20928

ДОСЛІДЖЕННЯ БІПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА

Лабораторная работа

Коммуникация, связь, радиоэлектроника и цифровые приборы

Для зняття вхідних статичних характеристик транзистора необхідно: а включити тумблери B1 ВЗ В4 В6 В9 B11 вимкнути тумблери В2 В5; тумблер В12 поставити в положення ; б за допомогою ручки РЕГ. Для зняття вихідних статичних характеристик транзистора потрібно: а встановити необхідне значення базового струму регулятором РЕГ.2; б змінюючи напругу Uке через інтервали вказані викладачем вимірювати значення колекторного струму транзистора міліамперметром СТРУМ Iк .

Украинкский

2013-08-01

378 KB

11 чел.

Лабораторна робота  № 3

ДОСЛІДЖЕННЯ БІПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА

Мета роботи - вивчити особливості роботи біполярного транзистора,  виконати дослідження статичних характеристик, експериментально

визначити його основні параметри.

Вказівки до виконання роботи

1. Для зняття вхідних статичних характеристик транзистора необхідно:

а) включити тумблери B1, ВЗ, В4, В6, В9, B11, вимкнути тумблери В2, В5; тумблер В12 поставити в положення    ;

б) за допомогою ручки "РЕГ. НАПРУГИ  Ек " встановити необхідне значення напруги Uкэ, вказане викладачем;

в) змінюючи напругу Uбе за допомогою ручки "РЕГ. НАПРУГИ Uвх," вимірювати значення базового струму мікроамперметром "СТРУМ Iвх".

2. Для зняття вихідних статичних характеристик транзистора потрібно:

а) встановити необхідне значення базового струму регулятором "РЕГ. НАПРУГИ Uвх ", вказане в табл.3.2;

б) змінюючи напругу Uке через інтервали, вказані викладачем, вимірювати значення колекторного струму транзистора міліамперметром "СТРУМ ".

Порядок виконання роботи

     I. Зібрати схему дослідження транзистора (рис.3.1).

     Рис.3.1.

2. . Включити стенд за допомогою тумблера „ МЕРЕЖА „ , при цьому повинна спалахнути лампочка сигналізації.

3. Зняти вхідні статичні характеристики транзистора  при для трьох фіксованих значень Uке за узгодженням з викладачем. Одержані результати занести в табл. 3.I.

          Таблиця 3.1

Uке=0,В

Iб,  мкА

0

20

40

60

80

100

120

140

160

180

 Uбе,  мВ

Uке =

Iб,  мкА

0

20

40

60

80

100

120

140

160

180

 Uбе,  мВ

Uке =

Iб,  мкА

0

20

40

60

80

100

120

140

160

180

Uбе,  мВ

4. Зняти вихідні статичні характеристики транзистора  при  для трьох фіксованих значень Iб, вказаних  викладачем. Одержані результати занести в табл. 3.2.

Таблиця 3.2

Iб =

мкА

Iк,  мА

Uке,  В

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

Iб =

мкА

Iк,  мА

Uке,  В

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

Iб =

мкА

Iк,  мА

Uке,  В

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

5. Після закінчення роботи поставити ручки регуляторів напруги в крайнє ліве положення і вимкнути стенд

6. Побудувати статичні характеристики транзистора.

7. Для вказаних викладачем крапок на статичних характеристиках транзистора визначити коефіцієнт посилення по струму β і вхідний опір Rвх.

8. Зробити висновки за наслідками досліджень.

Короткі теоретичні відомості

Біполярний транзистор - це напівпровідниковий прилад, що складається з трьох областей,  в яких тип провідності чергується, призначений для посилення потужності.

Термін "біполярний" характеризує наявність в транзисторі двох типів носіїв зарядів: дірок і електронів. Транзистор містить три зони. Середню область називають базою, крайні - емітером і колектором. База є електродом, за допомогою якого можна регулювати струм через транзистор і, управляючи потужністю зовнішнього джерела напруги, усилювати електричні сигнали. Існує термінологія, відповідно до якої емітером називають область транзистора, що служить для інжекції носіїв заряду в базу. Колектором називається область, призначена для екстракції носіїв заряду з бази, а базою є область, в яку інжектуются емітером неосновні для цієї області носії заряду. Залежно від чергування провідності в областях ( n і р ) розрізняють транзистори р-п-р і п-р-п типів. Принцип роботи цих двох типів транзисторів аналогічний.

Якщо напругу в ланцюзі емітера змінювати в часі, то по цьому ж закону змінюватимуться всі струми транзистора, а отже, і напруга на опорі в ланцюзі колектора. Потужність вихідного сигналу може у багато разів перевищувати потужність вхідного.

Для величин, що відносяться до бази, емітера і колектора, застосовують як індекси букви «б», «е» і «к». Струми в ланцюгах бази, емітера і колектора  позначають відповідно iб, iе, iк. Напруги між електродами позначають подвійними індексами: uбе, uкб, uке .  

Для оцінки роботи транзистора в тій або іншій схемі використовуються, так звані, характеристичні параметри, що відображають залежність зміни  струмів і напруг на вході і виході схеми. До основних характеристичних параметрів транзистора відносяться:

вхідний опір:

;

вихідний опір:

    коефіцієнт посилення по струму:

 коефіцієнт посилення по напрузі:

 коефіцієнт посилення по потужності:

Значення характеристичних параметрів залежать від схеми включення транзистора. Існує три схеми включення транзисторів: із спільною базою (ОБ), із спільним емітером (ОЕ) і із спільним колектором (ОК).

Для вказаних схем включення транзисторів характеристичні параметри в значній мірі відрізняються.

Схеми „ ОБ” , представлені на рис.3.2. для р-n-p (рис.3.2.,а)  і n-p-n  (рис.3.2,б) забезпечують велике підсилення  напруги і потужності, але мають коефіцієнт підсилення  струму менший за одиниц. Вхідний опір Rвх в таких схемах дуже малий, а вихідний Rвих - великий.

а)           б)

Рис.3.2.

У даних схемах:

,

де  - коефіцієнт передачі струму емітера;

- відповідно струм колектора і струм емітера;         Схеми  ОЕ” (рис.3.3.,а,б) забезпечують велике посилення  струму, напруги і потужності.

    а)          б)

     Рис.3.3.

При цьому Rвх відносно невеликий і залежить від опору навантаження,  а Rвих достатньо великий.

,

де  - динамічний коефіцієнт передачі струму бази.

  

 Схеми „ ОК”  (рис.3.4.,а,б) забезпечують посилення  струму і потужності, але коефіцієнт посилення  напруги  в таких схемах менший за одиницю.

 

а)                  б)

    Рис.3.4.

Вхідний опір в таких схемах дуже великий, а вихідний опір Rвих малий.

.

Для аналізу електричних кіл, які містять транзистори, використовуються різні еквівалентні схеми. Найпоширенішою є еквівалентна схема біполярного транзистора в h – параметрах, яка відображає залежність вихідного струму і вхідної напруги від його вхідного струму і вихідної напруги . Дана залежність визначається системою рівнянь:

Дана система рівнянь може бути конкретизована залежно від схеми включення. Так для n-p-n транзистора, включеного по схемі „ ОЕ”, одержуємо:

Коефіцієнти, представлені в даному рівнянні визначаються експериментально за допомогою дослідів короткого замикання на виході і зворотнього холостого ходу на вході транзистора. При короткому замиканні  одержуємо:

вхідний опір h11 э

,

значення якого знаходиться в межах від сотень Ом до декількох кОм,

і коефіцієнт посилення струму  h21 Е:

,

величина якого знаходиться в межах від декількох десятків  до декількох сотень Ом.

При зворотному холостому ходу  коефіцієнт зворотного зв'язку :

а вихідна провідність h22 Е:

рівна звичайно десятим і навіть сотим часткам мілісименса.

Для кожного транзистора можуть бути одержані сімейства статичних вихідних і вхідних характеристик.

Вихідні характеристики транзистора при  показані на рис.3.5,а.

Вхідні характеристики транзистора, включеного по схемі   „ОЕ” (рис. 3.5,б)  є характеристиками діода в прямому напрямі. При збільшенні Uкэ    ці характеристики зміщуються управо. Для наближеного обчислення коефіцієнта посилення по струму β для  деякої точці М характеристики,  необхідно в околиці цієї точки виділити ще дві точки (наприклад, С і D), для яких відомізначення колекторного і базового струмів. Тоді величина  β визначається як:     

  а)                                             б)

Рис.3.5.

Так само визначається наближене значення вхідного опору транзистора Rвх  по його вхідних характеристиках. Вибравши в околиці точки N, в якій визначається величина Rвх,  деякі крапки (наприклад, А і В), для яких відомі значення напруги Uвх   і струму Iб, одержуємо:

Контрольні питання

1. Поясніть роботу транзистора типу р-n-p і  n-p-n .

2. Назвіть схеми включення транзистора.

3. Особливості схеми із спільним емітером і спільним колектором.

4. Що таке вихідна характеристика транзистора?

5. Що таке вхідна характеристика в схемі із спільним емітером?

6. Поясніть процес посилення по струму в схемі із спільним емітером.

7. Як впливає струм бази на вихідну характеристику?

8. Визначте вхідний опір і коефіцієнт посилення струму по характеристиках транзистора.


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

20057. Технология оптических деталей. Оптические материалы и их свойства 26 KB
  Свойства стекла: прозрачность стекла определяется коэф светопоглащения отношение светового потока поглощенного слоем стекла 10 мм к световому потоку на входе. Бесцветные опт стекла дел на флинты и кроны. Специальные стекла: с повышенным коэф пропускания ик и уф с малым коэф термического расширения фотохромные стекла измен коэф пропускания оптически активные стекла. Оптическиактивные стекла для изготовления активных элтов оптич.
20058. Горячее формообразование заготовок. Контроль заготовок 64.5 KB
  Для варки всех типов стекла используют шихту состоящую из окислов химических элементов вспомогательных добавок и стеклянного боя. Варку стекла производят в шамотных горшках. Бесформенный кусок 3 стекла по массе равный массе заготовки 4 укладывают в футерованную керамикой 2 металлическую форму и нагревают' в печи до температуры соответствующей вязкости стекла 107 Пас. Температурный режим свободного моллирования включает разогрев стекла до температуры моллирования выдержку при этой температуре отжиг и охлаждение.
20059. Абразивные, полирующие и вспомогательные материалы. Зернистость алмазных и неалмазных абразивов. Зерновой состав порошка 26.5 KB
  Синтетич абразивные матлы: _Карборунд _Электрокорунд _Корбид бора _Кубическ. характеристика абразивного матла его зернистость т. В зависимости от зернистости абразивные матлы делят на шлифзерно зернистость 160 мкм шлифпорошки 30120 мкм и микропорошки 540 мкм.
20060. Полирующие материалы. Материалы полировальников. Наклеечные материалы. Защитные лаки. Смазочно-охлаждающие и промывочные жидкости 42 KB
  Полирующие абразивы применяют для удаления следов шлифования с поверхности стекла и приобретения им прозрачности с необходимой степенью чистоты. Размер зерен до 5 мкм твердость 67 являются основными характеристиками для полирующих абразивов при изготовлении оптических деталей; окись тория TnO2 размер зерен до 10 мкм; имеет высокую полирующую способность но не обеспечивает высокой чистоты поверхности; двуокись циркония ZnO2 средний размер зерен 355 мкм. Материалы полировальников Обработка металлической поверхности полировальников...
20061. Инструмент и приспособления для шлифования и полирования. Алмазные круги и притиры. Инструмент для шлифования свободным абразивом. Полировальный инструмент 62 KB
  Шлифовальники исп для исполнительных поверхностей оптических деталей свободным абразивом и изготавливают из латуни и серого чугуна. Полировальники исп для получения исполнительных поверхностей оптических деталей и по конструкции сходны со шлифовальниками. Слой смолы наносят на нагретую поверхность корпуса и формируют обрабатываемым блоком деталей. На этих станках применяются две группы приспособлений: приспособления для обработки деталей в центрах; приспособления для обработки деталей в станках и шпинделях станка.
20062. Показатели качества оптических деталей 90.5 KB
  : 1 N допустимое отклонение в кольцах Ньютонас =550нм. Допустимое отклонение стрелки прогиба поверхности детали от стрелки прогиба пробного стекла данного радиуса характеризующее отклонение от заданной сферысм. 1; 2 это отклонение от правильной сферы или плоскости разность числа колец по 2м взаимно диаметрам детали или искривлении полос; 3 С допустимая децентрировка или смещение центров кривизны поверхности или точки фокуса геометрической оси или разнотол щинности в мм.
20063. Изготовление плоскопараллельных пластин и клиньев 29.5 KB
  Технология изготовления призм. Для обработки исполнительных поверхностей и подгонки углов призм заготовки склеиваются в столбик длина которого по отношению к высоте призмы составляет б:1. Блокирование призм в приспособлениях осуществляется приклеиванием или механическим зажимом. После обработки призм в столбиках наносят фаски на ребрах контролируют расклеивают столбики и промывают призмы.
20064. Обработка деталей на станках с жестко устанавливаемым инструментом. Способ свободной притирки 27.5 KB
  Инструмент устанавливается под углом относительно оси вращения блока. Соотношение между радиусом сферы R диаметром инструмента d и углом α : R=d 2sinα.
20065. Изготовление пробных стекол. Изготовление шкал и сеток 393 KB
  Для получения точных плоских поверхностей принимают одно стекло например 1 на рис.31 б в Рис. При наложении стекол 2 и 3 друг на друга общий бугор составит 2 полосы рис 4. Эллиптические зеркала большого диаметра изготавливают за несколько переходов с промежуточным отжигом из тонкого латунного листа 1 выдавливанием на токарном станке с помощью приспособления 2 имеющего выпуклую форму с наружной асферической поверхностью рис.