20357

ДИОДНЫЕ СВЧ АВТОГЕНЕРАТОРЫ И УСИЛИТЕЛИ

Лекция

Коммуникация, связь, радиоэлектроника и цифровые приборы

ДИОДНЫЕ СВЧ АВТОГЕНЕРАТОРЫ И УСИЛИТЕЛИ 16. Физические основы работы генераторных СВЧ диодов 16. СВЧ диодные автогенераторы 16. СВЧ диодные генераторы с внешним возбуждением 16.

Русский

2013-07-25

98 KB

39 чел.

6

Лекция 16. ДИОДНЫЕ СВЧ АВТОГЕНЕРАТОРЫ И УСИЛИТЕЛИ

16.1. Физические основы работы генераторных СВЧ диодов

16.2. СВЧ диодные автогенераторы

16.3. СВЧ диодные генераторы с внешним возбуждением

16.4. Контрольные вопросы

16.1. Физические основы работы генераторных СВЧ диодов

Три типа генераторных СВЧ диодов. В СВЧ диапазоне генерация и усиление колебаний, помимо транзисторов, может осуществляться с помощью еще одной группы полупроводниковых приборов, объединяемых общим названием «генераторные диоды». К ним относятся: полупроводниковый прибор с междолинным переносом электронов, называемый диодом Ганна; лавинно-пролетный диод (ЛПД) и туннельный диод. В первых двух типах приборов вследствие высокой напряженности электрического поля кинетическая энергия электронов значительно превосходит их равновесную тепловую энергию. Сами электроны при этом называются «горячими», а генераторы, использующие ЛПД и диоды Ганна, - устройствами на «горячих» электронах. СВЧ автогенераторы с такими приборами работают в диапазоне частот 1…100 ГГц. Устройство двух типов диодных СВЧ автогенераторов показано на рис. 16.1.

Рис. 16.1. Устройство диодных СВЧ автогенераторов.

В состав автогенератора входят: резонатор волноводного типа 1, в основном определяющий частоту автоколебаний; генераторный диод; элементы перестройки частоты 2, согласования диода с резонатором и связи с нагрузкой.

Рассмотрим физические основы работы названных полупроводниковых приборов, приведенных к единой эквивалентной схеме.

Физические основы работы диода Ганна. В полупроводнике возможно существование нескольких зон проводимости, каждой из которых соответствует определенная энергия электронов. В простейшей модели полупроводниковой структуры из арсенида галлия n-типа таких зон, или долин, две: нижняя, которой соответствует подвижность электронов 1, и верхняя - с 2. При относительно невысокой напряженности электрического поля Е<Епор все электроны находятся в нижней долине, имея среднюю дрейфовую скорость Vдр=1E. В сильном электрическом поле при Е>Енас кинетическая энергия электронов возрастает и они переходят в верхнюю зону проводимости, приобретая скорость Vдр=1E, где 2 <1 из-за возросшей эффективной массы электронов. В промежуточной области значений напряженности электрического поля, определяемой неравенствами Епор<Е<Енас, часть электронов находится в нижней долине, другая часть - в верхней. При этом средняя подвижность электронов меняется от 1, до 2 и в зависимости Vдр=Ф(E) появляется падающий участок (рис. 16.2, а).

Рис. 16.2. ВАХ диода Ганна.

Поскольку ток i прямо пропорционален скорости Vдр, а напряжение и - напряженности поля Е, то в ВАХ диода Ганна на высокой частоте также появляется падающий участок, которому соответствует отрицательная активная проводимость g=di/du<0 (рис. 16.2, б).

Туннельный диод имеет ВАХ, близкую по форме к рис. 16.2, б, в которой также имеется падающий участок, хотя физический механизм его появления носит иной характер.

Физические основы работы лавинно-пролетного диода. Генерация колебаний с помощью ЛПД основывается на двух физических явлениях: лавинном умножении носителей заряда при высокой напряженности электрического поля, близкой к пробивному напряжению Uпр, и пролете этими носителями обедненного слоя диода под действием электрического поля.

Рассмотрим работу ЛПД на примере структуры типа p+-n-i-n+, где р означает дырочную проводимость, п - электронную, i - обедненный слой (рис. 16.3). Распределение напряженности электрического поля Е вдоль структуры показано на том же рисунке. Статическая характеристика p-n-перехода приведена на рис. 7.5. На ней показано напряжение пробоя Uпр, которому соответствует напряженность электрического поля Епр. (Значение Епр колеблется в пределах 300…600 кВ/см).

Рис. 16.3. ЛПД структуры типа p+-n-i-n+.

При Е=Епр на границе р+-n-перехода, где согласно рис. 16.3 напряженность электрического поля Е максимальна, начинается генерация электронно-дырочных пар. Генерируемые электроны инжектируются в пролетную область толщиной W с проводимостью i и под действием внешнего электрического поля двигаются со скоростью Vдр.

Пусть напряжение, приложенное к диоду:

.     (16.1)

При мгновенном значении и=Unp=U0+Um с некоторым запаздыванием по времени возникает кратковременный пробой, сопровождаемый коротким импульсом тока. В результате ток инжекции iин(t) представляет собой периодическую последовательность коротких импульсов, которые во внешней цепи наводят ток в форме периодически следующих прямоугольных импульсов i(t) длительностью пр=W/Vдр (рис. 16.4).

Рис. 16.4. Формы тока и напряжения генераторного диода.

Частота, при которой пр=, называется пролетной: пр=Vдр/W. При Vдр=107 см/с частота fпр [ГГц]=50/W [мкм]. Например, при W=5 мкм пролетная частота fпр=10 ГГц.

Рассмотрим, к какой эквивалентной схеме приводится генераторный диод при формах тока и напряжения, приведенных на рис. 16.4. Для тока диода на протяжении одного периода при пр = запишем:

(16.2)

Разложим в ряд Фурье функцию (16.2), ограничившись постоянной составляющей и 1-й гармоникой:

,    (16.3)

где

     (16.4)

            (16.5)

Сравнивая выражения для напряжения (16.1) и тока (16.3) генераторного диода, с учетом (16.5) получим для эквивалентной активной проводимости следующее уравнение:

.     (16.6)

Согласно (16.6) запаздывание сигнала в полупроводниковой структуре приводит к тому же результату, что и наличие падающего участка в ВАХ - к моделированию прибора в виде отрицательной активной проводимости.

16.2. СВЧ диодные автогенераторы

Благодаря представлению СВЧ генераторных диодов в виде единой для всех модели - отрицательной активной проводимости - разнообразные по конструкции СВЧ диодные АГ (рис. 16.1) также приводятся к общей эквивалентной схеме (рис. 16.5), которая включает четыре параллельно соединенные проводимости.

Рис. 16.5. Эквивалентная схема генераторных диодов.

Две из них относятся к комплексной проводимости, отображающей колебательную цепь автогенератора:

.  (12.7)

Две другие проводимости отображают комплексную, нелинейную проводимость генераторного диода:

.    (12.8)

Знак «минус» перед Gд(,U) указывает на отрицательный характер активной проводимости, благодаря чему и возможно возникновение автоколебаний, а зависимость от амплитуды напряжения U - на нелинейный характер этой проводимости.

Следующее уравнение отображает установившийся режим работы АГ:

,     (16.9)

которое распадается на два уравнения - для действительных и мнимых величин:

,    (16.10)

.     (16.11)

Смысл анализа стационарного режима сводится к определению значений амплитуды U и частоты автоколебаний, удовлетворяющих уравнениям (16.10) – (16.11) и условиям устойчивого режима работы.

Наиболее простой путь решения этих уравнений - графический. На комплексной плоскости проводимостей наносят графики функций Yц()=Gц()+jBц() и –Yд(,U)=G д(,U)+jB д(,U), точки пересечения которых и есть возможные решения системы уравнений (16.10), (16.11).

Пример такого графического решения приведен на рис. 12.6, на котором координаты точки А определяют амплитуду Uyст и частоту автоколебаний в установившемся режиме.

Рис. 16.6. Графическое решение уравнений (16.10 – (16.11).

Мощность сигнала автогенератора при существовании устойчивого режима:

. (16.12)

Следует отметить невысокую стабильность частоты диодных АГ и повышенный уровень создаваемых ими шумов, особенно в случае применения ЛПД. Для улучшения параметров диодных АГ по стабильности частоты применяют резонаторы с высокой добротностью и синхронизацию частоты автоколебаний.

16.3. СВЧ диодные генераторы с внешним возбуждением

Помимо режима генерации автоколебаний генераторные диоды могут использоваться и как усилители мощности СВЧ сигнала в диапазоне 10…100 ГГц, т.е. выше верхней частоты СВЧ транзисторов.

Возможны три основные схемы СВЧ диодных усилителей: проходного, отражательного и типа бегущей волны. Принцип работы усилителя отражательного типа основан на разделении падающей (входной сигнал) и отраженной (выходной сигнал) волн, распространяющихся в фидерной линии, присоединяемой к активному двухполюснику - генераторному диоду. Такое разделение волн осуществляется или с помощью ферритового однонаправленного устройства - циркулятора (рис. 16.7), или мостового квадратурного устройства.

Рис. 16.7. Ферритовый однонаправленный циркулятор.

Поскольку к диоду подключается СВЧ согласующая электрическая цепь, то их суммарная проводимость в месте подключения к фидерной линии запишется в виде:

, (16.13)

где Yц, Yд - комплексные проводимости цепи и диода; g=gцgд - суммарная активная проводимость двухполюсника; b=bц+bд - суммарная реактивная проводимость двухполюсника.

Работу диодного генератора можно оценить с помощью коэффициента отражения, измеренного на входе фидерной линии с волновым сопротивлением , к которой подключен двухполюсник проводимостью Y:

.    (16.14)

Коэффициент усиления устройства по мощности с учетом (16.14) равен:

.    (16.15)

Выражение (16.15) позволяет определить следующие режимы работы диодного генератора и отразить их на плоскости режимов (рис. 16.8):

1. При g>0 (или g>0) значение Г<1 и усиления не происходит (область 1).

2. При –1<gp<0 (при этом g<0) значение 1<Г< - режим устойчивого усиления сигнала по мощности (область 2).

3. При g= –1 (при этом g<0) и b=0 значение Г= - режим автоколебаний (область 3, точка А).

Рис. 16.8. Плоскости режимов работы диодного генератора.

Возникновение автоколебаний возможно и при выполнении более жесткого условия: g<–1 в сочетании с режимом синхронизации автоколебаний (область 4).

Коэффициент усиления по мощности КР одного диодного усилителя отражательного типа обычно не превышает 10…15 дБ. Поэтому при необходимости получения большего значения КР последовательно включают несколько каскадов согласно схеме, приведенной на рис. 16.9, а. Межкаскадная развязка усилителей осуществляется с помощью циркуляторов, что обеспечивает устойчивую работу всей сборки. Эскиз топологии такого трехкаскадного диодного усилителя на МПЛ приведен на рис. 16.9, б, где 1 - генераторный СВЧ диод, 2 - циркулятор, 3 - балластная нагрузка.

Рис. 16.9. Эскиз топологии трехкаскадного диодного усилителя на МПЛ.

Общий коэффициент усиления трехкаскадного СВЧ диодного усилителя запишется в виде:

,   (16.16)

где |Г1|, |Г2|, |Г3|1 и |Гн|1 - модули коэффициентов отражения генераторных диодов и нагрузки.

СВЧ диодные генераторы применяют в диапазоне частот, расположенном выше максимальной частоты транзисторных генераторов, т.е. при частоте выше 8…10 ГГц. КПД таких СВЧ генераторов не превышает 10%. Подобные генераторы имеют повышенный уровень шума, особенно при использовании лавинно-пролетных диодов.

16.4. Контрольные вопросы

1. Перечислите основные типы СВЧ генераторных диодов. В чем их отличие?

2. Как устроен СВЧ диодный автогенератор?

3. Какие режимы работы возможны в СВЧ диодном генераторе с внешним возбуждением? Как определяется в нем коэффициент усиления по мощности?

4. Как определяется коэффициент усиления по мощности в многокаскадном диодном СВЧ генераторе?


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

35158. Active Directory. Схема каталога. Репликация данных. Управление службой Active Directory 34 KB
  Схема каталога. Управление службой ctive Directory Любой объект каталога принадлежит к некоторому классу объектов со своей структурой атрибутов. Определения всех классов объектов и совокупности правил позволяющих управлять структурой каталога хранится в специальной иерархической структуре – схеме каталога. Схема каталога хранится в отдельном разделе и допускает возможность расширения.
35159. Службы имен. DNS, WINS 29.5 KB
  Службы имен. Помимо IPадреса для сетевых подключений и подключений удаленного доступа в сети TCP IP может потребоваться средство сопоставления имен компьютеров с IPадресами. Существует четыре механизма разрешения имен: служба DNS служба WINS широковещательное разрешение имен и использование файлов Hosts и Lmhosts. В небольших сетях где IPадреса не изменяются сетевые подключения и подключения удаленного доступа могут пользоваться для разрешения имен файлами Hosts и Lmhosts.
35160. Службы имен. Администрирование DNS 28 KB
  Администрирование DNS. DNSсервер представляет собой дополнительную компоненту операционной системы Windows Server 2003. Управление серверами DNS выполняется с помощью соответствующей оснастки Microsoft Mngement Console mmc. Выполнив команду меню Действие – Подключение к DNSсерверу необходимо указать имя компьютера где установлена служба DNS.
35161. Политики безопасности в домене Windows. Понятие групповой политики. Использование групповых политик 30 KB
  Политики безопасности в домене Windows. Понятие групповой политики. Групповые политики создаются в домене и реплицируются в рамках домена. Объект групповой политики Group Policy Object GPO – основной элемент групповой политики выступающий в качестве самостоятельных элементов каталога.
35162. Политики безопасности в домене Windows. Основные группы параметров 29.5 KB
  Общие сведения о параметрах безопасности: Подразделения домены и сайты связанны с объектами оснастки ГП. Средство параметры безопасности позволяет изменить конфигурацию безопасности для объекта оснастки ГП который в свою очередь повлияет на несколько компьютеров. Параметры безопасности или политики безопасности – это правила для одного или нескольких компьютеров применяемые в целях защиты ресурсов или сети.
35163. Регистрация событий в Windows. Классификация событий 34.5 KB
  Классификация событий. средства протоколирования событий доступные в Windowsсистемах. Когда система замедляется ведет себя непредсказуемо или демонстрирует другое ошибочное поведение нелишне заглянуть в журналы событий и попытаться определить потенциальный источник проблем.
35164. Реестр Windows. Назначение, способы работы с реестром. Меры предосторожности при работе с реестром 40 KB
  В комплект Windows входит редактор реестра программа regedit. Реестр имеет иерархическую древовидную структуру состоящую из разделов подразделов кустов и записей реестра. Существуют специальные редакторы реестра позволяющие просматривать и модифицировать реестр. Категорически не рекомендуется изменять параметры реестра самостоятельно.
35165. Архитектура Microsost SQL Server. Управление к доступам данным в MSSQL Server 37 KB
  Управление к доступам данным в MSSQL Server. Симметричная мультипроцессорная архитектура MS SQL Server предусматривает использование родных сервисов операционной системы Windows для управления потоками памятью операциями дискового чтения записи сетевыми службами функциями безопасности а также для поддержки параллельного выполнения потоков на нескольких CPU. Использование потоков Windows позволяет MS SQL Server автоматически масштабироваться при работе на многопроцессорных платформах что исключает необходимость дополнительной...
35166. Транзакции. Организация транзакций в SQL 36.5 KB
  Организация транзакций в SQL. SQL Server предлагает множество средств управления поведением транзакций. SQL Server поддерживает три вида определения транзакций: явное; автоматическое; подразумеваемое. По умолчанию SQL Server работает в режиме автоматического начала транзакций когда каждая команда рассматривается как отдельная транзакция.