2199

Сравнительное изучение ВАХ полупроводникового диода и диода Шоттки

Лабораторная работа

Коммуникация, связь, радиоэлектроника и цифровые приборы

Цель работы: измерение в широком интервале токов вольтамперных характеристик полупроводникового диода и диода Шоттки и определение по ним токов насыщения и коэффициентов неидеальности.

Русский

2013-01-06

200.49 KB

44 чел.

Федеральное агентство по образованию

Государственное образовательное учреждение

высшего профессионального образования

« Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана»

Калужский филиал

Кафедра «Материаловедения» (ЭИУ4-КФ)

ОТЧЕТ

по лабораторной работе  № 1

по курсу      Твердотельная электроника     

на тему:          Сравнительное изучение ВАХ полупроводникового диода и диода Шоттки        

Выполнил:     Малютин Р.А. 

(фамилия, инициалы)

Группа:  ФТМ-81  

Руководитель:  Головатый Ю.П. 

(фамилия, инициалы)

Калуга

2009

Отчет по лабораторной работе №1

«Сравнительное изучение ВАХ полупроводникового диода и диода Шоттки».

Цель работы:  измерение в широком  интервале токов вольтамперных характеристик полупроводникового диода и диода Шоттки и определение по ним токов насыщения и коэффициентов неидеальности.

Экспериментальные данные, снятые с ВАХ двух диодов Шоттки  IN 5919, соединенных последовательно:

          Рис. 1. Экспериментальный график ВАХ двух последовательно соединенных диодов            Шоттки IN 5919 в линейном масштабе.

       Рис. 2. Экспериментальный график ВАХ двух последовательно соединенных диодов            Шотки IN 5919 в полулогарифмическом масштабе.

Расчет тока насыщения и коэффициента неидеальности для двух последовательно соединенных диодов Шоттки:

Экспериментальные данные, снятые с ВАХ полупроводникового диода К-68:

          Рис. 3. Экспериментальный график ВАХ полупроводникового диода К-68 в линейном масштабе.

          Рис. 4. Экспериментальный график ВАХ полупроводникового диода К-68 в полулогарифмическом масштабе.

Расчет тока насыщения и коэффициента неидеальности полупроводникового диода К-68:

mA

Вывод:  В ходе выполнения лабораторной работы были измерены в широком  интервале токов вольтамперные характеристики полупроводникового диода и 2-х диодов Шоттки и  по ним определены токи насыщения и коэффициенты неидеальности. Расчетный коэффициент неидеальности одного диода Шоттки примерно в 2 раза меньше коэффициента неидеальности 2-х диодов Шоттки, что разумно согласуется с теорией.


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

2515. Определение волны световой волны при помощи дифракции от щели 386 KB
  Рассмотрим прохождение волны через узкую прямоугольную щель. Согласно принципу Гюйгенса каждая точка фронта волны, достигающей щели, является источником вторичных волн, распространяющихся во все стороны. Поверхность, огибающая эти волны и представляющая фронт прошедшей через щель волны.
2516. Изучение колебательного контура 277.81 KB
  Колебательные процессы широко распространены в природе и технике. Примером колебаний различных физических величин являются колебания маятников, струн, мембран телефонов, звук, свет, а также переменный электрический ток, представляющий собой электрические колебания.
2517. Определение скорости звука в воздухе методом стоячей волны (или методом резонанса) 183.89 KB
  Любая частица среды, выведенная из положения равновесия, под действием упругих сил стремится возвратиться в первоначальное положение и совершает колебания. Вместе с ней начинают колебаться и соседние с ней частицы, затем следующие и т.д. Такое распространение колебательного процесса в среде называется волной.
2518. Определение ускорения силы тяжести при помощи оборотного маятника 307 KB
  Большинство косвенных методов измерения ускорения силы тяжести g основано на использовании известной формулы для: периода Т колебаний физического маятника. Измерение ускорения силы тяжести при помощи оборотного маятника.
2519. Способы определение удельного заряда электрона методом магнетрона 48.15 KB
  В пределах точности эксперимента электрон – стабильная частица. Характер движения и траектория заряженной частицы зависят не от ее заряда или массы в отдельности. Измеряя скорости и траектории частиц, движущихся в электрических и магнитных полях, можно определить величину и знак удельного заряда.
2520. Изучение абсолютно упругого удара шаров 270.56 KB
  Изучение способов определения скорости тел до и после удара на основе законов сохранения, обоснование в процессе выполнения третьего закона Ньютона при упругом ударе тел.
2521. Определение концентрации носителей заряда и подвижности в полупроводниках различного типа 208.6 KB
  Измерили концентрацию носителей заряда и подвижности в полупроводниках различного типа. Установка для измерения концентрации и подвижности носителей заряда.
2522. Определение момента инерции Волочка 49.45 KB
  Изучение динамики сложного движения, сочетающего вращательное движение тела его поступательным перемещением, и определение его момента инерции.
2523. Эффект Рамзауэра 145.76 KB
  Цель работы: познакомиться с сутью эффекта Рамзауэра, изучить рассеяние электронов на атомах ксенона и определить глубину и ширину потенциальной ямы.