19855

Принцип работы сканирующего туннельного микроскопа (СТМ). Получение изображения поверхности в режиме постоянного туннельного тока и в режиме метода постоянной высоты

Лекция

Физика

Лекция 20 Принцип работы сканирующего туннельного микроскопа СТМ. Получение изображения поверхности в режиме постоянного туннельного тока и в режиме метода постоянной высоты. Модуляционная методика определения локальной работы выхода. Измерение вольтамперных харак

Русский

2013-07-18

417.5 KB

26 чел.

Лекция 20

Принцип работы сканирующего туннельного микроскопа (СТМ). Получение изображения поверхности в режиме постоянного туннельного тока и в режиме метода постоянной высоты. Модуляционная методика определения локальной работы выхода. Измерение вольт-амперных характеристик с помощью СТМ.

Исторически первым в семействе зондовых микроскопов появился сканирующий туннельный микроскоп (СТМ). Он был создан в 1981 году Гердом Биннигом и Генрихом Рорером в научно-исследовательской лаборатории фирмы IBM в Цюрихе. Пятью годами позже за это изобретение им присудили Нобелевскую премию по физике. СТМ был первым инструментом, который позволил получить изображение поверхности кремния с атомным разрешением.

Принцип работы СТМ основан на явлении туннелирования электронов через узкий потенциальный барьер между металлическим зондом и проводящим образцом во внешнем электрическом поле. На рис.20.1 приведена схема туннелирования электронов через потенциальный барьер в СТМ.

Рис. 20.1

В СТМ зонд подводится к поверхности образца на расстояния в несколько ангстрем. При этом образуется туннельно-прозрачный потенциальный барьер, величина которого определяется, в основном, значениями работы выхода электронов из материала зонда ер и образца еs. При качественном рассмотрении барьер можно считать прямоугольным с эффективной высотой, равной средней работе выхода материалов:

е* = (ер + еs)/2.

Как известно из квантовой механики, вероятность туннелирования электрона (коэффициент прохождения) через одномерный барьер прямоугольной формы равна

    (20.1)

где A0 – амплитуда волновой функции электрона, движущегося к барьеру; At – амплитуда волновой функции электрона, прошедшего сквозь барьер; k – константа затухания волновой функции в области, соответствующей потенциальному барьеру; Δz – ширина барьера.

Энергетическая диаграмма туннельного контакта двух металлов изображена на рис. 20.1.

Рис. 20.2

Для туннельного контакта двух металлов константу затухания можно представить в виде

.     (20.2)

При приложении к туннельному контакту разности потенциалов V между зондом и образцом появляется туннельный ток. В процессе туннелирования участвуют, в основном, электроны с энергией вблизи уровня Ферми EF . В случае контакта двух металлов выражение для плотности туннельного тока имеет вид

 (20.3)

где параметры  j0 и А определяются следующими выражениями:

.    (20.4)

При условии малости напряжения смещения V << выражение (20.3) существенно упрощается

Так как экспоненциальная зависимость очень сильная, то для оценок и качественных рассмотрений можно пользоваться упрощенной формулой

(20.5)

в которой величина j0(V) считается не зависящей от изменения расстояния зонд-образец. Для типичных значений работы выхода (е ~ 4 эВ) значение константы затухания k = 2 Å-1, так что при изменении Δz на ~ 1 Å величина туннельного тока меняется на порядок.

Реальный туннельный контакт в СТМ не является одномерным и имеет более сложную геометрию, однако основные черты туннелирования, а именно экспоненциальная зависимость тока от расстояния зонд-образец, сохраняются и в более сложных моделях, что подтверждается экспериментально.

Если V >> , то из (20.3) получается формула Фаулера-Нордгейма для плотности тока автоэлектронной эмиссии, подробно рассмотренная в Лекции 11.

Экспоненциальная зависимость туннельного тока от расстояния позволяет осуществлять регулирование расстояния между зондом и образцом в туннельном микроскопе с высокой точностью. Так как СТМ представляет собой электромеханическую систему с отрицательной обратной связью, то с ее помощью можно поддерживать величину туннельного тока между зондом и образцом на заданном уровне I0, выбираемом оператором. В каждой точке растра происходит перемещение зонда на величину Δz таким образом, чтобы величина It оказалась равной I0.

Изображение рельефа поверхности в СТМ можно получить двумя методами. В методе постоянного туннельного тока (рис. 20.3) зонд перемещается вдоль поверхности, осуществляя растровое сканирование; при этом изменение напряжения на Z-электроде пьезоэлемента в цепи обратной связи (с большой точностью повторяющее рельеф поверхности образца) записывается в память компьютера в виде функции z = f(x,y), а затем воспроизводится средствами компьютерной графики.

Рис. 20.3

При исследовании атомарно гладких поверхностей часто более эффективным оказывается метод постоянной высоты (Z = const). В этом случае зонд перемещается над поверхностью на расстоянии нескольких ангстрем, при этом изменения туннельного тока регистрируются в качестве СТМ изображения поверхности (рис. 20.4). Сканирование производится либо при отключенной ОС, либо со скоростями, превышающими скорость реакции ОС, так что ОС отрабатывает только плавные изменения рельефа поверхности. В данном способе реализуются очень высокие скорости сканирования и высокая частота получения СТМ изображений, что позволяет вести наблюдение за изменениями, происходящими на поверхности, практически в реальном времени.

Рис.20.4

Высокое разрешение СТМ по оси Z (доли ангстрема) определяется экспоненциальной зависимостью туннельного тока от расстояния до поверхности. Необходимо иметь в виду, что подобное разрешение определяется, в основном, не макроскопическим радиусом кривизны кончика острия зонда, а его атомарной структурой. При правильной подготовке зонда на его кончике с большой вероятностью находится либо одиночный выступающий атом, либо небольшой кластер атомов c размерами много меньше, чем характерный радиус кривизны острия – рис.20.5 .

Рис.20.5

Туннельный ток протекает между поверхностными атомами образца и атомами зонда. Атом, выступающий над поверхностью зонда, находится ближе к поверхности на расстояние, равное величине периода кристаллической решетки (~ Å). Поскольку зависимость туннельного тока от расстояния экспоненциальная, то ток в этом случае течет, в основном, между поверхностью образца и выступающим атомом на кончике зонда.

Для неоднородных образцов туннельный ток является не только функцией расстояния от зонда до образца, но также зависит от значения локальной работы выхода электронов в данном месте поверхности. Для получения информации о распределении работы выхода по поверхности образца в пределах растра применяется метод модуляции расстояния зонд-образец Δz. В данном методе в процессе сканирования к управляющему напряжению на Z-электроде сканера добавляется переменное напряжение с внешнего генератора на частоте ω. Тогда напряжение на Z-электроде сканера можно представить в виде U = U0(t) + Umsint. Это приводит к тому, что расстояние зонд-образец оказывается промодулированным на частоте ω, т.е. Δz(t) = Δz0(t) + Δzmsint; Δzm и Um связаны между собой через коэффициент электромеханической связи пьезосканера K = Δzm /Um. Частота модуляции ω выбирается выше частоты полосы пропускания петли обратной связи, чтобы система обратной связи не могла отрабатывать данные колебания зонда. Амплитуда переменного напряжения Um выбирается достаточно малой, чтобы возмущения туннельного промежутка также были малыми.

Схема измерения локальной работы выхода с помощью метода модуляции расстояния зонд-образец приведена на рис. 20.5.

Рис. 20.5

Колебания расстояния зонд-образец приводят к тому, что появляется переменная составляющая тока на частоте ω и выражение (20.5) для туннельного тока принимает вид:

.

Так как Δzm << Δz0, то экспоненту можно разложить по порядку малости Δzmz0, поэтому выражение для туннельного тока как функция времени может быть представлено в виде

.

Если использовать синхронный детектор и проводить измерения It на частоте , то в каждой точке растра (xy) измеряемая амплитуда частотной модуляции туннельного тока может быть представлена в виде:

(20.6)

Таким образом можно построить одновременно с рельефом z = f(x,y) распределение величины локальной работы выхода еφ(x,y) на исследуемом участке поверхности.

С помощью СТМ можно снимать вольт-амперные характеристики (ВАХ) туннельного контакта в различных точках поверхности, что позволяет судить о локальной проводимости образца и изучать особенности локальной плотности состояний в энергетическом спектре электронов. Для регистрации вольт-амперных характеристик туннельного контакта в СТМ используется следующая методика. На СТМ изображении поверхности выбирается область образца, в которой предполагается произвести измерения. Зонд СТМ выводится сканером в соответствующую точку поверхности. Для получения ВАХ контакта обратная связь на короткое время разрывается, и к туннельному промежутку прикладывается линейно нарастающее напряжение. При этом синхронно с изменением напряжения регистрируется ток, протекающий через туннельный контакт. Во время снятия ВАХ на время разрыва обратной связи на электрод сканера подается потенциал, равный потенциалу непосредственно перед разрывом.

В каждой точке производится снятие нескольких ВАХ. Итоговая вольт-амперная характеристика получается путем усреднения набора ВАХ, снятых в одной точке. Усреднение позволяет существенно минимизировать влияние шумов туннельного промежутка. Схема измерения ВАХ приведена на рис. 20.6.

Рис. 20.6


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

4171. Особенности работы аккумуляторов 29.5 KB
  Первым кто открыл возможность получения тока иным, чем электризация трением, способом был итальянский ученный Луиджи Гальвани (1737-1798). Однажды он заметил, что лапка мёртвой лягушки пришла в движение при соприкосновении с её нервом стального скал...
4172. Формирование здоровья глухих детей 123.5 KB
  Введение. Здоровье – это состояние полного социального биологического и психологического благополучия, когда функции всех органов и систем органов уравновешены с природой и окружающей средой, отсутствуют какие-либо болезненные состояния и физич...
4173. Функциональная асимметрия правого и левого полушарий мозга 86.5 KB
  Введение Изучение функциональной асимметрии больших полушарий головного мозга началось в середине 19 века на пациентах с очаговыми поражениями головного мозга, обусловленных кровоизлияниями и черепно-мозговыми травмами. Было установлено, что поврежд...
4174. Международная торговля: Сравнительные преимущества 84 KB
  Теории международной торговли Проблемы международной торговли интересовали ученых и политиков еще в те времена: когда иные направления экономической теории еще небыли развиты. Доктрина меркантилизма была с XVI века до середины XVIII века, тогда м...
4175. Михаил Павлович Гастфер 60.5 KB
  Михаил Павлович Гастфер. В одной из аудиторий Московского государственного института культуры идет лекция по технической библиографии. Преподаватель, пожилой, но прямой и подтянутый человек, читает вдохновенно и образно. Он во всеоружии мыслей, факто...
4176. Создание топографических планов масштаба 1:5000 81 KB
  При создании топографических планов методами стереотопографической, комбинированной, и фототеодолитной съёмки выполняется комплекс камеральных работ. Полный комплекс этих работ при стереотопографической съёмке включает в себя составление тех проекта...
4177. МЧС и гражданская оборона 116.5 KB
  История российской гражданской обороны Местная противовоздушная оборона (МПВО) 1918-1932 гг. Впервые возможность дезорганизации тыла появилась в годы мировой войны 1914 гг., когда в ходе военных действий нашла применение боевая авиация, с...
4178. Роль государственной собственности в промышленно развитых странах 268 KB
  Введение. Изучение опыта государственного участия в экономическом развитии передовых стран мира интересно и познавательно само по себе. Но для нас существует еще и проблема использования такого опыта с учетом ошибок предшественников, его адаптации к...
4179. Рынок труда и механизм его функционирования 130 KB
  Введение. Рынок труда является одним из наиболее сложных рынков, которые существуют и функционируют. В отличие от других рынков специфика этого рынка состоит в том, что здесь объектом контрактов выступает сам человек, его способность к труду. Сфера ...