16908

Создание WEB – страниц на основе таблиц

Лабораторная работа

Информатика, кибернетика и программирование

Лабораторная работа № 11 Создание WEB страниц на основе таблиц. Оборудование: ПЭВМ Программное обеспечение: Windows Kompozer. Цель работы: приобретение и закрепление практических навыков работы во Kompozer. Задание: Включите ПК. Запустить Kompozer.

Русский

2013-06-27

117.87 KB

9 чел.

Лабораторная работа № 11

Создание WEB – страниц на основе таблиц.

  1. Оборудование:   ПЭВМ
  2. Программное обеспечение: Windows, Kompozer.
  3. Цель работы:  приобретение и закрепление практических навыков работы во Kompozer.

Задание:

  1. Включите ПК.
  2. Запустить  Kompozer.
  3. Для создания пустой страницы щелкните по кнопке "Создать"  на панели форматирования или по кнопке "Новая страница" на панели задач.
  4. Вставьте  таблицу 3x2. Выполните команду «Table/ Insert/ Table/ Precisely,

rows (строк)-3,

Columns(столбцов)-2,

 Width(ширину)-100%» смотри ниже

5. Установите ширину первой строки в 25%. (смотри ниже)
Для этого выделите первый столбец,  щелкните правой клавишей мыши, выберите пункт «Table Cell Properties», установите флажок (щелчком мыши поставить галочку) в строке «Size Width», выберите «% of table», установите 25%,

  1. Выровнять по горизонтали  -  по левому краю

b. Выровнять по вертикали -  по верхнему краю.

  1. Получится таблица следующего вида.

7. Выделить ячейки первой строки и объединить их. Выполните команду "Table /Join selected cells".

8. Курсор установите в объединенную ячейку,  выберите фоновый цвет ячейки: "Table / Table  Properties / Cells/ Background Color, выберите цвет фона.


9. В объединенную ячейку наберите текст  "Технология производства процессоров"  и выровняйте по центру.

Технология производства процессоров

10.  Курсор установите в первую ячейку  второй строки,  щелкните правой клавишей мыши, выберите пункт «Table Cells Properties», установите следующие параметры:

  1. Выровнять по горизонтали: по левому краю
    1. Выровнять по вертикали: по верхнему краю

 Цвет фона ячейки  (см. выше).

11. Курсор установите в первую ячейку  второй строки и наберите следующий текст:

Технология производства процессоров

Главная


Производство микросхем

Устройство КМОП-транзистора

  • Выращивание болванок
  • Нанесение защитной пленки
  • Нанесение фоторезистива
  • Литография
  • Травление
  • Диффузия
  • Напыление и осаждение
  • Заключительный этап

Перспективные технологии

WEB мастер  - Иванов Иван

27/06/13

  1. Курсор установите во вторую ячейку  второй строки, щелкните правой клавишей мыши, выполните команду "Свойства ячейки" и установите выравнивание влево и наверх,  выберите фоновый цвет.
  2. В первой ячейке третьей строки наберите "WEB мастер - Ф.И.О", нажмите клавишу Enter .
  3. Во второй ячейке третьей строки наберите слово "Наверх" и выровняйте по центру.
  4. Установите курсор перед  словами "Технология производства процессоров" и выполните команду: "Insert/ Nemed Anchor "Вверх". Перед текстом появляется якорь.
  5. В нижней строке выделите слово "Наверх" и выполните команду: "Insert / Link / link location "Верх", ОК. Мы создали гиперссылку, которая будет возвращать нас наверх.
  6. Сохраните файл под именем Shablon   в папке Site\Pages на вашем диске H:

18. У вас должна получиться страница примерно следующего вида:

Технология производства процессоров

Главная


Производство микросхем

Устройство КМОП-транзистора

  • Выращивание болванок
  • Нанесение защитной пленки
  • Нанесение фоторезистива
  • Литография
  • Травление
  • Диффузия
  • Напыление и осаждение
  • Заключительный этап

Перспективные технологии

Ячейка пустая!!!

В эту ячейку вставляется информация (контент)

(вторая ячейка второй строки)

WEB мастер  - Иванов Иван

27/06/13

Наверх

  1. Мы с вами создали шаблон, который будем использовать для создания  всех страниц нашего сайта. На всех страницах информацию будем располагать во второй ячейке второй строки.
  2. Создадим главную (первую) страницу нашего сайта. Для этого установите курсор во вторую ячейку второй строки, Щелкните правой клавишей мыши, выполните команду "Table Cells Properties" и установите выравнивание по центру.

20. Выполните команду "insert /Image, выберите папку Images, файл  P4."

Ниже рисунка вставьте текст:

Говоря о процессорах Intel, часто используют такие специфические понятия, как 0,13-микронный технологический процесс, а в последнее время — 90-нанометровый технологический процесс. К примеру, принято говорить, что Intel Pentium 4 с ядром Northwood выполнен по 0,13-микронной технологии, а процессор с ядром Prescott на 90-нанометровом технологическом процессе. В чем же разница между этими технологическими процессами и как она отражается на возможностях самих процессоров?

21. Для текста установите тип и размер шрифта.

22. Сохраните файл под именем Index   в папке Site на вашем диске.

23. Закройте файл Index .

24.Откройте файл"Технология производства процессоров"

  1. Откройте файл Shablon.

26. Установите курсор во вторую ячейку и  выполните команду "В"insert /Image, выберите папку Images, файлP3."

27.  Из файла "Технология производства процессоров" скопируйте часть текста под названием "Как делают микросхемы" и вставьте во вторую ячейку второй строки файла Shablon.

28. Страница  будет иметь примерно следующий вид:

Технология производства процессоров

Главная


Производство микросхем

Устройство КМОП-транзистора

  • Выращивание болванок
  • Нанесение защитной пленки
  • Нанесение фоторезистива
  • Литография
  • Травление
  • Диффузия
  • Напыление и осаждение
  • Заключительный этап

Перспективные технологии

Как делают микросхемы

Чтобы понять, в чем заключается основное различие между этими двумя технологиями, необходимо сделать краткий экскурс в саму технологию производства современных процессоров или интегральных микросхем.

Как известно из школьного курса физики, в современной электронике основными компонентами интегральных микросхем являются полупроводники p-типа и n-типа (в зависимости от типа проводимости). Полупроводник — это вещество, по проводимости превосходящее диэлектрики, но уступающее металлам. Основой полупроводников обоих типов может служить кремний (Si), который в чистом виде (так называемый собственный полупроводник) плохо проводит электрический ток, однако добавление (внедрение) в кремний определенной примеси позволяет радикально изменить его проводящие свойства. Контакты p- и n-полупроводников позволяют формировать транзисторы — основные структурные элементы современных микросхем. Такие транзисторы, называемые КМОП-транзисторами, могут находиться в двух основных состояниях: открытом, когда они проводят электрический ток, и запертом — при этом они электрический ток не проводят. Поскольку КМОП-транзисторы являются основными элементами современных микросхем, поговорим о них подробнее.

WEB мастер  - Иванов Иван

27/06/13

Наверх

29. Сохраните файл под именем Text_1   в папке Site на вашем диске.

30. Откройте файл Shablon.

31. Вставьте рис_1 и скопируйте текст " Устройство  КМОП-транзистора "  из файла "Технология производства процессоров"

32. Сохраните файл под именем Text_2   в папке Site\Pages на вашем диске H:

33. Откройте файл Shablon. Описанным выше способом создайте и сохраните все страницы  вашего сайта.

  1. После завершения создания страниц откройте файл Index.
  2. В меню выделите строку " Главная" и  добавьте гиперссылку  на файл. Index.  (Insert / Link).
  3. В меню выделите строку " Производство микросхем " и  добавьте гиперссылку  на файл text_1. (Insert / Link).
  4. Описанным выше способом создайте остальные гиперссылки.
  1. Производство микросхем
  1.  text_1
  1. Устройство КМОП-транзистора
  1.  text_2
  1. Выращивание болванок
  1.  text_3
  1. Нанесение защитной пленки
  1.  text_4
  1. Нанесение фоторезистива
  1.  text_5
  1. Литография
  1.  text_6
  1. Травление
  1.  text_7
  1. Диффузия
  1.  text_8
  1. Напыление и осаждение
  1.  text_9
  1. Перспективные технологии
  1.  text_10

Технология производства процессоров

Главная


Производство микросхем

Устройство КМОП-транзистора

  • Выращивание болванок
  • Нанесение защитной пленки
  • Нанесение фоторезистива
  • Литография
  • Травление
  • Диффузия
  • Напыление и осаждение
  • Заключительный этап

Перспективные технологии

Говоря о процессорах Intel, часто используют такие специфические понятия, как 0,13-микронный технологический процесс, а в последнее время — 90-нанометровый технологический процесс. К примеру, принято говорить, что Intel Pentium 4 с ядром Northwood выполнен по 0,13-микронной технологии, а процессор с ядром Prescott на 90-нанометровом технологическом процессе. В чем же разница между этими технологическими процессами и как она отражается на возможностях самих процессоров?

WEB мастер  - Иванов Иван

27/06/13

Наверх

38. Сохраните файл Index   

39. Выделите меню с гиперссылками, скопируйте его в буфер обмена и вставьте  во все файлы, начиная  с Text_1, Text_2  -    Text_10 вместо исходного меню. Сохраните все файлы.

40. Сайт просмотреть в обозревателе. Для этого дважды щелкните по файлу Index.html 

Сайт показать преподавателю.


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

42495. Исследование электростатических полей с помощью электролитической ванны 61.5 KB
  При конструировании электронных ламп конденсаторов электронных линз и других приборов часто требуется знать распределение электрического поля в пространстве заключённом между электродами сложной формы. Аналитический расчёт поля удаётся только для самых простых конфигураций электродов и в общем случае невыполним. Поэтому сложные электростатические поля исследуются экспериментально. Точки поля имеющие одинаковый потенциал образуют поверхности равного потенциала эквипотенциальные поверхности.
42496. Конфігурування бездротового маршрутизатора LinksysWRT54GL 229.5 KB
  Конфігурування бездротового маршрутизатора LinksysWRT54GLâ. Мета: Навчитися налаштовувати бездротові маршрутизатори на основі моделі LinksysWRT54GL задавати імя бездротовій мережі SSID налаштовування вбудованого сервера DHCP конфігурування інтерфейсів WN LN Wireless налаштування шифрування WEP. Виконання лабораторної роботи Виконализєднання з маршрутизатом увійшли до інтерфейсу конфігурування.
42498. Дослідження кепстру сигналів 528.5 KB
  Зберігання виконаної роботи проводити виключно командою Sve ll 3. Для виконання лабораторної роботи скопіювати фрагмент коду позначений коментарем 8лабораторна робота: Кепстр сигналів в кінець програми після директиви endif. Вибрати пункт 8 та проаналізувати варіант виконання лабораторної роботи.
42499. Проектування волоконно-оптичної системи передачі інфопмації 256 KB
  Львів 2010 Мета роботи : Ознайомитися з послідовністю проектування ВОСП методикою інженерного розрахунку волоконно оптичних систем зв`язку а також отримати певні навики практичного розрахунку системи для заданих параметрів. Визначення потрібної швидкості передачі топології системи. Енергетична характеристика системи.
42500. Налаштування однорангової мережі у середовищі ОС Windows 98 29 KB
  Для перевірки заходимо в Сетевое окружение та дивимося чи зявився в мережі данний ПК. Висновок: В цій роботі я навчився налаштовувати компютер та встановлювати параметри для коректної роботи однорангової мережі у середовищі ОС Windows 98 міністерство науки і освіти України промисловоекономічний коледж НАУ Лабораторна робота № 8 З дисципліни: периферійні пристрої ЕОМ Тема роботи: налаштування однорангової мережі у середовищі ОС Windows 98 Виконав:...
42501. Измерение ЭДС источника методом компенсации 69 KB
  Краткие теоретические сведения ЭДС гальванического элемента не зависит от размеров электродов и количества электролита а определяется лишь их химическим составом и при данных условиях постоянна. Каждый тип элементов даёт определённую ЭДС.1 где  − ЭДС; I − сила тока; R − сопротивление внешней цепи; r − внутреннее сопротивление элемента.
42502. Определение ЭДС источника с помощью известного сопротивления 60 KB
  Оборудование: аккумуляторная батарея ЭДС которой определяется миллиамперметр магазин сопротивлений ключ. Это достигается с помощью ЭДС источника. При разомкнутой цепи разность потенциалов между полюсами источника равна ЭДС.
42503. ПОНЯТИЕ ПРАВА ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ. МЕЖДУНАРОДНЫЕ И ОТЕЧЕСТВЕННЫЕ ИСТОЧНИКИ ПРАВА ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ 218.5 KB
  Результат интеллектуальной деятельности как объект права. Право интеллектуальной собственности как раздел гражданского права. Особенности права интеллектуальной собственности. Международные источники права интеллектуальной собственности. Национальные источники права интеллектуальной