20928

ДОСЛІДЖЕННЯ БІПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА

Лабораторная работа

Коммуникация, связь, радиоэлектроника и цифровые приборы

Для зняття вхідних статичних характеристик транзистора необхідно: а включити тумблери B1 ВЗ В4 В6 В9 B11 вимкнути тумблери В2 В5; тумблер В12 поставити в положення ; б за допомогою ручки РЕГ. Для зняття вихідних статичних характеристик транзистора потрібно: а встановити необхідне значення базового струму регулятором РЕГ.2; б змінюючи напругу Uке через інтервали вказані викладачем вимірювати значення колекторного струму транзистора міліамперметром СТРУМ Iк .

Украинкский

2013-08-01

378 KB

11 чел.

Лабораторна робота  № 3

ДОСЛІДЖЕННЯ БІПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА

Мета роботи - вивчити особливості роботи біполярного транзистора,  виконати дослідження статичних характеристик, експериментально

визначити його основні параметри.

Вказівки до виконання роботи

1. Для зняття вхідних статичних характеристик транзистора необхідно:

а) включити тумблери B1, ВЗ, В4, В6, В9, B11, вимкнути тумблери В2, В5; тумблер В12 поставити в положення    ;

б) за допомогою ручки "РЕГ. НАПРУГИ  Ек " встановити необхідне значення напруги Uкэ, вказане викладачем;

в) змінюючи напругу Uбе за допомогою ручки "РЕГ. НАПРУГИ Uвх," вимірювати значення базового струму мікроамперметром "СТРУМ Iвх".

2. Для зняття вихідних статичних характеристик транзистора потрібно:

а) встановити необхідне значення базового струму регулятором "РЕГ. НАПРУГИ Uвх ", вказане в табл.3.2;

б) змінюючи напругу Uке через інтервали, вказані викладачем, вимірювати значення колекторного струму транзистора міліамперметром "СТРУМ ".

Порядок виконання роботи

     I. Зібрати схему дослідження транзистора (рис.3.1).

     Рис.3.1.

2. . Включити стенд за допомогою тумблера „ МЕРЕЖА „ , при цьому повинна спалахнути лампочка сигналізації.

3. Зняти вхідні статичні характеристики транзистора  при для трьох фіксованих значень Uке за узгодженням з викладачем. Одержані результати занести в табл. 3.I.

          Таблиця 3.1

Uке=0,В

Iб,  мкА

0

20

40

60

80

100

120

140

160

180

 Uбе,  мВ

Uке =

Iб,  мкА

0

20

40

60

80

100

120

140

160

180

 Uбе,  мВ

Uке =

Iб,  мкА

0

20

40

60

80

100

120

140

160

180

Uбе,  мВ

4. Зняти вихідні статичні характеристики транзистора  при  для трьох фіксованих значень Iб, вказаних  викладачем. Одержані результати занести в табл. 3.2.

Таблиця 3.2

Iб =

мкА

Iк,  мА

Uке,  В

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

Iб =

мкА

Iк,  мА

Uке,  В

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

Iб =

мкА

Iк,  мА

Uке,  В

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

5. Після закінчення роботи поставити ручки регуляторів напруги в крайнє ліве положення і вимкнути стенд

6. Побудувати статичні характеристики транзистора.

7. Для вказаних викладачем крапок на статичних характеристиках транзистора визначити коефіцієнт посилення по струму β і вхідний опір Rвх.

8. Зробити висновки за наслідками досліджень.

Короткі теоретичні відомості

Біполярний транзистор - це напівпровідниковий прилад, що складається з трьох областей,  в яких тип провідності чергується, призначений для посилення потужності.

Термін "біполярний" характеризує наявність в транзисторі двох типів носіїв зарядів: дірок і електронів. Транзистор містить три зони. Середню область називають базою, крайні - емітером і колектором. База є електродом, за допомогою якого можна регулювати струм через транзистор і, управляючи потужністю зовнішнього джерела напруги, усилювати електричні сигнали. Існує термінологія, відповідно до якої емітером називають область транзистора, що служить для інжекції носіїв заряду в базу. Колектором називається область, призначена для екстракції носіїв заряду з бази, а базою є область, в яку інжектуются емітером неосновні для цієї області носії заряду. Залежно від чергування провідності в областях ( n і р ) розрізняють транзистори р-п-р і п-р-п типів. Принцип роботи цих двох типів транзисторів аналогічний.

Якщо напругу в ланцюзі емітера змінювати в часі, то по цьому ж закону змінюватимуться всі струми транзистора, а отже, і напруга на опорі в ланцюзі колектора. Потужність вихідного сигналу може у багато разів перевищувати потужність вхідного.

Для величин, що відносяться до бази, емітера і колектора, застосовують як індекси букви «б», «е» і «к». Струми в ланцюгах бази, емітера і колектора  позначають відповідно iб, iе, iк. Напруги між електродами позначають подвійними індексами: uбе, uкб, uке .  

Для оцінки роботи транзистора в тій або іншій схемі використовуються, так звані, характеристичні параметри, що відображають залежність зміни  струмів і напруг на вході і виході схеми. До основних характеристичних параметрів транзистора відносяться:

вхідний опір:

;

вихідний опір:

    коефіцієнт посилення по струму:

 коефіцієнт посилення по напрузі:

 коефіцієнт посилення по потужності:

Значення характеристичних параметрів залежать від схеми включення транзистора. Існує три схеми включення транзисторів: із спільною базою (ОБ), із спільним емітером (ОЕ) і із спільним колектором (ОК).

Для вказаних схем включення транзисторів характеристичні параметри в значній мірі відрізняються.

Схеми „ ОБ” , представлені на рис.3.2. для р-n-p (рис.3.2.,а)  і n-p-n  (рис.3.2,б) забезпечують велике підсилення  напруги і потужності, але мають коефіцієнт підсилення  струму менший за одиниц. Вхідний опір Rвх в таких схемах дуже малий, а вихідний Rвих - великий.

а)           б)

Рис.3.2.

У даних схемах:

,

де  - коефіцієнт передачі струму емітера;

- відповідно струм колектора і струм емітера;         Схеми  ОЕ” (рис.3.3.,а,б) забезпечують велике посилення  струму, напруги і потужності.

    а)          б)

     Рис.3.3.

При цьому Rвх відносно невеликий і залежить від опору навантаження,  а Rвих достатньо великий.

,

де  - динамічний коефіцієнт передачі струму бази.

  

 Схеми „ ОК”  (рис.3.4.,а,б) забезпечують посилення  струму і потужності, але коефіцієнт посилення  напруги  в таких схемах менший за одиницю.

 

а)                  б)

    Рис.3.4.

Вхідний опір в таких схемах дуже великий, а вихідний опір Rвих малий.

.

Для аналізу електричних кіл, які містять транзистори, використовуються різні еквівалентні схеми. Найпоширенішою є еквівалентна схема біполярного транзистора в h – параметрах, яка відображає залежність вихідного струму і вхідної напруги від його вхідного струму і вихідної напруги . Дана залежність визначається системою рівнянь:

Дана система рівнянь може бути конкретизована залежно від схеми включення. Так для n-p-n транзистора, включеного по схемі „ ОЕ”, одержуємо:

Коефіцієнти, представлені в даному рівнянні визначаються експериментально за допомогою дослідів короткого замикання на виході і зворотнього холостого ходу на вході транзистора. При короткому замиканні  одержуємо:

вхідний опір h11 э

,

значення якого знаходиться в межах від сотень Ом до декількох кОм,

і коефіцієнт посилення струму  h21 Е:

,

величина якого знаходиться в межах від декількох десятків  до декількох сотень Ом.

При зворотному холостому ходу  коефіцієнт зворотного зв'язку :

а вихідна провідність h22 Е:

рівна звичайно десятим і навіть сотим часткам мілісименса.

Для кожного транзистора можуть бути одержані сімейства статичних вихідних і вхідних характеристик.

Вихідні характеристики транзистора при  показані на рис.3.5,а.

Вхідні характеристики транзистора, включеного по схемі   „ОЕ” (рис. 3.5,б)  є характеристиками діода в прямому напрямі. При збільшенні Uкэ    ці характеристики зміщуються управо. Для наближеного обчислення коефіцієнта посилення по струму β для  деякої точці М характеристики,  необхідно в околиці цієї точки виділити ще дві точки (наприклад, С і D), для яких відомізначення колекторного і базового струмів. Тоді величина  β визначається як:     

  а)                                             б)

Рис.3.5.

Так само визначається наближене значення вхідного опору транзистора Rвх  по його вхідних характеристиках. Вибравши в околиці точки N, в якій визначається величина Rвх,  деякі крапки (наприклад, А і В), для яких відомі значення напруги Uвх   і струму Iб, одержуємо:

Контрольні питання

1. Поясніть роботу транзистора типу р-n-p і  n-p-n .

2. Назвіть схеми включення транзистора.

3. Особливості схеми із спільним емітером і спільним колектором.

4. Що таке вихідна характеристика транзистора?

5. Що таке вхідна характеристика в схемі із спільним емітером?

6. Поясніть процес посилення по струму в схемі із спільним емітером.

7. Як впливає струм бази на вихідну характеристику?

8. Визначте вхідний опір і коефіцієнт посилення струму по характеристиках транзистора.


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

16716. Economics in China 21.96 KB
  Economics in China. The official support of a marketbased economy that came from Deng Xiao Ping in 1992 has resulted in a more open system of trade for China and subsequently a huge growth spurt in China's economy. The economic reforms which Deng instigated culminated in a socialist market economy a term which was actually incorporated into the Chinese constitution during the National People's Congress in March 1993. Since that time China's economy has experienced a substantial boost in...
16717. Planned economy 41.9 KB
  Planned economy This article is about an economic system controlled or directed by the state. For proposed economic systems that employs participatory or democratic planning Planned economy or command economy is an economic system in which the state directs the economy.[1] It is an economic system in which the central government controls industry such that it makes major decisions...
16718. ДОБЫЧА ЗОЛОТА МЕТОДАМИ ГЕОТЕХНОЛОГИИ 109.5 KB
  Геотехнология определяется как метод добычи цветных, редких и благородных металлов путем их избирательного растворения химическими реагентами на месте залегания и последующего извлечения образованных в зоне реакций
16719. Бактериальное выщелачивание 40 KB
  Бактериальное выщелачивание избирательное извлечение химических элементов из многокомпонентных соединений посредством их растворения микроорганизмами в водной среде. Благодаря Б. в. появляется возможность извлекать из руд отходов производства и т. д. ценные...
16720. Влияние вторичных процессов на извлечение золота при сорбционном выщелачивании 53.5 KB
  УДК.669.21/23 Влияние вторичных процессов на извлечение золота при сорбционном выщелачиванииКустова Л.А. начальник ЦЗЛ ГМЗ2 Центрального рудоуправления НГМК; Коротовских Г.А. зам. начальника ЦЗЛ ГМЗ2 Центрального рудоуправления НГМК Золотосодержащие руды отличаются бо...
16721. Влияние концентрации цианистого натрия и тонины помола на извлечение золота и серебра из пульпы 65.5 KB
  УДК 622 Влияние концентрации цианистого натрия и тонины помола на извлечение золота и серебра из пульпыДубов А.А. начальник цеха сорбции и регенерации ГМЗ2 Центрального рудоуправления НГМК С момента пуска Гидрометаллургического завода № 2 НГМК в эксплуатацию на нем с
16722. ВОЗМОЖНОСТИ ГРАВИТАЦИОННОГО ОБОГАЩЕНИЯ УПОРНЫХ ПРОМПРОДУКТОВ ЗОЛОТОИЗВЛЕКАТЕЛЬНЫХ ФАБРИК 84.5 KB
  ВОЗМОЖНОСТИ ГРАВИТАЦИОННОГО ОБОГАЩЕНИЯ УПОРНЫХ ПРОМПРОДУКТОВ ЗОЛОТОИЗВЛЕКАТЕЛЬНЫХ ФАБРИК Евтушенко М.Б. ОOО НТЦ Магнитные жидкости Посысоева Д.С. МГГУ Упорными промпродуктами золотоизвлекательных фабрик ЗИФ являются хвосты доводки гравиоконцентратов пред...
16723. ВОЗМОЖНОСТИ И ПЕРСПЕКТИВЫ ПРОМЫШЛЕННОГО ИСПОЛЬ-ЗОВАНИЯ НЕЦИАНИСТЫХ РАСТВОРИТЕЛЕЙ ЗОЛОТА И СЕРЕБРА 93.5 KB
  ВОЗМОЖНОСТИ И ПЕРСПЕКТИВЫ ПРОМЫШЛЕННОГО ИСПОЛЬЗОВАНИЯ НЕЦИАНИСТЫХ РАСТВОРИТЕЛЕЙ ЗОЛОТА И СЕРЕБРА Современная металлургия золота основана на использовании цианистого процесса который успешно применяется в мировой практике уже более 115 лет обеспечивая получен...
16724. Выбор рационального расхода рабочих растворов при кучном выщелачивании золота 70 KB
  Выбор рационального расхода рабочих растворов при кучном выщелачивании золота Д. Е. Толстов Г. 2000 г. УДК 669.213:66.094.6 Штабели укладываемой руды при кучном выщелачивании золота могут достигать сотни метров в высоту более двух километров в длину и километр в ширину. Разли