23093

Магнітні властивості речовини

Доклад

Физика

Пара та діа магнетиками називаються речовини які за відсутності магнітного поля завжди не намагнічені і які характеризуються однозначною залежністю між вектором намагнічування I и напруженістю статичного магнітного поля Н. Зокрема у слабких магнітних полях ця залежність лінійна: причому для парамагнетиків χ 0 а для діамагнетиків χ 0. Феромагнетиками називаються тверді тіла які можуть мати спонтанну намагніченість тобто намагнічені вже при відсутності магнітного поля. Магнітна сприйнятливість феромагнетику є функцією напруженості...

Украинкский

2013-08-04

36 KB

6 чел.

Магнітні властивості речовини.

Пара-, діа-, феромагнетизм та їх природа

За своїми магнітними властивостями всі речовини можна розділити на

слабомагнітні та сильно магнітні. До слабомагнітних речовин належать парамагнетики та  діамагнетики, до сильно магнітних —феромагнетики, антиферомагнетики и ферімагнетики. Пара- та діа- магнетиками називаються речовини, які за відсутності магнітного поля завжди не намагнічені і які характеризуються однозначною

залежністю між вектором намагнічування I и напруженістю

(статичного) магнітного поля Н. Зокрема, у слабких магнітних полях ця залежність лінійна:, причому для парамагнетиків χ> 0, а для діамагнетиків χ < 0.

Феромагнетиками називаються тверді тіла, які можуть мати спонтанну намагніченість, тобто намагнічені вже при відсутності магнітного поля. Типовими представниками феромагнетиків є метали: залізо, кобальт, нікель.

Характерна особливість феромагнетиків - залежність В від Н або I від Н не однозначна, а визначається попередньою історією намагнічування феромагнітного зразка. Це явище називається магнітним гістерезісом.

Для всякого феромагнетика існує певна температура Т = Тk - температура або точка Кюрі, при переході через яку відбувається фазовий перехід (другого роду). Речовина є феромагнетиком тільки нижче точки Кюрі, вище точки Кюрі вона стає парамагнетиком.

Магнітна сприйнятливість феромагнетику є функцією напруженості зовнішнього

поля, а залежність J(H) має вид

Намагніченість при збільшенні напруги має границю - намагніченість насичення. Її існування за аналогією з  парамагнетиками вказує, що намагніченість феромагнетиків обумовлюється також переорієнтуванням деяких елементарних магнітних моментів.

оскільки

крива залежності В(Н) не виходить на насичення, хоча J відчуває насичення.

Якщо перемагнічувати зразок в періодичному магнітному полі, то крива

залежності В(H) має вид петлі(петля гістерезісу)

ОА - крива намагнічування (включення поля здійснюється при нулі індукції, тобто за відсутності постійної намагніченості). ОС залишкова індукція, феромагнетик в цьому стані - постійний магніт. Форма петлі гістерезіса залежить від матеріалу феромагнетика.


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

26048. Двоичные счётчики 15.41 KB
  Двоичные счётчики Счетчик представляет собой устройство состояние которого определяется числом поступивших на его вход импульсов. Счетчики используют для подсчета числа импульсов и фиксации этого числа в заданном коде деления частоты следования импульсов формирования последовательностей импульсов и кодов управления цифровыми блоками. Двоичный n разрядный счетчик содержит n каскадносоединенных ячеек в качестве которых используют счетные Ттриггеры При поступлении входных импульсов по их спаду происходит последовательное изменение...
26049. Инвертор 13.41 KB
  Единица на выходе схемы И будет тогда и только тогда когда на всех входах будут единицы. Связь между выходом z этой схемы и входами x и y описывается соотношением: z = xy читается как x и y . Когда хотя бы на одном входе схемы ИЛИ будет единица на её выходе также будет единица. Условное обозначение схемы ИЛИ представлено на рис.
26050. Понятие информации в информатике 22.96 KB
  Система представления чисел двоичными цифрами называется двоичной системой счисления. В общем случае позиционной системой счисления называется позиционное представление чисел в котором последовательные цифровые разряды являются целыми степенями целого числа называемого основанием системы. Например в десятичной системе счисления основанием которой является число 10 каждый следующий старший разряд в 10 раз больше предыдущего. Целое число М в позиционной системе счисления с основанием n записывается в виде M=ak ak1a1 a0 где ak ak1a1 a0...
26051. Импульсные и непрерывные электрические сигналы. Характеристики импульсных непрерывных электрических сигналов 14.34 KB
  Импульсные и непрерывные электрические сигналы. Характеристики импульсных непрерывных электрических сигналов Электрические импульсы генерируемые с определённой частотой тактовой частотой управляют всей работой компьютерного процессора побуждая его совершать ряд последовательных операций по обработке информации. Электрические импульсы возникающие в результате природных или техногенных процессов могут приводить к нежелательным результатам. Электрические импульсы различаются по форме виду зависимости тока или напряжения от времени и...
26052. Транзисторно-транзисторная логика ТТЛ) 17.7 KB
  нас RБ достаточный для того чтобы транзистор находился в режиме насыщения. В результате увеличится ток базы VT2 который будет протекать от источника питания через резистор Rб и коллекторный переход VT1 и транзистор VT2 перейдёт в режим насыщения.нас=U0 транзистор VT2 в насыщении. 0 многоэмиттерный транзистор VT1 находится в режиме насыщения а транзистор VT2 закрыт.
26053. Микросхемы ТТЛ с диодами Шотки(ТТЛШ) 13.52 KB
  3 Элементы ТТЛШ С целью увеличения быстродействия элементов ТТЛ в элементах ТТЛШ используются транзисторы Шотки представляющие собой сочетание обычного транзистора и диода Шотки включённого между базой и коллектором транзистора. Поскольку падение напряжения на диоде Шотки в открытом состоянии меньше чем на обычном pnпереходе то большая часть входного тока протекает через диод и только его малая доля втекает в базу. В связи с этим имеет место увеличение быстродействия транзисторного ключа с барьером Шотки в результате уменьшения времени...
26054. Эмитерно-связанная логика(ЭСЛ) 14.42 KB
  Он состоит из двух транзисторов в коллекторную цепь которых включены резисторы нагрузки RК а в цепь эмиттеров обоих транзисторов общий резистор Rэ по величине значительно больший Rк. На вход одного из транзисторов подаётся входной сигнал Uвх а на вход другого опорное напряжение Uоп. Схема симметрична поэтому в исходном состоянии Uвх=Uоп и через оба транзистора протекают одинаковые токи. При увеличении Uвх ток через транзистор VT1 увеличивается возрастает падение напряжения на сопротивлении Rэ транзистор VT2 подзакрывается и ток...
26055. Сравнительный анализ технологий производства микросхем 18.62 KB
  Если этот дефект окажется в критической точке то последующая диффузия примеси может вызвать короткое замыкание перехода и выход из строя всей микросхемы. Одним из эффективных методов визуализации является использование сканирующего электронного микроскопа позволяющего наблюдать топографический и электрический рельеф интегральной микросхемы. Для наблюдения необходимо чтобы поверхность микросхемы была открытой. Такую аппаратуру используют для оценки качества конструкции данной микросхемы...
26056. Регистры. Связь регистров между собой и с другими источниками данных 15.3 KB
  Связь регистров между собой и с другими источниками данных Регистры это функциональные узлы на основе триггеров предназначенные для приёма кратковременного хранения на один или несколько циклов работы данного устройства передачи и преобразования многоразрядной цифровой информации. В зависимости от способа записи информации кода числа различают параллельные последовательные и параллельно последовательные регистры. Появление импульса на тактовом входе регистра сдвига вызывает перемещение записанной в нём информации на один разряд...