20525

Исследование полупроводникового диода

Лабораторная работа

Физика

Исследование полупроводникового диода. Цель работы: Изучение свойств плоскостного диода путём практического снятия и исследования его вольтамперной характеристики. UПР В I A Uобр В I A 06 10 25 10 065 15 5 14 07 20 7 20 075 25 9 26 08 80 11 32 Обработка результатов опытов: По данным таблицы 1 2 в декартовой системе координат построить вольтамперную характеристику диода. Это показывает вольтамперная характеристика диода.

Русский

2013-07-31

28.5 KB

5 чел.

Лабораторная работа № 8.

Исследование полупроводникового диода.

Цель работы:

Изучение свойств плоскостного диода путём практического снятия и исследования его вольтамперной характеристики.

Ход работы:

1. Подключить шнур питания к сети.

2. Тумблером "СЕТЬ" включить стенд - при этом загорается лампочка сигнализации.

3. Тумблер В - 1 поставить в положение 1.

Снять вольтамперную характеристику при изменении напряжения источника потенциометром R при прямом положении, приложенном к диоду. Результаты измерений занести в таблицу № 1.

4. Тумблер В - 1 поставить в положение 2.

Снять вольтамперную характеристику при изменении напряжения источника потенциометром R при прямом положении, приложенном к диоду. Результаты измерений занести в таблицу № 2.

UПР

I, A

Uобр, В

I, A

0,6

10

2,5

10

0,65

15

5

14

0,7

20

7

20

0,75

25

9

26

0,8

80

11

32

Обработка результатов опытов:

По данным таблицы 1, 2 в декартовой системе координат построить вольтамперную характеристику диода.

Вывод:

С помощью этой лабораторной работы мы доказали что полупроводниковый диод обладает односторонней проводимостью. Это показывает вольтамперная характеристика диода. При небольшом напряжении U=0,8 B. на зажимах диода в цепи проходит относительно большой ток I=30 МА, а при значительном обратном напряжении U=11 В., ток ничтожно мал I=32 МкА.

Ответы на контрольные вопросы:

1.  Е - запирающий слой, который препятствует перемещению электронов и дырок. Контакт двух полупроводников р - типа и n - типа называют р - n - переходом.

При таком соединении толщина запирающего слоя уменьшается, увеличивается проводимость, появляется ток прямой или пропускной.

Если изменить полярность источника, то электроны сместятся к положительным электродам, запирающий слой увеличится. Сопротивление р - n - перехода возрастает, а ток уменьшается (в 1000 раз по сравнению с прямым током). Этот ток называется обратным.

2.  Точечно-плоскостные полупроводниковые диоды имеют особенность в строении. У этих диодов кристалл германия (кремния) не вплавляется в донорную или акцепторную примесь. В германиевом диоде на пластину с электро  проводимостью наклеивается табличка из индия. В процессе изготовления диода, пластину нагревают до 500 0 С, чтобы расплавленные атомы индия внедрились в германий, при этом образуя область с дырочной проводимостью.

3.  Выпрямительные полупроводниковые диоды характеризуются током (прямым и обратным) и напряжением электрического поля.

4.  Повышение температуры окружающей среды влияет на число свободных электронов и дырок, оно сильно возрастает, а значит увеличивается проводимость.