19218

Поверхностная ионизация. Формула Саха-Ленгмюра. Температурная зависимость плотности тока положительной ионизации

Лекция

Физика

Лекция № 14. Поверхностная ионизация. Формула СахаЛенгмюра. Температурная зависимость плотности тока положительной ионизации. Термодинамичсекий вывод формулы СахаЛенгмюра. Термодинамичсекий вывод формулы СахаЛенгмюра. Отрицательная поверхностная ионизация. XIV...

Русский

2013-07-11

217 KB

46 чел.

Лекция № 14.

Поверхностная ионизация. Формула Саха-Ленгмюра. Температурная зависимость плотности тока положительной ионизации. Термодинамичсекий вывод формулы Саха-Ленгмюра. Термодинамичсекий вывод формулы Саха-Ленгмюра. Отрицательная поверхностная ионизация.

XIV. Поверхностная  ионизация

При попадании потока атомов или молекул на поверхность нагретого до высокой температуры металла некоторая их часть покинет поверхность в виде тех же нейтральных частиц, но будет некоторое количество покидающих поверхность в виде положительных или отрицательных ионов. Явление ионизации на поверхности раскаленного металла получило название поверхностной ионизации – положительной и отрицательной соответственно. Впервые положительную поверхностную ионизацию атомов на вольфраме наблюдали в 1923г. Ленгмюр и Кингдон. Поверхностная ионизация отличается от неравновесных процессов эмиссии ионов с поверхности, вызванных воздействием быстрых нейтральных частиц (нейтрал-ионнная эмиссия), электронов (электрон-ионная эмиссия), фотонов (фотодесорбция ионов) тем, что адсорбированные на поверхности из газовой фазы атомы (адатомы) приходят к термическому равновесию с металлом, так что испарение происходит за счет теплового возбуждения. Поверхностная ионизация характеризуется двумя параметрами: - степень ионизации, - коэффициент ионизации, где и - плотности потока испаряющихся частиц в виде ионов и атомов соответственно, в стационаре , где - плотность потока падающих частиц. Из кинетической теории газов , где и - давление и температура газа, - плотность частиц. Степень поверхностной ионизации определяется формулой Саха-Ленгмюра: , где - отношение статистических весов ионного и атомного состояния ионизующихся частиц, - работа выхода металла, на котором происходит ионизация атомов, - потенциал ионизации.

Температурная зависимость плотности тока положительной ионизации.

С целью проверки формулы Саха-Ленгмюра многими исследователями экспериментально изучалась температурная зависимость плотности ионного тока.

Если и , это соответствует легко ионизуемым элементам (например, на ).

не зависит от температуры.

Если и (например, на ), при росте  уменьшается, следовательно, и

При  (например, на ), , , . С ростом  .

 

Термодинамичсекий вывод формулы Саха-Ленгмюра.

Рассмотрим систему газ-металл в равновесии, т.е. потоки частиц (ионов, атомов, электронов) на стенку и со стенки равны, и температура газа и металла равна . Запишем равенство потоков электронов. Плотность приходящего потока электронов , где - средняя скорость электронов в газе, - средний коэффициент отражения от стенки, - плотность электронов.

Плотность уходящего потока электронов равна плотности тока термоэмиссии: , где - универсальная постоянная Ричардсона, потому что эмиссия частиц возникает не в результате действия падающих на стенку частиц, а в результате теплового возбуждения на поверхности разогретого металла. Приравниваем , получим . Используя известное в термодинамике выражение для константы равновесия процесса : , и подставляя в него выражение для , получим: , .

Учитывая равенство масс и средних скоростей атомов и ионов, получим: .

Данное соотношение выполняется только в непосредственной близи около поверхности, при удалении от поверхности на расстояние большее нескольких радиусов Дебая устанавливается равенство .

Экспериментальная проверка этих зависимостей подтвердила верность соотношения Саха-Ленгмюра.

Статистический вывод формулы Саха-Ленгмюра.

Согласно теории Зоммерфельда электроны в металле находятся в потенциальной яме глубины , валентный электрон адсорбированного атома (адатома) так же находится в потенциальной яме. Ширина потенциального барьера на границе металл-адатом конечного размера, и электроны металла и адатомов за счет туннельного эффекта могут преодолевать его, при этом адатом может находиться на поверхности не только в нейтральном состоянии, но и в состоянии частичной ионизации. Адатом и металл образуют единую систему, их электроны принадлежат всей системе в целом, так что электронные облака распределяются как в объеме металла, так и в объеме адатома. Таким образом, энергетический уровень валентно электрона  расплывается и изменяется, так что энергия наиболее вероятного нахождения электронов в адатоме отличается от  и лежит немного выше. Поэтому если -, то адатом заряжен отрицательно, если - положительно. Расширение и изменение уровня валентного электрона при приближении атома к поверхности происходит только если он находится на уровне зоны проводимости металла. Если он расположен ниже дна зоны проводимости, то расширения не происходит  ион остается дискретным на любом расстоянии от поверхности, при этом электрон будет принадлежать только адатому, и адатом будет нейтральным. При удалении адатома от поверхности ширина потенциального барьера увеличивается, обмен электронами между металлом и адатомом затрудняется, электроны металла стягиваются внутрь металла, валентный электрон адатома локализуется на дискретном уровне. Вероятность обмена электронами практически прекращается на некотором расстоянии . Энергия локализации электрона , вероятность нахождения электрона на уровне  по статистике Ферми:  . Вероятность того, что этот уровнеь не занят, т.е. вероятность того, что на расстоянии будет находиться ион, равна: . Следовательно, отношение этих вероятностей дает отношение числа ионов к числу нейтралов на расстоянии : . При  , получим формулу Саха-Ленгмюра.

В случае наличия сильного внешнего электрического поля, вытягивающего ионы от поверхности эмиттера, степень ионизации растет в соответствии с уменьшением работы испарения иона с поверхности металла. Если провести те же рассуждения, что  ив случае эффекта Шоттки для термоэлектронов, то это уменьшение работы испарения равно , поэтому зависимость степени ионизации от электрического поля имеет вид:

.

Отрицательная поверхностная ионизация.

Некоторые атомы (например, …) могут присоединять к себе электроны, превращаясь в отрицательный ион, на разрушение которого (удалить электрон) требуется работа , называемая сродством электрона к атому. Можно теоретически показать на примере водорода, что отрицательный ион энергетически устойчив. Действительно, при испарении атома с поверхности нагретого металла на некотором критическом расстоянии , так же, как и в случае положительной поверхностной ионизации, возникает локализованный уровень электрона в системе металл-адатом. При дальнейшем удалении адатома когда обмен электронами в системе металл-адатом прекращается, если этот уровень будет занят электронов, то с поверхности эмитируется отрицательный ион, если нет, то атом. Следовательно, для степени отрицательной ионизации мы получим формулу, аналогичную формуле Саха-Ленгмюра:  

.

Как правило, для всех атомов величина , т.е. , т.е.  .

Плотность отрицательного ионного тока .

Экспериментальная проверка этой зависимости в сравнении с положительным поверхностным ионным током затруднена тем, что помимо отрицательных ионов на анод приходят термоэлектроны, и даже в гораздо больших количествах. Лишь применение масс-сепараторов позволяет разделить эти потоки и одновременно измерить плотности тока ионов  и термоэлектронов . Проведенные эксперименты подтвердили данную зависимость.

Измерение угла наклона экспериментальной зависимости  дает возможность экспериментального определения S.

адатом


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

84946. Масляна. Складання розповіді 31.5 KB
  Навчити будувати зв’язну розповідь за опорними словами та малюнками, вдосконалювати вміння висловлюватися реченнями, активізувати і поповнити словниковий запас, висловлювати свої думки в логічній послідовності, формувати навички усного і писемного мовлення, закріпити уміння добирати прикметники...
84947. Написання твору за картиною Р.Г.Романова «Зимовий ліс» 3.32 MB
  Організація учнів до уроку. Створення позитивного настрою. З хорошим настроєм, бажанням вчитися та пізнати щось нове розпочнемо наш з вами урок. Станьте, діти, всі рівненько, Посміхніться всім гарненько, Привітайте гостей, що до нас завітали. Хочу чути, чого б ви сьогодні їм всім побажали?
84948. Творческий интеллектуальный конкурс «Мисс Осень – 2010» 35.5 KB
  Цель конкурса: сформировать познавательные, личностные, социальные, творческие компетентности учащихся; способствовать развитию у учащихся творческих и интеллектуальных способностей; воспитывать чувство коллективизма, толерантности, умение работать в группе, отстаивать свою точку зрения, принимать решения.
84949. Творчість класного керівника 164.5 KB
  Ефективність роботи класного керівника визначається тим якою мірою навчально-виховний процес забезпечує розвиток творчих здібностей кожної дитини формує творчу особистість і готує її до творчої пізнавальної та суспільно трудової діяльності.
84950. Українська хата. Традиційна культура українців у побуті 203 KB
  Мета. Познайомити учнів з естетикою побуту українців; розширити уявлення про українську оселю, ужиткові речі, одяг, предмети побуту; сприяти розвитку у підростаючого покоління здібностей сприймати прекрасні скарби, створені художнім генієм українського народу, прилучати дітей до світу краси...
84951. Все починається з мами 50.5 KB
  Мета: удосконалювати навички виразного читання, збагачувати словниковий запас, розвивати уміння давати оцінні судження; виховувати пошану і любов до мами. Обладнання: прислів’я на картках, вислови видатних людей про маму.
84953. Будова тексту: зачин, основна частина, кінцівка 58 KB
  Мета: Дати учням уявлення про будову тексту, його складові частини. Удосконалювати навички добору заголовків до текстів. Розвивати мовлення учнів. Виховувати бережне ставлення до природи.
84954. Знайомство із шаховими фігурами. Графічний редактор Pаint. Складання будиночка із геометричних фігур 90.95 KB
  Сьогодні ми з вами підемо в гості до Ганнусі, щоб отримати ще одну інформацію. А яку саме, вам допоможуть відгадати предмети, що знаходяться у цій скриньці (шахова дошка).