2199

Сравнительное изучение ВАХ полупроводникового диода и диода Шоттки

Лабораторная работа

Коммуникация, связь, радиоэлектроника и цифровые приборы

Цель работы: измерение в широком интервале токов вольтамперных характеристик полупроводникового диода и диода Шоттки и определение по ним токов насыщения и коэффициентов неидеальности.

Русский

2013-01-06

200.49 KB

44 чел.

Федеральное агентство по образованию

Государственное образовательное учреждение

высшего профессионального образования

« Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана»

Калужский филиал

Кафедра «Материаловедения» (ЭИУ4-КФ)

ОТЧЕТ

по лабораторной работе  № 1

по курсу      Твердотельная электроника     

на тему:          Сравнительное изучение ВАХ полупроводникового диода и диода Шоттки        

Выполнил:     Малютин Р.А. 

(фамилия, инициалы)

Группа:  ФТМ-81  

Руководитель:  Головатый Ю.П. 

(фамилия, инициалы)

Калуга

2009

Отчет по лабораторной работе №1

«Сравнительное изучение ВАХ полупроводникового диода и диода Шоттки».

Цель работы:  измерение в широком  интервале токов вольтамперных характеристик полупроводникового диода и диода Шоттки и определение по ним токов насыщения и коэффициентов неидеальности.

Экспериментальные данные, снятые с ВАХ двух диодов Шоттки  IN 5919, соединенных последовательно:

          Рис. 1. Экспериментальный график ВАХ двух последовательно соединенных диодов            Шоттки IN 5919 в линейном масштабе.

       Рис. 2. Экспериментальный график ВАХ двух последовательно соединенных диодов            Шотки IN 5919 в полулогарифмическом масштабе.

Расчет тока насыщения и коэффициента неидеальности для двух последовательно соединенных диодов Шоттки:

Экспериментальные данные, снятые с ВАХ полупроводникового диода К-68:

          Рис. 3. Экспериментальный график ВАХ полупроводникового диода К-68 в линейном масштабе.

          Рис. 4. Экспериментальный график ВАХ полупроводникового диода К-68 в полулогарифмическом масштабе.

Расчет тока насыщения и коэффициента неидеальности полупроводникового диода К-68:

mA

Вывод:  В ходе выполнения лабораторной работы были измерены в широком  интервале токов вольтамперные характеристики полупроводникового диода и 2-х диодов Шоттки и  по ним определены токи насыщения и коэффициенты неидеальности. Расчетный коэффициент неидеальности одного диода Шоттки примерно в 2 раза меньше коэффициента неидеальности 2-х диодов Шоттки, что разумно согласуется с теорией.


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

48799. Зеркальная антенна 895.5 KB
  Расчёт геометрических параметров зеркала и облучателя. Широко используются зеркала с параболической формой поверхности параболоид вращения усечённый параболоид вращения параболический цилиндр также распространены сферические зеркальные антенны двухзеркальные антенны.Расчёт геометрических параметров зеркала и облучателя. Форма излучающей поверхности и профиль зеркала выбирается исходя из назначения антенны и требований предъявляемых к ее электрическим характеристикам.
48800. Будівництво міжміської волокно-оптичної лінії Тернопіль -- Новоград-Волинський 515.5 KB
  Використовуючи коефіцієнти заломлення розраховуємо відношення коефіцієнтів заломлення по формулі: Згасання розсіювання розраховується по формулі дБ км: Згасання на поглинання розраховується по формулі дБ км: Згасання на поглинання в інфрачервоному спектрі...
48803. Расчет тепловой схемы комбинированных парогазовых установок 1.88 MB
  Указанные особенности позволяют существенно повысить КПД производства электроэнергии путем объединения в одной парогазовой установке (ПГУ) высокотемпературного подвода в ГТУ и низкотемпературного отвода тепла в конденсаторе паровой турбины