18072

Исследовать частотные характеристики параллельного колебательного контура

Лабораторная работа

Физика

Цель работы: Исследовать частотные характеристики параллельного колебательного контура Содержание отчета. 2.1 Экспериментальное определение амплитудночастотной и фазочастотной характеристик цепи Схема исследуемой электрической цепи: Параметры элементов цеп...

Русский

2013-07-06

60.5 KB

10 чел.

Цель работы: Исследовать частотные характеристики параллельного колебательного контура

Содержание отчета.

2.1 Экспериментальное определение амплитудно-частотной и фазочастотной  характеристик цепи

Схема исследуемой электрической цепи:

 Параметры элементов цепи в соответствии с номером варианта 

Номер варианта

4

r, Ом

1

L, мГн

4

C, pФ

12

График амплитудно-частотной характеристики цепи         

 

2.2 Исследование амплитудно-частотной и фазочастотной  характеристик цепи.

Определение резонансной частоты и полосы пропускания параллельного колебательного контура.

W0=170 кГц

W0=1/коренLC=170 кГц

W0-W1= - 24 кГц

Расчет добротности контура. Расчет резонансной частоты и полосы пропускания

Q=1/W0rC=1*10-7

Результат сравнения с данными, полученными экспериментально.

В ходе иследовании данные совпали, чему я очень рад !

2.3 Исследование резонансных характеристик параллельного контура по току. 

Схема электрической цепи

График амплитудно-частотной характеристики.

Результат определения резонансной частоты и полосы пропускания параллельного колебательного контура.

W0=1/кореньWL

W0-W1=42-36=6 кГц

  1.  Ответы на вопросы:

3.1.Определение параллельного колебательного  контура.

Паралельным колебательным контуром называется цепь, которая состоит из параллельного соединения ветви с индуктивностью и ветви с емкостью

3.2.Какое явление называют резонансом токов?

Это явление, при котором токи в реактивных элементах значительно превышают ток, потребляемый контуром от источника.

3.3.  Какой характер носит сопротивление параллельного контура при резонансе?

Сопротивление параллельного контура при резонансе становится активным

Выводы по проделанной работе.


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

51197. Цифровое управляющее устройство в контуре управления 466.86 KB
  Цифровое управляющее устройство в контуре управления Влияние периода дискретизации. Поэтому значения управляемых координат присутствующих в ЦВМ отличаются от значений их же в объекте управления.1 h=l Наилучшие параметры по результатам проведенных опытов а0=1 1=l с дискретизацией h=100 Вывод: По результатам исследования системы мы можем утверждать что при увеличении шага дискретизации цифрового управляющего устройства качество переходных процессов в системах управления ухудшается что связанно с запаздыванием по времени вносимым...
51198. Цифровое управляющее устройство в контуре управления 660.15 KB
  Для отработки блока дискретизации рассмотрена система с неидеальным запаздывающим АС.1 Система неустойчива 0.4 Система неустойчива 0.1 Система неустойчива 0.
51199. Анализ влияния дискретизации на перерегулирование 55.18 KB
  Цель: сравнение результатов с идеальным и неидеальным АС на одном графике при различных h. Результаты исследования влияния т и h на уравнение с неидеальным...
51200. Анализ влияния дискретности цифровой системы управления на параметры автоколебаний в системе с релейными исполнительными органами 559.64 KB
  Определить зависимость частоты и размаха автоколебаний от величины Мупр а0 и а1 при h = 1. Определить зависимость частоты и размаха автоколебаний от величины Мупр а0 Т при h = 50. Определили зависимость частоты и размаха автоколебаний от величины Мупр а0 и а1 при различных h. Результаты исследования влияния а0 и h на уравнение моделирующее работу цифровой системы управления с релейными и...
51201. Исследование биполярного транзистора 497.57 KB
  Цель работы: изучение свойств биполярного транзистора в режиме постоянного тока и при переменном сигнале в зависимости от схемы его включения. Характеристики биполярного транзистора П306А: Тип прибора Проводимость Предельные значения параметров при Т=25С Значения параметров при Т=25С П306А pnp 80 04 10 005 535 01 60120 Схемы установок для исследования транзисторов: Рис.1 Схема с общей базой для исследования выходных статических характеристик биполярного транзистора...
51202. Разработка интерпретатора текстовой (теговой) разметки документа 148.66 KB
  Идея языков разметки состоит в том, что визуальное отображение документа должно автоматически получаться из логической разметки и не зависеть от его непосредственного содержания. Это упрощает автоматическую обработку документа и его отображение в различных условиях (например, один и тот же файл может по-разному отображаться на экране компьютера, мобильного телефона и на печати...
51203. Аналитическое моделирование дискретно-стохастической СМО 241.97 KB
  Цель: Построить граф состояний СМО . Смысл кодировки состояний раскрыть (время до выдачи заявки, число заявок в накопителе и т.д.). На схеме условно обозначены