19855

Принцип работы сканирующего туннельного микроскопа (СТМ). Получение изображения поверхности в режиме постоянного туннельного тока и в режиме метода постоянной высоты

Лекция

Физика

Лекция 20 Принцип работы сканирующего туннельного микроскопа СТМ. Получение изображения поверхности в режиме постоянного туннельного тока и в режиме метода постоянной высоты. Модуляционная методика определения локальной работы выхода. Измерение вольтамперных харак

Русский

2013-07-18

417.5 KB

26 чел.

Лекция 20

Принцип работы сканирующего туннельного микроскопа (СТМ). Получение изображения поверхности в режиме постоянного туннельного тока и в режиме метода постоянной высоты. Модуляционная методика определения локальной работы выхода. Измерение вольт-амперных характеристик с помощью СТМ.

Исторически первым в семействе зондовых микроскопов появился сканирующий туннельный микроскоп (СТМ). Он был создан в 1981 году Гердом Биннигом и Генрихом Рорером в научно-исследовательской лаборатории фирмы IBM в Цюрихе. Пятью годами позже за это изобретение им присудили Нобелевскую премию по физике. СТМ был первым инструментом, который позволил получить изображение поверхности кремния с атомным разрешением.

Принцип работы СТМ основан на явлении туннелирования электронов через узкий потенциальный барьер между металлическим зондом и проводящим образцом во внешнем электрическом поле. На рис.20.1 приведена схема туннелирования электронов через потенциальный барьер в СТМ.

Рис. 20.1

В СТМ зонд подводится к поверхности образца на расстояния в несколько ангстрем. При этом образуется туннельно-прозрачный потенциальный барьер, величина которого определяется, в основном, значениями работы выхода электронов из материала зонда ер и образца еs. При качественном рассмотрении барьер можно считать прямоугольным с эффективной высотой, равной средней работе выхода материалов:

е* = (ер + еs)/2.

Как известно из квантовой механики, вероятность туннелирования электрона (коэффициент прохождения) через одномерный барьер прямоугольной формы равна

    (20.1)

где A0 – амплитуда волновой функции электрона, движущегося к барьеру; At – амплитуда волновой функции электрона, прошедшего сквозь барьер; k – константа затухания волновой функции в области, соответствующей потенциальному барьеру; Δz – ширина барьера.

Энергетическая диаграмма туннельного контакта двух металлов изображена на рис. 20.1.

Рис. 20.2

Для туннельного контакта двух металлов константу затухания можно представить в виде

.     (20.2)

При приложении к туннельному контакту разности потенциалов V между зондом и образцом появляется туннельный ток. В процессе туннелирования участвуют, в основном, электроны с энергией вблизи уровня Ферми EF . В случае контакта двух металлов выражение для плотности туннельного тока имеет вид

 (20.3)

где параметры  j0 и А определяются следующими выражениями:

.    (20.4)

При условии малости напряжения смещения V << выражение (20.3) существенно упрощается

Так как экспоненциальная зависимость очень сильная, то для оценок и качественных рассмотрений можно пользоваться упрощенной формулой

(20.5)

в которой величина j0(V) считается не зависящей от изменения расстояния зонд-образец. Для типичных значений работы выхода (е ~ 4 эВ) значение константы затухания k = 2 Å-1, так что при изменении Δz на ~ 1 Å величина туннельного тока меняется на порядок.

Реальный туннельный контакт в СТМ не является одномерным и имеет более сложную геометрию, однако основные черты туннелирования, а именно экспоненциальная зависимость тока от расстояния зонд-образец, сохраняются и в более сложных моделях, что подтверждается экспериментально.

Если V >> , то из (20.3) получается формула Фаулера-Нордгейма для плотности тока автоэлектронной эмиссии, подробно рассмотренная в Лекции 11.

Экспоненциальная зависимость туннельного тока от расстояния позволяет осуществлять регулирование расстояния между зондом и образцом в туннельном микроскопе с высокой точностью. Так как СТМ представляет собой электромеханическую систему с отрицательной обратной связью, то с ее помощью можно поддерживать величину туннельного тока между зондом и образцом на заданном уровне I0, выбираемом оператором. В каждой точке растра происходит перемещение зонда на величину Δz таким образом, чтобы величина It оказалась равной I0.

Изображение рельефа поверхности в СТМ можно получить двумя методами. В методе постоянного туннельного тока (рис. 20.3) зонд перемещается вдоль поверхности, осуществляя растровое сканирование; при этом изменение напряжения на Z-электроде пьезоэлемента в цепи обратной связи (с большой точностью повторяющее рельеф поверхности образца) записывается в память компьютера в виде функции z = f(x,y), а затем воспроизводится средствами компьютерной графики.

Рис. 20.3

При исследовании атомарно гладких поверхностей часто более эффективным оказывается метод постоянной высоты (Z = const). В этом случае зонд перемещается над поверхностью на расстоянии нескольких ангстрем, при этом изменения туннельного тока регистрируются в качестве СТМ изображения поверхности (рис. 20.4). Сканирование производится либо при отключенной ОС, либо со скоростями, превышающими скорость реакции ОС, так что ОС отрабатывает только плавные изменения рельефа поверхности. В данном способе реализуются очень высокие скорости сканирования и высокая частота получения СТМ изображений, что позволяет вести наблюдение за изменениями, происходящими на поверхности, практически в реальном времени.

Рис.20.4

Высокое разрешение СТМ по оси Z (доли ангстрема) определяется экспоненциальной зависимостью туннельного тока от расстояния до поверхности. Необходимо иметь в виду, что подобное разрешение определяется, в основном, не макроскопическим радиусом кривизны кончика острия зонда, а его атомарной структурой. При правильной подготовке зонда на его кончике с большой вероятностью находится либо одиночный выступающий атом, либо небольшой кластер атомов c размерами много меньше, чем характерный радиус кривизны острия – рис.20.5 .

Рис.20.5

Туннельный ток протекает между поверхностными атомами образца и атомами зонда. Атом, выступающий над поверхностью зонда, находится ближе к поверхности на расстояние, равное величине периода кристаллической решетки (~ Å). Поскольку зависимость туннельного тока от расстояния экспоненциальная, то ток в этом случае течет, в основном, между поверхностью образца и выступающим атомом на кончике зонда.

Для неоднородных образцов туннельный ток является не только функцией расстояния от зонда до образца, но также зависит от значения локальной работы выхода электронов в данном месте поверхности. Для получения информации о распределении работы выхода по поверхности образца в пределах растра применяется метод модуляции расстояния зонд-образец Δz. В данном методе в процессе сканирования к управляющему напряжению на Z-электроде сканера добавляется переменное напряжение с внешнего генератора на частоте ω. Тогда напряжение на Z-электроде сканера можно представить в виде U = U0(t) + Umsint. Это приводит к тому, что расстояние зонд-образец оказывается промодулированным на частоте ω, т.е. Δz(t) = Δz0(t) + Δzmsint; Δzm и Um связаны между собой через коэффициент электромеханической связи пьезосканера K = Δzm /Um. Частота модуляции ω выбирается выше частоты полосы пропускания петли обратной связи, чтобы система обратной связи не могла отрабатывать данные колебания зонда. Амплитуда переменного напряжения Um выбирается достаточно малой, чтобы возмущения туннельного промежутка также были малыми.

Схема измерения локальной работы выхода с помощью метода модуляции расстояния зонд-образец приведена на рис. 20.5.

Рис. 20.5

Колебания расстояния зонд-образец приводят к тому, что появляется переменная составляющая тока на частоте ω и выражение (20.5) для туннельного тока принимает вид:

.

Так как Δzm << Δz0, то экспоненту можно разложить по порядку малости Δzmz0, поэтому выражение для туннельного тока как функция времени может быть представлено в виде

.

Если использовать синхронный детектор и проводить измерения It на частоте , то в каждой точке растра (xy) измеряемая амплитуда частотной модуляции туннельного тока может быть представлена в виде:

(20.6)

Таким образом можно построить одновременно с рельефом z = f(x,y) распределение величины локальной работы выхода еφ(x,y) на исследуемом участке поверхности.

С помощью СТМ можно снимать вольт-амперные характеристики (ВАХ) туннельного контакта в различных точках поверхности, что позволяет судить о локальной проводимости образца и изучать особенности локальной плотности состояний в энергетическом спектре электронов. Для регистрации вольт-амперных характеристик туннельного контакта в СТМ используется следующая методика. На СТМ изображении поверхности выбирается область образца, в которой предполагается произвести измерения. Зонд СТМ выводится сканером в соответствующую точку поверхности. Для получения ВАХ контакта обратная связь на короткое время разрывается, и к туннельному промежутку прикладывается линейно нарастающее напряжение. При этом синхронно с изменением напряжения регистрируется ток, протекающий через туннельный контакт. Во время снятия ВАХ на время разрыва обратной связи на электрод сканера подается потенциал, равный потенциалу непосредственно перед разрывом.

В каждой точке производится снятие нескольких ВАХ. Итоговая вольт-амперная характеристика получается путем усреднения набора ВАХ, снятых в одной точке. Усреднение позволяет существенно минимизировать влияние шумов туннельного промежутка. Схема измерения ВАХ приведена на рис. 20.6.

Рис. 20.6


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

735. Многофункциональный высотный жилой дом 96 KB
  Решение генплана и благоустройство территории. Конструктивное решение объекта. Инженерно-техническое решение и оборудование. Мероприятия по решению вопросов энергосбережения и экологии. Площади для размещения инженерного оборудования.
736. Сетевые методы планирования и управления 530 KB
  Составление индивидуального перечня работ и построение СГ. Расчет сметной стоимости работ. Расчет сметной стоимости работ оптимизированного СГ. Построение графиков Время – затраты.
737. Возникновение и протекание гипертонической болезни 143 KB
  Этиология, патогенез и лечение гипертонической болезни. Стадия начальных органических изменений. Стресс и хроническое психоэмоциональное напряжение. Классификация и клинические проявления. Профилактика гипертонической болезни
738. Инструкции обработки цепочек на языке ассемблер 89 KB
  Изучить команды обработки цепочек процессора i8086. Зашифровать строку по таблице. Таблица считается известной.
739. Влияние налогов на развитие малого предпринимательства 129.5 KB
  Сущность малого бизнеса и его роль в экономике страны. Упрощенная система налогообложения. Система налогообложения в виде единого налога на вмененный доход. Роль налоговой системы на развитие малого предпринимательства в России.
740. Процесс создание и отладки программы на языке ассемблера 88 KB
  Знакомство с методами создания и отладки программ, написанных на языке ассемблера. Создание программы, на языке ассемблера выполняющей арифметическую операцию и ввод/вывод с консоли. Трансляция, компоновка, трассировка программы.
741. Исследование параметров и характеристик двигателя постоянного тока с независимым возбуждением 337.5 KB
  Построение статических характеристик двигателя постоянного тока. Исследование механических характеристик двигателя постоянного тока с независимым возбуждением. Методика расчета параметров модели двигателя. Результаты исследования искусственной механической характеристики при пониженном напряжении на обмотке якоря. Частотная характеристика двигателя постоянного тока с независимым возбуждением.
742. Финансово-хозяйственная деятельность ООО Химпромстрой 306 KB
  Теоритические основы разработки программ развития персонала. Анализ использования персонала в ООО Химпромстрой. Эффективность программы развития персонала. Анализ состава и структуры персонала ООО Химпромстрой.
743. Русская философия 11-18 веков 150 KB
  Становление русской философии. Христианские и языческие элементы в духовной культуре Руси. Становление русской средневековой философии в 14-17 веках. Появление ранних ересей (нестяжатели, иосифляне и др.). Развитие исихазма на Руси, его основные теоретические положения и значение для русской культуры.