20256

Поширення звуку в газах

Доклад

Физика

Поширення звуку в газах Для ізотермічного середовища запишемо рівняння неперервності. Хвилі в газах поширюються переважно в одному напрямку: Звук в газах – повздовжня хвиля згущення і розрідження Тоді: ; підставити 1 .

Украинкский

2013-07-25

64.5 KB

4 чел.

40.Поширення звуку в газах

Для ізотермічного середовища запишемо рівняння неперервності.

і рівняння Нав`є-Стокса:

,  і   - зсувна і об`ємна в`язкість.

Хвилі в газах поширюються переважно в одному напрямку:

Звук в газах – повздовжня хвиля (згущення і розрідження)

    Тоді:

;     підставити     (1)

. Візьмемо

1).

2).

Для газів , для рідин:  


X


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

1116. Применение варистора 36.5 KB
  Вольт-амперная характеристика варистора. Допустимая рассеиваемая мощность. Нелинейное полупроводниковое сопротивление. Множество хаотически расположенных p-n переходов.
1117. Полевые транзисторы 128.5 KB
  В полевых транзисторах применяется полевой принцип управления, малый уровень шумов, улучшение температурная стабильность параметров, повышение радиационной стойкости. Канал полевого транзистора. Стоковые (выходные) характеристики транзистора. Включение источников к полевому транзистору. Полевой транзистор Шоттки.
1118. Биполярные транзисторы 125.5 KB
  Принцип работы биполярного транзистора. Токи в транзисторе. Вольт–Амперные характеристики транзистора. Входные характеристики транзистора ОЭ. Эффект модуляции ширины базы. Выходные характеристики транзистора. Эквивалентная схема транзистора в h параметрах. Схема замещения транзистора в физических параметрах.
1119. Проблема температурной стабилизации транзисторов 348 KB
  Энергетическая диаграмма n полупроводника. Температурный дрейф выходной характеристики. Эмиттерная стабилизация режима. Коллекторная стабилизация режима. Характеристика терморезистора и его графическое обозначение. Термостабилизация режима терморезистором. Динамический режим работы транзисторов.
1120. Принципы использование тиристоров 108 KB
  Принцип действия тиристора. Полупроводниковые источники света. Светоизлучающие диоды. Механические колебания диодов кристаллической решетки. Характеристики СИД. Полупроводниковый лазер. Система зеркал – оптический резистор.
1121. Понятие микросхем. Основные сведение микроэлектроники 244.5 KB
  Микросхема в корпусе ДИП. Полупроводниковые интегральные микросхемы. Структура интегрального биполярного транзистора. Интегральные полевые транзисторы. Интегральные конденсаторы.
1122. Архитектура вычислительных систем 2.32 MB
  Ознакомление с принципом действия, машинными циклами и тактами микропроцессора КР580: изучение правил записи машинных программ(в машинных кодах и мнемокодах), исследование выполнения команд пересылки байта.
1123. Стальной каркас одноэтажного производственного здания 756 KB
  Расстояние от головки кранового рельса до низа несущих конструкций покрытия. Горизонтальные размеры поперечной рамы. Постоянная нагрузка от веса продольной стены и остекления. Постоянные нагрузки от подкрановой конструкции. Величина продольного усилия от постоянной нагрузки в отдельных сечениях колонны. Расчет на вертикальную нагрузку от мостовых кранов.
1124. Залізничний вагонний рухомий склад 311.5 KB
  Основні види та технічні параметри залізничного вагонного рухомого складу. Технічна характеристика платформи моделі 13-2114. Перевезення важковагових, довгомірних, громіздких вантажів.