20074

Схемы включения емкостных преобразователей. Резонансная схема

Доклад

Коммуникация, связь, радиоэлектроника и цифровые приборы

Резонансная схема. REM: Рассмотрим схемы преобразующие изменения с в напряжение: Резонансная схема Используется для включения недифференциальн. Чувствительность схема довольно высока. Схема чувствительна к температурным погрешностям имеет несимметричность ст.

Русский

2013-07-25

74.5 KB

4 чел.

Схемы включения емкостных преобразователей. Резонансная схема.

Изменения емкости можно преобразовать в изменение тока, напряжения или в частоту синусоидального или импульсного тока.

REM: Рассмотрим схемы, преобразующие изменения с в напряжение:

Резонансная схема

Используется для включения недифференциальн. преобр. Генератор через разделительный трансформатор Т питает резонансный LC-контур. Индуктивность контура — это вторичная обмотка трансформатора Тр, а емкость контура состоит из емкости преобразователя Спр и конденсатора настройки Сн. Частота генератора Г и его выходное напряжение постоянны. При изменении емкости Спр напряжение на контуре Uвых меняется по резонансной кривой. Подстроечный конденсатор Cн служит для настройки схемы на максимальную чувствительность. Чувствительность схема довольно высока. Она увеличивается при увеличении добротности контура. Схема чувствительна к температурным погрешностям, имеет несимметричность ст. хар. и требует стабилизации частоты генератора. Требует применения измерительного прибора с высоким входным сопротивлением.

Погрешности схем включения ЕПИП

Емкость ЕПИП лежит в пределах от единиц до сотен pF. На частоте 50 Гц внутреннее сопротивление преобразователя достигает значений 107 Ом. При таком высоком сопротивлении возможны погрешности, обусловленные паразитными токами утечки. На рез. измерения влечет так же непостоянство сопротивления изоляции. Поэтому для уменьшения сопротивления ЕПИП частота напряжения питания увеличивается до нескольких кГц и выше, вплоть до нескольких МГц. Изменение емкости экранов под воздействием внешних факторов (изгибы, вибрация, изменение при  t и т.д.) также приведет к погрешн


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

69008. Електронні структури з p-n одним переходом 297 KB
  Для отримання великої площі р n переходу використовують сплавну дифузійну і планарну технологію для малої площі точкову. Ємності р n переходу. Варікапи Поняття ємності переходу пов’язане з нагромадженням об’ємних зарядів. S площа переходу Рис.
69009. Відомості про електронні прилади апаратури телекомунікацій. Класифікація електронних приладів 113 KB
  До елементів РЕА які найчастіше зустрічаються відносять радіодеталі. Розглянемо основні показники якості електронних елементів. Параметри це величини які характеризують електричні властивості елементів та їх здатність протистояти дії середовища.
69010. Біполярні напівпровідникові структури з одним п/н переходом 211.5 KB
  Сили притягання протонів ядра атома та електронів орбіти урівноважуються силами їх відштовхування. Отже для існування ковалентного зв’язку необхідна пара валентних електронів спільних для двох сусідніх атомів. Однак енергетичні зовнішні впливи на н п призводять до відриву деяких валентних...
69011. Организация строительства жилого дома со встроенными помещениями на Московском проспекте 1.54 MB
  Разработка технологических карт на сложные виды работ, а именно монолитные работы и работы по устройству вентилируемого фасада здания; разработка календарного плана строительства дома на основе расчета нескольких вариантов организации строительства, их сравнения и выбора наилучшего; проектирование строительного генерального плана объекта; разработка комплекса мероприятий по безопасному производству работ...
69014. Високочастотні властивості p-n структур 188.5 KB
  Таким чином при прямій напрузі електрони переходять із однієї області у іншу без витрат енергії утворюючи струм. В цьому випадку навпроти заповнених рівнів pобласті знаходяться заповнені рівні nобласті і електрони здійснюють тунельні переходи з ВЗ pн п в ЗП nн п в обох напрямках і сумарний...
69015. Р-п структури різного призначення. Випрямні властивості р-n переходу 267 KB
  Їх виготовляють за сплавною або дифузійною технологією. Конструкції малопотужних сплавних і дифузійних діодів однакові. До кристалу з р-n переходом припаюють виводи і розміщують у корпусі на кристалодержаку. Вивід емітера ізольований від корпусу, вивід бази зв’язують з корпусом...
69016. МОДЕЛІ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ СТРУКТУР 160 KB
  Бар’єрна ємність визначається нерухомими іонами атомів домішок дифузійна рухомими носіями заряду. Бар’єрна ємність існує при зворотній напрузі дифузійна при прямій. Бар’єрна ємність Бар’єрну ємність СБАР утворює об’ємний заряд нерухомих позитивних іонів атомів домішок Q який розміщується...