18837
Схема с общей базой
Доклад
Физика
Схема с общей базой. При проектировании усилителей на биполярных транзисторах входной переход транзистора всегда включают в прямом направлении а выходной в обратном. На Рис. 3.1 приведена схема усилителя на биполярном транзисторе включенном с общей базой ОБ. Рис. 3...
Украинкский
2013-07-10
164.86 KB
1 чел.
Схема с общей базой.
При проектировании усилителей на биполярных транзисторах входной переход транзистора всегда включают в прямом направлении, а выходной в обратном. На Рис. 3.1 приведена схема усилителя на биполярном транзисторе, включенном с общей базой (ОБ).
Резистор RК являться нагрузкой транзистора и определяет его усилительные свойства,. Если RК=0 то эффект усиления напряжения не происходит, т.к. UКБ=EК=const. С увеличением RК растет коэффициент усиления схемы по напряжению, однако существует ограничение на RК сверху.
Для данной схемы ориентировочные значения коэффициентов усиления можно определить следующим образом:
,
Поскольку для ОБ , , а (т.к. входной переход транзистора включен в проводящем направлении) то получим, kU>>1
Коэффициент усиления по току kI меньше 1.
, kI(0.50.95).
Следовательно, схема с ОБ усиливает напряжение, мощность, но не усиливает ток.
А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать | |||
49991. | ИЗУЧЕНИЕ ФОТОЭЛЕМЕНТА С ВНЕШНИМ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИМ ЭФФЕКТОМ | 120.5 KB | |
Внешний фотоэффект используют в приборах называемых фотоэлементами . Измерение основных характеристик фотоэлемента Фотоэлемент представляет собой стеклянный баллон рис. Анод фотоэлемента 3 изготовлен в виде диска или сферы помещенного в центре баллона. | |||
49992. | ИЗУЧЕНИЕ ЯВЛЕНИЯ ТЕПЛОВОГО ИЗЛУЧЕНИЯ | 200.5 KB | |
Энергия нагретого тела E1 много больше энергии излучения E2 что и составляет сущность проблемной ситуации. Происхождение теплового излучения При нагревании любого тела повышается запас его энергии сосредоточенной на различных степенях свободы: поступательного движения атомов и молекул газа вращательного и колебательного движения атомов или ионов в молекулах и кристаллах и т. Таким образом любые нагретые тела т. тела с температурой больше 0 К испускают электромагнитное излучение микроскопические механизмы которого различны в разных... | |||
49993. | ОПРЕДЕЛЕНИЕ ПОСТОЯННОЙ ПЛАНКА СПЕКТРОМЕТРИЧЕСКИМ МЕТОДОМ | 942 KB | |
Краткое теоретическое введение Согласно квантовой теории излучение света атомами вещества связано с изменением их энергетического состояния. По теории Бора переход атома водорода из одного энергетического состояния в другое связан с переходом электрона атома с одной орбиты на другую. Орбиты электрона в атоме квантованы и поэтому энергия атома водорода не может иметь любое произвольное значение. | |||
49994. | ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ПРОВЕРКА СООТНОШЕНИЯ НЕОПРЕДЕЛЕННОСТЕЙ ДЛЯ ФОТОНОВ | 130.5 KB | |
Одним из фундаментальных положений квантовой механики является принцип неопределенностей сформулированный В. О том каково его значение можно судить исходя из того факта что всего одного из соотношений неопределенностей достаточно чтобы объяснить целый ряд закономерностей в атомной и ядерной физике. Обозначив канонически сопряженные величины буквами А и В можно написать B ≥ 3 Соотношение 3 называется соотношением неопределенностей для величин А и В. | |||
49995. | Стройові вправи. Загальнорозвивальні вправи | 69 KB | |
Стройові вправи. Шикування як вид стройових вправ. Загальнорозвивальні вправи. Прикладні вправи. | |||
49997. | Нечеткая логика. Создание простейшей системы нечеткой логики | 67 KB | |
Создание простейшей системы нечеткой логики реализованной на языке высокого уровня. Задание Согласно заданным вариантам разработать программу на любом алгоритмическом языке способную: Различать степени изменения лингвистической переменной в трех степенях... | |||
49998. | МИКРОПРОГРАММИРОВАНИЕ КОМАНД СМ ЭВМ | 92 KB | |
Цель работы: Знакомство с принципами микропрограммной эмуляции ЭВМ с программным управлением, микропрограммирование машинных команд СМ ЭВМ. Вариант индивидуального задания: № 5 Найти наибольший общий делитель двух чисел по алгоритму Евклида. | |||
49999. | Трёхступенчатая токовая защита линий с односторонним питанием | 540 KB | |
Представить совмещенные друг с другом и со структурной схемой системы следующие графики: зависимости максимального и минимального токов коротких замыканий от удалённости места КЗ; все токовые уставки; зависимости времени срабатывания защиты от удаленности КЗ уставки по времени. Оценить эффективность отсечек по зоне действия МТЗ по коэффициенту чувствительности рассчитанной защиты. Исходные данные к контрольной работе № вариантата Параметры энергосистемы Параметры линий электропередачи и нагрузок W1 H1 W2 H2 W3 H3 Ec B xc Ом... | |||