19177

Основы теории спекания

Лекция

Энергетика

ЛЕКЦИЯ 12 Основы теории спекания Основой технологии получения керамического топлива для ядерных реакторов является спекание дисперсных порошков. Основная и важнейшая особенность дисперсного состояния заключается в том что значительная доля свободной энергии систе

Русский

2013-07-11

258.5 KB

23 чел.

ЛЕКЦИЯ 12

Основы теории спекания

Основой технологии получения керамического топлива для ядерных реакторов является спекание дисперсных порошков. Основная и важнейшая особенность дисперсного состояния заключается в том, что значительная доля свободной энергии системы сосредоточена в межфазных поверхностных слоях.

Избыток свободной энергии делает дисперсные системы термодинамически неустойчивыми. Для них характерны самопроизвольные процессы, снижающие этот избыток путем уменьшения дисперсности. При этом система, оставаясь неизменной по химическому составу, изменяет свои энергетические характеристики. К таким процессам относится спекание. С классической физико-химической точки зрения (“макроскопической”) спекание - это термически активируемый самопроизвольный или стимулируемый внешним воздействием переход системы контактирующих твердых частиц в термодинамически более устойчивое состояние за счет уменьшения свободной поверхностной энергии.

Искривление поверхности, капиллярное давление

Межфазные границы в дисперсных системах имеют, как правило, искривленную форму. Поэтому очень важно проследить характер изменений, происходящих в термодинамической системе при искривлении поверхности, ограничивающей ее.

Искривление поверхности изменяет свойства поверхностного слоя и приводит к так называемым капиллярным явлениям. Важнейшая особенность капиллярных явлений заключается в том, что давления в двух объемных фазах, разделенных искривленной поверхностью, оказываются различными в состоянии равновесия.

Для пояснения физического смысла этих явлений проведем качественное их рассмотрение на примере мыльного пузыря. Если в процессе выдувания пузыря открыть конец трубочки, то пузырь, находящийся на другом конце, начнет уменьшаться в размерах и втянется в трубку. Поскольку в этом обратном процессе воздух внутри пузыря сообщается с атмосферой, то для поддержания равновесного состояния давление изнутри должно быть больше внешнего. Если в этом опыте соединить трубку с манометром, то он зарегистрирует избыточное давление (Р) в объемной фазе газа с вогнутой стороны поверхности пузыря.

Найдем количественную зависимость между (Р) и кривизной поверхности. Рассмотрим две контактирующие фазы (1 и 2), разделенные искривленной поверхностью. В состоянии равновесия возможны вариации площади поверхности ds и объема dV без изменения числа молей dn в системе. Таким образом, в нашем случае dn=0.

В соответствии с уравнением Гельмгольца для рассматриваемой системы можно записать:

                                          ,                                (1)

где V1  и V2 — объемы двух фаз; Р1 и Р2 — давление;  — поверхностная энергия; S — площадь границы раздела фаз.

Исходя из очевидного равенства –dV1= dV2= dV, получаем:

                                                                    (2)

В рассматриваем случае dF = 0, так как система находится в равновесии.

Отсюда находим:

Предположим, что поверхность имеет сферическую форму, тогда:

                                                                                                           (3)

Выражение (3) называется уравнением Лапласа. В общем случае, для несферических поверхностей, уравнение Лапласа имеет следующий вид:

где R1, R2 — главные радиусы кривизны.

Разность P называют капиллярным или лапласовским давлением. Необходимо помнить, что независимо от агрегатного состояния фаз, давление со стороны вогнутой поверхности всегда больше, чем с выпуклой стороны.

Концентрация вакансий в кристалле

Свободная энергия кристалла, содержащего N атомов равна:

,

где Е0 — полная энергия кристалла; S — энтропия.

Предположим, что кристалл содержит n вакансий (пустые позиции в решетке). В этом случае, как известно из термодинамики, приращение энтропии пропорционально логарифму числа комбинаций в размещении n вакансий в N узлах решетки:

.

Используя приближенную формулу Стирлинга для факториала, получаем изменение свободной энергии кристалла, содержащего вакансии:

.

Наиболее вероятным состоянием системы является такое, при котором dF/dn = 0. Отсюда следует:

                                                      ,                                           (4)

Последнее означает, что наиболее вероятным состоянием кристалла является наличие некоторого количества вакансий, которое называют равновесной термодинамической концентрацией.

При наличии напряжений энергия, необходимая для образования вакансий уменьшается на величину , где — напряжение, — атомный объем. В этом случае концентрация вакансий в области действия напряжений равна:

.

Разложив экспоненту до второго члена, и заменив напряжение выражением (3), имеем:

                                               .                                                  (5)

Последнее означает, что вблизи искривленной поверхности концентрация вакансий возрастает обратно пропорционально ее кривизне.

Рис.1. Зерно под действием растягивающих напряжений

Рассмотрим образец с характерным размером d, к которому приложены растягивающие (сжимающие усилия). Расчетная схема представлена на рис.1. В области растягивающих напряжений энергия образования вакансий уменьшается на величину  , а в области сжимающих увеличивается на ту же величину. В таком случае между этими областями возникает градиент концентраций, равный:

При наличии градиента возникает поток вакансий от областей растяжения в область сжатия (поток атомов пойдет в противоположном направлении):

.

При увеличении (уменьшении) размера образца на одну атомную плоскость относительная деформация равна b/d. Переходя от относительной концентрации к содержанию вакансий в единице объема и, рассматривая область размером b, получим выражение для скорости пластической деформации :

                                              .                                                (6)

В последнем выражении Dv — коэффициент объемной диффузии, равный СD. Выражение получено с точностью до геометрического коэффициента А, учитывающего геометрию образца и диффузионный путь точечных дефектов. Важным следствием представленных выше соотношений является то, что вблизи искривленных поверхностей может установиться режим пластического течения, стремящийся  уменьшить эту кривизну. В реологии коэффициент в соотношении между скоростью пластического течения и напряжением называют вязкостью кристалла, так что = /.

Напряжения, действующие в области искривленных поверхностей, даются выражением (3). В таком случае скорость диффузионно-вязкого течения  можно записать:

.

Последнее означает, что скорость «заплывания» поры с уменьшением ее радиуса возрастает.

Начальная стадия спекания

После прессования таблетка представляет собой конгломерат из множества  частиц, контактирующих друг с другом по поверхности, линии или точке.

Рассмотрим задачу о слиянии двух сферических частиц радиусом R. После слияния образуется частица радиусом R0. Из равенства объемов частиц до и после спекания имеем:

.

Поверхность двух частиц равна 8R2, а поверхность частиц после слияния равна 422/3R. Отношение поверхностей до и после слияния частиц равно:

.

Таким образом,  при слиянии поверхность и энергия системы, уменьшаются. Это и является движущей силой процесса спекания. Геометрия спекающихся частиц показана на рис.2.

Рис.2. Геометрия контактирующих частиц

Механизмы, реализующие слияние частиц могут состоять в следующем:

  •  вязкое течение. Вследствие направленного движения атомов из объема крупинок к контактному перешейку увеличивается площадь контактного перешейка и сближаются центры крупинок;
  •  механизм объемной диффузии. Стоком избыточных вакансий, возникающих вблизи вогнутой поверхности перешейка, является выпуклая поверхность крупинок. В этом случае, в соответствии с направлением диффузионных потоков, рост площади контакта не сопровождается сближением центров;
  •  механизм объемной диффузии. Стоком избыточных вакансий является граница между крупинками  или дислокации, расположенные в объеме крупинок. Рост площади контакта в данном случае сопровождается сближением центров крупинок;
  •  механизм поверхностной диффузии. Перенос вещества осуществляется вследствие диффузии атомов по поверхности от выпуклых участков профиля поверхности контактирующих крупинок к вогнутым участкам. Рост контактного перешейка не сопровождается сближением центров;
  •  механизм переноса вещества через газовую фазу. Перенос вещества происходит под влиянием разности равновесных давлений пара вблизи вогнутых и выпуклых участков профиля контактирующих крупинок. Скорость процесса, не сопровождающегося сближением центров крупинок, определяется коэффициентом диффузии в газовой фазе;
  •  механизм граничной диффузии. Перенос вещества к перешейку осуществляется механизмом диффузии вдоль границы, разделяющей контактирующие крупинки. Процесс сопровождается сближением их центров.

Следует обратить внимание на то, что сближение центров при переносе, массы перечисленными непороговыми механизмами наблюдается лишь при условии, если сток перемещающихся атомов расположен в объеме соприкасающихся крупинок, а не на их поверхности.

Теоретический анализ некоторых представленных выше механизмов приводит к закономерностям, указанным в табл.1.

Таблица 1

Закономерности спекания на начальной стадии

Следует отметить, что не все механизмы слияния частиц приводят к объемной усадке.


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

3842. Перевірка основного рівняння динаміки обертального руху за допомогою маятника Обербека 159 KB
  Перевірка основного рівняння динаміки обертального руху за допомогою маятника Обербека Мета роботи: Експериментальна перевірка основного рівняння динаміки обертального руху. Ознайомлення на дослідах з поняттями момент інерції, кутове прискорення, но...
3843. Принцип действия полупроводникового транзистора 121 KB
  Цель работы: ознакомиться с принципом действия полупроводникового транзистора. Задача: получить выходные характеристики транзистора по напряжению в схеме с общей базой, рассчитать коэффициент усиления транзистора по напряжению. Приборы и прин...
3844. ИЗУЧЕНИЕ МАЯТНИКА МАКСВЕЛЛА 62.5 KB
  ИЗУЧЕНИЕ МАЯТНИКА МАКСВЕЛЛА Цель работы: определение момента инерции маятника Максвелла. Краткая теория. Маятником Максвелла называют однородный диск с валом (тонким стержнем кругового сечения), проходящим через центр масс диска перпендикулярно его ...
3845. Закон сохранения момента импульса 159 KB
  Закон сохранения момента импульса. Закон сохранения момента импульса. Гироскоп. Работа и кинетическая энергия при вращательном движении. Закон сохранения момента импульса. Согласно основному уравнению динамики вращательного движени...
3846. Определение отношения удельных теплоемкостей воздуха методом адиабатного расширения 190.5 KB
  Определение отношения удельных теплоемкостей воздуха методом адиабатного расширения Приборы и принадлежности Закрытый стеклянный баллон с краном, манометр, насос рис. 1 Теория работы и описание прибора Для вещества в любом агрегатном состоянии харак...
3847. Определение коэффициента вязкости жидкости методов стокса 207.5 KB
  Определение коэффициента вязкости жидкости методов стокса Приборы и принадлежности: Стеклянный цилиндр с исследуемой жидкостью, шарики малого диаметра, микрометр, секундомер, пинцет, масштабная линейка. Теория работы и описание приборов При движении...
3848. Исследование характеристика приборов и назначения шунтов и дополнительных сопротивлений к приборам 185.5 KB
  Цель работы: Приобрести навыки в чтении технических характеристик приборов, понять назначении шунтов и дополнительных сопротивлений к приборам, научится их рассчитывать. Приборы и принадлежности: Исследуемый электроизмерительный прибор (V-A), контро...
3849. Абсолютна та відносна похибка 78.27 KB
  Абсолютна та відносна похибка. Мета роботи: вивчити і засвоїти поняття абсолютної й відносної похибки та методи їх оцінювання. Короткі теоретичні відомості. Зв'язок між кількістю точних десяткових знаків і відносною похибкою наближеного числа дається у наведеній далі теоремі.
3850. Розв’язування системи нелінійних алгебраїчних рівнянь методом простої ітерації (методом Ньютона) 63 KB
  Розв’язування системи нелінійних алгебраїчних рівнянь методом простої ітерації (методом Ньютона) Мета роботи: вивчити і засвоїти метод простої ітерації. Короткі теоретичні відомості Метод простої ітерації для розв’язування системи двох нел...