1613

Непосредственные и предрасполагающие причины маститов

Доклад

Медицина и ветеринария

Мастит – воспаление молочной железы, развивающееся как следствие воздействия механических, термических, химических и биологических факторов. Для возникновения мастита наиболее опасным является холостое доение.

Русский

2013-01-06

19.45 KB

5 чел.

Непосредственные и предрасполагающие причины маститов

Мастит – воспаление молочной железы, развивающееся как следствие воздействия механических, термических, химических и биологических факторов.

Все причины возникновения маститов можно разделить на три основные группы: 1. Инфекция - воздействие микроорганизмов и микоплазм на молочную железу 2. Интоксикация организма 3. Неинфекционная - физическая или химическая травма вымени, неправильное доение и другие. Важную роль в возникновении и развитии маститов играет микробный фактор. Иногда мастит протекает без участия микрофлоры (15-21% случаев) и является результатом интоксикации. Токсические вещества проникают экзогенным или эндогенным путем. Как эндогенный источник токсинов наибольшую роль играет матка при её воспалении или субинволюции. Из вне (экзогенным путём) токсины попадают при поедании ядовитых трав, испорченных кормов. К неинфекционным причинам возникновения маститов относят травмы тканей вымени, в частности ушибы, уколы, ранения и другие воздействия физических или химических факторов: раздражение тканей вымени кислотами или щелочами, острораздражающими мазями при втирании, ожоги, обморожения и другое. Роль доильной аппаратуры двоякая: травматизация некоторых частей вымени и перенос инфекции. Обычно возникновение маститов у коров при машинном доении связывают с неисправностью доильных машин, отдельных их узлов или с нарушением отдельных параметров доения (число пульсаций, уровень вакуума и другие технологические требования). Однако чаще маститы бывают как результат нарушения порядка подбора коров с пригодным для машинного доения выменем. Для возникновения мастита наиболее опасным является "холостое" доение (передержка доильных стаканов на сосках), которое превышает 60 секунд.


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

31415. Дослiдження елементiв кола змiнного струму – R, L, C за умов 125.5 KB
  Дослiдження RC ланки Зiбрати стенд для одного з варiантiв ємностi C згiдно завдання C=C1 C=C2 C=C1C2 Електрична схема Перемичкою X3 закорочено iндуктивнiсть L точки 23. Вимiряти напругу джерела живлення E точки 111 напругу на опорi UR точки 12 наругу на конденсаторi UC точки 511. Вимiряти напругу джерела живлення E точки 111 напругу на опорi UR точки 12 напругу на iндуктивностi UL точки 24. Вимiряти напругу джерела живлення E точки 111 напругу на опорi UR точки 12 напругу на iндуктивностi UL точки...
31416. Дослідження трансформатора 72.5 KB
  Варiант Первинна обмотка до джерела ЕРС Вторинна обмотка до навнтаження N1 N2 N1 Пермичка X1: точки 1011 або 1012 N2 Пермичка X2: точки 2124 або вiдсутня N2 N1 N2 Пермичка X2: точки 2021 або 2022 N1 Пермичка X1: точки 1114 або вiдсутня Далi по тексту завдання елементи схеми контрольнi точки вимирiв i точки пiдєднання перемичок наводиться для варiанту N1 N2 для варiанту N2 N1 у скобках....
31417. Дослiдження бiполярного транзистора 79.5 KB
  Для розрахунку параметрiв схем для рiзних включень транзiстору спiльний емiтер спiльний колектором спiльна база використовуються сукупностi ВАХ вхiдних та вихiдних характеристик: cукупнсть залежностей струму бази Ib вiд напруги базаемiтер Ube для рiзних значень напруги колектор емiтер Uce сукупнсть залежностей струму колектора Ic вiд напруги колектор емiтер Uce для рiзних значень струму бази Ib. Виставити потрiбний струм бази Ib i вимiряти залежнiсть струму колектора Ic вiд напруги колектор емiтер Uce для цього...
31418. Дослiдження поведiнки транзистора у поширених схемах включення зi спiльним емiтером i cпiльним колектором 70.5 KB
  Для зменшення обсягу вимiрiв та прискорення виконання роботи струми Ib Ic Ic вимiрються не безпосередньо а обчислюються за вiдомими значеннями опорiв Rb Rc Re i вимiряними значеннями падiння напруг URb URc URe. Для дослiжуємого бiполярного транзистору КТ961А npnтипу з коефiцiентом пiдсилення у дiапазонi 10100 доцiльно використовувати такi значення опорiв: Rb =20KΩ; Rc =1KΩ; Re =0 перемичка. Занотувати значення опорiв для дослiджуємої схеми Rb = ; Rc =...
31419. Інтелектуальна власність як право на результати творчої діяльності людини 86.5 KB
  Інтелектуальна власність як результат творчої діяльності. Інтелектуальна власність як право. Еволюція промислової власності. Еволюція авторського права і суміжних прав. Еволюція інтелектуальної власності в Україні. Соціально-економічні стратегії в країнах світового товариства. Роль промислової власності у економічному розвитку. Авторське право і розвиток культури.
31420. Дослiдження бiполярного транзистора 56.5 KB
  Обладнання: Стенд з двома регульованими напругами вольтметрами та амперметрами опори NPNтранзiстор блок живлення постiйного струму. Для розрахунку параметрiв схем для рiзних включень транзiстору спiльний емiтер спiльний колектором спiльна база використовуються сукупностi ВАХ вхiдних та вихiдних характеристик: cукупнсть залежностей струму бази Ib вiд напруги базаемiтер Ube для рiзних значень напруги колектор емiтер Uce сукупнсть залежностей струму колектора Ic вiд напруги колектор емiтер Uce для рiзних значень струму бази ...
31421. Дослiдження поведiнки транзистора у поширених схемах включення 52.5 KB
  Для зменшення обсягу вимiрiв та прискорення виконання роботи струми Ib Ic Ic вимiрються не безпосередньо а обчислюються за вiдомими значеннями опорiв Rb Rc Re i вимiряними значеннями падiння напруг URb URc URe. Для дослiжуємого бiполярного транзистору КТ961А npnтипу з коефiцiентом пiдсилення у дiапазонi 10100 доцiльно використовувати такi значення опорiв: Доцiльно використовувати такi значення опорiв: Rb =20KΩ; Rc =0 перемичка; Re =1KΩ. Занотувати значення опорiв для дослiджуємої схеми Rb =...
31422. Система інтелектуальної власності 117.5 KB
  Суб’єкти права інтелектуальної власності. Творець (автор) як суб’єкт права. Громадяни, юридичні особи та держава як суб’єкти права інтелектуальної власності. Суб’єкти права промислової власності. Суб’єкти авторського права. Суб’єкти суміжних прав.