199

Разработка конструкции транзисторного радиопередатчика, размещенного в кабине планера

Курсовая

Коммуникация, связь, радиоэлектроника и цифровые приборы

Передающий тракт систем радиосвязи, расчет режимов транзистора мощного усилителя. Расчет режима мощного усилителя СВЧ и некоторое значение тока возбуждения. Расчет режима транзистора по схеме ОЭ без учета индуктивности выводов.

Русский

2012-11-14

9.15 MB

74 чел.

Введение.

Передающий тракт систем радиосвязи играет важную роль в любой радиотехнической системе, ведь именно в нем происходит подготовка полезного сообщения к его передачи при помощи антенны. Немаловажным фактором при конструировании и проектировании передающих трактов также является объект его установки. В нашем случае это кабина планера. Для установки на подобном объекте радиотехническая система должна удовлетворять повышенным требованиям к надежности, термостабильности и виброустойчивости. В связи с этим в конструкции передающего тракта используются печатные пассивные элементы, что, наряду с повышением устойчивости системы к внешним воздействиям, позволяет снизить стоимость процесса изготовления  изделия за счет использования ограниченного числа типоразмеров элементов.

Целью курсовой работы является разработка конструкции транзисторного радиопередатчика, размещенного в кабине планера. Далее на структурной схеме изображен процесс формирования несущего сигнала передающего тракта и расписаны значения мощностей на выходах каждого из каскадов, требуемых, с учетом потерь в каждом каскаде, для формирования сигнала заданной мощности.

Структурная схема радиопередатчика:

 

   

0,82 Вт        

      

   1,025 Вт           107 мВт

                 133 мВт

               

        11 мВт                     8,8  мВт    

  5 кГц               

где АГ - автогенератор, генерирующий переменное поле с заданной частотой.

СТЦ1, СТЦ2, СТЦ3 - согласующе-трансформирующие цепи, которые уравнивают входные и выходные сопротивления каскадов, чтобы снизить потери мощности. У каждой СТЦ подписан ее контурный КПД.

ММУ - маломощный усилитель, увеличивает мощность сигнала, подаваемого от АГ, тем самым подготавливая его для мощного усиления.

МУ - мощный усилитель. Усиливает сигнал до заданных значений мощности.

Так как на начальном этапе мы не знаем требуемую мощность АГ, которая обеспечивала бы нужное значение мощности на выходе, то расчет передающего тракта ведется с конца - от выходной СТЦ к МУ, от МУ к ММУ через СТЦ2, от ММУ к АГ через СТЦ1.

На начальном этапе расчета задаемся значением контурного КПД СТЦ . Исходя из этого, по формуле узнаем требуемую мощность выходного усилителя:

Такое значение мощности означает, что для усиления будет использоваться мощный транзистор.

Расчет мощного усилителя.

Расчет режимов транзистора мощного усилителя был произведен при помощи программы PAMP1.exe

Результатами расчета являются следующие данные:

Расчет транзистора был произведен по упрощенной методике, изложенной ниже.

Расчет режима мощного усилителя СВЧ [1]:

Когда индуктивное сопротивление общего электрода мало (напряжение первой гармоники не превышает 3…5% амплитуды коллекторного напряжения), расчетные формулы упрощаются. Расчет режима транзистора после выбора его типа, ведется на заданную мощность  на частоте  при .

Порядок расчета для схемы ОБ.

Упрощенная методика применима, если выполняются условия:

;     .

Расчет ведем в следующем порядке:

1. Сопротивление потерь коллектора в параллельном эквиваленте:       

2. Напряженность граничного режима:

3.

4.

5. Эквивалентное сопротивление коллекторной нагрузки и приведенное сопротивление соответственно:

6.  Амплитуда первой гармоники тока эквивалентного генератора

7. Параметры и коэффициенты             

8. Коэффициент разложения

9. Амплитуда тока эмиттера

10. Модуль коэффициента усиления по току

11.     

12.     

13.

14. Составляющие входного сопротивления транзистора первой гармонике тока:

15. Коэффициент усиления по мощности

16. Входная и рассеиваемая мощности соответственно:

Если в п. 14  ,то возможно самовозбуждение. Как уже ранее рекомендовалось, для исключения паразитной генерации можно включить  в цепь эмиттера (см. рис. 3.4). При этом коэффициент  уменьшается, обеспечивая стабильность режима. В диапазоне СВЧ рекомендуется задавать . Затем, выполнив пп. 1...8 расчета, определить амплитуду тока эмиттера (п. 9):

и составляющие входного сопротивления  и   (п. 12).

Дополнительное сопротивление находитcя из соотношения:        

Рассеиваемая мощность:         

Расчет маломощного усилителя СВЧ.

Так как мощный усилитель имеет некоторое значение тока возбуждения, при котором открывается входящий в него транзистор, а сигнал АГ зачастую имеет значения выходной мощности, то возникает необходимость в промежуточном усилении. В нашем случае мощность возбуждения МУ мала (<0,3 Вт).  Для этого в схему включается маломощный усилитель между АГ и мощным усилителем.

Расчет  ММУ был проведен с помощью программы MMAMP.exe. Ниже приведены результаты расчета.

Для проведения расчетов необходимо посчитать мощность на выходе маломощного усилителя:

где  – мощность возбуждения мощного усилителя.

– контурный КПД СТЦ2.

Транзистор – КТ648. Его параметры:

Ниже представлена методика расчета, используемая в программе.

Методика расчета ММУ [1]:

Рассматривается расчет режима маломощного транзистора, включенного по схеме ОЭ на заданную выходную мощность  на рабочей частоте  и некоторым смещением  (если оно нужно).

   Для расчета необходимы следующие данные: , ,

А также параметры транзистора в случае, когда его нет в библиотеке программы:

, , , , , , Cк, Cка, Cэ, , , , ,

   Возможен расчет транзистора двумя разными подходами:

1) без учета индуктивности вывода ()

2) с учетом индуктивности вывода ()

   По окончании расчетов необходимо проверить следующие условия:

1)

2)

Если эти условия удовлетворяются, то транзистор можно считать выбранным правильно.

I) Расчет режима транзистора по схеме ОЭ без учета индуктивности выводов .

1. Напряженность режима:

2. Амплитуда напряжения и тока коллектора, эквивалентное сопротивление коллекторной нагрузки:

3. Параметры эквивалентной схемы, граничная частота по крутизне fs и параметры Ωs, cos, sin:

4. Параметр Ф(), определяющий угол отсечки :

Для полученных  и  с помощью табл. 1 находим коэффициент разложения . Далее принимаем .

                 Зависимость 1(,s) от параметра (,) при .

Таблица 1

    cos()

-0.2

-0.1

  0

0.05

0.1

0.15

0.2

0.25

 0.3

0.35

0.4

0.45

0.5

0.55

0.6

s

(,s)

-.32

-.18

  0

0.11

0.23

0.37

0.53

0.74

  1

1.25

1.6

2.12

2.74

3.49

4.29

 0

1(,s)

0.63

0.55

 0.5

0.45

0.43

0.4

0.38

0.34

 0.3

0.28

0.25

0.21

0.18

0.16

0.14

s

(,s)

-.31

-.17

  0

0.11

0.22

0.35

0.5

0.71

0.95

1.19

1.54

  2

2.63

3.39

  4

0.5

1(,s)

0.65

0.58

0.53

0.47

0.45

0.43

0.4

0.35

0.32

0.29

0.26

0.23

0.19

0.16

0.15

s

(,s)

-.28

-.16

  0

 0.1

0.21

0.33

0.49

0.67

0.89

1.12

1.46

1.89

 2.5

3.14

 3.8

1

1(,s)

 0.7

0.63

0.55

0.51

0.48

0.45

0.41

0.38

0.34

0.31

0.28

0.24

 0.2

0.17

0.16

s

(,s)

-.24

-.14

  0

0.08

0.18

0.28

0.43

0.58

0.77

  1

1.33

1.71

2.22

2.93

3.69

2

1(,s)

0.83

0.73

0.65

 0.6

0.55

0.53

0.46

0.43

0.39

0.35

 0.3

0.26

0.23

0.19

0.16

s

(,s)

-.23

-.12

  0

0.07

0.16

0.25

0.37

0.51

0.69

0.93

1.18

1.64

2.15

2.86

3.58

3

1(,s)

0.84

0.83

0.75

0.69

0.64

 0.6

0.54

0.49

0.44

0.37

0.34

0.27

0.23

0.19

0.17

s

(,s)

-0.2

-.11

  0

0.07

0.14

0.23

0.33

0.47

0.63

0.82

1.08

1.44

  2

2.65

3.43

5

1(,s)

 1

0.93

0.84

0.77

0.73

0.65

 0.6

0.54

0.48

0.43

0.37

0.31

0.25

0.21

0.17

Таблица 2

Коэффициенты разложения для косинусоидального импульса

1

.156

.196

.239

.288

.337

.390

.445

.500

.554

.611

.662

.713

.760

.805

.843

.878

.934

.979

.989

.997

1.00

g1

1.82

1.80

1.76

1.73

1.69

1.65

1.61

1.57

1.53

1.49

1.45

1.40

1.36

1.32

1.28

1.28

1.17

1.10

1.05

1.01

1.00

55

60

65

70

75

80

85

90

95

100

105

110

115

120

125

130

140

150

160

170

180

5. Зная   по табл. 2 определим соответствующий ему коэффициент , а затем постоянную составляющую коллекторного тока:

6. Фаза первой гармоники тока эквивалентного генератора:

7. Амплитуда напряжения возбуждения:

8. Входная проводимость тока первой гармоники

9. Мощность возбуждения и коэффициент усиления по мощности:

10.Мощность, потребляемая от источника питания, мощность рассеивания на транзисторе, КПД:

11. Максимальное обратное напряжение на эмиттере:

II) Расчет режима транзистора по схеме ОЭ c учетом индуктивности выводов.

1.

2.  

3.  

4. Нормированные частоты:

5.      

По рассчитанным  и  по табл.1 находим  и затем по табл.2 соответствующий ему коэффициент .

Примечание. Если угол отсечки задан (т.е. режим ненулевого смещения), по табл.2 определяем  и с учетом, найденного  по табл.1 находим  . Затем из формулы для

6.        

7. Активная и реактивная составляющие входного сопротивления току первой гармоники:

8. Коэффициенты усиления по току и мощности:

9.

10.

11.

Расчет автогенератора с входом

для частотно-модулированного сигнала.

В передающем тракте радиотелефона каскад  автогенератора является одним из важнейших в схеме. Именно в АГ происходит синтез электромагнитного поля с заданной частотой, которое затем преобразуется модулированным колебанием в сообщение на радиочастоте. От стабильности АГ зависят многие параметры, в частности степень искажения сигнала при прохождении через каскады передающего тракта. Поэтому стабильность – определяющий параметр АГ, ради которого приходится жертвовать мощностью, снимаемой с выхода АГ. Для обеспечения стабильности генерирования, транзистор АГ должен работать в безынерционном режиме. Биполярный транзистор можно считать безынерционными, если его рабочая частота  (где         - граничная частота по крутизне).

Расчет АГ был проведен с помощью программы ИЧМ АГ.exe.

Исходные данные:

1) угол отсечки:  ,

2) емкостная проводимость:

Для расчета выбран транзистор КТ399А, с граничной частотой  .

В результате были получены следующие данные:

При замене индуктивной цепи был выбран варикап КА611А.

1) коэффициент запаса 0,8

2) напряжение источника питания варикапа 12 В

3) абсолютная девиация частоты 5кГц

Результаты расчета цепей АГ:

Методика расчета безынерционного транзистора маломощного генератора [2]:

1. Определяем коэффициент обратной связи . Значения коэффициентов обратной связи, соответствующие работе транзистора в предельных режимах:

по току ,

по напряжению  ,

по мощности

Рабочее значение коэффициента должно быть меньше наименьшей из этих величин:

 

2. Амплитуда напряжения возбуждения:

3. Амплитуды коллекторного напряжения и тока первой гармоники:

4. Максимальное значение импульса коллекторного тока:

5. Выходная мощность:

6. Эквивалентное сопротивление коллекторной нагрузки:

7. Электронный КПД:

8. Мощность, рассеиваемая коллектором:

9. Напряжение смещения:

10. Максимальное обратное напряжение между базой и эмиттером:

11. Постоянные составляющие коллекторного и базового токов:

12. Мощность, потребляемая от источника коллекторного питания:

После расчета следует убедиться, что значение полученной выходной  мощности  не меньше заданного значения. В противном случае надо заменить тип транзистора или задаться меньшим значением .

При проектировании расчет режима АГ ведут на его выходную мощность  , которая связана с выходной мощностью транзистора  (без учета мощности, идущей на возбуждение транзистора) соотношением

где  - КПД ВЧ системы автогенератора, к которой подключена нагрузка.

Поэтому мощность транзистора , из которой исходят при расчете его режима, может быть определена, если заданы  и . Однако, если мощность  обычно известна, то КПД  следует выбрать. Рекомендуемое значение  зависит от желаемого режима автогенератора: Либо режим повышенной отдачи мощности в нагрузку, либо режим повышенной стабильности частоты от влияний нагрузки. При первом режиме принимают , а при втором   от нескольких сотых до 0,1.

Расчет емкостной трехточечной схемы транзисторного автогенератора с частотной модуляцией [2]:

Схема автогенератора с частотной модуляцией изображена на рис. 2.3. Колебательная система автогенератора с подключением варикапа соответствует рис. 2.2. На варикап подается постоянное напряжение  через потенциометр и моделирующее напряжение , дроссель  служит для развязки высокочастотных цепей и цепи модуляции. 

Исходными данными для расчета емкостной трехточечной схемы транзисторного автогенератора с ЧМ являются следующие величины: средняя частота колебаний ; мощность в нагрузке автогенератора , допустимый коэффициент нелинейных искажений .

Требуется рассчитать режим работы автогенератора, параметры колебательного контура, относительную девиацию частоты  напряжения, подаваемые на частотный модулятор, цепи его питания.

Первоначально производится расчет режима автогенератора, определение параметров колебательного контура   и общей емкости  в цепи между базой и коллектором транзистора (рис. 2.2). Ёмкости  и  (рис. 2.2) рассчитываются исходя из значения  и средней емкости варикапа .

При выборе варикапа необходимо, чтобы его добротность на частоте  была бы достаточно высокой. Пределы изменения емкости варикапа определяются соотношением

     (2.22)

где  - пробивное напряжение  перехода варикапа (рис. 2.4).

Для максимального изменения емкости варикапа величину  целесообразно выбирать из соотношения

         .                      (2.23)

При этом соответственно определяется емкость варикапа, соответствующая .

Рассмотрим следующие случаи соотношений  и :

а) если , то в схеме рис. 2.2 исключаются  и ;

б) если , то в схеме исключается , а величина определяется из соотношения:

     (2.24)

в) если  , то в схеме исключается  , а   определяется из соотношения:                (2.25)

Для обеспечения малого  емкость  должна быть достаточно малой по сравнению с емкостями и   (случай в)).

Если рассчитанные значения этих емкостей не удовлетворяют указанному условию, то надо изменить параметры, задаваемые при расчете . Так, например, в методике расчета параметров колебательного контура автогенератора ([3], с. 128-137) величина емкости  задается. Задавшись новым значением, надо снова рассчитать  и  (случай в)), добиваясь удовлетворения того, чтобы емкость  была бы достаточно малой по сравнению с указанными выше емкостями. При этом также может быть выбран варикап с другим значением .

После определения параметров колебательного контура (рис.2.2) и выбора варикапа рассчитываются амплитуды высокочастотного и модулирующего напряжений  и  на варикапе.

Величина  находится из соотношения:

где  - коэффипиент включения варикапа в колебательный контур; - амплитуда высокочастотного напряжения между коллектором и эмиттером транзистора автогенератора.

Величина  известна из расчета режима автогенератора, коэффициент определяется по значениям  и .

Согласно (2.22), (2.23) и рис. 2.4 можно записать

     (2.27)

откуда

     (2.28)

Чем больше  , тем больше .

Можно рассчитать  из соотношения

     (2.29)

а затем определить

      (2.30)

где - коэффициент запаса, величина которого выбирается меньше единицы.

Относительная девиация частоты определяется согласно (2.I9).

Таким образом, определяются величины  (2.23),  (2.26). Величина  определяется согласно (2.20), (2.21) при .  Если значение  не задано в исходных данных, то и  определяется по формулам (2.29), (2.30), (2.20), (2.21). Величина относительной девиации частоты  определяется соотношением                     (2.31)

Если значение  не задано, то  определяется по формуле (2.19). Значения  и  рассчитываются согласно соотношениям (2.18), (2.19), а величины и , входящие в них, согласно (2.10), (2.11). Значения емкостей, определяющие и , вычисляются с учетом соотношений, приведенных выше для случаев а), б), в).

Расчет резистивного делителя  и , в цепи смещения варикапа проводится исходя из формул [10]

      (2.32)

     (2.33)

где  - напряжение источника питания варикапа; - максимальная частота спектра модулирующего сигнала.

Условие (2.33) вводится исходя из того, чтобы нагрузка источника модулирующего сигнала была постоянной в полосе модулирующих частот.

Дроссель  и блокировочная емкость рассчитываются исходя из того, чтобы представлял собой достаточно большое сопротивление для токов высокой частоты и малое для токов модулирующих частот, а емкость  представляла бы весьма малое сопротивление для токов модулирующих частот.

Порядок расчета схемы транзисторного автогенератора с ЧМ по заданным значениям средней частоты колебаний , мощности в нагрузке автогенератора  и допустимого коэффициента нелинейных искажений :

  1.  Рассчитывается режим работы автогенератора по заданным значениям  и .
  2.  Рассчитываются емкости  индуктивность  по заданному значению .
  3.  Рассчитываются емкости в цепи между базой и коллектором транзистора с учетом соотношений приведенных выше для случаев а), б), в).
  4.  Рассчитываются значения (2.11) и  (2.12):

   (2.11)

      (2.12)

  1.  Рассчитываются рачения  (2.17) и  (2.18):

       (2.17)

  1.  Рассчитываются величины  (2.23),  (2.26),  (при заданном ) (2.20), (2.21).
  2.  Рассчитывается относительная девиация частоты  (2.31) в соответствии с заданным значением .
  3.  6. Рассчитывается резистивный делитель с сопротивлениями  (2.32), (2.33).

Расчет согласующих цепей.

Каскады радиопередатчика (АГ, ММУ, МУ) имеют различные входные и выходные комплексные сопротивления. Если оставить все как есть, то часть электромагнитной энергии в каждом каскаде будет  отражаться и возвращаться  в предыдущий каскад. Из-за этого большая энергии перейдет в тепло, другая часть создаст паразитные обратные связи и дестабилизирует режимы каскадов. Для согласования каскадов применяют согласующе-трансформирующие цепи, которые, однако, все же имеют собственные потери, которые мы учитываем, вводя контурный КПД согласующей цепи.

При расчете согласующих цепей использовалась программа MATCHL.exe

Методика расчета СТЦ на сосредоточенных элементах.

В программе использовались формулы для расчета  Г-образных согласующих LC цепей на сосредоточенных элементах. Эти формулы не учитывают собственные потери в элементах СТЦ. Задавая разные значения КПД можно получить разные значения элементов согласующей цепи. КПД выбирается исходя из физической реализуемости цепи (обычно 0,7-0,9) или соображений требуемой мощности возбуждения или в зависимости от коэффициента передачи в усилительных каскадах.

Данная программа рассчитывает элементы СТЦ исходя из того, что значения активных и реактивных частей нагрузки и генератора представлены в последовательном эквиваленте.

Расчет для Г-цепи производят по следующим формулам:

                                                                                

Условие реализуемости  . В зависимости от этого емкость в  Г-цепи может находиться слева или справа от индуктивности.

Расчет СТЦ3 (между нагрузкой и мощным усилителем).

По заданию в нагрузке стоит чисто активное сопротивление Ом. Реактивное сопротивление на выходе МУ в расчете представлено в параллельном эквиваленте. Для пересчета выходных сопротивлений транзистора воспользуемся формулами:

где  – последовательный эквивалент сопротивлений, а – параллельный, известный нам из расчета транзистора, причем  берем с отрицательным знаком.

Таким образом:

При согласовании выхода МУ с активной нагрузкой мы используем П-цепь, состоящую из двух Г-цепей.

Для этого между Г-цепями вводим фиктивное сопротивление, выбирая его меньше меньшего их двух согласуемых сопротивлений. Таким образом,

В результате согласования выхода транзистора и  получаем значение сопротивления емкости со стороны выхода транзистора:

и части сопротивления индуктивности:            

Затем, согласовывая   и  , получаем значение сопротивления емкости со стороны нагрузки:

и второй части сопротивления индуктивности:

Итого значение сопротивления индуктивности:  

Пересчитывая сопротивления реактивных элементов в значения емкости и индуктивности на рабочей частоте передающего тракта, получаем:

Расчет СТЦ2 (между выходом ММУ и входом МУ).

Для расчета СТЦ2 используем результаты расчета программ PAMP и MMAMP. Входное сопротивление мощного усилителя уже представлено в последовательном эквиваленте, активная и реактивная часть которого соответственно равны: .

Выход ММУ представлен программой в виде параллельного эквивалента, который нужно пересчитать в последовательный. При этом реактивная часть выходного сопротивления не дана в явном виде и ее находим, используя соотношение: .

Активная часть дана

Пересчитываем выход ММУ в последовательный эквивалент по формулам, приведенным ранее:

В результате расчета программы MATCHL получены результаты:

Откуда находим значения элементов:

Расчет СТЦ1 (между выходом АГ и входом ММУ).

Вход ММУ по результатам расчета программы дан нам в виде:

См

Откуда находим входные сопротивления ММУ в параллельном эквиваленте:

Пересчитываем в последовательный эквивалент:

Выходное сопротивление АГ считаем чисто активным и находим его по формуле:

В результате согласования получаем:

Значения элементов:

Расчет гасящих сопротивлений.

понижает напряжение питания 26 В до рабочего напряжения транзистора VT2, равного 12 В:

понижает напряжение 12 В до рабочего напряжения транзистора VT1, равного 5 В:

Расчет цепи автосмещения VT1.

рассчитывается исходя из равенства   ,  где  – малое напряжение на резисторе.

должна представлять собой малое сопротивление по сравнению с сопротивлением  Ом:

Расчет блокировочных и разделительных элементов схемы.

: Блокировочная емкость  рассчитывается исходя из того, что она должна представлять собой достаточно малое сопротивление для токов модулирующих частот (в нашем случае ). Мы берем сопротивление емкости малым (меньше в 10 раз) по сравнению с меньшим из сопротивлений  или  . В нашем случае

Ом. Тогда емкость :

: Разделительная емкость  рассчитывается исходя из того, что она должна представлять собой достаточно малое сопротивление для токов высоких частот (в нашем случае ).

Мы берем сопротивление емкости малым по сравнению с меньшим из сопротивлений  Ом. Тогда емкость :

 должны представлять собой малые сопротивления по сравнению с сопротивлением источника питания  и рассчитываются как:

выбираются исходя из того, что должны быть малыми по сравнению с меньшим из входных и выходных сопротивлений каскадов. Полагаем, что величина R=0,1 Ом в этом случае достаточно мала. Тогда значения емкостей:

 должны представлять собой большие сопротивления для  токов  несущих  частот по сравнению с  или :

 должно представлять собой большое сопротивление для токов высоких частот по сравнению с выходным сопротивлением VT2:

должно представлять собой большое сопротивление для токов высоких частот по сравнению с выходным сопротивлением VT3:

Расчет цепей смещения.

Транзистор VT2 .  Находим значения сопротивлений , обеспечивающих заданное смещение, из системы уравнений:

        

 где  - напряжение смещения,  . Тогда:

Транзистор VT3.  Находим значения сопротивлений , обеспечивающих заданное смещение, из системы уравнений, аналогично предыдущему случаю , где  - напряжение смещения,

 . Тогда:

Проверка на резонанс:

 

 

 

Выбор значений элементов.

Так как промышленность поставляет элементы со значениями из стандартизированных рядов значений, то подберем стандартные значения элементов, близкие к рассчитанным.

Обозначение на схеме

Рассчитанное значение

Выбранное значение

, smd-0805

, smd-0805

, smd-0805

, smd-0805

, smd-0805

, smd-0805

, smd-0805

, smd-0805

, smd-0805

, smd-0805

, smd-0805

, smd-0805

, smd-0805

, smd-0805

, smd-0805

, smd-0805

, smd-0805

, smd-0805

, smd-0805

, smd-0805

                    

, smd-0805

, smd-0805

, smd-0805

smd-0805, LQW2BH

smd-0402

smd-0805, LQW2BH

smd-0805, LQM21N

smd-0201

smd-0805, LQW2BH

smd-0805,LQW2BH

Основные размеры SMD - компонентов:

Резисторы:

Типоразмер
EIA

Типоразмер
метрический

L (mm)

W (mm)

H (mm)

D (mm)

T (mm)

0805

2012

2.1±0.1

1.3±0.1

0.5±0.05

0.4±0.2

0.4±0.2

   Керамические конденсаторы

Tипоразмер
EIA

Tипоразмер
метрический

L (mm)

W (mm)

H (mm)

0805

2012

2.0

1.25

1.3

   Индуктивности:

Tипоразмер
EIA

Серия

L (mm)

W (mm)

0805

LQW2B

2.0

1.5

0805

LQM21

2.0

1.25

0402

LQG15

1

0,5

0201

LQP03

0,6

0,3


Конструкции транзисторов и их размеры:

КТ399А:

Конструкция варикапа:

Список использованной литературы.

  1.  Грановская Р.А. "Расчет каскадов радиопередающих устройств". - М.: Изд. МАИ, 1993.
  2.  Кондратьев А.Л., Михайлов Н.П. "Генераторные каскады с частотной и фазовой модуляцией."     -М.: Изд. МАИ, 1994.
  3.  Давыдова Н.С. - "Методические указания к курсовому проектированию радиопередающих устройств"  М.: Изд. МАИ, 1991.