19855

Принцип работы сканирующего туннельного микроскопа (СТМ). Получение изображения поверхности в режиме постоянного туннельного тока и в режиме метода постоянной высоты

Лекция

Физика

Лекция 20 Принцип работы сканирующего туннельного микроскопа СТМ. Получение изображения поверхности в режиме постоянного туннельного тока и в режиме метода постоянной высоты. Модуляционная методика определения локальной работы выхода. Измерение вольтамперных харак

Русский

2013-07-18

417.5 KB

29 чел.

Лекция 20

Принцип работы сканирующего туннельного микроскопа (СТМ). Получение изображения поверхности в режиме постоянного туннельного тока и в режиме метода постоянной высоты. Модуляционная методика определения локальной работы выхода. Измерение вольт-амперных характеристик с помощью СТМ.

Исторически первым в семействе зондовых микроскопов появился сканирующий туннельный микроскоп (СТМ). Он был создан в 1981 году Гердом Биннигом и Генрихом Рорером в научно-исследовательской лаборатории фирмы IBM в Цюрихе. Пятью годами позже за это изобретение им присудили Нобелевскую премию по физике. СТМ был первым инструментом, который позволил получить изображение поверхности кремния с атомным разрешением.

Принцип работы СТМ основан на явлении туннелирования электронов через узкий потенциальный барьер между металлическим зондом и проводящим образцом во внешнем электрическом поле. На рис.20.1 приведена схема туннелирования электронов через потенциальный барьер в СТМ.

Рис. 20.1

В СТМ зонд подводится к поверхности образца на расстояния в несколько ангстрем. При этом образуется туннельно-прозрачный потенциальный барьер, величина которого определяется, в основном, значениями работы выхода электронов из материала зонда ер и образца еs. При качественном рассмотрении барьер можно считать прямоугольным с эффективной высотой, равной средней работе выхода материалов:

е* = (ер + еs)/2.

Как известно из квантовой механики, вероятность туннелирования электрона (коэффициент прохождения) через одномерный барьер прямоугольной формы равна

    (20.1)

где A0 – амплитуда волновой функции электрона, движущегося к барьеру; At – амплитуда волновой функции электрона, прошедшего сквозь барьер; k – константа затухания волновой функции в области, соответствующей потенциальному барьеру; Δz – ширина барьера.

Энергетическая диаграмма туннельного контакта двух металлов изображена на рис. 20.1.

Рис. 20.2

Для туннельного контакта двух металлов константу затухания можно представить в виде

.     (20.2)

При приложении к туннельному контакту разности потенциалов V между зондом и образцом появляется туннельный ток. В процессе туннелирования участвуют, в основном, электроны с энергией вблизи уровня Ферми EF . В случае контакта двух металлов выражение для плотности туннельного тока имеет вид

 (20.3)

где параметры  j0 и А определяются следующими выражениями:

.    (20.4)

При условии малости напряжения смещения V << выражение (20.3) существенно упрощается

Так как экспоненциальная зависимость очень сильная, то для оценок и качественных рассмотрений можно пользоваться упрощенной формулой

(20.5)

в которой величина j0(V) считается не зависящей от изменения расстояния зонд-образец. Для типичных значений работы выхода (е ~ 4 эВ) значение константы затухания k = 2 Å-1, так что при изменении Δz на ~ 1 Å величина туннельного тока меняется на порядок.

Реальный туннельный контакт в СТМ не является одномерным и имеет более сложную геометрию, однако основные черты туннелирования, а именно экспоненциальная зависимость тока от расстояния зонд-образец, сохраняются и в более сложных моделях, что подтверждается экспериментально.

Если V >> , то из (20.3) получается формула Фаулера-Нордгейма для плотности тока автоэлектронной эмиссии, подробно рассмотренная в Лекции 11.

Экспоненциальная зависимость туннельного тока от расстояния позволяет осуществлять регулирование расстояния между зондом и образцом в туннельном микроскопе с высокой точностью. Так как СТМ представляет собой электромеханическую систему с отрицательной обратной связью, то с ее помощью можно поддерживать величину туннельного тока между зондом и образцом на заданном уровне I0, выбираемом оператором. В каждой точке растра происходит перемещение зонда на величину Δz таким образом, чтобы величина It оказалась равной I0.

Изображение рельефа поверхности в СТМ можно получить двумя методами. В методе постоянного туннельного тока (рис. 20.3) зонд перемещается вдоль поверхности, осуществляя растровое сканирование; при этом изменение напряжения на Z-электроде пьезоэлемента в цепи обратной связи (с большой точностью повторяющее рельеф поверхности образца) записывается в память компьютера в виде функции z = f(x,y), а затем воспроизводится средствами компьютерной графики.

Рис. 20.3

При исследовании атомарно гладких поверхностей часто более эффективным оказывается метод постоянной высоты (Z = const). В этом случае зонд перемещается над поверхностью на расстоянии нескольких ангстрем, при этом изменения туннельного тока регистрируются в качестве СТМ изображения поверхности (рис. 20.4). Сканирование производится либо при отключенной ОС, либо со скоростями, превышающими скорость реакции ОС, так что ОС отрабатывает только плавные изменения рельефа поверхности. В данном способе реализуются очень высокие скорости сканирования и высокая частота получения СТМ изображений, что позволяет вести наблюдение за изменениями, происходящими на поверхности, практически в реальном времени.

Рис.20.4

Высокое разрешение СТМ по оси Z (доли ангстрема) определяется экспоненциальной зависимостью туннельного тока от расстояния до поверхности. Необходимо иметь в виду, что подобное разрешение определяется, в основном, не макроскопическим радиусом кривизны кончика острия зонда, а его атомарной структурой. При правильной подготовке зонда на его кончике с большой вероятностью находится либо одиночный выступающий атом, либо небольшой кластер атомов c размерами много меньше, чем характерный радиус кривизны острия – рис.20.5 .

Рис.20.5

Туннельный ток протекает между поверхностными атомами образца и атомами зонда. Атом, выступающий над поверхностью зонда, находится ближе к поверхности на расстояние, равное величине периода кристаллической решетки (~ Å). Поскольку зависимость туннельного тока от расстояния экспоненциальная, то ток в этом случае течет, в основном, между поверхностью образца и выступающим атомом на кончике зонда.

Для неоднородных образцов туннельный ток является не только функцией расстояния от зонда до образца, но также зависит от значения локальной работы выхода электронов в данном месте поверхности. Для получения информации о распределении работы выхода по поверхности образца в пределах растра применяется метод модуляции расстояния зонд-образец Δz. В данном методе в процессе сканирования к управляющему напряжению на Z-электроде сканера добавляется переменное напряжение с внешнего генератора на частоте ω. Тогда напряжение на Z-электроде сканера можно представить в виде U = U0(t) + Umsint. Это приводит к тому, что расстояние зонд-образец оказывается промодулированным на частоте ω, т.е. Δz(t) = Δz0(t) + Δzmsint; Δzm и Um связаны между собой через коэффициент электромеханической связи пьезосканера K = Δzm /Um. Частота модуляции ω выбирается выше частоты полосы пропускания петли обратной связи, чтобы система обратной связи не могла отрабатывать данные колебания зонда. Амплитуда переменного напряжения Um выбирается достаточно малой, чтобы возмущения туннельного промежутка также были малыми.

Схема измерения локальной работы выхода с помощью метода модуляции расстояния зонд-образец приведена на рис. 20.5.

Рис. 20.5

Колебания расстояния зонд-образец приводят к тому, что появляется переменная составляющая тока на частоте ω и выражение (20.5) для туннельного тока принимает вид:

.

Так как Δzm << Δz0, то экспоненту можно разложить по порядку малости Δzmz0, поэтому выражение для туннельного тока как функция времени может быть представлено в виде

.

Если использовать синхронный детектор и проводить измерения It на частоте , то в каждой точке растра (xy) измеряемая амплитуда частотной модуляции туннельного тока может быть представлена в виде:

(20.6)

Таким образом можно построить одновременно с рельефом z = f(x,y) распределение величины локальной работы выхода еφ(x,y) на исследуемом участке поверхности.

С помощью СТМ можно снимать вольт-амперные характеристики (ВАХ) туннельного контакта в различных точках поверхности, что позволяет судить о локальной проводимости образца и изучать особенности локальной плотности состояний в энергетическом спектре электронов. Для регистрации вольт-амперных характеристик туннельного контакта в СТМ используется следующая методика. На СТМ изображении поверхности выбирается область образца, в которой предполагается произвести измерения. Зонд СТМ выводится сканером в соответствующую точку поверхности. Для получения ВАХ контакта обратная связь на короткое время разрывается, и к туннельному промежутку прикладывается линейно нарастающее напряжение. При этом синхронно с изменением напряжения регистрируется ток, протекающий через туннельный контакт. Во время снятия ВАХ на время разрыва обратной связи на электрод сканера подается потенциал, равный потенциалу непосредственно перед разрывом.

В каждой точке производится снятие нескольких ВАХ. Итоговая вольт-амперная характеристика получается путем усреднения набора ВАХ, снятых в одной точке. Усреднение позволяет существенно минимизировать влияние шумов туннельного промежутка. Схема измерения ВАХ приведена на рис. 20.6.

Рис. 20.6


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

69689. СПИСКИ 46 KB
  За замовчуванням елементи впорядкованого списку нумеруються цілими числами починаючи з. До тега нумерованого списку існує атрибут TYPE. Встановлюючи TYPE рівним можна змінити схему нумерації на великі літери, малі літери, великі або малі римські цифри відповідно.
69690. ФРЕЙМИ 87.5 KB
  Мета: опанувати технологію представлення інформації у документі з використанням фреймів. Фрейми (Frames - кадри) надають користувачеві можливість поділяти екран на дві або більше незалежних динамічних або статичних частини.
69691. Параметри за умовчанням 61 KB
  Функції повинні повертати значення різних типів залежно від набору параметрів. Що ж до другої причини то в З у С можна перенавантажувати функції взагалі неможливо змінити тип значення що повертається. Параметри за умовчанням описуються так...
69692. Локальні і глобальні змінні 53.5 KB
  Локальні змінні доступні тільки у функції а глобальні доступні у всій програмі. Локальні і глобальні змінні Змінні i і g глобальні вони доступні у всій програмі. Для передачі глобальних змінних у функцію використовується інструкція...
69693. Рекурсія 23 KB
  Механізм рекурсії одночасно дуже корисний, але і дуже небезпечний. При створенні рекурсивних функцій потрібно бути особливо уважним, щоб уникнути зациклення. Наступна функція викличе зациклення...
69694. Принцип роботи механізму Cookies 141.5 KB
  Чому небезпечно зберігати пароль в Cookies Отримавши від сервера Cookie-змінну браузер зберігає її на диску у відкритому вигляді тобто не кодуючи її. Крім того в деяких браузерах Cookies взагалі зберігаються в звичайному текстовому файлі а деякі навіть дозволяють проглянути їх.
69695. ТАБЛИЦІ 462.5 KB
  Мета: навчитись представляти інформацію у HTML-документі у вигляді таблиць. Табличні теги мови HTML дозволяють подавати дані у зручній для сприйняття формі. Основним структурним елементом таблиці є комірка, яка містить елемент даних таблиці або заголовок стовпчика даних.
69696. Отримання частини масиву 48.5 KB
  Дана функція повертає частину вказаного масиву, починаючи з вказаного зсуву від початку масиву. Вибірка елементів здійснюється підряд. Довжина результуючого масиву задається параметром Довжина, який є необов’язковим. Якщо цей параметр не вказаний, то вибірка елементів здійснюється до кінця початкового масиву.
69697. Змінні і масиви. Взаємні переходи 68 KB
  Упаковка змінних в масив. Функція compact() Функція compact() «упаковує» змінні і їх значення в масив. В результаті виходить асоціативний масив, ключами якого є імена, змінних, а значеннями елементів — значення змінних.