свойства, получение 26.53 KB
  Применение поликристаллического кремния Поликристаллический кремний весьма распространённый материал в технологии полупроводниковых приборов и интегральных схем. Возможность получения поликристаллического кремния с электрическим сопротивлением отличающимся на несколько порядков а также простота технологии привели к тому что он используется в технологии интегральных схем с одной стороны в качестве высокоомного материала затворов нагрузочных резисторов а с другой в качестве низкоомного материала межсоединений. Достоинства разводки на основе...