16241

Анализ переходных процессов

Лабораторная работа

Информатика, кибернетика и программирование

Лабораторная работа № 4 Анализ переходных процессов Цель: изучить правили построения диаграмм и с их использованием научиться анализировать переходные процессы на примере зарядки и разрядки конденсаторов. Ход работы: Загрузим схему последовательного ...

Русский

2013-06-20

143.11 KB

1 чел.

Лабораторная работа № 4

Анализ переходных процессов

Цель: изучить правили построения диаграмм и с их использованием научиться анализировать переходные процессы на примере зарядки и разрядки конденсаторов.

Ход работы:

  1.   Загрузим схему последовательного включения резистора и конденсатора RC_AC.sch. Установим параметры источника питания.

2 Установите параметры моделирования через команду Setup главного меню Analysis или путем нажатия кнопки на панели инструментов. Откроется окно Analysis Setup 

4 Запустим процесс моделирования, щелкнув по кнопке панели инструментов. После его завершения на экране автоматически откроется окно Probe (рисунок 4.5).

Рисунок 4.5

 в списке диаграмм (слева в окне Add Traces) добавим:  V(0) – потенциал точки «земли», V(V1+) – общее напряжение и V(C1:2) – напряжение на верхнем выводе конденсатора C1.

Для того чтобы диаграммы были более сглажены изменим ширину шага. Откроем окно предварительной установки для анализа переходных процессов Transient (Analysis | Setup) В поле Step Ceiling установите значение 4us (4 микросекунды) – при такой ширине шага программа PSpice вычислит 1000 значений в интервале от 0 до 4 мс;

Как видно из рисунка качество изображения диаграмм существенно улучшилось. Из диаграммы V(C1:2) видно, что начальная область соответствует переходному процессу (примерно 0,01 нс), далее схема переходит в стационарное состояние.  

5  Проанализируем процесс заряда и разряда конденсатора.

соберем схему RC цепи, используя в качестве источника напряжения  импульсный генератор VPULSE из библиотеки SOURCE

   установим следующие атрибуты:

DC = 0 (приложенное постоянное напряжение);

AC = 0 (приложенное постоянное напряжение);

V1 = 0 (напряжение в начале импульса);

V2 = 1V (амплитуда импульса);

TD = 0 (время задержки начала импульса);

TR = 1ns (время нарастания импульса, не должно быть равно нулю);

TF = 1ns (время затухания импульса, не должно быть равно нулю);

RW = 1.5ms (ширина импульса);

PER = 5ms (период повторения импульсов);

SIMULATIONONLY – не устанавливается;

PKGREF  V1 (название элемента в схеме);

выполните установку  параметров моделирования через команду Setup главного меню Analysis или путем нажатия кнопки на панели инструментов (рисунок 4.10);


6  Уменьшим в два раза сопротивление резистора R1 и запустите снова процесс моделирования.

При уменьшении сопротивления резистора R1 наблюдается более резкое нарастание заряда и более быстрый разряд конденсатора C1.

Вывод: изучили правила  построения диаграмм и с их использованием научились анализировать переходные процессы на примере зарядки и разрядки конденсаторов.


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

1283. Бутовская линия метрополитена на участке от станции Улица Старокачаловская до станции Битцевский парк и тупики за станцией Улица Старокачаловская 355.5 KB
  Проект Бутовской линии метрополитена на участке от станции Улица Старокачаловская до станции Битцевский парк и тупиков за станцией Улица Старокачаловская разработан на основании технического задания 08.04.2008г. № 2, выданного ГУП города Москвы Московский метрополитен и согласованного Департаментом экономической политики и развития города Москвы.
1284. Проблема соблюдения адвокатской тайны в деятельности адвоката в уголовном процессе 396.5 KB
  Понятие и назначение института адвокатской тайны. Проблема соблюдения адвокатской тайны в уголовном процессе.Основные виды нарушений адвокатской тайны в уголовном процессе.
1285. Расчет кулачкового механизма 94 KB
  Кинематические диаграммы толкателя. Начальный радиус кулачка. Подбор чисел зубьев планетарной передачи. Картина линейных и угловых скоростей. Геометрический расчет зацепления. План скоростей и ускорений.
1286. Выполнение камерального дешифрирования контактных аэроснимков ближнего Подмосковья 105.5 KB
  Дешифрирование снимков для создания базовых карт земель масштаба 1:10000. Требования к рассматриваемому виду дешифрирования. Нормы генерализации. Дешифрирование увеличенных снимков при инвентаризации приусадебных земель.
1287. Завдання з фізики. Визначити кількість пазів на полюс і фазу 108 KB
  Визначити кількість пазів на полюс і фазу. Матеріали, які використовують при виготовленні електричних машин. Виробничий та технологічний процеси. Основні типи валів, які використовують в електричних машинах.
1288. Анализ бюджетного учреждения культуры города Омска ЦКСР Береговой 80 KB
  Историческая справка учреждения, цели, содержание деятельности. Структура организации, и функциональные обязанности основного персонала.
1289. Організоване акціонерне товариство закритого типу Агро-Союз 96 KB
  Найважливішим у рослинництві було визначено впровадження грунтозахисної системи землеробства з розширенним відтворенням родючості грунтів та поступовим переходом на грунтозахисне, маловитратне, енергозберігаюче землеробство на основі нульового обробітку грунту з елементами біологічного землеробства.
1290. Технологический маршрут обработки резаньем детали 89 KB
  Определение вида технологического процесса. Определение вида и рационального метода получения заготовки. Составление технологического маршрута механической обработки резанием. Разработка технологической операции, на которой обрабатывается поверхность 50h8 при точении.
1291. Вакуумная система плазменного сепаратора элементов ДИС 89.5 KB
  Выбор параметров плазменного источника и вакуумной системы. Конструкция и параметры крионасосов. Схематический вид установки ДИС.