19195

Расчет коэффициента распыления в модели Зигмунда. Эмпирические формулы расчета коэффициента распыления

Лекция

Производство и промышленные технологии

Лекция 7 Расчет коэффициента распыления в модели Зигмунда. Эмпирические формулы расчета коэффициента распыления. Энергетическое и угловое распределение распыленных частиц. Ионное травление. Расчет скорости ионного травления. Профиль ионной имплантации при учете расп

Русский

2013-07-11

167 KB

53 чел.

Лекция 7

Расчет коэффициента распыления в модели Зигмунда. Эмпирические формулы расчета коэффициента распыления. Энергетическое и угловое распределение распыленных частиц. Ионное травление. Расчет скорости ионного травления. Профиль ионной имплантации при учете распыления.

При упругом рассеянии ионов пучка на атомах облучаемого образца, последние приобретают энергию отдачи 4Ecos2/(1+)2, где Е – энергия иона перед процессом рассеяния. При Е ~ кэВ энергия отдачи практически всегда будет превышать энергию связи атома в твердом теле Ed, т.е. атом будет выбит из своего положения равновесия и начнет двигаться. Подобные атомы называют первично выбитые атомы (ПВА). Некоторые из ПВА при последующем упругом рассеянии на атомах образца способны передать атомам энергию, также превышающую энергию связи, при этом образуются т.н. вторично выбитые атомы, некоторые из которых также смогут выбить из положения равновесия атомы твердого тела. Подобный процесс инициированный одним ионом носит название каскад смещений. Очевидно, что так как углы отдачи могут иметь различные значения, то часть выбитых атомов будет иметь направление вектора скорости к поверхности твердого тела и в случае, если их энергия при подходе к поверхности будет больше энергии связи на поверхности (энергии сублимации) Es, которая не превышает нескольких эВ, то результатом каскада смещений будут атомы, вылетевшие из твердого тела. Такие атомы называют распыленными атомами, а сам процесс выбивания атомов – распыление. В рассматриваемом случае это ионное распыление. При соответствующих энергиях частиц пучка возможно электронное и нейтронное распыление. Эффект ионного распыления впервые был обнаружен в 1864 г. в газоразрядных трубках, на стеклянных стенках которых осаждался материал катода, поэтому иногда употребляется термин катодное распыление.

Основной характеристикой процесса распыления является коэффициент распыления Y, который по определению есть

где N0+ – число ионов первичного пучка, попавших на образец за время облучения, Nрасп – число атомов, распыленных (выбитых) из образца в результате облучения.

Если каскад смещений успевает релаксировать до времени прихода в образец следующего иона пучка, то мы имеем дело с режимом ионного облучения, отвечающим линейным каскадам смещений. В этом режиме в области каскада концентрация атомов, выбитых из положений равновесия невелика, и преобладают столкновения движущихся атомов с неподвижными. Для ионов больших масс (М1  100) характерен режим нелинейных каскадов (тепловых пиков). В этом случае концентрация выбитых атомов велика и большинство атомов внутри некоторого объема (объема теплового пика) находится в движении.

Расчет коэффициента распыления при облучении образца по нормали к поверхности в наиболее часто реализуемом режиме линейных каскадов может быть выполнен в рамках модели, предложенной датским физиком Зикмундом, основные положения которой следующие.

  1.  Средний пробег иона в твердом теле от одного столкновения с атомом до другого l = n01/3.
  2.  Столкновения иона происходят с каждым атомом М2 по ходу движения иона, поэтому переданная атому энергия E2  (dE/dl)n = Sn(E)n0 / n01/3 = Sn(E)n02/3.
  3.  Число выбитых из положения равновесия атомов в одном каскаде nсм = Е2/2Ed.
  4.  Направление движения выбитых атомов – изотропно, поэтому к поверхности движется nсм /3 атомов.

В этих предположениях

.

Вылететь из образца в основном могут лишь атомы, образовавшиеся в линейных каскадах, развивавшихся вблизи поверхности, поэтому в качестве Е естественно взять энергию ионов в пучке Е0. Так как n0  51022 ат/см3, то n02/3  1,41015 и коэффициент распыления

.

Если более точно учесть направление движения атомов в каскаде, зависящее от отношения масс f(М2/М1) и ввести Es = Ed/2, то получится формула Зикмунда

.

Видно, что в рамках данной модели расчет коэффициента распыления будет корректен для тяжелых ионов (Ar, Ne) с Е0 = 5-10 кэВ и некорректен для ионов водорода и гелия с Е0 > 1 кэВ, так как для этих ионов преобладают электронные потери, которые необходимо учесть.

Это сделано в полуэмпирической формуле Матсунами, учитывающей экспериментальные значения коэффициента распыления для разных ионов разных энергий и материалов образца

(7.1)

где

se(0) – приведенная электронная тормозная способность при энергии Линдхарда, соответствующей энергии Е0.

Так как основной вклад в зависимость Y(E0) вносит зависимость Sn(E0), то коэффициент распыления для любых пар ион/образец имеет максимум при энергии иона, которая соответствует максимальному значению ядерной тормозной способности для данной пары ион/образец.

Значения Y для большинства пар ион/образец 15 (кроме М1  100, когда реализуется режим нелинейных каскадов). Для легких ионов (водород, гелий) Y ~ 10-2 10-1.

Энергетический спектр распыленных атомов слабо зависит от E0 и соотношения М2/М1. На рис. 7.1 для примера приведен энергетический спектр dNрасп /dE при облучении медного образца ионами аргона с энергией 10 кэВ. Видно, что максимум спектра имеет место при энергии распыленных атомов ~ 10 эВ, что характерно и для других пар ион/образец. Абсолютные значения dNрасп /dE, естественно, зависят как от энергии бомбардирующих ионов, так и от М2/М1, так как коэффициент распыления зависит от E0 и М2/М1.

В случае облучения образца по нормали к поверхности угловое распределение распыленных атомов примерно следует закону косинуса dNрасп/d = N*cos, где – угол между направлением нормали к поверхности образца и направлением вылета распыленных атомов (рис. 7.2); по азимутальному углу вылет изотропен. При таком угловом распределении и известном количестве распыленных атомов нормировочная константа определяется из следующего выражения

и, следовательно, угловое распределение распыленных атомов при бомбардировке образца по нормали к поверхности имеет вид

(7.2)

Если телесный угол сбора распыленных атомов , то в него попадет Nрасп = (Nраспcos/) атомов.

В случае наклонного облучения образца, можно считать, что количество распыленных атомов пропорционально траектории бомбардирующего иона и выходят (распыляются) из образца лишь атомы, выбитые из положения равновесия на расстояниях от поверхности не больших d. Тогда, если Nрасп (0) – количество распыленных атомов при бомбардировке по нормали к поверхности, а Nрасп () – количество распыленных атомов при бомбардировке под углом к нормали – рис. 7.3, то Nрасп ()/Nрасп (0)  R0/d = (d /cos)/d = 1/cos и, следовательно, коэффициент распыления при наклонной бомбардировке

(7.3)

Это выражение, как показывает эксперимент, справедливо для углов   75о.

Эффект распыления лежит в основе ионного травления образца. Пусть ионный пучок с плотностью тока j0 облучает на образце поверхность площадью А. Если коэффициент распыления материала образца Y, то за время облучения t из образца будет удалено в результате распыления число атомов Nрас = Yj0At. Пусть это количество атомов соответствует удаленной толщине h – рис.7.4. Тогда распыленный объем будет Vрас = Ah. Если атомная концентрация образца n0, то в этом объеме содержится N = n0Ah атомов. Так как Nрас = N, то Yj0At = n0Ah и для скорости ионного травления получаем следующее выражение

.    (7.4)

Если образец моноатомный с известной плотностью , то n0 = NА/М2 и скорость ионного травления может быть записана в виде

(7.5)

где j0 в мА/см2, в г/см3.

Обычно ионное травление осуществляют с помощью ионов аргона с энергией 5-10 кэВ, так как именно при таких энергиях ядерная тормозная способность для большинства материалов мишени имеет максимальное значение, соответственно коэффициент распыления также максимален.

Например, при травлении меди ( = 8,93 г/см3) ионами аргона с энергией 5 кэВ (Y = 5,5) и плотностью ионного тока 1 мА/см2 скорость ионного травления vs = 40Å/с и, таким образом, за 1 час можно удалить слой толщиной ~ 15 мкм.

В случае полиатомных образцов для расчета коэффициента распыления можно использовать метод среднего атомного номера, подробно рассмотренный в Лекции 5.

Процесс распыления, когда коэффициент распыления Y  1 и флюенс облучения F достаточно велик, вносит существенные коррективы в профиль имплантации. Покажем это применительно к случаю, когда распределение имплантированных ионов без учета распыления можно считать Гауссовым. Кроме того, введем следующие упрощающие рассмотрение предположения:

  •  скорость распыления одинакова как для атомов материала образца, так и для имплантированных атомов;
  •  изменением объема, вызванным имплантацией, можно пренебречь.

Если вследствие распыления происходит унос вещества с поверхности, то в процессе имплантации начало координат сдвигается со скоростью vs. Поэтому профиль концентрации имплантированных ионов после времени облучения t имеет вид

.

Воспользуемся свойствами функции ошибок, известной из теории вероятностей

Сделаем замену переменной Rp = u, тогда ; при   и при  имеем . Тогда

.

Так как j0/vs = n0/Y, F = j0t, то vst = YF/n0 и окончательно профиль концентрации имплантированных ионов с учетом распыления

(7.6)

При времени облучения t   флюенс облучения F  , а так как erf() = 1, то при неограниченном увеличении времени облучения концентрация перестает зависеть от флюенса облучения и приобретает вид

   (7.7)

На рис. 7.5 приведена зависимость (7.7), нормированная на атомную концентрацию материала образца при облучении ниобия ионами аргона с энергией 5 кэВ (Y = 1,5; Rp = 49 Å, Rp = 39 Å). Из приведенной зависимости видно, что максимальная концентрация имплантированных ионов достигается на поверхности образца.

N

Рис. 7.1

10 30 50       Е, эВ

dNрасп /dЕ

,

= Nрасп /N0+,

n/n0

 1

 10-2

 10-4

0            100            200, Å

.

 [Å/с],

Рис.7.4

h

A

j0

Рис. 7.5

N0+

.

 [атом/ср].

Рис. 7.2

R0

d

Рис.7.3

N


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

44883. Вторая половина ХХ века с 60-х гг. 20 века 14.64 KB
  Построение европейской зоны высшего образования как ключевого направления развития мобильности граждан с возможностью трудоустройства. Обеспечение конкурентоспособности европейских вузов с другими системами образования в борьбе за студентов деньги влияние. Достижение большей совместимости и сравнимости национальных систем высшего образования.Повышение качества образования.
44885. Веберовская категория “идеального типа”, возможности ее применения в социологическом анализе 15.49 KB
  Веберовская категория идеального типа возможности ее применения в социологическом анализе. Вебер использует понятие идеального типа. Вебер предполагал что социологи отбирают в качестве характеристик идеального типа определенные аспекты поведения или институтов которые доступны для наблюдения в реальном мире и преувеличивают их до форм логически понятной интеллектуальной конструкции. Например конкретные бюрократические организации могут не совпадать в точности с элементами идеального типа бюрократии однако знание этого идеального...
44886. Решения по результатам диагностики 26.3 KB
  Решения по результатам диагностики Техническая оценка участков трубопровода должна включать в себя следующие этапы: анализ информации содержащейся в техническом паспорте и банке данных; техническое обследование участка анализ результатов; определение степени опасности дефектов; оценка общего напряженнодеформированного состояния участка и его отдельных мест; оценка работоспособности участка; принятие решений о дальнейшей эксплуатации или ремонте и о технических мероприятиях по восстановлению несущей способности участка. На...
44887. Gesunde Ernährung im Job fällt vielen schwer 25.5 KB
  Den meisten bleibt bei der rbeit schlicht keine Zeit in Ruhe zu essen ht eine Umfrge ergeben. Die Kntine ht ml wieder Nudeln mit Tomtensoße der nächste Imbiss ist ein Döner und Zeit fürs Essen bleibt sowieso kum der Chef drängt schon mit dem nächsten Projekt. So oder so ähnlich geht es vielen Berufstätigen in Deutschlnd.
44888. Политическая жизнь Англии 40.5 KB
  Лидер консерваторо вБенджамин Дизраэли слыл одним из самых ловких политиков страны. внес в парламент законопроект о расширении избирательного права Дизраэли будучи в оппозиции провалил его. Несмотря на большие заслуги Дизраэли перед страной кичливые ториаристократы долгое время не признавали его считая выскочкой Дизраэли происходил из еврейской семьи принявшей христианство. Но по мере укрепления партии авторитет Дизраэли возрастал в 1876 г.
44889. «Гнездо» Аксаковых. Творческий путь С.Т. Аксакова, место и значение его творчества в истории русской литературы 29 KB
  Гнездо Аксаковых. Аксакова место и значение его творчества в истории русской литературы. Аксаков Сергей Тимофеевич 17911859 его сыновья: Константин 18171860 Иван 18231886. Аксаков родился в Уфе в старинной дворянской семье отец чиновник мать дочь наместника.
44890. Новое время. Европа в начале нового времени 14.19 KB
  Новое время неразрывно связывается с утверждением буржуазным индустриальным прогрессомâ. В последнее время многие историки склоняются к мнению что нельзя искусственно отрывать от буржуазной цивилизации такие явления как великие географические открытия реформация и гуманизм научная революция которые дали толчок к зарождению буржуазии.: ранее новое время когда капитализм только зарождался и существовал в виде одного из укладов жизни.
44891. Методика формирования и развития системы понятий о химическом элементе 23.19 KB
  Цель изучения химических производств показать учащимся как достижения науки используются для практических нужд отразить роль науки как движущей силы производства и прогресса. Изучение химических производств позволяет существенно усилить экологическую сторону обучения химии раскрыть возможность реализации и требований экологической безопасности при грамотной организации производства что является важной воспитательной задачей курса химии средней школы. Структура системы понятий об основах химического производства. На этом основании можно...