18129

Вплив зовнішнього електричного поля на термоемісію катоду

Доклад

Коммуникация, связь, радиоэлектроника и цифровые приборы

Вплив зовнішнього електричного поля на термоемісію катоду Для того щоб визначити струм емісії катода необхідно зібрати елементарну схему що містить вікуумний діод ВД й джерела живлення з вимірювальними приладами. Діод має пряморозжарюваний W катод 1 і анод 2. ...

Украинкский

2013-07-06

188.56 KB

1 чел.

Вплив зовнішнього електричного

поля на термоемісію катоду

  Для того, щоб визначити струм емісії катода необхідно зібрати елементарну схему, що містить вікуумний діод (ВД) й джерела живлення з вимірювальними приладами. Діод має пряморозжарюваний W катод (1) і анод (2). (3) – охоронні кільця. Вони необхідні для того, щоб струм емісії вимірювався лише анодом (2), в межах якого температура катоду рівномірна по всій довжині (вона не спотворена тепловідводом на кінцях катоду). Міліамперметр реєструє лише струм емісії з частини катоду, що розміщена всередині аноду. Густина струму емісії j- це відношення анодного струму Ia до площі поверхні катоду S, з якої відбирається струм на анод:

Якщо при Ткатоду = const збільшувати анодну напругу Ua, то міліамперметр будe показувати ріст анодного струму Ia. Графік залежності  є вольт-амперною характеристикою діоду. Вигляд ВАХ такий:

На рис. Ie0 – струм емісії катоду при анодній напрузі Ua=0.

При анодний струм Ia стає рівним струму емісії катоду Ie, тобто при цій напрузі всі емітовані катодом електрони досягають аноду. Подальше збільшення Ua не повинно супроводжуватися ростом Ia, оскільки емісія катоду використана повністю. Повинно бути так зване насичення струму емісії. Ось це значення струму емісії й використовується в методі прямих Річардсона.

     Але на практиці ріст Ua за умови , призводить до подальшого зростання Ia, хоча й більш слабкому (ділянка ВАХ ab). Чому ж це відбувається?

     Ми знаємо, що на межі тверде тіло – вакуум є потенціальний бар’єр такого виду:

Нехай тепер поблизу поверхні катоду діє зовнішнє прискорююче електричне поле, тобто поле, що є протилежним до поля кулонівських сил (сил дзеркального відображення). Розподіл потенціалу такого поля V(x) має вигляд прямої лінії (див. рис.). Це поле, діючи на електрони з силою e, зменшує на величину ex роботу, яку здійснює електрон при переміщенні на відстань х від катоду.

(Тут  , де d - відстань анод-катод, V- різниця потенціалів між катодом і анодом). Результат дії прискорюючого поля – зовсім інша форма потенціального бар’єру (крива (3) на рис.): він став нижче на величину і вужче – електрон долає бар’єр не до ∞ , а до відстані Xk.В цьому місці сила дзеркального відображення дорівнює силі прискорюючого поля:

Висота потенціального бар’єру Ea при відсутності поля:

  (*)

Висота потенціального бар’єру коли поле є :

Тоді :         

Підставивши сюди значення Xk, яке знайдено з (*):    ,

отримаємо:    (на таке значення зменшується потенціальний бар’єр).

Тоді:                        

  ,

 ,   

 ,

 ,

звідки:         

 

    , але у нас робота виходу знижена на величину дельта , тобто маємо , тому   , де

Отримали рівняння, що носить ім”я Шотткі, бо він перший його отримав. Таким чином, зростання анодної напруги Ua обов’язково призводить до зростання густини струму емісії (бо , де d- відстань анод-катод).

  Якщо ВАХ побудувати в координатах Шотткі при , то в області насичення струму емісії будемо мати пряму лінію:

З рис. видно, що . Це означає, що при більш низьких температурах катоду вплив зовнішнього електричного поля на емісію більш помітний. Доречі, в методі повного струму в рівняння Річардсона-Дешмана треба вводити значення струму емісії j01 або j02 відповідно до температури, щоб знайти роботу виходу для електронів.

– логарифм густини струму емісії у відсутності поля на катоді.

  Треба зазначити, що при сильних електричних полях струм емісії зростає швидше, ніж це потребує рівняння Шотткі. Справа в тому, що коли виводилося це рівняння, то коректно враховувалося лише зниження потенціального бар’єру і не бралося до уваги його звуження.

Помітне звуження потенціального бар’єру відбувається при полях В/см і включається в дію так званий тунельний ефект. При , хкрит =10-7см, що близько до постійної градки кристалу.

Ефект Шотткі в напівпровідниках

     В металах кількість вільних електронів дуже висока: ~ 6*1022 см-3 коли метал одновалетний. Тому поле в метал практично не проникає, так як силові лінії електричного поля закорочуються на цих зарядах. В напівпровідниках – зона провідності. Тому поле проникає вже помітно: на , тобто практично на 1 мкм. Це означає, що межа застосування рівняння Шотткі для напівпровідників вужча. Для них .

Глибина проникнення силових ліній електричного поля на якій заряди перехоплюються ці силові лінії і екранують внутрішні області твердого тіла від подальшого проникнення цього поля, називається радіусом екранування Дебая-Гюккеля:

Е  - напруженість електричного поля

neконцентрація електронів в твердому тілі

Проникнення поля в напівпровідник викривляє зони поблизу поверхні. Тобто при сильному полі у напівпровідниках змінюється і зовнішня, і внутрішня роботи виходу.

 

, – на такі значення зменшується робота виходу

,

,

,

-діелектрична стала,– коефіцієнт, який враховує зменшення сил дзеркального відображення при полі Е.


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

31076. Эпителиальные опухоли 25.42 KB
  Инфильтрация подлежащих тканей отмечается лишь в запущенных случаях когда опухоль прорастает вглубь с разрушением хряща кости. Клинически опухоль проявляется в виде язвенной и папиллярной форм.: эруптивная гидраденома гидроцистома киста потовой железы доброкачественная опухоль исходящая из внутриэпидермальной части протока эккринной потовой железы.
31077. Пиогенная гранулема 13.68 KB
  : дольчатая капиллярная гемангнома гипертрофическая капиллярная гемангиома частая разновидность капиллярной гемангиомы возникающая на пальцах и в слизистых оболочках полости рта и носа. Наряду с очажками типа грануляционной ткани и возможным вторичным воспалением отмечается сходство с ранней или поздней стадией ювенильной разновидности капиллярной гемангиомы.
31078. Опухоли мягких тканей орофациальной области из меланинобразующей ткани 29 KB
  Все они доброкачественные пигментные опухоли состоящие из невусных клеток и имеющие разные размеры от крошечных до гигантских. Часть гигантских разновидностей таких невусов безопасны остальная часть особенно касающиеся новорожденных таят в себе потенциальную опасность превращения в меланому до 50 случаев в течение первых 3 5 лет жизни. Мелкие и крупные врожденные невоклеточные невусы новорожденных сборная группа из весьма разнообразных новообразований.
31079. Органоспецифические опухоли челюстных костей 29 KB
  Фолликулярная форма состоит из островков одонтогенного эпителия различной величины и формы напоминающих строение эмалевого органа по периферии островков частоколом располагаются клетки цилиндрического эпителия а в центре они приобретают звездчатую форму эпителиальный ретикулум. Сетевидная форма представлена тяжами одонтоенного эпителия с его причудливыми ветвлениями. Плексиформный вариант характеризуется тяжами эпителия неправильных очертаний переплетающихся в виде сети. По периферии тяжи ограничены цилиндрическими или кубическими...
31080. Органонеспецифические неодонтогенные опухоли челюстных костей 57 KB
  Опухолеподобные поражения костей: 1 фиброзная дисплазия; 2 центральная гигантоклеточная гранулема; 3 херувизм; 4 эозинофильная гранулема; 5 болезнь Педжета; 6 коричневая опухоль гиперпаратиреоидизма. КОСТЕОБРАЗУЮЩИЕ ОПУХОЛИ Доброкачественные: Злокачественные: остеома остеогенная саркома...
31081. Челюстная киста 20.03 KB
  К одонтогенным дизонтогенетическим кистам относят: 1 первичную примордиальную или кератокисту; 2 фолликулярную зубосодержащую кисту; 3 парадентальную периодонтальную кисту; 4 кисту прорезывания зуба; 5 десневую гингивальную кисту. К одонтогенным приобретенным кистам относят радикулярную околокорневую кисту воспалительного генеза. Среди них выделяют: 1 кисты резцового носонебного канала; 2 глобуломаксиллярная; 3 носогубная носоальвеолярная киста преддверья полости рта. Перечисленные кисты и одонтогенные и...
31082. Фиброзная дисплазия челюстных костей 16.37 KB
  Образование увеличивается медленно годы десятилетия но может привести к тяжелой деформации лица за счет разрастания клеточноволокнистой остеогенной ткани Макроскопически: границы разросшейся сероватобелесоватого вида опухолеподобной ткани нечеткие размытые без образования капсулы; беловатокрасные опухолеподобные очаги разной плотности в зависимости от степени выраженности их минерализации имеются многочисленные кисты заполненные желтоватой или красноватой жидкостью и полупрозрачные участки хряща до 3 см в диаметре....
31083. Одонтогенная инфекция 20.53 KB
  Пато и морфогенетически все эти заболевания связаны с острым гнойным апикальным или обострением хронического верхушечного периодонтита нагноением кист челюсти гнойным пародонтитом альвеолитами воспаление костной альвеолы после удаления зуба. Остит воспаление костной ткани челюсти за пределами периодонта зуба. Острый периостит челюсти представляет собой острое воспаление надкостницы альвеолярного отростка верхней или альвеолярной части нижней челюсти иногда распространяющееся на надкостницу тела челюсти. В большинстве случаев процесс...
31084. Слюнно-каменная болезнь (сиалолитиаз) 15.17 KB
  Механизм развития слюннокаменной болезни обусловлен взаимодействием перечисленных этиологических факторов: при застое слюны в протоках происходит повышение ее вязкости и увеличение содержание белков и солей. При слюннокаменной болезни необходимо удаление пораженной слюнной железы.