19353

Зависимость диэлектрической проницаемости от температуры и частоты переменного электрического тока

Лекция

Коммуникация, связь, радиоэлектроника и цифровые приборы

Лекция №5 Зависимость диэлектрической проницаемости от температуры и частоты переменного электрического тока Зависимость диэлектрической проницаемости от температуры давления влажности напряжения. Характер температурной зависимости ε диэлектриков с разл...

Русский

2013-07-12

193.5 KB

67 чел.

Лекция №5

Зависимость диэлектрической проницаемости

от температуры и частоты переменного электрического тока

Зависимость диэлектрической проницаемости от температуры, давления, влажности, напряжения.

Характер температурной зависимости ε - диэлектриков с различными видами поляризации часто определяют с помощью температурного коэффициента диэлектрической проницаемости

    (5.1)

Влияние давления на ε учитывается барическим коэффициентом ε 

    (5.2)

Для линейных диэлектриков Bkε, как правило, положителен, так как при всестороннем сжатии диэлектрика увеличивается число способных поляризоваться молекул в единице объема. В некоторых полярных жидкостях в зависимости ε от давления наблюдается максимум.

Увлажнение заметно увеличивает ε гигроскопического диэлектрика, что в первую очередь можно объяснить высокими значениями ε воды (ε = 81). Вместе с тем при увлажнении уменьшается удельное сопротивление, увеличивается угол диэлектрических потерь и уменьшается электрическая прочность диэлектрика.

Для линейных диэлектриков, используемых главным образом в качестве электрической изоляции и диэлектрика конденсаторов, ε в большинстве случаев может считаться практически не зависящей от напряжения, приложенного к диэлектрику. Сильно выраженная зависимость ε от напряжения характерна для сегнетоэлектриков.

Зависимость диэлектрической проницаемости от частоты w переменного поля  называется дисперсией диэлектрической проницаемости. Характер дисперсии определяется процессом установления поляризации во времени. Если процесс установления поляризации – релаксационный (рис. 3, а), то дисперсия будет иметь вид, изображенный на рис.4, а. Когда период колебания электрического поля велик по сравнению с временем релаксации t (частота w мала по сравнению с 1/t), поляризация успевает следовать за полем и поведение Диэлектрики в переменном электрическом поле не будет существенно отличаться от его поведения в постоянном поле (т. е. , как на рис. 3, а). При частотах . Диэлектрики не будут успевать поляризироваться, т. е. амплитуда P будет очень мала по сравнению с величиной поляризации P0 в постоянном поле. Это значит, что . Таким образом, e1 с ростом частоты изменяется от e до 1. Наиболее резкое изменение e1 происходит как раз на частотах w ~ 1/t. На этих же частотах e2 проходит через максимум. Такой характер дисперсии e(w) называется релаксационным. Если поляризация в процессе установления испытывает колебания, как показано на рис. 3, б, то дисперсия e(w) будет иметь вид, изображенный на рис. 4, б. В этом случае характер дисперсии называется резонансным.

Рис.3. Две характерные зависимости поляризации диэлектрика Р от времени t. Постоянное электрическое поле Е включается в момент времени t = 0.

Рис. 4. а — релаксационный характер дисперсии диэлектрической проницаемости e(w), соответствующий зависимости P(t), изображенной на рис. 3, а; б

В реальном веществе дисперсия e(w) имеет более сложный характер, чем на рис. 4. На рис. 5 изображена зависимость e(w), характерная для широкого класса твёрдых Диэлектрики из рис. 5 видно, что можно выделить несколько областей дисперсии в разных диапазонах частот. Наличие этих, обычно чётко разграниченных, областей указывает на то, что поляризация Диэлектрики обусловлена различными механизмами. Например, в ионных кристаллах поляризацию можно представить как сумму ионной и электронной поляризаций. Типичные периоды колебаний ионов ~ 10-13 сек. Поэтому дисперсия e(w), обусловленная ионной поляризацией, приходится на частоты ~ 1013 гц (инфракрасный диапазон). Характер дисперсии обычно резонансный. При более высоких частотах ионы уже не успевают смещаться и весь вклад в поляризацию обусловлен электронами. Характерные периоды колебаний электронов определяются шириной запрещённой зоны Диэлектрики Когда энергия фотона ћw (ћ – Планка постоянная) становится больше ширины запрещённой зоны, фотон может поглотиться, вызвав переход электрона через запрещённую зону. В результате электромагнитные волны на таких частотах (w~1015 гц – ультрафиолетовый диапазон) сильно поглощаются, т.е. резко возрастает величина e2. При меньших частотах (в частности, для видимого света) чистые однородные Диэлектрики, в отличие от металлов, обычно прозрачны. В полярных Диэлектрики под действием электрического поля происходит ориентация диполей. Характерные времена установления поляризации при таком ориентационном механизме сравнительно велики: t ~ 10-6-10-8 сек (диапазон сверхвысоких частот). Характер дисперсии при этом обычно релаксационный. Т. о., изучая зависимость e(w), можно получить сведения о свойствах Диэлектрики и выделить вклад в поляризацию от различных механизмов поляризации.

Рис.5. Зависимость e1 твёрдого диэлектрика от частоты w поля Е.


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

74121. Структура и состав базового программного обеспечения АСКУЭ Энергия+ 21.72 KB
  Клиентская часть обеспечивает отображение пользователю Д, хранимых в серв части. Содержит разные приложения – потребители инф: разл документы, генераторы отчётов и т.п. С одной серв частью могут работать одна или более кл частей. При доступе к Д только через WEB-сервер на кл компе не требуется установка к-л программ – достаточно наличия WEB-браузера.
74122. SCADA – система TRACE MODE 45.95 KB
  SCD – система TRCE MODE. В 2005 г TRCE MODE – интегрированная SCD система для разработки АСУ ТП АСКУЭ и систем управления производством получила сертификат соответствия ГОСТ Р выданный ГОССТАНДАРТОМ России. По результатам испытаний в сертификационной лаборатории установлено соответствие интегрированной SCD TRCE MODE требованиям нормативных документов российских и международных стандартов. Это стало важным этапом в процессе повышения качества SCD системы TRCE MODE до уровня лучших мировых аналогов.
74123. Структура системы TRACE MODE 20.57 KB
  Монитор реального времени МРВ. Под управлением МРВ выполняются такие задачи как: запрос данных о состоянии технологического процесса с контроллеров нижнего уровня по любому из встроенных протоколов или через драйвер; передача на нижний уровень команд управления по любому из встроенных протоколов или через драйвер; обмен данными с платами УСО; сохранение данных в архивах; обмен по сети с удаленными МРВ; передача данных по сети на следующий уровень АСУ; обмен с базами данных через ODBC; представление оператору графической информации о...
74124. Автоматизированные информационные системы – общие понятия, структура 17.43 KB
  Автоматизированные информационные системы можно разделить на: Системы информационного обеспечения имеющие самостоятельное целевое назначение и область применения; Автоматизированные системы управления АСУ. Системы информационного обеспечения как правило содержат информационную базу используемую различными потребителями для удовлетворения информационных потребностей при принятии решений. Автоматизированные системы управления – человекомашинные системы обеспечивающие автоматический сбор и обработку информации с помощью различных...
74125. Программное обеспечение АСУ ТП. SCADA – системы 18.64 KB
  Программное обеспечение АСУ ТП принято делить на две категории: общее программное обеспечение включающее операционные системы SCDсистемы пакеты программ для программирования контроллеров компиляторы редакторы и т. К этой категории относятся программы для контроллеров реализующие определённые функциональные задачи обработки информации и управления; программы сгенерированные в среде SCDсистемы для визуализации. SCDсистемы супервизорное диспетчерское управление и получение данных – это программные продукты которые...
74126. Структура SCADA – систем 18.32 KB
  Специфика каждой конкретной системы управления определяется используемой на каждом уровне программно аппаратной платформой. Датчики поставляют информацию контроллерам которые могут выполнять следующие функции:с бор и обработка информации о параметрах технологического процесса; управление электроприводами и другими исполнительными механизмами; решение задач автоматического логического управления и др...
74129. Операционные системы реального времени 16.47 KB
  Система называется системой реального времени СРВ если правильность её функционирования зависит не только от логической корректности вычислений но и от времени за которое эти вычисления производятся. Говорят что система работает в реальном времени если ее быстродействие адекватно скорости протекания физических процессов на объектах контроля или управления. Здесь имеются в виду процессы непосредственно связанные с функциями выполняемыми конкретной системой реального времени.