20522

Схемы соединение гальванических элементов. Схема включения реостата. Схема включения потенциометра

Лабораторная работа

Физика

Схемы соединение гальванических элементов. Теоретическое обоснование: Последовательное соединение элементов показано на стенде а ЭДС батареи Ебат составленной из последовательно соединенных элементов будет больше ЭДС одного элемента Е в n раз Ебат=Е Последовательное соединение элементов применяется в тех случаях когда требуется напряжение больше чем напряжение одного элемента. Но при любом количестве соединяемых последовательно элементов номинальный ток батареи остается равным номинальному току одного элемента. План работы: Начертить...

Русский

2013-07-31

24.5 KB

1 чел.

Лабораторная работа № 5.

Схемы соединение гальванических элементов. Схема включения реостата. Схема включения потенциометра.

Цель работы:

Исследование схем.

Теоретическое обоснование:

 Последовательное соединение элементов показано на стенде, а ЭДС батареи Ебат, составленной из последовательно соединенных элементов, будет больше ЭДС одного элемента Е в n раз

Ебат

Последовательное соединение элементов применяется в тех случаях, когда требуется напряжение больше, чем напряжение одного элемента. Но при любом количестве соединяемых последовательно элементов номинальный ток батареи остается равным номинальному току одного элемента.

Iбат=I

Параллельное соединение применяется для получения тока, который превышает номинальный ток одного элемента.

Iбат=I+I+…+I=In

ЭДС батареи в этом случае равна ЭДС одного элемента

Ебат

Смешенное соединение применяют в тех случаях, когда требуется батарея с большим значениями ЭДС и тока.

Необходимо помнить, что в батарею должны соединятся элементы с одинаковыми характеристиками.

План работы:

Начертить схемы замещения:

  1.  Схемы включения реостата
  2.  Схемы включения потенциометра
  3.  

Схемы соединения гальванических элементов.

Вывод :

 Из построенных схем и условий каждая цепь имеет своё значение ЭДС на каждой схеме она определяется по разному.

Ответы на контрольные вопросы:

  1.  При параллельном соединении: Еобщ12=…=Еn
  2.  При последовательном соединении: Еобщ= Е12+…+Еn
  3.  При смешанном соединении: Еобщ=n*Е1


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

37746. Ознайомлення з архітектурою мікроконтролерів фірми ATMEL 111.5 KB
  Основною ідеєю всіх RISC Reduced Instruction Set Computer як відомо є збільшення швидкодії за рахунок скорочення кількості операцій обміну з пам'яттю програм. Для цього кожну команду прагнуть вмістити в одну комірку пам'яті програм. При обмеженій розрядності елементу пам'яті це неминуче призводить до скорочення набору команд мікропроцесора. У VRмікроконтролерів відповідно до цього принципу практично всі команди крім тих у яких одним з операндів є 16розрядний адреса також упаковані в одну комірку пам'яті програм.
37747. Исследование переходных процессов при разряде конденсатора на резистор и индуктивную катушку 616 KB
  Выполнил: студент группы ПО 222 Принял: Преподаватель УФА 2007 Цель: Исследовать апериодический колебательный разряд конденсатора на резистор и индуктивную катушку.002 202 1271 Формула Томсона: Вывод: Собрав цепь по 1 схеме установив емкость конденсатора 0. В опыте разряда конденсатора на индуктивность рассмотрели случай колебательного затухающего процесса определили период колебательного разряда.
37748. Социологическое понимание личности. Структура личности 15.77 KB
  Личность — это совокупность (система) социально значимых качеств, характеризующих индивида как члена того или иного общества, как продукт общественного развития. Это социальная характеристика человека, которая определяется мерой усвоения им социального опыта.
37750. Визначення перехідної і частотної характеристики систем 1.42 MB
  Мета роботи: Набути практичних навичок вивчення перехідної і частотних характеристик системи за їхніми передаточними функціями.
37751. КЛЮЧЕВОЙ РЕЖИМ РАБОТЫ ТРАНЗИСТОРА 136.97 KB
  Во время переходных процессов при переключении из одного статического состояния в другое транзистор работает в нормальном и инверсном активных режимах. ГТ Т1 г 1кн КК нк вых икэ и ч Основными параметрами переходных процессов являются: при включении ТК 1з время задержки и Сф длительность фронта а при выключении 1рас время рассасывания накопленного в базе заряда и 1с длительность среза. Время задержки {з = твх 1п 1 где твх =КбСвх ; 160 ЕБ1 начальное напряжение на Свх. Временные диаграммы работы транзисторного ключа Для...
37752. Исследование интерференционного светофильтра 402 KB
  Зеркала полупрозрачны так что часть света отражается от них R коэффициент отражения часть поглощается А коэффициент поглощения а часть проходит Т коэффициент пропускания. Основные характеристики ИФ: mx длина волны в максимального пропускания Tmx максимальный коэффициент пропускания Tmin минимальный коэффициент пропускания 05 спектральная полуширина ширина полосы на уровне 05Tmx 2 угловая ширина светового пучка К контраст отношение максимального и минимального коэффициетов пропускания Т R А = 1 для...