20525

Исследование полупроводникового диода

Лабораторная работа

Физика

Исследование полупроводникового диода. Цель работы: Изучение свойств плоскостного диода путём практического снятия и исследования его вольтамперной характеристики. UПР В I A Uобр В I A 06 10 25 10 065 15 5 14 07 20 7 20 075 25 9 26 08 80 11 32 Обработка результатов опытов: По данным таблицы 1 2 в декартовой системе координат построить вольтамперную характеристику диода. Это показывает вольтамперная характеристика диода.

Русский

2013-07-31

28.5 KB

5 чел.

Лабораторная работа № 8.

Исследование полупроводникового диода.

Цель работы:

Изучение свойств плоскостного диода путём практического снятия и исследования его вольтамперной характеристики.

Ход работы:

1. Подключить шнур питания к сети.

2. Тумблером "СЕТЬ" включить стенд - при этом загорается лампочка сигнализации.

3. Тумблер В - 1 поставить в положение 1.

Снять вольтамперную характеристику при изменении напряжения источника потенциометром R при прямом положении, приложенном к диоду. Результаты измерений занести в таблицу № 1.

4. Тумблер В - 1 поставить в положение 2.

Снять вольтамперную характеристику при изменении напряжения источника потенциометром R при прямом положении, приложенном к диоду. Результаты измерений занести в таблицу № 2.

UПР

I, A

Uобр, В

I, A

0,6

10

2,5

10

0,65

15

5

14

0,7

20

7

20

0,75

25

9

26

0,8

80

11

32

Обработка результатов опытов:

По данным таблицы 1, 2 в декартовой системе координат построить вольтамперную характеристику диода.

Вывод:

С помощью этой лабораторной работы мы доказали что полупроводниковый диод обладает односторонней проводимостью. Это показывает вольтамперная характеристика диода. При небольшом напряжении U=0,8 B. на зажимах диода в цепи проходит относительно большой ток I=30 МА, а при значительном обратном напряжении U=11 В., ток ничтожно мал I=32 МкА.

Ответы на контрольные вопросы:

1.  Е - запирающий слой, который препятствует перемещению электронов и дырок. Контакт двух полупроводников р - типа и n - типа называют р - n - переходом.

При таком соединении толщина запирающего слоя уменьшается, увеличивается проводимость, появляется ток прямой или пропускной.

Если изменить полярность источника, то электроны сместятся к положительным электродам, запирающий слой увеличится. Сопротивление р - n - перехода возрастает, а ток уменьшается (в 1000 раз по сравнению с прямым током). Этот ток называется обратным.

2.  Точечно-плоскостные полупроводниковые диоды имеют особенность в строении. У этих диодов кристалл германия (кремния) не вплавляется в донорную или акцепторную примесь. В германиевом диоде на пластину с электро  проводимостью наклеивается табличка из индия. В процессе изготовления диода, пластину нагревают до 500 0 С, чтобы расплавленные атомы индия внедрились в германий, при этом образуя область с дырочной проводимостью.

3.  Выпрямительные полупроводниковые диоды характеризуются током (прямым и обратным) и напряжением электрического поля.

4.  Повышение температуры окружающей среды влияет на число свободных электронов и дырок, оно сильно возрастает, а значит увеличивается проводимость.


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

13177. КОМПЮТЕРНІ МЕРЕЖІ. Комунікаційна мережа 878.5 KB
  КОМПЮТЕРНІ МЕРЕЖІ 1. Введення Компютерна мережа обчислювальна мережа мережа передачі даних система звязку компютерів і/або компютерного устаткування сервери маршрутизатори і інше устаткування канали звязку. Для передачі інформації можуть бути використані р
13178. ВИВЧЕННЯ ЯВИЩА ЕЛЕКТРОМАГНІТНОЇ ІНДУКЦІЇ 2.51 MB
  ЛАБОРАТОРНА РОБОТА № 17 ВИВЧЕННЯ ЯВИЩА ЕЛЕКТРОМАГНІТНОЇ ІНДУКЦІЇ Мета роботи: спостерігати явище електромагнітної індукції перевірити умови появи в котушці індукційного струму дослідити залежність напряму струму від властивостей магнітного поля перевірити с
13179. Дослідження МПС на базі мікропроцесорного комплекту КР580 821.5 KB
  ЛАБОРАТОРНА РОБОТА №1 Дослідження МПС на базі мікропроцесорного комплекту КР580 1. Мета роботи Вивчення структури та функцiональних можливостей мiкропроцесорної системи МIКРОЛАБ КР58О карти її памятi органiв управл...
13180. Дослiдження роботи оперативних запамятовуючих пристроїв з довiльною вибiркою 238.5 KB
  ЛАБОРАТОРНА РОБОТА №2 Дослiдження роботи оперативних запамятовуючих пристроїв з довiльною вибiркою 1. Мета роботи Вивчення конструкцiї та режимами роботи оперативних запомятовуючих пристроїв з довiльною вибiркою ЗПДВ на прикладi мiкросхеми К565 РУ2. 2. Короткі те...
13181. ЛАБОРАТОРНА РОБОТА №3 Функціонування МП КР580ВМ80 (i8080) 2.11 MB
  ЛАБОРАТОРНА РОБОТА №3 Функціонування МП КР580ВМ80 i8080 1. МЕТА РОБОТИ. Дослідження структури принципу роботи мікропроцесора та виконання окремих команд і простих програм з використанням різних методів адресації в програмах. 2. КОРОТКI ТЕОРЕТИЧНI ВIД...
13182. Програмування МП КР580ВМ80 150 KB
  Мікропроцесорні системи Лабораторна робота№4 ЛАБОРАТОРНА РОБОТА №4 Програмування МП КР580ВМ80 1. Мета роботи Вивчення команд Асемблера для мікропроцесора КР580ВМ80. Отримання пр...
13183. Дослідження роботи ППІ КР580ВВ55 2.21 MB
  ЛАБОРАТОРНА РОБОТА №5 Дослідження роботи ППІ КР580ВВ55 1. Мета роботи Вивчення структури та принципу роботи програмованого паралельного iнтерфейса КР580ВВ55. 2. Короткі теоретичні відомості 2.1. Призначення та режими роботи iнтерфейса Мiкросхема КП580ВВ55 використов...
13184. Дослідження апаратної структури мікро-ЕОМ на базі лабораторного стенду EV8031/AVR 52 KB
  Мікропроцесорні системи Лабораторна робота№6 ЛАБОРАТОРНА РОБОТА №6 Дослідження апаратної структури мікроЕОМ на базі лабораторного стенду EV8031/AVR 1. Мета роботи Вивчення функціональних можливостей учбовоналагоджувального ст
13185. Дослідження пристроїв відображення інформації в мікро-ЕОМ на базі лабораторного стенду EV8031/AVR 623 KB
  ЛАБОРАТОРНА РОБОТА №7 Дослідження пристроїв відображення інформації в мікроЕОМ на базі лабораторного стенду EV8031/AVR 1. Мета роботи Вивчення схем динамічної і статичної індикації...