19217

Вторичная электронная эмиссия полупроводников и диэлектриков. Эффективные эмиттеры вторичных электронов

Лекция

Физика

Лекция № 13. Вторичная электронная эмиссия полупроводников и диэлектриков. Эффективные эмиттеры вторичных электронов. Электронные умножители. Вторичная ионноэлектронная эмиссия. Потенциальная и кинетическая эмиссия их физический механизм. Закономерности ионноэлек

Русский

2013-07-11

336.5 KB

35 чел.

Лекция № 13.

Вторичная электронная эмиссия полупроводников и диэлектриков. Эффективные эмиттеры вторичных электронов. Электронные умножители. Вторичная ионно-электронная эмиссия. Потенциальная и кинетическая эмиссия, их физический механизм. Закономерности ионно-электронной эмиссии.

§ 13.1. Вторичная электронная эмиссия полупроводников и диэлектриков.

Эффективные эмиттеры вторичных электронов – это не металлы, а полупроводники.

Если сравнивать суммарный коэффициент вторичной электронной эмиссии для металлов, диэлектриков и полупроводников, то окажется, что для диэлектриков он больше, чем для металлов, а для полупроводников больше, чем для диэлектриков, правда, максимум  сдвигается для полупроводников в область больших энергий первичных электронов.

Кроме этого, коэффициент вторичной электронной эмиссии диэлектриков и полупроводников, в отличие от металлов, имеет:

- температурную зависимость:  

- зависимость от внешнего поля:

- зависимость от :.

Кроме этого, существенной особенностью является то, что максимум энергетического распределения истинных вторичных электронов из полупроводников

приходится на низкоэнергетическую область в диапазоне эВ вместо ~10 эВ для металлов.

Существенно большие коэффициенты вторичной электронной эмиссии для диэлектриков и полупроводников объясняются тем, что образовавшиеся в толщине вторичные электроны практически не встречают сопротивления со стороны электронов проводимости, поэтому вторичные электроны эмитируемые полупроводниками, более низкоэнергетичны, чем из металлов. Ширина запрещенной зоны полупроводника 1 эВ. В металлах, с одной стороны, ширина запрещенной зоны много больше эВ, но вторичные электроны, в отличие от вторичных электронов в полупроводниках, при движении к поверхности, сталкиваясь с атомами решетки, не ионизируют их (из-за той же большой ширины запрещенной зоны), а упруго отражаются от них, практически не теряя энергию. Очень важным отличием во вторичной электронной эмиссии диэлектриков и полупроводников является то, что их поверхность при  заряжается отрицательно, а при  -положительно.

Т.о. меняя энергию первичных электронов, можно менять заряд поверхности. Это явление следует учитывать, если в электровакуумных приборах электроны попадают на диэлектрик, вызывая его электролизацию. Хотя это иногда играет и положительную роль.  

Например, электролизация стенок трубок удерживает тлеющий разряд, заставляя его повторять геометрию трубок, что широко используется, например, в рекламных огнях. Для сложных оксидных эмиттеров, использующихся для вторичной электронной эмиссии, например, кислородно-магниевый, применима несколько иная зависимость коэффициента вторичной электронной эмиссии от энергии первичных , где постоянные  можно выразить через табличные значения и , действительно:

дает значение , а .

Вторичная электронно-электронная эмиссия слоя полупроводника или диэлектрика на металлической подлолжнке.

Пусть сопротивление слоя , тогда на нем возникнет разность потенциалов . Коэффициент вторичной электронной эмиссии зависит от энергии первичных электронов, т.е. от . Если начальное таково, что , то , то  и . Поверхность будет заряжена «+»,

получается положительная обратная связь, пока  не станет больше  , при  при , пока не достигнет . Тогда накопление заряда «+» закончится при .  измени знак и станет >0 ,  будет .

Т.о. точка В – устойчивая точка, при этом . Если , то , поверхность заряжается отрицательно. ,  - отрицательная обратная связь приведет к  - потенциал на поверхности будет равен потенциалу на катоде, это будет тоже устойчивый режим.

Аномальная вторичная эмиссия. Эффект Молтера.

Молтер в 1936г. обнаружил очень большую вторичную электронную эмиссию  с алюминия ,покрытого тонкой пленкой окисла , обработанного парами . Пленка толщиной не более 1 мкм. Эффект Молтера имеет большую инерционность – секунды по сравнению с безинерционной обычной вторичной электронной эмиссией (сек).

Толщина пленки не должна быть >1мкм , этот факт позволил самому Молтеру объяснить эффект. Вторичная электронная эмиссия алюминия приводит к положительному заряду на поверхности. Возникает очень сильное электрическое поле . Начинается интенсивная автоэлектронная эмиссия из металла.

Электронные умножители.

С электрической и геометрической фокусировкой, использующей обратную связь

С магнитной фокусировкой

«Жалюзи» Векшипекио

Вторичная ионно-электронная эмиссия.

Испускание электронов твердым телом при бомбардировании его ионами называется ионно-электронной эмиссией. Ионно-электронная эмиссия характеризуется коэффициентом , где - число эмитированных электронов, - число ионов, упавших на ту же поверхность за то же время. Различают потенциальную и кинетическую ионно-электронную эмиссию. Потенциальная ионно-электронная эмиссия характеризуется коэффициентов и связана с передачей электронам тела мишени энергии, выделяющейся при нейтрализации пришедшего на мишень иона. Кинетическая ионно-электронная эмиссия, характеризуемая коэффициентом , связана с передачей электронам тела мишени кинетической энергии иона. При ионной бомбардировке обычно идут оба процесса. При подлете ионов к поверхности сначала происходит их нейтрализация и, соответственно, потенциальная ионно-электронная эмиссия. Затем при соударении атомов с мишенью возникают электроны кинетической ионно-электронной эмиссии, поэтому .

Потенциальная ионно-электронная эмиссия.

Потенциальная ионно-электронная эмиссия была открыта голландским физиком Пеннингом в 1928г. При исследовании зависимости ионно-электронной эмиссии металлических мишеней от энергии падающих ионов он обнаружил, что эмиссия остается и при очень малых, практически нулевых, энергиях ионов. Из этого он сделал вывод, что эмиссия электронов не связана с кинетической энергией ионов.

В экспериментах было выяснено, что потенциальная ионно-электронная эмиссия происходит только для ионов, потенциал ионизации которых в два раза больше работы выхода материала эмиттера : . Это находит объяснение в процессе оже-нейтрализации иона.Приближаясь к поверхности металла, ион изменяет своим полем поверхностный потенциальный барьер, понижая его. Один электрон, имея в металле энергию , совершит туннельный переход и нейтрализует ион (см. рис.).

При этом выделенная энергия  может быть передана второму электрону, имеющему в металле энергию. Для того, чтобы второй электрон вышел из металла, его кинетическая энергия должна быть больше нуля: . С учетом того, что при низких температурах иниже уровня Ферми, т.е. , , то . Опыт показывает, что коэффициент растет линейно с увеличением разности для различных пар ион-мишень. Для чистых поверхностей эту зависимость можно описать эмпирической формулой:[эВ]. Например, для , для , для . Коэффициент тем больше, чем больше заряд иона (кратность ионизации): . В случае многозарядности ионов захват электронов ионом происходит последовательно со ступенчатым понижением заряда иона. При этом может превысить 1. При невысоких энергиях ионов (кэВ), если поверхность мишени достаточно чистая, слабо зависит от энергии падающих ионов (немного уменьшается сростом ). При больших энергиях коэффициент снижается до нуля. При большой величине разности , где - температура поверхности, коэффициент не зависит от температуры поверхности мишени. При малой разности  термическое увеличение энергии электронов повышает вероятность эмиссии, растет с увеличением , при этом эмиссия возможна и при . Для некоторых пар ион-мишень (например, ) возможна нейтрализация ионов не в основное, а в возбужденное состояние. В этом случае эмиссия электронов осуществляется путем оже-дезактивизации. Энергия, выделяющаяся при переходе второго электрона в основное состояние передается электрону 1, оказавшемуся на возбужденном уровне. Получив эту энергию, электрон с возбужденного уровня покидает металл. При этом условие появления эмиссии: , где - энергия возбужденного атома. Форма энергетического спектра эмитируемых  

электронов имеет максимум около значения для оже-дезактивизации. Ионно-электронная эмиссия существует и для диэлектрических мишеней и полупроводников. Соотношение на эмиссию электронов при этом заменяется следующим: , где - ширина запрещенной зоны, а - сродство электрона к эмиттеру.

Кинетическая ионно-электронная эмиссия.

При высоких энергиях падающих ионов кинетическая ионно-электронная эмиссия преобладает над потенциальной. Экспериментально было обнаружено, что существует пороговое значение энергии ионов кэВ, меньше которого коэффициент эмиссии металлов , для диэлектриков кэВ. В припороговой области энергий ионов (1.5кэВ10кэВ) коэффициент эмиссии пропорционален энергии: , где . Для чистых металлов . При более высоких энергиях , затем выходит на плато и далее уменьшается. Например, при бомбардировке ионами поверхность из вольфрама максимум эмиссии наблюдается для =100кэВ (). При облучении монокристаллов коэффициент зависит от угла падения ионов на поверхность, т.к.  различны для разных граней. Причем эта зависимость носит периодический характер. Распределение эмитированных электронов по энергиям имеет максимум в диапазонеэВ и затем протяженный склад, на котором выделяются пики, связанные с оже-переходами. По положению этих пиков можно анализировать состав поверхности, на этом основана ионная оже-спектроскопия. Современные представления и кинетической ионно-электронной эмиссии (модель Парилиса, Петрова, Кишиневского) основываются на двухэтажности процесса. На первом этапе кинетическая энергия иона передается электронной системе метала с образованием «дырок» (получая энергию, электроны атомов совершают межзонный переход в зону проводимости, образуя дырки). На втором этапе происходит рекомбинация дырки и электрона проводимости металла с передачей выделяющейся энергии за счет оже-процесса другому электрону проводимости, который эмитируется из металла мишени. Таким образом, второй этап кинетической ионно-электронной эмиссии близок по природе потенциальной эмиссии.

Следует учитывать, что разогревание поверхности мишени интенсивным ионным пучком может приводить к появлению термоэлектронной эмиссии, а в случае мишени из диэлектрика зарядка поверхности может привести к автоэлектронной эмиссии.

2

0

-

-

1

2

0

+

-

-

катод

С электрической фокусировкой

+

-

1 мкм

+

+

+

+

1

A

B

К

-

-

-

+

+

+

стекло

10

9

5

3

1

эВ

(кислородно-цезиевый оксидный катод)

500

1000

2000

3000


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

30806. Устройство рабочих швов 13.91 KB
  В изгибаемых конструкциях рабочие швы располагают в местах с наименьшим влиянием на прочность конструкции. В колоннах швы устраивают на уровне верха фундамента у низа прогонов балок или подкрановых консолей; в колоннах безбалочных перекрытий у низа или верха вута в рамах между стойкой и ригелем. При подготовке к очередному бетонированию швы обрабатывают через 8.
30807. Уход за бетоном в процессе твердения. Распалубливание конструкций 16.32 KB
  Открытую поверхность бетона прежде всего предохраняют от вредного воздействия прямых солнечных лучей ветра и дождя. Если поверхность бетона предварительно была укрыта влагоемкими материалами брезентом матами песком и др. В жарком сухом климате если не обеспечить благоприятных температурновлажностных условий твердения прочность бетона снижается на 15. В начальный период ухода за бетоном не следует обильной поливкой сразу после укладки нарушать структуру твердеющего бетона.
30808. Бетонирование массивов и фундаментов 14.03 KB
  В фундаменты и массивы в зависимости от объема заглубления высоты и других особенностей бетонную смесь укладывают по следующим технологическим схемам: с разгрузкой смеси из транспортного прибора непосредственно в опалубку с передвижного моста или эстакады с помощью вибропитателей и виброжелобов бетоноукладчиков бетононасосов бадьями с помощью кранов. В ступенчатые фундаменты с общей высотой до 3 м и площадью нижней ступени до 6 м2 смесь подают через верхний край опалубки предусматривая меры против смещения анкерных болтов и закладных...
30809. Бетонирование полов 15.33 KB
  Для осуществления процесса укладки плиты разбивают на карты. Если толщина плит меньше 05 м то разбивку на карты и укладку бетона ведут в таком порядке: Площадь делят на картыполосы по 34м Устанавливают по краям полос маячные доски. При большей толщине плиты разбивают на параллельные карты шириной 5. Карты бетонируют подряд т.
30810. Сетевые и локальные СУБД 12.74 KB
  Существенной проблемой СУБД такого типа является синхронизация копий данных именно поэтому для решения задач требующих совместной работы нескольких пользователей локальные СУБД фактически не используются. К сетевым относятся файлсерверные клиентсерверные и распределенные СУБД. В файлсерверных СУБД все данные обычно размещаются в одном или нескольких каталогах достаточно мощной машины специально выделенной для этих целей и постоянно подключенной к сети.
30811. Процес нормализации баз данных 16.04 KB
  Например задано следующее отношение: ПРЕДМЕТ Код предмета. Переведем атрибут с повторяющимися значениями в новую сущность назначим ей первичный ключ Код преподавателя и свяжем с исходной сущностью ссылкой на ее первичный ключ Код предмета. В результате получим две сущности причем во вторую сущность добавятся характеризующие ее атрибуты: ПРЕДМЕТ Код предмета. Название Цикл Объем часов; ПРЕПОДАВАТЕЛЬ Код преподавателя ФИО Должность Оклад Адрес Код предмета.
30812. ПОТОКИ И ПРОЦЕССЫ 13.25 KB
  Процесс обеспечивает программу всем что ей нужно для работы включая один поток. Этот стандартный поток основной поток используется для выполнения кода программы. Основной поток типичного процесса начинает работу с точки входа и продолжает выполняться в соответствии со всеми циклами условными операторами и вызовами функций. Основной поток завершается вместе с завершением процесса.
30813. Гонки и тупики 11.15 KB
  Пусть Поток 1 получил доступ к ресурсу и изменил его в своих интересах; затем активизировался Поток 2 и модифицировал этот же ресурс до завершения Потока 1. Поток 1 полагает что ресурс остался в том же состоянии что и был до переключения. Тупики имеют место тогда когда поток ожидает ресурс который в данный момент принадлежит другому потоку.
30814. Создание таблиц для базы 18.26 KB
  Создание таблиц для базы Важным моментом при создании базы данных является распределение информации между полями записи. Очевидно что информация может быть распределена между полями различным образом. После того как определены поля записи необходимо выполнить распределение полей по таблицам. В простой базе данных все поля можно разместить в одной таблице.