23937

Гомеровский вопрос

Доклад

Литература и библиотековедение

Гомй вопрос. Эта неизвть о поэте и породила в новое время гомеровский вопрос – вопрос о лич автора о конкрет путях слож поэм. Этот вопрос до сих пор решся с пом гипотез. Вопрос о личности автора так и остается неизм.

Русский

2013-08-05

13.69 KB

1 чел.

Вопрос 8. Гом-й вопрос.

Подлинно народное пр-ние:

  1.  создано на осн мифов, к-е хорошо знал и любил народ. В поэме отразились все достижения тогдаш жизни, к-е были у греков к тому вр. Люди почитали Гомера как мудреца, учителя жизни.
  2.  поэма написана простым красочным языком. Гомер был самым полярным поэтом.

В позд антич сложился культ Гомера, но, несмотря на это, уже в антич конкрет свед о Гомере не было. 7 глав городов Гр спорили за право счит родиной Гомера. Эта неизв-ть о поэте и породила в новое время гомеровский вопрос – вопрос о лич автора, о конкрет путях слож поэм. Этот вопрос до сих пор реш-ся с пом гипотез. Особый интерес к Гомер-му вопр появ-ся в кон. 18в. Особенно усиленно занимались им нем ученые. По этому вопр слож 3 осн теории:

  1.  теория малых песен (А. Вольф). Вольф считал, что у поэм не было единого автора, что они представл из себя отдельные малые песни, напис-е разн поэтами в разн время. А потом появился редактор и механически собрал все их в поэму. Эту теорию в штыки приняли известные поэты: Гёте, Шиллер. Спорили 7 городов о месте рождения поэта, что ж, Вольф разодрал его, чтобы каждый взял свой кусок.
  2.  Теория единства (Нич). Он считал, что был один талантливый, гениальный поэт. Он воспользовался мифами, малыми эпическими песнями, переработал творчески материал по единому плану. Этой теории придерживались Гегель, Белинский, к-й очень образно выразил эту теорию. Он писал, что «гений Гомера яв-ся правильною печью, пройдя ч-з к-ю грубая рада народных преданий и песен вышла чистым золотом».
  3.  Теория основного зерна и его постепенного разрушения (Герман). Сначала один талантливый поэт создал 2небольшие поэмы: «Пра-Иллиада» и «Пра-Одиссея». Потом в теч длит вр др поэты вносили свои дополнения, изменения, пока поэмы не приняли тот вид, в к-м дошли до нас.

В наст вр счит-ся наиб достоверной 2я теория. Груз уч Горозиани в рез тщат исслед стиля доказал, что это теория ед-ва. Вопрос о личности автора так и остается неиз-м. Уч пришли к выводу, что имя Гомер не имя собств, а нариц слово, что значит либо слепец, либо собиратель. Но мы, из уважения к др грекам, автором поэмы счит Гомера. Гомеровский эпос заслуженно счит велич-м эпосом всех времен и народов.


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

29766. Классификация полупроводниковых материалов. Собственные и примесные полупроводники. Примеси в полупроводниках 29.49 KB
  Примеси в полупроводниках. Преднамеренное введение примеси называется легированием соответствующие примеси – легирующие а полупроводник – легированным или примесным. Кроме легирующих примесей существуют случайные или фоновые примеси непреднамеренно вводимые в полупроводник в процессе его производства и обработки. Фоновые примеси как правило ухудшают основные свойства материала и затрудняют управление ими.
29767. Монокристаллический кремний. Его применение, получение и свойства 36.46 KB
  Применение полупроводникового кремния. тонн кремния ежегодно Япония США Германия. Это базовый материал микроэлектроники который потребляет 80 полупроводникового кремния. Более 90 всех солнечных элементов изготавливаются из кристаллического кремния.
29768. Поликристаллический кремний. Применение, свойства, получение 26.53 KB
  Применение поликристаллического кремния Поликристаллический кремний весьма распространённый материал в технологии полупроводниковых приборов и интегральных схем. Возможность получения поликристаллического кремния с электрическим сопротивлением отличающимся на несколько порядков а также простота технологии привели к тому что он используется в технологии интегральных схем с одной стороны в качестве высокоомного материала затворов нагрузочных резисторов а с другой в качестве низкоомного материала межсоединений. Достоинства разводки на основе...
29770. Полупроводниковые соединения типа 29.44 KB
  Лазеры на основе соединений типа используются в телекоммуникационных устройствах волоконнооптических линий связи принтерах устройствах записи и считывания CD и DVD дисках. Свойства соединений типа Соединения типа образуются в результате взаимодействия элементов 3ей А подгруппы периодической системы с элементами 5ой В подгруппы за исключением висмута и таллия. Соединения типа классифицируются по элементу пятой группы т.
29771. Полупроводниковые соединения типа. Свойства соединений типа 23.32 KB
  Применение соединений типа Наиболее широкое применение соединения находят в качестве люминофоров и материалов для фоторезистов. Изготовление фоторезистов на основе соединений типа связано прежде всего с использованием сульфида кадмия селенида кадмия твёрдые растворы на основе . На основе полупроводников типа изготавливают датчики различного диапазона излучения.
29772. Диэлектрические материалы 37.85 KB
  Пассивные – это электроизоляторные и конденсаторные материалы. Пассивные неорганические диэлектрики применяемые в электронной технике можно разделить на стекловидные диэлектрики керамику монокристаллические диэлектрические материалы органические и композиционные материалы. Активные диэлектрики – это материалы свойствами которых можно управлять в широких пределах с помощью внешних воздействий.
29773. Классификация и особенности материалов электронной техники. Структура материалов. Обозначение кристаллографических плоскостей и направлений кристалла 25.27 KB
  Структура материалов. Классификация и особенности материалов электронной техники. Электрофизические свойства являются одним из основных свойств материалов определяют их применение в электронной технике.
29774. Способы представления сложных структур. Типичные кристаллические структуры материалов, применяемых в электронной технике 87.11 KB
  Структура типа алмаз. Элементарные полупроводники кремний и германий кристаллизуются в структуру типа алмаз. В структуре типа алмаз атомы образуют плотнейшую ГЦК решётку в которой половина 4 из 8ми тетраэдрических пустот заняты атомами того же сорта. Структура типа алмаз может быть представлена как две взаимно проникающие подрешётки типа ГЦК которые смещены относительно друг друга по пространственным диагоналям на её длины.