17702

ДОСЛІДЖЕННЯ РОБОТИ БАЗОВОЇ СХЕМИ ДТЛ

Лабораторная работа

Информатика, кибернетика и программирование

Лабораторна робота №3 ДОСЛІДЖЕННЯ РОБОТИ БАЗОВОЇ СХЕМИ ДТЛ Мета роботи: Дослідження роботи базової схеми ДТЛ. 1. Теоретичні відомості. 1.1 Базова схема ДТЛ. Призначення елементів. Базова схема діоднотранзисторної логіки зображена на мал.41. мал. ...

Украинкский

2013-07-05

339.5 KB

0 чел.

Лабораторна робота №3

«ДОСЛІДЖЕННЯ РОБОТИ БАЗОВОЇ СХЕМИ ДТЛ»

Мета роботи: Дослідження роботи базової схеми ДТЛ.

1. Теоретичні відомості.

1.1 Базова схема ДТЛ. Призначення елементів.

Базова схема діодно-транзисторної логіки зображена на мал.4-1.

    мал. 4-1.

Призначення елементів:

резистор R1, діоди D1, D2 – утворюють блок, що реалізує функцію “І”;

діоди D3, D4  – діоди зсуву;

резистор RЗС – забезпечує надійність закриття транзистора при подачі хоча б на один вхід низького рівня (рівня логічного “0”);

транзистор Q1 – інвертує сигнал, що надходить на його базу.

У статичному режимі вхідні діоди D1, D2 повинні мати високу зворотну пробивну напругу, що забезпечує підвищення завадостійкості схеми.

У динамічному режимі (при перемиканні) вхідні діоди D1, D2  повинні мати малий час відновлення зворотнього опору.

Резистор R1 – забезпечує вхідний струм при подачі хоча б на один вхід низького рівня (рівня логічного «0»), а також струм бази транзистора Q1 при подачі на усі входи високого рівня (рівня логічної «1»).

У динамічному режимі діоди зсуву D3 і D4 при вимиканні транзистора повинні відновлювати свій зворотній опір після того, як розсіється надлишковий заряд, накопичений на базі транзистору Q1 в режимі насичення, тобто постійна часу розсіювання для діодів зсуву повинна бути більше, ніж для транзистора.

1.2 Робота схеми.

Якщо хоча б на один із входів схеми подати низький рівень (рівень логічного «0»), то відкривається відповідний вхідний діод і вхідний струм I0ВХ протікає по ланцюгу Е-R1-Di-(джерело сигналу). При послідовному включенні схем ДТЛ струм I0ВХ надходить на вихід попередньої схеми, тобто визначає навантажувальну здатність попередньої схеми в режимі, коли на її виході встановлений низький рівень (рівень логічного «0»).

Якщо хоча б на один із входів схеми подати низький рівень (рівень логічного «0»), то струм на базу транзистора Q1 не надходить, відповідно транзистор закритий, а на виході схеми встановлюється високий рівень (рівень логічної «1»).

Якщо на усі входи подаються високі рівні (рівні логічної «1»), то вхідні діоди закриті, струм через резистор R1 і діоди зсуву D3, D4 надходить на базу транзистора Q1, відповідно транзистор відкритий, а на виході встановлюється низький рівень (рівень логічного «0»).

2. Завдання на роботу і порядок її виконання.

2.1 Дослідження базової схеми ДТЛ.

2.1.1   Для базової схеми ДТЛ (для парного варіанта – 2 входи (мал.4-1),  для непарного – 3 входи; парність варіанта визначається останньою цифрою номера залікової книжки) необхідно визначити:

  1.  номінали опорів R1, RЗС, RК, RН;
  2.  значення струмів IR1, IRк.

2.1.2    Вихідні дані для розрахунку:

  1.  В якості наступних даних:

E – джерело живлення;

U0ВХi =U0ВХ, U1ВХi =U1ВХ – рівні вхідної напруги;

U0ВИХ, U1ВИХ – рівні вихідної напруги;

UБЕн – напруга бази-емітера в режимі насичення

(беруться реальні значення, отримані в 1-й лабораторній роботі заданого варіанту);

  1.  UDi =0.7
  2.  I0ВХmax = 0,001+0,00МР – максимальний вхідний струм (при подачі тільки на один із входів низького рівня (рівня логічного «0»))
  3.  I1ВИХ = I0ВХmax – вихідний струм при UВИХ=U1ВИХ

2.1.3   Порядок розрахунку.

Розглянемо випадок, коли на один із входів подається низький рівень (рівень логічного «0»), тоді напруга у вузлі а:

  Uа = U0ВХi + UDi = U0ВХ + UD

Транзистор Q1 закритий, через опір R1 проходить струм IR1 =I0ВХmax, тоді:

  R1 = UR1 / IR1=(E – Uа) / I0ВХmax

Розглянемо випадок, коли на усі входи подаються високі рівні (рівні логічної «1»).

Знайдемо напругу у вузлі а:

  Uа = UБЕН + 2* UD

Тоді струм через опір R1:

  IR1 = UR1 / R1= (E – Uа) / R1

У той же час  

IR1 = IRзс + IБ

де IБ - струм, що надходить на базу транзистора.

Якщо прийняти струм через опір зсуву IRзс = 0.1*IБ, тоді

IR1 = 0.1*IБ + IБ = 1.1* IБ

 IБ = IR1/1.1

 IRзс = 0.1*IБ

Отже:  RЗС = URзс / IRзс =UБЕН / IRзс

Номінали опорів колектора RК і навантаження RН знаходяться так же, як і в 1-й лабораторній роботі.

Якщо UВИХ=U1ВИХ, то I=I=I1ВИХ, тоді

RК = U / I =(Е - U1ВИХ) / I

RН = U / I =U1ВИХ / I

Навантажувальна здатність базової схеми ДТЛ визначається максимально можливим низьким рівнем (рівнем логічного «0») на виході схеми. У цьому випадку (UВИХ=U0ВИХmax) струм через опір колектора дорівнює:

I= (Е - U0ВИХmax) / RК

У звіті необхідно представити таблицю з теоретичними і практичними значеннями (табл.4-1), а також сформулювати висновки.

       Табл.4-1

Параметри

Uа

UВИХ

IR1

IRзс

I

теорет., розрахунк. значення

реальні

значення

2.2   Послідовне з'єднання базових схем ДТЛ

З'єднати послідовно дві базові схеми ДТЛ (кількість входів у кожній зі схем така ж як і в пункті 2.1), на вільні входи підключити джерела живлення. У звіті представити таблицю з реальними значеннями наступного вигляду (табл.4-2)

       Табл.4-2

Параметри

Uа(I)

UВИХ(I)=Uвх(II)

Uа(II)

UВИХ(II)

реальні значення

Примітка. I,II – номер схеми.

2.3   Висновки щодо виконаної роботи.


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

77237. Борозды и извилины височной доли больших полушарий. Динамическая локализация 248.5 KB
  Височная доля: Борозды: Верхняя височная борозда Нижняя височная борозда Извилины: Верхняя височная извилина Средняя височная извилина Нижняя височная извилина Центры: Проекционный центр слуха ядро слухового анализатора g. temporlis superior Проекционный центр вкуса ядро вкусового анализатора prhippocmplis et incus Проекционный центр обоняния старый prhippocmplis et incus Проекционный центр висцероцепции нижняя треть постцентральной и предцентральной извилин Проекционный центр вестибулярных функций g....
77238. Желудочки головного мозга, их сообщения между собой и с подпаутинным пространстовм. Цистерны подпаутинного пространства. Третий желудочек, его стенки 504.84 KB
  Третий желудочек его стенки Желудочки Боковые желудочки ventriculi lterles – полости конечного мозга полушарий большого мозга. III желудочек ventriculus tertius – полость промежуточного мозга diencephlon Латеральная стенка: таламус thlmus Нижняя стенка: гипоталамус hypothlmus: tuber cinerum recessus infundibul chism opticum recessus opticus corpor mmmilri частично pedunculu cerebelli Задняя стенка: comissur posterior et recessus pinelis; Верхняя: tel choroide ventriculu tertii сосудистая оболочка III желудочка...
77240. КОРКОВО-СПИННОМОЗГОВЫЕ ПУТИ. ПОКАЗАТЬ ИХ НА ТАБЛИЦЕ, ПРЕПАРАТЕ 439.43 KB
  Также проводит тормозные импульсы от коры полушарий большого мозга к нейронам двигательных ядер передних рогов спинного мозга т. оказывает тормозное действие на сегментарный аппарат спинного мозга. Тракт идет в нисходящем направлении во внутреннюю капсулу занимая передние 2 3 задней ножки В стволе головного мозга тракт проходит в prs bsilris I зона и в пирамидах продолговатого мозга В области нижней границы продолговатого мозга большая часть волокон каждой пирамиды переходит на противоположную сторону 80 образуя с аналогичными...
77241. ПРОВОДЯЩИЙ ПУТЬ БОЛЕВЫХ И ТЕМПЕРАТУРНЫХ ИМПУЛЬСОВ 183.39 KB
  Spinothlmicus lterlis болевая и температурная чуствительность Tr. Spinothlmicus nterior тактильная чувствительность В СМ эти тракты проходят в боковом и переднем канатиках соответственно В продолговатом мозге латеральный и передний тракты объединяются в единый tr. Spinothlmicus lemniscus spinlis Спинноталамический тракт проходит в покрышке моста и среднего мозга II зона ствола и заканчивается на вентролатеральных ядрах таламуса Большая часть аксонов nuclei ventrolterles thlmi 3 нейроны в составе таламокоркового тракта через заднюю...
77242. Экстрапирамидная система. Современные представления о строении и связи с другими отделами ЦНС 16.55 KB
  Нейроны клетки коры полушарий мозжечка 2 нейроны – клетки зубчатых ядер аксоны которых переходят на противоположную сторону в среднем мозге – перекрёст Вернекинга – и заканчиваются на нейронах красного ядра. Аксоны переходят на противоположную сторону – decusstio tegmenti dorslis фонтановидный Мейнерта. rubrospinlis – пучок Монакова обеспечивает выполнение сложных привычных движений ходьба бег делая их пластичными способствует длительному сохранению позы и поддержанию тонуса мускулатуры;...
77243. Оболочки головного мозга. Межоболочечные пространства. Их сообщение с полостями головного мозга. А.В.Н. твердой мозговой оболочки 16.3 KB
  Оболочки головного мозга. твердой мозговой оболочки. Оболочки головного мозга. Образует выросты грануляции паутинной оболочки Пахионовы grnultiones rchnoidles которые служат для оттока спиномозговой жидкости в кровеносное русло.
77245. Вспомогательный аппарат глаза 371.42 KB
  nulus tendineus communis Верхняя прямая мышца Нижняя прямая мышца Латеральная прямая Медиальная прямая Верхняя косая Нижняя косая Мышца поднимающая верхнее веко Бровь supercilium Веко plpebre защитная функция: plpebr superior plpebr inferior fcies nterior покрыта кожей fcies posterior покрыта хрящевой и орбитальной коньюктивой. Верхняя прямая мышца Нижняя прямая мышца Медиальная прямая Нижняя косая Мышца поднимающая верхнее веко. Латеральная прямая 6 пара ЧН отводящий Верхняя косая – 4 пара ЧН блоковый Нервы слезной...