2199

Сравнительное изучение ВАХ полупроводникового диода и диода Шоттки

Лабораторная работа

Коммуникация, связь, радиоэлектроника и цифровые приборы

Цель работы: измерение в широком интервале токов вольтамперных характеристик полупроводникового диода и диода Шоттки и определение по ним токов насыщения и коэффициентов неидеальности.

Русский

2013-01-06

200.49 KB

37 чел.

Федеральное агентство по образованию

Государственное образовательное учреждение

высшего профессионального образования

« Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана»

Калужский филиал

Кафедра «Материаловедения» (ЭИУ4-КФ)

ОТЧЕТ

по лабораторной работе  № 1

по курсу      Твердотельная электроника     

на тему:          Сравнительное изучение ВАХ полупроводникового диода и диода Шоттки        

Выполнил:     Малютин Р.А. 

(фамилия, инициалы)

Группа:  ФТМ-81  

Руководитель:  Головатый Ю.П. 

(фамилия, инициалы)

Калуга

2009

Отчет по лабораторной работе №1

«Сравнительное изучение ВАХ полупроводникового диода и диода Шоттки».

Цель работы:  измерение в широком  интервале токов вольтамперных характеристик полупроводникового диода и диода Шоттки и определение по ним токов насыщения и коэффициентов неидеальности.

Экспериментальные данные, снятые с ВАХ двух диодов Шоттки  IN 5919, соединенных последовательно:

          Рис. 1. Экспериментальный график ВАХ двух последовательно соединенных диодов            Шоттки IN 5919 в линейном масштабе.

       Рис. 2. Экспериментальный график ВАХ двух последовательно соединенных диодов            Шотки IN 5919 в полулогарифмическом масштабе.

Расчет тока насыщения и коэффициента неидеальности для двух последовательно соединенных диодов Шоттки:

Экспериментальные данные, снятые с ВАХ полупроводникового диода К-68:

          Рис. 3. Экспериментальный график ВАХ полупроводникового диода К-68 в линейном масштабе.

          Рис. 4. Экспериментальный график ВАХ полупроводникового диода К-68 в полулогарифмическом масштабе.

Расчет тока насыщения и коэффициента неидеальности полупроводникового диода К-68:

mA

Вывод:  В ходе выполнения лабораторной работы были измерены в широком  интервале токов вольтамперные характеристики полупроводникового диода и 2-х диодов Шоттки и  по ним определены токи насыщения и коэффициенты неидеальности. Расчетный коэффициент неидеальности одного диода Шоттки примерно в 2 раза меньше коэффициента неидеальности 2-х диодов Шоттки, что разумно согласуется с теорией.


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

35591. Содержание банковской тайны 36.5 KB
  Содержание банковской тайны в действующем законодательстве регулируется нормами двух законодательных актов: ст. 26 Федерального закона О банках и банковской деятельности далее Закон о банках. 26 Закона о банках предоставляет право кредитной организации включать в состав банковской тайны иные сведения если это не противоречит федеральному закону.
35598. Геологическая деятельность человека 30 KB
  Геология сегодня это фундаментальная наука. Геология это наука о Земле. Геология разделяется на теоретическую и практическую.
35599. Геологическая деятельность озер и болот 17.94 KB
  Источниками питания озер служат атмосферные воды поверхностный сток и подземная разгрузка водоносных горизонтов; Основную массу воды в озера поставляют реки. По величине озера сильно различаются. Существенно различаются озера по глубине солености воды и т. По этому признаку выделяются озера экзогенные происхождение которых связано с поверхностными факторами и эндогенные появление которых обусловлено поверхностным проявлением глубинных факторов.