19231

ИСТОЧНИКИ ИОНОВ

Лекция

Физика

ИСТОЧНИКИ ИОНОВ Газоразрядные источники ионов нашли большое применение для создания приборов и устройств в научных экспериментах и технологических процессах. Ионные источники широко используются в работах по управляемому термоядерному синтезу и на совре...

Русский

2013-07-11

87.5 KB

11 чел.

ИСТОЧНИКИ ИОНОВ

       Газоразрядные источники ионов нашли большое применение для создания приборов и устройств в научных экспериментах и технологических процессах. Ионные источники широко используются в работах по управляемому термоядерному синтезу и на современных ускорителях. Высокочастотные и дуговые плазмотроны применяются в плазмохимии, для резки металлов и напыления различных элементов. Плазменные и электростатические ускорители, как источники реактивной тяги были установлены в качестве корректирующих двигателей на ряде спутников.                                  

      В качестве исходной среды плазмотроны содержат низкотемпературную плазму, из которой происходит извлечение ионов (рис.1). К одной из границ плазмы  S1 примыкает электродная система, состоящая из электродов  S2 и  S3. Потенциалы, которые подаются на данные электроды, обеспечивают извлечение и последующее ускорение ионов.

         

                                                                                          

                                                                                Рис.1

                                                                                                                                  

      В качестве устройства рассмотрим схему и параметры плазматрона, нашедшего применение в плазменных экспериментах и в качестве источника ионов на ускорителях заряженных частиц (рис.2). Основными частями плазматрона являются: 1- катод, 2- промежуточный электрод, 3-анод, 4-извлекающий электрод. Катод изготовляется из вольфрамовой нити, а отверстия в промежуточном электроде и в аноде составляют п5 мм и А 1,5 мм соответственно.                  

 

                                       Рис.2

                                                                                                        

Потенциалы, подаваемые на все электроды, указаны на рис.2. К промежуточному электроду подводится водяное охлаждение. Давление водорода в межэлектродном пространстве поддерживается на уровне  10-2 торр. В области отверстия промежуточного электрода (2) располагается ярко светящаяся плазменная сфера, окруженная двойным слоем (5), который представляет собой область интенсивной ионизации. Сферичность двойного слоя приводит к фокусировке электронов, ускоренных в двойном слое. Следует заметить, что при потребляемой мощности в 70 Вт и расходе газа в 25 см3/ч плазмотрон выдает пучок протонов с энергией около 60 кэВ и током 7,5 мА.          

      В качестве более совершенной системы, относительно плазматрона, в ряде случаев используется дуоплазматрон. Существенным отличием дуоплазматрона является создание достаточно сильного магнитного поля с помощью постоянных магнитов диапазона 0,5-10 кЭ в области двойного слоя и между промежуточным электродом и анодом (рис.2). В дуоплазматроне сжатие плазмы благодаря фокусирующей системе сочетается с действием неоднородного магнитного поля. В результате в дуоплазматронах достигается при большой вкладываемой мощности большая сила тока в пучке – до 0,5-1 А.                                                                                                           

      Плазма ВЧ -разряда в ряде случаев находит технологическое применение, как, например, в ВЧ -плазматронах (рис.3). Данное устройство позволяет получить направленный поток плазмы с температурой достигающей 10000 К. В данных плазматронах, как правило, используется индукционное возбуждение (рис.3), а мощность генераторов для различного типа устройств находится в диапазоне P=1 кВт-1 МВт при частотах в интервале f=1-15 МГц. В ряде случаев ввиду большой мощности требуется водяное охлаждение устройства. Корпус плазматрона составляет керамическая труба (2), в который вдувается через сопла (3) рабочий газ: воздух, аргон, кислород, азот и т.д. Обычно высокочастотная плазма образуется в области расположения индуктора (1), но в силу наличия потока газа плазменный шнур (4) приобретает вытянутую и заостренную форму (рис.3). Весьма эффективной является вихревая стабилизация газового потока (рис.3), при которой газ вдувается под углом к оси плазматрона.

                                              Рис.3

                                                                                                                                                                                                                 

      Рассмотрим распределение температуры в ВЧ –плазматроне (рис.4). Измерения температуры в данном примере проводились методом относительных интенсивностей спектральных линий. Индуктор (1) расположен вокруг керамической трубки (2) (внутренний диаметр 3 см), в которой создается плазма (3). В качестве рабочего газа использовался аргон при расходе газа 15 л/мин. Мощность генератора составляла 2,5 кВт при рабочей частоте 25 МГц. Внутренние области плазмы имеют торообразную форму и обладают максимальной температурой  t92000 при соответствующей проводимости 29 Ом--1см-1.

         

                                                         Рис.4

                                                                                                               

      ВЧ –плазмотроны применяются в следующих областях: 1) плазмохимия, 2) резка металлов, 3) обработка порошковых материалов. Рассмотрим устройство ВЧ –плазматрона, используемого для резки металлов и термообработки поверхностей (рис.5). Для сужения плазменной струи (1) в данной конструкции используется сопловая насадка (2) из тугоплавкого металла, имеющая водяное охлаждение (3). Частота генератора в данном примере составляла 1,8 МГц, при расходе газа в 40-150 л/мин, и скорости газовой струи (4) (воздух, кислород)  40-190 м/c. Вся конструкция находится внутри керамической трубы (5), вокруг которой расположен индуктор генератора (6). В результате применения насадки плотность потока плазмы увеличивается с 400 Вт/см2 до 4000 Вт/см2, что позволяет проводить эффективные технологические операции по резке металлов.

                                              Рис.5

                                                                                                    

                                                    

      Достаточно известным плазменным ускорителем, обладающим некоторыми рекордными параметрами является рельсотрон. Представим схематическое устройство рельсотрона (рис.6). Основу устройства составляют две металлические пластины (1) – “рельсы”, закрепленные на фиксированном расстоянии, между которыми на одном торце вставляется пластинка из диэлектрика (2) или тонкая металлическая фольга. При использовании рельсотрона как инжектора плазмы вся конструкция располагается в вакуумной камере. В ряде случаев эксперименты с рельсотронами проводятся при атмосферном давлении. К пластинам (1) рельсотрона подключается генератор тока (4), в качестве которого в различных системах используются: конденсаторные накопители, униполярные генераторы и т.д. Прохождение сильного тока вызывает испарение диэлектрика или взрыв фольги (2) и образование плазменной оболочки (3),  которая под действием силы Ампера начинает ускоряться между рельсами. Длина рельсов в ряде конструкций составляет от 10 см до 2 м.  В мощных системах сила тока достигает 105 А при энергии конденсаторной батареи  500 кДж. Скорости плазменных сгустков достигают скоростей 10 км/с в вакууме. В отдельных экспериментах, проводимых в атмосфере, плазменная оболочка работала как своеобразный поршень и ускоряла легкие предметы массой порядка 1 г до скоростей порядка 10 км/с.

                                                   Рис.6

      Более совершенной системой плазменного ускорителя  является коаксиальный инжектор (рис.7). Данный ускоритель позволяет получить плазменные сгустки достаточно правильной и устойчивой формы. Конструкцию инжектора составляют два металлических коаксиальных цилиндра (1) и (2),  разделенных между собой диэлектрическим кольцом (4). Для питания инжектора обычно используется емкостной накопитель, в который входит управляемый разрядник (5) и конденсаторная батарея (6).

                                                Рис.7  

Для работы устройства в камере создается вакуум. На электроды инжектора подается импульсное напряжение от емкостного генератора. Одновременно с подачей импульса в пространства между электродами вблизи диэлектрика (4) впрыскивается порция рабочего газа. Вначале происходит пробой по поверхности диэлектрика, а затем наступает пробой в газовом сгустке. Образовавшаяся плазма при усилении тока начинает ускоряться под действием силы Ампера. На выходе из инжектора плазма обычно имеет торообразную форму, которая затем при движении в пространстве приобретает вид сгустка неправильной формы. Скорость плазмы в коаксиальных инжекторах составляет v=1-10 км/с.                                                                                                    

                                              


S3

S2

S1



плазма

5

4

2

1

U2=10 В

К

А

U1=0

U3=30 В

U4=70 В

U5=-60 кВ

4

3

2

1

2,7 Ом-1см-1

18

27

72000

75000

89000

92000

2

1

3

29

3

4

1

2

5

6

~

1

2

3

4

1

2

3

4

5

6


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

73574. Информация о магнитных свойствах, которая может быть получена из нейтронографических данных (магнитные фазовые переходы, температурные зависимости намагниченности 955 KB
  Зависимость величины намагниченности Co подрешетки от внешнего поля отчетливо видна на рис. Подчеркнем что полевая зависимость спонтанной намагниченности монокристалла ErCo2 измеренная при 36 K с помощью магнитометра имеет вид типичный для парамагнитного состояния.
73576. Малоугловое рассеяние нейтронов. Домены. Наноматериалы. Фракталы (пространственные и поверхностные) 2.4 MB
  Цель этой лекции дать представления о методе малоуглового рассеяния нейтронов МУРН как методе исследования непериодических систем. МУРН имеет дело с изучением неоднородностей в материалах. Масштабы неоднородностей Физические принципы рассеяния нейтронов при МУРН те же что и при рассеянии на большие углы. рассеивающая среда была периодической в трех направлениях причем с очень большим числом повторений тогда как в МУРН рассеивающие центры не упорядочены периодически.
73577. Фінансовий механізм і фіскальна політика 97.5 KB
  Суть і форми кредиту. Структура сучасної кредитної системи. Однією із форм бюджетного фінансування є бюджетний кредит – надання бюджетних засобів суб’єктам господарювання й органам влади на засадах поворотності та платності. Суть і форми кредиту.
73578. Економічне зростання і макроекономічна нестабільність 72.5 KB
  Економічне зростання і макроекономічна нестабільність. Економічне зростання його суть типи і фактори. Економічне зростання його сутьтипи і фактори. Прикладна значимість вивчення проблем економічного зростання зумовлена тим що однією з найважливіших довгострокових цілей економічної політики уряду будьякої країни є підтримка і стимулювання економічного зростання що ставить за мету з ясування його суті типів та факторів забезпечення зростання економіки.
73579. Магнитное критическое рассеяние нейтронов. Корреляционный радиус. Парамагнитное рассеяние 409 KB
  Результаты нейтронографических измерений указывали на резкое увеличение магнитного рассеяния нейтронов вблизи Брегговских пиков когда ферро или антиферромагнетик приближался к точке фазового перехода. Области корреляции в ферромагнетиках Теория критического рассеяния нейтронов на ферромагнетиках была построена Vn Hove. Общее выражение для магнитного рассеяния имеет вид.
73580. Світове господарство та його еволюція 49.5 KB
  Він охопив: а індустріально розвинені країни; б економічно слабо розвинені; в колоніальні залежні. У цей період проходить поділ країн світу на дві системи: світове капіталістичне господарство та країни соціалістичного табору. Країни з розвинутою ринковою економікою. Країни з ринковою економікою що розвиваються.
73581. Линейная алгебра. Основные определения 3.44 MB
  Как было сказано выше, матричный метод и метод Крамера применимы только к тем системам линейных уравнений, в которых число неизвестных равняется числу уравнений. Далее рассмотрим произвольные системы линейных уравнений.
73582. Дифференциальное исчисление функции 2.73 MB
  Фактически производная функции показывает как бы скорость изменения функции, как изменяется функция при изменении переменной. Способ логарифмического дифференцирования удобно применять для нахождения производных сложных, особенно показательных и показательно-степенных функций