19218

Поверхностная ионизация. Формула Саха-Ленгмюра. Температурная зависимость плотности тока положительной ионизации

Лекция

Физика

Лекция № 14. Поверхностная ионизация. Формула СахаЛенгмюра. Температурная зависимость плотности тока положительной ионизации. Термодинамичсекий вывод формулы СахаЛенгмюра. Термодинамичсекий вывод формулы СахаЛенгмюра. Отрицательная поверхностная ионизация. XIV...

Русский

2013-07-11

217 KB

46 чел.

Лекция № 14.

Поверхностная ионизация. Формула Саха-Ленгмюра. Температурная зависимость плотности тока положительной ионизации. Термодинамичсекий вывод формулы Саха-Ленгмюра. Термодинамичсекий вывод формулы Саха-Ленгмюра. Отрицательная поверхностная ионизация.

XIV. Поверхностная  ионизация

При попадании потока атомов или молекул на поверхность нагретого до высокой температуры металла некоторая их часть покинет поверхность в виде тех же нейтральных частиц, но будет некоторое количество покидающих поверхность в виде положительных или отрицательных ионов. Явление ионизации на поверхности раскаленного металла получило название поверхностной ионизации – положительной и отрицательной соответственно. Впервые положительную поверхностную ионизацию атомов на вольфраме наблюдали в 1923г. Ленгмюр и Кингдон. Поверхностная ионизация отличается от неравновесных процессов эмиссии ионов с поверхности, вызванных воздействием быстрых нейтральных частиц (нейтрал-ионнная эмиссия), электронов (электрон-ионная эмиссия), фотонов (фотодесорбция ионов) тем, что адсорбированные на поверхности из газовой фазы атомы (адатомы) приходят к термическому равновесию с металлом, так что испарение происходит за счет теплового возбуждения. Поверхностная ионизация характеризуется двумя параметрами: - степень ионизации, - коэффициент ионизации, где и - плотности потока испаряющихся частиц в виде ионов и атомов соответственно, в стационаре , где - плотность потока падающих частиц. Из кинетической теории газов , где и - давление и температура газа, - плотность частиц. Степень поверхностной ионизации определяется формулой Саха-Ленгмюра: , где - отношение статистических весов ионного и атомного состояния ионизующихся частиц, - работа выхода металла, на котором происходит ионизация атомов, - потенциал ионизации.

Температурная зависимость плотности тока положительной ионизации.

С целью проверки формулы Саха-Ленгмюра многими исследователями экспериментально изучалась температурная зависимость плотности ионного тока.

Если и , это соответствует легко ионизуемым элементам (например, на ).

не зависит от температуры.

Если и (например, на ), при росте  уменьшается, следовательно, и

При  (например, на ), , , . С ростом  .

 

Термодинамичсекий вывод формулы Саха-Ленгмюра.

Рассмотрим систему газ-металл в равновесии, т.е. потоки частиц (ионов, атомов, электронов) на стенку и со стенки равны, и температура газа и металла равна . Запишем равенство потоков электронов. Плотность приходящего потока электронов , где - средняя скорость электронов в газе, - средний коэффициент отражения от стенки, - плотность электронов.

Плотность уходящего потока электронов равна плотности тока термоэмиссии: , где - универсальная постоянная Ричардсона, потому что эмиссия частиц возникает не в результате действия падающих на стенку частиц, а в результате теплового возбуждения на поверхности разогретого металла. Приравниваем , получим . Используя известное в термодинамике выражение для константы равновесия процесса : , и подставляя в него выражение для , получим: , .

Учитывая равенство масс и средних скоростей атомов и ионов, получим: .

Данное соотношение выполняется только в непосредственной близи около поверхности, при удалении от поверхности на расстояние большее нескольких радиусов Дебая устанавливается равенство .

Экспериментальная проверка этих зависимостей подтвердила верность соотношения Саха-Ленгмюра.

Статистический вывод формулы Саха-Ленгмюра.

Согласно теории Зоммерфельда электроны в металле находятся в потенциальной яме глубины , валентный электрон адсорбированного атома (адатома) так же находится в потенциальной яме. Ширина потенциального барьера на границе металл-адатом конечного размера, и электроны металла и адатомов за счет туннельного эффекта могут преодолевать его, при этом адатом может находиться на поверхности не только в нейтральном состоянии, но и в состоянии частичной ионизации. Адатом и металл образуют единую систему, их электроны принадлежат всей системе в целом, так что электронные облака распределяются как в объеме металла, так и в объеме адатома. Таким образом, энергетический уровень валентно электрона  расплывается и изменяется, так что энергия наиболее вероятного нахождения электронов в адатоме отличается от  и лежит немного выше. Поэтому если -, то адатом заряжен отрицательно, если - положительно. Расширение и изменение уровня валентного электрона при приближении атома к поверхности происходит только если он находится на уровне зоны проводимости металла. Если он расположен ниже дна зоны проводимости, то расширения не происходит  ион остается дискретным на любом расстоянии от поверхности, при этом электрон будет принадлежать только адатому, и адатом будет нейтральным. При удалении адатома от поверхности ширина потенциального барьера увеличивается, обмен электронами между металлом и адатомом затрудняется, электроны металла стягиваются внутрь металла, валентный электрон адатома локализуется на дискретном уровне. Вероятность обмена электронами практически прекращается на некотором расстоянии . Энергия локализации электрона , вероятность нахождения электрона на уровне  по статистике Ферми:  . Вероятность того, что этот уровнеь не занят, т.е. вероятность того, что на расстоянии будет находиться ион, равна: . Следовательно, отношение этих вероятностей дает отношение числа ионов к числу нейтралов на расстоянии : . При  , получим формулу Саха-Ленгмюра.

В случае наличия сильного внешнего электрического поля, вытягивающего ионы от поверхности эмиттера, степень ионизации растет в соответствии с уменьшением работы испарения иона с поверхности металла. Если провести те же рассуждения, что  ив случае эффекта Шоттки для термоэлектронов, то это уменьшение работы испарения равно , поэтому зависимость степени ионизации от электрического поля имеет вид:

.

Отрицательная поверхностная ионизация.

Некоторые атомы (например, …) могут присоединять к себе электроны, превращаясь в отрицательный ион, на разрушение которого (удалить электрон) требуется работа , называемая сродством электрона к атому. Можно теоретически показать на примере водорода, что отрицательный ион энергетически устойчив. Действительно, при испарении атома с поверхности нагретого металла на некотором критическом расстоянии , так же, как и в случае положительной поверхностной ионизации, возникает локализованный уровень электрона в системе металл-адатом. При дальнейшем удалении адатома когда обмен электронами в системе металл-адатом прекращается, если этот уровень будет занят электронов, то с поверхности эмитируется отрицательный ион, если нет, то атом. Следовательно, для степени отрицательной ионизации мы получим формулу, аналогичную формуле Саха-Ленгмюра:  

.

Как правило, для всех атомов величина , т.е. , т.е.  .

Плотность отрицательного ионного тока .

Экспериментальная проверка этой зависимости в сравнении с положительным поверхностным ионным током затруднена тем, что помимо отрицательных ионов на анод приходят термоэлектроны, и даже в гораздо больших количествах. Лишь применение масс-сепараторов позволяет разделить эти потоки и одновременно измерить плотности тока ионов  и термоэлектронов . Проведенные эксперименты подтвердили данную зависимость.

Измерение угла наклона экспериментальной зависимости  дает возможность экспериментального определения S.

адатом


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

74227. Светодиоды. Структуры. Материалы 571 KB
  Для генерации полезного излучения такой носитель практически потерян. С увеличением температуры наблюдается уменьшение ширины запрещенной зоны и как следствие увеличение длины волны излучения. При любом механизме рекомбинации длина волны излучения определяется соотношением...
74228. Свойства полупроводников 583 KB
  Дискретные моноэнергетические уровни атомов составляющие твердое тело расщепляются в энергетические зоны. Наибольшее значение для электронных свойств твердых тел имеют верхняя и следующая за ней разрешенные зоны энергий. И наконец если ширина запрещенной зоны Eg лежит в диапазоне...
74229. Концентрация электронов и дырок в собственном полупроводнике 753.5 KB
  Напомним что значком ni принято обозначать концентрацию собственных носителей заряда в зоне проводимости и в валентной зоне. концентрация собственных носителей определяется в основном температурой и шириной запрещенной зоны полупроводника...
74230. Р-п переход. Образование и зонная диаграмма р-n перехода 1.57 MB
  Образование и зонная диаграмма рn перехода Электронно-дырочным или pn переходом называют контакт двух полупроводников одного вида с различными типами проводимости электронным и дырочным. Классическим примером pn перехода являются: nSi – pSi nGe – pGe.8 приведены зонные диаграммы иллюстрирующие этапы формирования электронно-дырочного перехода...
74231. Контакт металл – полупроводник. Барьер Шоттки 1.2 MB
  В зависимости от этих соотношений в области контакта могут реализоваться три состояния. Второе состояние соответствует условию обогащения приповерхностной области полупроводника дырками в pтипе и электронами в nтипе в этом случае реализуется омический контакт. И наконец в третьем состоянии приповерхностная область полупроводника обеднена основными носителями в этом случае в области контакта со стороны полупроводника формируется область пространственного заряда ионизованных доноров или акцепторов и реализуется блокирующий контакт или...
74232. Полупроводниковые диоды. Характеристики идеального диода на основе pn перехода 1.29 MB
  В зависимости от внутренней структуры типа количества и уровня легирования внутренних элементов диода и вольтамперной характеристики свойства полупроводниковых диодов бывают различными. Характеристики идеального диода на основе pn перехода Основу выпрямительного диода составляет обычный электроннодырочный переход. Как было показано в главе 2 вольтамперная характеристика такого диода имеет ярко выраженную нелинейность приведенную на рисунке 4. В прямом смещении ток диода инжекционный большой по величине и представляет собой...
74233. Аналитическая модель p – n – перехода Разновидности диодов 1.94 MB
  Варикапы Зависимость барьерной емкости СБ от приложенного обратного напряжения VG используется для приборной реализации. Функциональная зависимость емкости варикапа от напряжения определяется профилем легирования базы варикапа. В случае однородного легирования емкость обратно пропорциональна корню из приложенного напряжения VG. Задавая профиль легирования в базе варикапа NDx можно получить различные зависимости емкости варикапа от напряжения CVG – линейно убывающие экспоненциально убывающие.
74234. Развитие феодальной экономики в Западной Европе в средние века 61 KB
  Расцвет феодализма в странах Западной Европы отмеченный экономическим подъемом основанным на внутренней колонизации – освоении новых земель увеличении сбора сельскохозяйственных культур развитии животноводства; возрождении городов превратившихся в центры ремесленного производства и торговли. Развитие товарного производства и товарноденежных отношений сопровождалось коммутацией ренты появлением ярмарок кредитного дела банков. Расширялись товарноденежные отношения уничтожалась личная зависимость крестьян начался процесс...
74235. Становление индустриальной цивилизации. 68.5 KB
  Большую роль в разложении феодализма и генезисе буржуазных отношений сыграли географические открытия конца XV– середины XVII в. – середина XVI в.; португальские плавания к Индии и берегам Восточной Азии начиная с экспедиции Васко де Гама; испанские тихоокеанские экспедиции XVI в. Период русских и голландских открытий середина XVI – середина XVII в.