24213

Исследование оперативного запоминающего устройства

Лабораторная работа

Коммуникация, связь, радиоэлектроника и цифровые приборы

Матрица состоит из 16 ячеек памяти mem_i схема которой приведена на рис. Каждая ячейка памяти адресуется по входам XY путём выбора дешифраторами адресных линий по строкам Ах0Ах3 и по столбцам Ау0Ау3 см. При этом в выбранной ячейке памяти срабатывает двухвходовой элемент И U1 подготавливая цепи чтениязаписи информации на входных D10D13 или выходных DO0DO3 разрядных шинах. При записи в ячейку памяти см.

Русский

2013-08-09

354.5 KB

54 чел.

Лабораторная работа № 14

Исследование оперативного запоминающего устройства

  Цель работы: Закрепить теоретические знания об различных классах оперативных запоминающих устройствах (ОЗУ), их функциональном назначении и принципе работы.

  Используемое оборудование и средства: персональный компьютер, программа Electronics Workbench.

  Работа выполняется студентами за два часа аудиторных занятий

Краткие теоретические сведения.

   Оперативные запоминающие устройства (ОЗУ) являются неотъемлемой  частью микропроцессорных систем различного назначения. ОЗУ делятся на два класса: статические и динамические. В статических ОЗУ запоминание информации производится на триггерах, а в динамических - на конденсаторах емкостью порядка 0,5 пФ.

   Длительность хранения информации в статических  ОЗУ не ограничена, тогда как в динамических она ограничена временем саморазряда  конденсатора, что требует специальных средств регенерации и дополнительных затрат времени на этот процесс.

Рис. 14.1. Матрица 16-битного ОЗУ.

  Конструктивно любое ОЗУ состоит из двух блоков - матрицы запоминающих элементов и дешифратора адреса. По технологическим соображениям матрица чаще всего имеет двухкоординатную дешифрацию адреса - по строкам и столбцам. На рис.1 показана матрица 16-битного статического ОЗУ. Матрица состоит из 16 ячеек памяти mem_i, схема которой приведена на рис.2. Каждая ячейка памяти адресуется по входам X,Y путём выбора дешифраторами адресных линий по строкам Ах0…Ах3 и по столбцам Ау0…Ау3 (см.рис.1)  и подачи по выбранным линиям сигнала логической единицы. При этом в выбранной ячейке памяти срабатывает двухвходовой элемент И (U1), подготавливая цепи чтения-записи информации на входных D10…D13 или выходных DO0DO3 разрядных шинах. Разрешающим сигналом для выдачи адреса является CS (chip select - выбор кристалла), который подаётся на вход разрешения счётчика адреса (Addr_cnt) или такой же вход дешифраторов, подключённых к выходам счётчика.

     При записи в ячейку памяти (см. рис.2) на соответствующей разрядной шине устанавливается 1 или 0, на входе WR/RD устанавливается сигнал 1 и после стробирования счётчика или дешифратора адреса сигналом CS срабатывают элементы 2И U1, U2.   Положительный перепад сигнала с элемента   U2 поступает на тактовый вход D-триггера U4, в результате чего в нём записывается 1 или 0 в зависимости от уровня  сигнала на его D-входе.

Рис. 14.2. Схема ячейки памяти mem_i.

Рис. 14.3. Лицевая панель генератора слова с установками для схемы на рис. 2.

    При чтении из ячейки памяти на входе WR/RD устанавливается 0, при этом срабатывают элементы U1, U3,U5 и на вход РАЗРЕШЕНИЕ ВЫХОДА буферного элемента U6 поступает разрешающий сигнал, в результате чего сигнал с Q-выхода D-триггера передаётся на разрядную шину DO0…DO3. Для проверки функционирования ячейки памяти используется генератор слова рис. 3.

    В микропроцессорных системах в качестве ОЗУ чаще всего используются динамические ОЗУ с запоминающим конденсатором, которые отличаются большим многообразием. Примером динамической памяти является FPM DRAM (Fast Page Mode DRAM –динамическая память с быстрым страничным доступом), активно используется в последнее время. Память со страничным доступом отличается от обычной динамической памяти тем , что после выбора строки матрицы и удержания сигнала RAS допускает многократную установку адреса столбца , стробируемого сигналом CAS , а также быструю регенерацию по схеме « CAS прежде RAS» . Первое позволяет ускорить блочные передачи, когда весь блок данных или его часть находятся внутри одной строки матрицы, называемой в этой системе страницей , а второе – снизить затраты времени на регенерацию памяти.

   Кроме основного ОЗУ, устройством памяти снабжается и устройство отображения информации - видеодисплейная система. Такая память называется видеопамятью и располагается на плате видеоадаптера.

    Видеопамять служит для хранения изображения. От её объёма зависит максимально возможное разрешение видеокарты – А*В*С, где А- количество точек по горизонтали, В – по вертикали, С – количество возможных цветов каждой точки. Например, для разрешения

640*480*16 достаточно иметь видео память 256Кбайт, для 800*600*256 – 512 КБ, для 1024*768*65536 (другое обозначение- 1024*768*64к) –2Мбайт и т.д. Поскольку для хранения цветов отводится целое число разрядов, количество цветов всегда является целой степенью 2(16 цветов- 4 разряда, 256 – 8 разрядов, 64к – 16 и т.д.).

    В видеоадаптерах используются, например, FPM DRAM(Fast Page Mode Dynamic RAM – динамическое ОЗУ с быстрым страничным доступом)—основной тип видеопамяти, идентичный используемой в системных платах.

   Микросхемы памяти имеют четыре основные характеристики – тип, объём, структуру и  время доступа. Тип обозначает статическую или динамическую память, объём показывает общую ёмкость памяти, а структура—количество ячеек памяти и разрядность каждой ячейки. Например, 28/32-выводные DIP- микросхемы SRAM имеют 8-разрядную структуру (8k*8, 16k*8, 32k*8, 64k*8, 128 k*8), кэш объёмом 256 Кбайт состоит из восьми микросхем 32 k*8 или четырёх микросхем 64 k*8.

  Время доступа характеризует скорость работы микросхемы и обычно указывается в наносекундах после тире в конце наименования. На более медленных микросхемах  могут указываться только первые цифры ( -7 вместо –70, -15 вместо –150), на  более быстрых статических “ -15” или ”20” обозначает реальное время доступа к ячейке. Часто на микросхемах указывается минимальное из всех возможных  времен доступа, например, распространена маркировка 50 EDO DRAM вместо 70, или 45 – вместо 60, хотя такой цикл достижим только в блочном режиме, а в одиночном режиме микросхема по-прежнему имеет время доступа 700 или 60 нс. Аналогичная ситуация имеет место в маркировке PB SRAM: 6 вместо 12, и 7 вместо 15. Микросхемы SDRAM обычно маркируются временем доступа в блочном режиме (10 или12 нс.).

  ИМС памяти реализуются в корпусах следующих типов.

DIP (Dual In line Package – корпус с двумя рядами выводов) – классические микросхемы, применявшиеся в блоках основной памяти IBM PC/XT  и ранних  PC/AT, сейчас применяются в блоках кэш-памяти.

SIP (Single In line Package – корпус с одним рядом выводов) – микросхема с одним рядом выводов, устанавливаемая вертикально.

Задание на подготовку к работе.

1. Изучить запоминающие устройства на транзисторах.

2. Изучить запоминающие устройства на функциональных приборах.

3. Изучить порядок выполнения работы и подготовить необходимые схемы и таблицы.

Контрольные вопросы.

  1.  Какие типы памяти существуют?
  2.  Где в современных компьютерах используется память статического типа?
  3.  Чем отличается динамическая память от статической?
  4.  Какие типы динамической памяти используется в современных компьютерах?
  5.  Что такое видеопамять и как она связана с характеристиками отображаемой на дисплее информации?
  6.  Какие типы памяти используются в качестве видеопамяти?
  7.  Какое конструктивное оформление имеют микросхемы памяти?

Порядок выполнения работы.

1. Исследование ячейки оперативного запоминающего устройства.

  Соберите схему, изображенную на рис. 2.

Изобразите какими должны быть входные и выходные сигналы на элементах И1И6 при записи, хранении и считывании информации.

Установите на генераторе слова комбинацию цифр, обеспечивающих запись в ячейку памяти И4 двоичной единицы.

Просмотрите с помощью осциллографа и зарисуйте сигналы на входах и выходах элементов И1И6.

Установите на генераторе слова комбинацию цифр, обеспечивающих хранение в ячейке памяти И4 двоичной единицы.

Просмотрите с помощью осциллографа и зарисуйте сигналы на входах и выходах элементов И1И6.

Установите на генераторе слова комбинацию цифр, обеспечивающих считывание двоичной единицы с ячейки памяти И4.

Просмотрите с помощью осциллографа и зарисуйте сигналы на входах и выходах элементов И1И6.

Сравните экспериментально полученные диаграммы с теоретическими.

Содержание отчета.

1. Наименование и цель лабораторной работы.

2. Наименование каждого пункта  работы, схемы, результаты расчетов и измерений.

3. Выводы по результатам исследований.     


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

26688. Мейоз 18.64 KB
  Также происходит рекомбинация генго материала обмен участками м у гомологичными хромосомами кроссинговер активация транскрипции в профазе первого деления и отсутствие Sфазы м у 1ми 2м делением. Профазу первого I мейотического деления подразделяют на 5 стадий: лептотена стадия тонких нитей зиготена стадия сливающихся нитей пахитена стадия толстых нитей диплотена стадия двойных нитей диакинез стадия обособления двойных нитей. Затем следует метафаза I деления и последующие фазы деления клеток наступает следующий П цикл в...
26689. Генетика человака и методы изучения генетики человека 32.6 KB
  Биологический вид Homo sapiens составляет часть биосферы и прдукт ее эволюции. Человек подчиняеться законам наследственной изменчивости. Мы есть нечто иное как продукт наших генов
26691. Древние платформы 1.31 MB
  Однако Криворожские месторождения по запасам в десятки раз уступают Курским. Такого же типа протерозойские месторождения известны на Кольском полуострове Оленегорское Костамукшское. Магматические железорудные месторождения Енское Ковдорское Африканда Кольский полуостров снабжают сырьем Череповецкий металлургический комбинат. С корой выветривания гипербазитов связаны месторождения никеля и на Украинском щите.
26692. ПРЕОБРАЗОВАНИЕ СИГНАЛА В НЕЛИНЕЙНОЙ ЦЕПИ 122.51 KB
  Наблюдать временные диаграммы на входе и выходе нелинейного элемента в разных режимах работы; научиться измерять угол отсечки сигнала на выходе нелинейной цепи; исследовать преобразование спектра отклика нелинейного элемента в зависимости от его режима работы.
26693. Неогей 78 KB
  В течение обоих циклов в погружение вовлекались преимущественно северозападные и югозападные зоны Русской плиты которые либо простирались грубо параллельно СевероАтлантическому Грампианскому геосинклинальному поясу отделяясь от него Балтийским щитом обширная палеоБалтийская синеклиза либо примыкали к Средиземноморскому поясу ЛьвовскоКишиневский перикратонный прогиб. В кембрии осушилась его северовосточная часть район Мезенской синеклизы а на западе он распространился в пределы западной части Советской...
26694. Геологическая характеристика и палеогеографические условия осадконакопления отложений девона, карбона и перми Восточно-Европейской платформы. Полезные ископаемые 126 KB
  В пределах ВолгоУральской области с нижневизейскими песчаными толщами связаны месторождения нефти. Месторождения нефти и газа ВЕП связаны как с палеозойскими так и мезозойскими отложениями. Месторождения бурых углей находятся в Подмосковье где они приурочены к низам визейского яруса. В ВолгоУральской антеклизе с отложениями нижнего карбона связаны крупные месторождения углей.
26695. Сибирская платформа: границы и основные структурные элементы. Геологическое строение фундамента. Полезные ископаемые 109 KB
  Некоторая часть пород принадлежит к первичноосадочным компонентам продукты переотложения первичных кор выветривания. Оленёкский выступ представлен нижнепротерозойскими терригенными отложениями метаморфизированными смятыми в пологие складки. В отложениях архея много обломочного кварцевого и глиноземистого материала источник магматические породы кислого и среднего состава. Главные результаты: впервые вскрыт и детально изучен наиболее полный разрез триасовых и юрских отложений; опровергнуты представления о непрерывном уплотнении...
26696. Алтае-Саянская область: геологическое строение и история развития. Полезные ископаемые 81 KB
  АлтаеСаянская область: геологическое строение и история развития. АлтаеСаянская горная страна охватывает горные сооружения Восточного и Западного Саян Кузнецкого Алатау Горной Шорин и Горного Алтая. Восточный Саян сложная морфоструктура сформированная на древнейших образованиях АлтаеСаянского региона. Стратиграфия и тектоника Горные породы представлены комплексами скальных вулканогенных образований сосредоточенных в восточной части Алтае Саянского региона и нескальных осадочных несцементированных грунтов в составе которых по...