24065

Витамин В2 – рибофлавин

Шпаргалка

Биология и генетика

ФАД – участвует в следующих реакциях: Окислительное декарбоксилирование пирувата – входит в состав пируватдегидрогеназного комплекса: СН3СОСООН СН3СОSКоА Окислительное декарбоксилирование кетоглутарата – входит в состав кетоглутаратдегидрогеназного комплекса: НООССН2СН2СОСООН НООССН2СН2СОSКоА В окислении сукцината при СДГ В окислении жирных кислот в митохондриях: RСН2СН2СОSКоА RСН=СНСОSКоА Участие в работе дыхательной цепи Недостаточность рибофлавина проявляется в снижении содержания коферментных форм в тканях. КоА участвует...

Русский

2013-08-09

41 KB

3 чел.

Билет 83

Витамин В2 – рибофлавин.

Активные формы: ФАД, ФМН.

ФАД является коферментом дегидрогеназ, участвующих в окислении.

ФАД – кофермент флавинзависимых дегидрогеназ, участвующих в -окислении жирных кислот.

ФАД – участвует в следующих реакциях:

  1.  Окислительное декарбоксилирование пирувата – входит в состав пируватдегидрогеназного комплекса:

СН3СОСООН СН3СОSКоА

  1.  Окислительное декарбоксилирование -кетоглутарата – входит в состав кетоглутаратдегидрогеназного комплекса:

НООС-СН2-СН2-СО-СООН  НООС-СН2-СН2-СОSКоА

  1.  В окислении сукцината при СДГ

  1.  В окислении жирных кислот в митохондриях:

R-СН2-СН2-СОSКоА R-СН=СН-СОSКоА

  1.  Участие в работе дыхательной цепи

Недостаточность рибофлавина проявляется в снижении содержания коферментных форм в тканях.

Симптомы недостаточности В2 – поражения слизистой кожи и роговицы глаза, сухость слизистых губ, полости рта, в углу рта и на губах трещины. Повышено шелушение кожи лица, сухость конъюктивы, и воспаление, светобоязнь, прорастание роговицы сосудами (васкляризация), а затем помутнение

Практической применение В2.

Используют рибофлавин и коферментные препараты ФМН. Используют при заболеваниях глаз, кожи, плохо заживающих ранах, язвах. При отравлении СО, поражении печени.

Обмен витамина В3 (пантотеновая кислота).

Витамин В3 входит в состав кофермента А – HSKoA.

КоА участвует в следующих процессах:

  1.  Активирование ацетата и жирных кислот:

СН3СООНСН3СОSКоА

R-СН2-СН2-СООН R-СН2-СН2-СОSКоА

  1.  Синтез холестерина и других стероидов.
  2.  Синтез кетоновых тел:

  1.  Образование цитрата и превращение сукцинил-КоА на стадии субстратного фосфорилирования в цикле Кребса.
  2.  Синтетические реакции с использованием сукцинил-КоА (синтез -аминолевуленовой кислоты).
  3.  Синтез ацетилхолина.
  4.  Реакции ацетилирования (обезвреживание биогенных аминов).
  5.  Реакция обезвреживания чужеродных соединений и образование гиппуровой кислоты.
  6.  Реакция окисления пирувата и -кетоглутарата.

Недостаточность В3 не обнаружена. Гиповитаминоз изучен на  добровольцах. При этом установлено снижение окисления пирувата, ацетилирования биогенных аминов и чужеродных соединений, поражение кожи, поседение волос, нарушения функций нервной системы.

В практике применяют пантотенат кальция, пантетин, КоА. Применяют при заболеваниях кожи, волос, при поражении печени, дистрофии сердечной мышцы.

Биохимически недостаточность витамина В3 (пантотеновой кислоты) можно распознать путем введения сульфонамида и бензоата натрия. В результате наблюдается снижение скорости выведения с мочой ацитилированного сульфонамида или гиппуровой кислоты.

PAGE  1


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

1113. Импульсные диоды 38.5 KB
  Процессы в импульсном диоде. Работа импульсного диода. Материалы с высокой подвижностью носителей. Пример применения импульсного диода. Форма напряжения на нагрузочном сопротивлении.
1114. Использование варикапа 49.5 KB
  Основная характеристика варикапа и эквивалентная схема. Структура варикапа. Допустимое обратное напряжение.
1115. Туннельный диод 54 KB
  Энергетическая диаграмма вырожденного p-n перехода. Вольт-амперная характеристика туннельного диода. Генератор на туннельном диоде. Отрицательное динамическое сопротивление на падающем участке. Координаты точки пика и впадины.
1116. Применение варистора 36.5 KB
  Вольт-амперная характеристика варистора. Допустимая рассеиваемая мощность. Нелинейное полупроводниковое сопротивление. Множество хаотически расположенных p-n переходов.
1117. Полевые транзисторы 128.5 KB
  В полевых транзисторах применяется полевой принцип управления, малый уровень шумов, улучшение температурная стабильность параметров, повышение радиационной стойкости. Канал полевого транзистора. Стоковые (выходные) характеристики транзистора. Включение источников к полевому транзистору. Полевой транзистор Шоттки.
1118. Биполярные транзисторы 125.5 KB
  Принцип работы биполярного транзистора. Токи в транзисторе. Вольт–Амперные характеристики транзистора. Входные характеристики транзистора ОЭ. Эффект модуляции ширины базы. Выходные характеристики транзистора. Эквивалентная схема транзистора в h параметрах. Схема замещения транзистора в физических параметрах.
1119. Проблема температурной стабилизации транзисторов 348 KB
  Энергетическая диаграмма n полупроводника. Температурный дрейф выходной характеристики. Эмиттерная стабилизация режима. Коллекторная стабилизация режима. Характеристика терморезистора и его графическое обозначение. Термостабилизация режима терморезистором. Динамический режим работы транзисторов.
1120. Принципы использование тиристоров 108 KB
  Принцип действия тиристора. Полупроводниковые источники света. Светоизлучающие диоды. Механические колебания диодов кристаллической решетки. Характеристики СИД. Полупроводниковый лазер. Система зеркал – оптический резистор.
1121. Понятие микросхем. Основные сведение микроэлектроники 244.5 KB
  Микросхема в корпусе ДИП. Полупроводниковые интегральные микросхемы. Структура интегрального биполярного транзистора. Интегральные полевые транзисторы. Интегральные конденсаторы.