2199

Сравнительное изучение ВАХ полупроводникового диода и диода Шоттки

Лабораторная работа

Коммуникация, связь, радиоэлектроника и цифровые приборы

Цель работы: измерение в широком интервале токов вольтамперных характеристик полупроводникового диода и диода Шоттки и определение по ним токов насыщения и коэффициентов неидеальности.

Русский

2013-01-06

200.49 KB

44 чел.

Федеральное агентство по образованию

Государственное образовательное учреждение

высшего профессионального образования

« Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана»

Калужский филиал

Кафедра «Материаловедения» (ЭИУ4-КФ)

ОТЧЕТ

по лабораторной работе  № 1

по курсу      Твердотельная электроника     

на тему:          Сравнительное изучение ВАХ полупроводникового диода и диода Шоттки        

Выполнил:     Малютин Р.А. 

(фамилия, инициалы)

Группа:  ФТМ-81  

Руководитель:  Головатый Ю.П. 

(фамилия, инициалы)

Калуга

2009

Отчет по лабораторной работе №1

«Сравнительное изучение ВАХ полупроводникового диода и диода Шоттки».

Цель работы:  измерение в широком  интервале токов вольтамперных характеристик полупроводникового диода и диода Шоттки и определение по ним токов насыщения и коэффициентов неидеальности.

Экспериментальные данные, снятые с ВАХ двух диодов Шоттки  IN 5919, соединенных последовательно:

          Рис. 1. Экспериментальный график ВАХ двух последовательно соединенных диодов            Шоттки IN 5919 в линейном масштабе.

       Рис. 2. Экспериментальный график ВАХ двух последовательно соединенных диодов            Шотки IN 5919 в полулогарифмическом масштабе.

Расчет тока насыщения и коэффициента неидеальности для двух последовательно соединенных диодов Шоттки:

Экспериментальные данные, снятые с ВАХ полупроводникового диода К-68:

          Рис. 3. Экспериментальный график ВАХ полупроводникового диода К-68 в линейном масштабе.

          Рис. 4. Экспериментальный график ВАХ полупроводникового диода К-68 в полулогарифмическом масштабе.

Расчет тока насыщения и коэффициента неидеальности полупроводникового диода К-68:

mA

Вывод:  В ходе выполнения лабораторной работы были измерены в широком  интервале токов вольтамперные характеристики полупроводникового диода и 2-х диодов Шоттки и  по ним определены токи насыщения и коэффициенты неидеальности. Расчетный коэффициент неидеальности одного диода Шоттки примерно в 2 раза меньше коэффициента неидеальности 2-х диодов Шоттки, что разумно согласуется с теорией.


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

11236. Describe a journey that went wrong for some reason 24 KB
  Describe a journey that went wrong for some reason First of all Id like to say that travelling is necessary for all of us as its a kind of relaxation and a good opportunity to relax your body renew your mind and refresh the spirit. Many people are keen on travelling and they look forward to going on a holiday just to escape a daily grind of work daytoday pressures and get away from usual sources of stress. But journey is not always a fun. Sometimes it can even t...
11237. Talk about a short trip to Edinburgh and what you can see there 24 KB
  Talk about a short trip to Edinburgh and what you can see there. Traveling is necessary for all of us as it is a kind of relaxation and a good opportunity to relax your body broadens our mind as well. Many people like visiting beautiful places and look forward to going on a holiday just to escape from their daily routine even if their trip will be very short. There are many fascinating cities all over the world. And Edinburgh is one of them. A coach tour of this city will ta...
11238. Предприятие - основное звено экономики 77 KB
  1 Предприятие основное звено экономики 1.1 Предприятие основное звено экономики. Предприятие в рыночной среде. 1.2 Классификация предприятий. 1.3 Организационноправовые формы предприятий. 1.4 Производственная структура. 1.1 Предприятие основное звено экономи...
11240. Планирование производства и реализации продукции на предприятиях 72.5 KB
  2. Планирование производства и реализации продукции на предприятиях 2.1 Планирование производства продукции на предприятии 2.2 Обоснование плана производства по расчётам плановой мощности 2.3 Виды производственных мощностей порядок их расчета и пути улучшения испо
11241. Основные средства предприятия 128.5 KB
  3. Основные средства предприятия 3.1 Экономическая сущность состав и структура основных средств предприятия 3.2 Виды оценок основных фондов 3.3 Износ и амортизация основных средств 3.4 Показатели и пути улучшения использования основных средств предприятия 3.1 Эк...
11242. Оборотные средства. Состав, структура и стадии оборачиваемости ОС 82 KB
  4. Оборотные средства 4.1. Состав структура и стадии оборачиваемости оборотных средств. 4.2. Нормирование оборотных средств. 4.3. Показатели и пути улучшения использования оборотных средств. 4.1 Состав структура и стадии оборачиваемости ОС Наряду с основными фондами
11243. Трудовые ресурсы предприятия 85.5 KB
  5. Трудовые ресурсы предприятия Основы управления персоналом. Классификация персонала предприятия определение численности работающих. Производительность труда: значение показатели и резервы роста. Системы и формы оплаты труда. 5.1...
11244. Себестоимость продукции. Понятие и классификация издержек предприятия 76 KB
  6. Себестоимость продукции Понятие и классификация издержек предприятия. Понятие и порядок калькуляции себестоимости продукции. Составление сметы затрат на производство. Пути снижения себестоимости продукции. 6.1 Понятие и классифи...