2199

Сравнительное изучение ВАХ полупроводникового диода и диода Шоттки

Лабораторная работа

Коммуникация, связь, радиоэлектроника и цифровые приборы

Цель работы: измерение в широком интервале токов вольтамперных характеристик полупроводникового диода и диода Шоттки и определение по ним токов насыщения и коэффициентов неидеальности.

Русский

2013-01-06

200.49 KB

39 чел.

Федеральное агентство по образованию

Государственное образовательное учреждение

высшего профессионального образования

« Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана»

Калужский филиал

Кафедра «Материаловедения» (ЭИУ4-КФ)

ОТЧЕТ

по лабораторной работе  № 1

по курсу      Твердотельная электроника     

на тему:          Сравнительное изучение ВАХ полупроводникового диода и диода Шоттки        

Выполнил:     Малютин Р.А. 

(фамилия, инициалы)

Группа:  ФТМ-81  

Руководитель:  Головатый Ю.П. 

(фамилия, инициалы)

Калуга

2009

Отчет по лабораторной работе №1

«Сравнительное изучение ВАХ полупроводникового диода и диода Шоттки».

Цель работы:  измерение в широком  интервале токов вольтамперных характеристик полупроводникового диода и диода Шоттки и определение по ним токов насыщения и коэффициентов неидеальности.

Экспериментальные данные, снятые с ВАХ двух диодов Шоттки  IN 5919, соединенных последовательно:

          Рис. 1. Экспериментальный график ВАХ двух последовательно соединенных диодов            Шоттки IN 5919 в линейном масштабе.

       Рис. 2. Экспериментальный график ВАХ двух последовательно соединенных диодов            Шотки IN 5919 в полулогарифмическом масштабе.

Расчет тока насыщения и коэффициента неидеальности для двух последовательно соединенных диодов Шоттки:

Экспериментальные данные, снятые с ВАХ полупроводникового диода К-68:

          Рис. 3. Экспериментальный график ВАХ полупроводникового диода К-68 в линейном масштабе.

          Рис. 4. Экспериментальный график ВАХ полупроводникового диода К-68 в полулогарифмическом масштабе.

Расчет тока насыщения и коэффициента неидеальности полупроводникового диода К-68:

mA

Вывод:  В ходе выполнения лабораторной работы были измерены в широком  интервале токов вольтамперные характеристики полупроводникового диода и 2-х диодов Шоттки и  по ним определены токи насыщения и коэффициенты неидеальности. Расчетный коэффициент неидеальности одного диода Шоттки примерно в 2 раза меньше коэффициента неидеальности 2-х диодов Шоттки, что разумно согласуется с теорией.


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

62943. Занятия и быт древних славян 83.55 KB
  Свои поселения славяне никак не укрепляли и жили в постройках слегка углубленных в почву или в наземных домах стены и крыша которых держались на столбах врытых в землю. Наиболее характерной особенностью культуры славян той поры был своеобразный погребальный ритуал...
62944. Пародонт. Строение и функции пародонта. Классификация заболеваний пародонта 4.03 MB
  Пародонтальные индексы. Оценка состояния тканей пародонта с применением пародонтальных индексов CPITN, PMA и др. В настоящее время во всем мире одной из наиболее актуальных и сложных проблем в стоматологии являются болезни тканей пародонта.
62945. Реляционная модель данных. Реляционная база данных 52.44 KB
  Строки таблицы (домены) содержат сведения о представленных в ней фактах (или документах, или людях, одним словом, — об однотипных объектах). На пересечении столбца (атрибут) и строки находятся конкретные значения содержащихся в таблице данных.
62946. Элементы теории множеств 133.64 KB
  Поэтому его нельзя определить а можно лишь пояснить указывая синонимы слова множество и приводя примеры множеств: множество набор совокупность собрание каких либо объектов элементов обладающих общим для всех их характеристическим свойством.