21000

Масиви в середовищі розробки С++Builder

Лабораторная работа

Информатика, кибернетика и программирование

Створив новий проект додав форму на якій розмістив компоненти: Запрограмував кнопку Ввести для введення значення у потрібний елемент масиву: void __fastcall TForm1::Button3ClickTObject Sender { i=StrToIntEdit1 Text; a[i]=StrToIntEdit2 Text; Edit3 Text= ; for i=0;i 10;i { Edit3 Text=Edit3 TextIntToStra[i] ; } } Запрограмував кнопку Анализ массива для виведення значень масиву: void __fastcall TForm1::Button1ClickTObject Sender { for i=0;i 10;i { if i2==0 { if a[i]2=0...

Русский

2013-08-02

36.26 KB

4 чел.

МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ І НАУКИ УКРАЇНИ

КРЕМЕНЧУЦЬКИЙ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ

ІМ. М. ОСТРОГРАДСЬКОГО

ІНСТИТУТ ЕЛЕКТРОМЕХАНІКИ, ЕНЕРГОЗБЕРЕЖЕННЯ ТА СИСТЕМ УПРАВЛІННЯ

КАФЕДРА СИСТЕМ АВТОМАТИЧНОГО УПРАВЛІННЯ І

ЕЛЕКТРОПРИВОДА

ЗВІТ

До лабораторної роботи №1

З дисципліни: «Програмування»

На тему: «Масиви в  середовищі розробки С++Builder»

Виконав:

Студент групи СІ-10-3С

Шаповал Ю.Я.

Прийняла:

Заквасов В.В.

КРЕМЕНЧУК 2011

Мета:  Створити додаток, з допомогою якого користувач вводить дані у масив та виконується пошук максимального елемента.

Порядок виконання роботи

Створити програму, яка аналізує парні елементи масиву (max 10). Якщо його значення не парне, то підсумувати по парам парні і непарні елементи. Отримане нове значення записати в слідуючий непарний елемент масиву.   

  1.  Створив новий проект, додав форму, на якій розмістив компоненти:

  1.  Запрограмував кнопку Ввести, для введення значення у потрібний елемент масиву:

void __fastcall TForm1::Button3Click(TObject *Sender)

{

i=StrToInt(Edit1->Text);

a[i]=StrToInt(Edit2->Text);

Edit3->Text=" ";

for (i=0;i<10;i++)

{

Edit3->Text=Edit3->Text+IntToStr(a[i])+" ";

}

}

  1.  Запрограмував кнопку Анализ массива, для виведення значень масиву:

void __fastcall TForm1::Button1Click(TObject *Sender)

{

for (i=0;i<10;i++)

{

       if (i%2==0 )

       {

               if (a[i]%2!=0)

               {

               a[i+1]+=a[i];

               }

       }

}

for (i=0;i<10;i++)

{

Edit4->Text=Edit4->Text+IntToStr(a[i])+" ";

}

}

  1.  Перевірив роботу проекту:

Код всієї програми

//------------------------------------------------------------------

#include <vcl.h>

#pragma hdrstop

#include "Unit1.h"

//------------------------------------------------------------------

#pragma package(smart_init)

#pragma resource "*.dfm"

TForm1 *Form1;

//---------------------------------------------------------------------------

__fastcall TForm1::TForm1(TComponent* Owner)

       : TForm(Owner)

{

}

int a[]={2,1,4,7,5,3,8,2,9,3};

int i,max;

//------------------------------------------------------------------

void __fastcall TForm1::Button3Click(TObject *Sender)

{

i=StrToInt(Edit1->Text);

a[i]=StrToInt(Edit2->Text);

Edit3->Text=" ";

for (i=0;i<10;i++)

{

Edit3->Text=Edit3->Text+IntToStr(a[i])+" ";

}

}

//------------------------------------------------------------------

void __fastcall TForm1::Button1Click(TObject *Sender)

{

for (i=0;i<10;i++)

{

       if (i%2==0 )

       {

               if (a[i]%2!=0)

               {

               a[i+1]+=a[i];

               }

       }

}

for (i=0;i<10;i++)

{

Edit4->Text=Edit4->Text+IntToStr(a[i])+" ";

}

}

//------------------------------------------------------------------

void __fastcall TForm1::FormCreate(TObject *Sender)

{

}

//------------------------------------------------------------------


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

29767. Монокристаллический кремний. Его применение, получение и свойства 36.46 KB
  Применение полупроводникового кремния. тонн кремния ежегодно Япония США Германия. Это базовый материал микроэлектроники который потребляет 80 полупроводникового кремния. Более 90 всех солнечных элементов изготавливаются из кристаллического кремния.
29768. Поликристаллический кремний. Применение, свойства, получение 26.53 KB
  Применение поликристаллического кремния Поликристаллический кремний весьма распространённый материал в технологии полупроводниковых приборов и интегральных схем. Возможность получения поликристаллического кремния с электрическим сопротивлением отличающимся на несколько порядков а также простота технологии привели к тому что он используется в технологии интегральных схем с одной стороны в качестве высокоомного материала затворов нагрузочных резисторов а с другой в качестве низкоомного материала межсоединений. Достоинства разводки на основе...
29770. Полупроводниковые соединения типа 29.44 KB
  Лазеры на основе соединений типа используются в телекоммуникационных устройствах волоконнооптических линий связи принтерах устройствах записи и считывания CD и DVD дисках. Свойства соединений типа Соединения типа образуются в результате взаимодействия элементов 3ей А подгруппы периодической системы с элементами 5ой В подгруппы за исключением висмута и таллия. Соединения типа классифицируются по элементу пятой группы т.
29771. Полупроводниковые соединения типа. Свойства соединений типа 23.32 KB
  Применение соединений типа Наиболее широкое применение соединения находят в качестве люминофоров и материалов для фоторезистов. Изготовление фоторезистов на основе соединений типа связано прежде всего с использованием сульфида кадмия селенида кадмия твёрдые растворы на основе . На основе полупроводников типа изготавливают датчики различного диапазона излучения.
29772. Диэлектрические материалы 37.85 KB
  Пассивные – это электроизоляторные и конденсаторные материалы. Пассивные неорганические диэлектрики применяемые в электронной технике можно разделить на стекловидные диэлектрики керамику монокристаллические диэлектрические материалы органические и композиционные материалы. Активные диэлектрики – это материалы свойствами которых можно управлять в широких пределах с помощью внешних воздействий.
29773. Классификация и особенности материалов электронной техники. Структура материалов. Обозначение кристаллографических плоскостей и направлений кристалла 25.27 KB
  Структура материалов. Классификация и особенности материалов электронной техники. Электрофизические свойства являются одним из основных свойств материалов определяют их применение в электронной технике.
29774. Способы представления сложных структур. Типичные кристаллические структуры материалов, применяемых в электронной технике 87.11 KB
  Структура типа алмаз. Элементарные полупроводники кремний и германий кристаллизуются в структуру типа алмаз. В структуре типа алмаз атомы образуют плотнейшую ГЦК решётку в которой половина 4 из 8ми тетраэдрических пустот заняты атомами того же сорта. Структура типа алмаз может быть представлена как две взаимно проникающие подрешётки типа ГЦК которые смещены относительно друг друга по пространственным диагоналям на её длины.
29775. Дефекты в кристаллах. Классификация дефектов. Точечные, линейные и поверхностные дефекты 30.5 KB
  Линейные дефекты К линейным дефектам кристаллической решётки относятся дислокации. Различают краевые и винтовые дислокации. Линия дислокации в этом случае – это граница экстраплоскости. Винтовую дислокацию в кристалле можно определить как сдвиг одной части кристалла относительно другой но в отличие от краевой дислокации линия винтовой дислокации параллельна вектору сдвига.