2199

Сравнительное изучение ВАХ полупроводникового диода и диода Шоттки

Лабораторная работа

Коммуникация, связь, радиоэлектроника и цифровые приборы

Цель работы: измерение в широком интервале токов вольтамперных характеристик полупроводникового диода и диода Шоттки и определение по ним токов насыщения и коэффициентов неидеальности.

Русский

2013-01-06

200.49 KB

44 чел.

Федеральное агентство по образованию

Государственное образовательное учреждение

высшего профессионального образования

« Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана»

Калужский филиал

Кафедра «Материаловедения» (ЭИУ4-КФ)

ОТЧЕТ

по лабораторной работе  № 1

по курсу      Твердотельная электроника     

на тему:          Сравнительное изучение ВАХ полупроводникового диода и диода Шоттки        

Выполнил:     Малютин Р.А. 

(фамилия, инициалы)

Группа:  ФТМ-81  

Руководитель:  Головатый Ю.П. 

(фамилия, инициалы)

Калуга

2009

Отчет по лабораторной работе №1

«Сравнительное изучение ВАХ полупроводникового диода и диода Шоттки».

Цель работы:  измерение в широком  интервале токов вольтамперных характеристик полупроводникового диода и диода Шоттки и определение по ним токов насыщения и коэффициентов неидеальности.

Экспериментальные данные, снятые с ВАХ двух диодов Шоттки  IN 5919, соединенных последовательно:

          Рис. 1. Экспериментальный график ВАХ двух последовательно соединенных диодов            Шоттки IN 5919 в линейном масштабе.

       Рис. 2. Экспериментальный график ВАХ двух последовательно соединенных диодов            Шотки IN 5919 в полулогарифмическом масштабе.

Расчет тока насыщения и коэффициента неидеальности для двух последовательно соединенных диодов Шоттки:

Экспериментальные данные, снятые с ВАХ полупроводникового диода К-68:

          Рис. 3. Экспериментальный график ВАХ полупроводникового диода К-68 в линейном масштабе.

          Рис. 4. Экспериментальный график ВАХ полупроводникового диода К-68 в полулогарифмическом масштабе.

Расчет тока насыщения и коэффициента неидеальности полупроводникового диода К-68:

mA

Вывод:  В ходе выполнения лабораторной работы были измерены в широком  интервале токов вольтамперные характеристики полупроводникового диода и 2-х диодов Шоттки и  по ним определены токи насыщения и коэффициенты неидеальности. Расчетный коэффициент неидеальности одного диода Шоттки примерно в 2 раза меньше коэффициента неидеальности 2-х диодов Шоттки, что разумно согласуется с теорией.


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

47041. Дистилляция в коньячном производстве. Её особенности при получении коньячного спирта. Используемое оборудование. Классический способ. Факторы, обуславливающие состав примесей различных фракций 48.12 KB
  Дистилляция вина сложный физикохимический процесс во многом определяющий качество будущего коньяка. Классическая технология коньяка Шаранты предусматривает двукратную перегонку вина на кубовых аппаратах получивших название шарантских и выдержку полученного спирта дистиллята в дубовых бочках. В эти реакции вовлекаются как нелетучие соединения вина углеводы азотистые фенольные соединения нелетучие кислоты и др. В кубе во время кипячения вина происходит образование альдегидов спиртов кислот эфиров летучих фенолов и других...
47042. Трудовые ресурсы и человеческий капитал. Экономический рост – обобщающий результат функционирования национальной экономики 50.17 KB
  С периодом в несколько лет или десятилетий фаза экономического роста сменяется фазой снижения показателей. Факторами экономического роста именуются те явления и процессы которые определяют масштабы роста настоящего размера производства способности повышения эффективности и свойства роста. На макроэкономическом уровне ведущими показателями динамики экономического роста являются: рост размера ВВП ВНП либо НДС темпы роста ВВП ВНП и НД в расчете на душу населения; темпы роста промышленного производства в целом по главным отраслям и на душу...
47043. Макроэкономическое равновесие на товарном рынке. Модель совокупного спроса и совокуп.предложения 49.14 KB
  Совокупный спрос зависят от уровня цен размера доходов населения намерений на будущее налогов правительственных расходов и денежного предложения. P уровень цен товаровQ реальный объем ВНП. Эффект процентной ставкиэффект богатства и дохода эффект импортных закупок. эффектом процентной ставки повышение цен увеличение спроса на деньги рост процента за кредит на денежном рынке: домохозяйства сокращают закупки потребительских благ чтобы меньше платить за кредит; фирмы уменьшают закупки инвестиционных товаров так как для многих...
47045. Конкурентное Поведение фирмы в условиях несовершенной конкуренции 51.33 KB
  Аналитические показатели изменения уровней ряда динамики: Абсолютный прирост базисный ∆б= yi yo где yi уровень сравниваемого периода; y0 уровень базисного периода. Коэффициент роста Ki определяется как отношение данного уровня к предыдущему или базисному показывает относительную скорость изменения ряда. Можно выделить 2 категории показателей в этой группе: а средние уровни ряда; б средние показатели изменения уровней ряда. Средние уровни ряда рассчитываются в зависимости от вида временного ряда.
47046. КОЛИЧЕСТВО БАЗ, НЕОБХОДИМЫХ ДЛЯ БАЗИРОВАНИЯ, И ИХ ОБОЗНАЧЕНИЯ В ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЙ ДОКУМЕНТАЦИИ 48.61 KB
  Так например при обработке плоскости призматической заготовки рис.8 а ориентировка заготовки на станке в направлении горизонтальных осей координат для получения требуемого размера а не имеет значения поэтому боковые поверхности заготовки теряют значение баз. В данном случае требуемая ориентировка заготовки осуществляется только одной установочной базой А а ее боковые поверхности используются только для закрепления п в базировании заготовки не участвуют.