19075

Основы литографических процессов. Фотолитография

Практическая работа

Физика

Лекция 4. Основы литографических процессов. Фотолитография В технологии микроэлектронных устройств литографические процессы универсальны и наиболее часто повторяемы. Они используются для получения контактных и прецизионных масок. Литографические процессы формирую...

Русский

2013-07-11

101.5 KB

32 чел.

Лекция 4.

Основы литографических процессов. Фотолитография

В технологии микроэлектронных устройств литографические процессы универсальны и наиболее часто повторяемы. Они используются для получения контактных и прецизионных масок. Литографические процессы формируют на поверхности слой стойкого к последующим технологическим воздействиям материала, способного под действием облучения определенной длины волны изменять необратимо свои свойства и прежде всего стойкость к проявителя. Резистивный слой, локально облученный с помощью шаблона, обрабатывают в проявителе, где в результате удаления локальных участков получают резистивную маску.

В зависимости от длины волны применяемого излучения различают оптическую (фотолитографию), рентгеновскую, электронную и ионную литографию.

ТИПЫ ЛИТОГРАФИИ И ПРОСТРАНСТВЕННОЕ РАЗРЕШЕНИЕ

Тип литографии

Источник воздействия на резист

Пространственное

разрешение

Фотолитография

Ультрафиолет

0,35 – 2 мкм

Электронолитография

сканирующая

электроны

 1 нм (Uуск =15 кВ)

3 нм

Электронолитография

проэкционная

электроны

Uуск =20 кВ

0,1 мкм

Рентгенолитография

 0,4- 1,3  нм

0,5 – 1,0  мкм

Рентгенолитография

синхротронная

 1,3 = 2,5  нм

0,05 – 0,5  мкм

Ионная литография

Протоны

E=150-250 кэВ

0,04 – 0,1  мкм

Лазерная литография

УФ, оптика

0,35 – 2 мкм

Под фотолитографией понимают процесс образования на поверхности подложки с помощью светочувствительных материалов локальных защитных участков пленки (микроизображение), рельеф которых повторяет рисунок топологии или схемы, и последующего переноса этого микроизображения на подложку.

Сущность фотолитографии заключается в следующем. На поверхность специально обработанной пластины (подложки) наносят тонкий слой светочувствительного материала –фоторезиста. После высыхания фоторезиста на исходной подложке образуется прочная пленка. Облучение этой пленки фоторезиста через прижатый  к ней фотошаблон ( контактная печать) светом (как правило ультафиолетом) приводит к изменению ее свойств. Проявление и полимеризация пленки фоторезиста позволяют получить в ней рельеф нужного рисунка, т.е. открытые (свободные от пленки фоторезиста) и закрытые (наличие пленки фоторезиста) участки пленки. Образовавшийся в пленке фоторезиста рельеф определенного рисунка переносят на подложку.

Образующиеся в пленке фоторезиста "окна" позволяют проводить ряд важнейших технологических операций: локальное травление подложки с целью удаления слоя полупроводникового материала и создания мезаструктур, вытравливание металлических слоев с целью создания омических контактов и токоведущих дорожек сложной геометрической формы.

Фотолитография может быть контактной (шаблон при переносе изображения приводится в полный контакт с фоторезистом (ФР)) и бесконтактной ( на микрозазоре либо проекционная ФЛ).

Рассмотрим подробнее фотолитографию. ФОТОЛИТОГРАФИЯ, это совокупность фотохимических процессов, а также способ формирования рельефного покрытия заданной конфигурации с помощью фоторезистов. Ф. обычно включает: 1) нанесение фоторезиста на металл, диэлектрик или полупроводник методами центрифугирования, напыления или возгонки; 2) сушку фоторезиста при 90-110 0C для улучшения его адгезии к подложке; 3) экспонирование фоторезиста видимым или УФ излучением через фотошаблон (стекло, кварц и др.) с заданным рисунком для формирования скрытого изображения; осуществляется с помощью ртутных ламп (при контактном способе экспонирования) или лазеров (гл. обр. при проекционном способе); 4) проявление (визуализацию) скрытого изображения Путем удаления фоторезиста с облученного (позитивное изображение) или необлученного (негативное) участка слоя вымыванием водно-щелочными и органическими растворителями либо возгонкой в плазме высокочастотного разряда; 5) термическую обработку (дубление) полученного рельефного покрытия (маски) при 100-200 0C для увеличения его стойкости при травлении; б) травление участков свободной поверхности травителями кислотного типа (напр., на основе HF, NH4F или CH3COOH) или сухими методами (напр., галогенсодержащей плазмой); 7) удаление маски растворителями или выжиганием кислородной плазмой. Масштаб передачи рисунка фотошаблона обычно 1:1 или 5:1 и 10:1 (при проекционном способе экспонирования).

При изготовлении интегральных схем процесс повторяют многократно на различных технологических слоях материала и при этом каждый послед. рисунок должен быть совмещен с предыдущим.

Часто для придания фоторезистному покрытию специфических свойствв (повышение стойкости к травителям, уменьшение отражения излучения от подложки, планаризация рельефа и др.) формируют многослойные покрытия, в к-рых один из слоев, обычно верхний, является собственно фоторезистом, а остальные имеют вспомогательные функции. Двухслойное покрытие м. б. сформировано и в однослойном фоторезисте путем локальной хим. модификации поверхности.

Фотолитография может быть контактной (шаблон при переносе изображения приводится в полный контакт с фоторезистом (ФР)) и бесконтактной ( на микрозазоре либо проекционная ФЛ).

Разновидности Ф.: так называемая взрывная (для получения рисунка на пленках металла) и инверсионная (для получения профиля изображения с отрицательным наклоном стенок). В первом случае рисунок получается путем напыления слоя металла на пластину с проявленным фоторезистом, а при снятии фоторезиста удаляют часть металлического слоя, осевшего на маску; во втором - на позитивном фоторезисте получают негативный рисунок.

Основные требования к Ф.: высокая разрешающая способность, минимально привносимая дефектность и большая производительность, которые определяются обычно свойствами фоторезистов, параметрами фотолитографич. оборудования и чистотой технологических помещений.

Вместе с другими видами микролитографии - электроно-, рентгено- и ионолитографией (соответственно экспонирование потоком электронов, рентгеновскими лучами и ионами легких элементов) - Ф. является одним из методов планарной технологии и применяется для изготовления интегральных микросхем, печатных плат, запоминающих устройств, высокочастотных приборов и др.

ФОТОРЕЗИСТЫ

Фоторезисты – сложные полимерные композиции. Фоторезисты, у которых растворимость экспонированного участка уменьшается, называют негативными (ФН), а ФР, растворимость которых после облучения возрастает, - позитивными (ФП). После обработки экспонированного ФР в составе, удаляющем растворимые участки, образуется рельефное изображение ( см. рис. ), которое должно быть устойчивым к воздействию технологических факторов.

Нанесение ФР на подложку. Чаще всего этот процесс осуществляется центрифугированием. При включении центрифуги жидкий ФР растекается под действием центробежных сил. Прилегающий к подложке граничный слой формируется в результате уравновешивания центробежной силы, пропорциональной числу оборотов, и силы сопротивления, зависящей от адгезии молекул резиста.

Окончательному формированию слоя фоторезиста способствует сушка.

После создания рельефа – окончательная сушка

Удаление ФР:

  •  диметилформамид (CH3)2NCOH
  •  дибутилфталат (C6H4COOC4H9)2
  •  диоксан C4H8O2
  •  толуол С7Н8.

ФОТОРЕЗИСТЫ, светочувствительные материалы, применяемые в фотолитографии для формирования рельефного покрытия заданной конфигурации и защиты нижележащей поверхности от воздействия травителей.

Ф. обычно представляют собой композиции из светочувствительных органических веществв, пленкообразователей (феноло-формальдегидные и др. смолы), органических растворителей и спец. добавок. Характеризуют Ф. светочувствительностью, контрастностью, разрешающей способностью и теплостойкостью. Область спектральной чувствительности Ф. определяется наличием в светочувствительных. органических веществах хромофорных групп способных к фотохимическим превращениям, и областью пропускания пленкообразователя.

По спектральной чувствительности различают Ф. для видимой области спектра, ближнего ( 320-450 нм) и дальнего (180-320 нм) УФ излучения, по характеру взаимодействия с излучением делят на позитивные и негативные. Ф. могут быть жидкими, сухими и пленочными. Жидкие Ф. содержат 60-90% по массе орг. растворителя, пленочные - менее 20%, сухие обычно состоят только из светочувствит. вещества. Жидкие Ф. наносят на подложку (см. Планарная технология)центрифугированием, напылением или накаткой валиком, сухие -напылением и возгонкой, пленочные - накаткой. Последние имеют вид пленки, защищенной с двух сторон тонким слоем светопроницаемого полимера, напр. полиэтилена. В зависимости от метода нанесения формируют слои толщиной 0,1-10 нм; наиб. тонкие слои (0,3-3,0 мкм) формируют из жидких Ф. методом центрифугирования или из сухих Ф. методом возгонки.

При экспонировании в слое Ф. образуется скрытое изображение. При этом светочувствительных компонент претерпевает ряд фотохимических превращений, напр. подвергается фотополимеризации или структурированию либо разлагается с выделением газообразных продуктов; в зависимости от этого светочувствительное вещество закрепляется (сшивается) на экспонированных участках и не удаляется при дальнейшем проявлении (визуализации) под действием органических или водно-щелочных растворителей или плазмы (негативные Ф.) либо переходит в растворимое состояние и легко удаляется с экспонированных участков при проявлении (позитивные Ф.).

Из позитивных фоторезистов наиболее распространены композиции, содержащие в качестве светочувствительного компонента сульфо-эфиры о-нафгохинондиазида (5-40% по массе), а в качестве пленкообразователя - новолачные смолы (до 50%). При экспонировании сульфоэфир переходит в сульфопроизводное инденкарбоновой кислоты и при проявлении под действием водно-щелочного растворителя удаляется с экспонированных участков поверхности вместе со смолой:

Среди негативных фоторезистов наиб. распространены композиции на основе циклоолефиновых каучуков с диазидами в качестве сшивающих агентов, а также сенсибилизированные поливиниловый спирт, поливинилциннамат и др. Схема превращения негативного Ф. на основе каучука и диазида представлена реакцией:

Сшитый полимер закрепляется на подложке, а рельефное изображение (маска) образуется в результате вымывания Ф. с неэкспонированных участков.

Для дальнего УФ излучения применяют позитивные Ф. на основе сенсибилизиров. полиметакрилатов и арилсульфоэфи-ров с фенольными смолами, а также негативные Ф. на основе композиций галогенированных полистиролов и диазидов с феноло-формальдегидными и др. смолами. Перспективны Ф., работающие на принципе хим. усиления скрытого изображения; такие Ф. в качестве светочувствительных компонента содержат ониевые соли (напр., Ph3S+X- и Ph2I+X-, где X = AsF6, SbF6, PF6, CF3SO3), катализирующие темновые реакции др. компонентов Ф. (напр., эфиров нафтолов, резольных смол).

Позитивные Ф. чувствительны к экспозиции 10-250 мДж/см2, имеют разрешающую способность 0,1-2,0 мкм, контрастность 1,5-5, теплостойкость 120-140 0C; негативные Ф., как правило, более чувствительны, но имеют худшую разрешающую способность.

Для получения защитных покрытий заданной конфигурации помимо Ф. используют материалы, чувствительные к воздействию пучка электронов с энергией 5-50 кэВ (элект-ронорезисты), рентгеновского излучения с0,2-0,5 нм (рент-генорезисты) или ионов легких элементов (напр., H+, Не+, O+, Ar+) с энергией более 50 кэВ (ионорезисты). В качестве наиболее вaжныx позитивных электроно-, рентгено- и ионорезистов применяют композиции на основе производных полиметакрилатов (напр., галоген-, циано- и амидозамещенных), поли-алкиленкетонов и полиолефинсульфонов, в качестве негативных - гомо- и сополимеры производных метакрилата, бутадиена, изопрена, стирола, кремнийорг. соединений и др.

Дополнительная литература по лекции.

1. Валиев К.А., Раков А.А., Физические основы субмикронной литографии в микроэлектронике, M., 1984; Светочувствительные полимерные материалы, под ред. А.В. Ельцова, Л., 1985. Г.К. Селиванов.

2. З.Ю. Готра. Технология Микроэлектронных устройств. Справочник, М.: Радио и связь, 1991, 528 с.

3.А.И. Курносов, В.В. Юдин. Технология производства полупроводниковых проборов и интегральных микросхем.М.: Высшая школа, 1986, 368 с.

4. M.У., Микролитография, пер. с англ., M., 1990.


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

46623. Эмиль Антуан Бурдель 22.67 KB
  С их подчас неистовой экспрессией Памятник павшим в Монтобане бронза 1893 1902 отмечены дробностью ритмов объёмов усложнённостью общего построения. отличаются единством конструктивности и динамики контрастностью света и тени грубоватоэнергичной обработкой утрированнокрупных плотных форм активностью пространственного построения Геракл стреляющий из лука 1909 Пенелопа 1909 12 Сафо 1924 25 все бронза. Роден бронза 1909; А. Франс бронза 1919 Б.
46624. Методика знакомства с архитектурой как искусством на уроках изобразительного искусства 22.78 KB
  Учебная мотивация – частный вид мотивации включенный в учебную деятельность и определяющий потребность учащегося в получении знаний. Выделяют такие типы мотивации связанной с результатами учения как: мотивация которая условно может быть названа отрицательной. Косвенно об учебной мотивации свидетельствует уровень реальной успешности учебной деятельности. Зная тип мотивации учитель может создать условия для подкрепления соответствующей положительной мотивации.
46626. Основные понятия терминов «Энергосбережение», «энергосберегающая политика государства», «энергоэффективность» 22.93 KB
  Энергоэффективность – это количественная характеристика показатель предполагающий максимальное использование способности энергии совершать работу. Понятие энергии. Энергетические ресурсы – это материальные объекты в которых сосредоточен тот или иной вид энергии пригодной к экономически обоснованной для практического использования на данном этапе развития науки и техники. Топливноэнергетический комплекс Республики Беларусь включает системы добычи транспорта хранения производства и распределения основных видов энергоносителей: природного...
46627. Издательские портфели 23 KB
  не по заказу издательства но которые могут быть приняты к изданию. Состоит из произведений находящихся на разных стадиях производственного процесса до сдачи тиража в книготорговую сеть или поступления его на склад издательства. Портфельный запас обеспечивает нормальную работу издательства и планомерный выпуск книг. Портфельный запас обеспечивающий нормальную работу издательства и планомерный выпуск книг нормативный портфельный запас определяется путем умножения среднего объема однодневного выпуска в целом по издательству или по разделам...
46628. Сучасні лінгвістичні словники як основне джерело фахової та мовної інформації 23 KB
  Сучасні лінгвістичні словники як основне джерело фахової та мовної інформації. Особливу категорію складають лінгвістичні або філологічні словники. Залежно від того з якої точки зору воно розглядається лінгвістичні словники бувають різних типів: тлумачні словники перекладні словники термінологічні етимологічні словники орфографічні словники орфоепічні словники іншомовних історичні діалектологічні фразеологічні словники синонімічні частотні словники власних імен обернені або зворотні словники топонімічні словники. Лінгвістичні...
46629. Fairs and Exhibitions 23 KB
  Every year a lot of international, national and specialized exhibitions and fairs are held in different countries of the world. The number of countries and companies who take part in them is growing from year to year and the scope of fairs and exhibitions is becoming larger
46631. Устойчивость функционирования объектов экономики 23.45 KB
  На устойчивость работы объекта экономики в ЧС влияют: надежность защиты работающих от поражающих факторов; способность объекта противостоять в определенной степени поражающим факторам; защищенность объекта от вторичных поражающих факторов пожаров взрывов заражений СДЯВ затоплений; надежность системы снабжения всем необходимым для производства продукции сырьем топливом электроэнергией водой и т.; устойчивость и непрерывность управления производством; подготовленность объекта к ведению спасательных и неотложных...