24982

Полупроводники. Собственная и примесная проводимость полупроводников. Полупроводниковые приборы

Шпаргалка

Физика

Собственная и примесная проводимость полупроводников. Полупроводниковые приборы План ответа 1. Полупроводниковые приборы. Применение полупроводников.

Русский

2013-08-09

31.5 KB

66 чел.

Билет № 16

Полупроводники. Собственная и примесная проводимость полупроводников. Полупроводниковые приборы

План ответа

1. Определение. 2. Собственная проводимость. 3. Донорная проводимость. 4. Акцепторная проводимость. 5. р-п переход. 6. Полупроводниковые приборы. 7. Применение полупроводников.

Полупроводники это вещества, удельное сопротивление которых убывает с повышением температуры, наличия примесей, изменения освещенности. По этим свойствам они разительно отличаются от металлов. Обычно к полупроводникам относятся кристаллы, в которых для освобождения электрона требуется энергия не более 1,5 — 2 эВ. Типичными полупроводниками являются кристаллы германия и кремния, в которых атомы объединены ковалентной связью. Природа этой связи позволяет объяснить указанные выше характерные свойства. При нагревании полупроводников их атомы ионизируются. Освободившиеся электроны не могут быть захвачены соседними атомами, так как все их валентные связи насыщены. Свободные электроны под действием внешнего электрического поля могут перемещаться в кристалле, создавая ток проводимости. Удаление электрона с внешней оболочки одного из атомов в кристаллической решетке приводит к образованию положительного иона. Этот ион может нейтрализоваться, захватив электрон. Далее, в результате пере-

ходов от атомов к положительным ионам происходит процесс хаотического перемещения в кристалле места с недостающим электроном. Внешне этот процесс хаотического перемещения воспринимается как перемещение положительного заряда, называемого «дыркой». При помещении кристалла в электрическое поле возникает упорядоченное движение «дырок» ток дырочной проводимости.

В идеальном кристалле ток создается равным количеством электронов и «дырок». Такой тип проводимости называют собственной проводимостью полупроводников. При повышении температуры (или освещенности) собственная проводимость проводников увеличивается.

На проводимость полупроводников большое влияние оказывают примеси. Примеси бывают до-норные и акцепторные. Донорная примесь это примесь с большей валентностью. При добавлении донорной примеси в полупроводнике образуются лишние электроны. Проводимость станет электронной, а полупроводник называют полупроводником n-типа. Например, для кремния с валентностью п = 4 донорной примесью является мышьяк с валентностью п = 5. Каждый атом примеси мышьяка приведет к образованию одного электрона проводимости.

Акцепторная примесь это примесь с меньшей валентностью. При добавлении такой примеси в полупроводнике образуется лишнее количество «дырок». Проводимость будет «дырочной», а полупроводник называют полупроводником          p-типа. Например, для кремния акцепторной примесью является индий с валентностью   n = 3. Каждый атом индия приведет к образованию лишней «дырки».

Принцип действия большинства полупроводниковых приборов основан на свойствах р-п перехода. При приведении в контакт двух полупроводниковых приборов р-типа и n-типа в месте контакта начинается диффузия электронов из n-области в p-область, а «дырок» наоборот, из  р- в n-область. Этот процесс будет не бесконечный во времени, так как образуется запирающий слой, который будет препятствовать дальнейшей диффузии электронов и «дырок».

р-п контакт полупроводников, подобно вакуумному диоду, обладает односторонней проводимостью: если к р-области подключить «+» источника тока, а к n-области «-» источника тока, то запирающий слой разрушится и р-п контакт будет проводить ток, электроны из области n- пойдут в р-область, а «дырки» из p-области  в n-область (рис. 23). В первом случае ток не равен нулю, во втором ток равен нулю. Т. е., если к p-области подключить «-» источника, а к n-области — «+» источника тока, то запирающий слой расширится и тока не будет.

Полупроводниковый диод состоит из контакта двух полупроводников р- и n-типа. Достоинством полупроводникового диода являются малые размеры и масса, длительный срок службы, высокая механическая прочность, высокий коэффициент полезного действия, а недостатком зависимость их сопротивления от температуры.

В радиоэлектронике применяется также еще один полупроводниковый прибор: транзистор, который был изобретен в 1948 г. В основе триода лежит не один, а два р-п перехода. Основное применение транзистора это использование его в качестве усилителя слабых сигналов по току и напряжению, а полупроводниковый диод применяется в качестве выпрямителя тока. После открытия транзистора наступил качественно новый этап развития электроники микроэлектроники, поднявший на качественно иную ступень развитие электронной техники, систем связи, автоматики. Микроэлектроника занимается разработкой интегральных микросхем и принципов их применения. Интегральной микросхемой называют совокупность большого числа взаимосвязанных компонентов транзисторов, диодов, резисторов, соединительных проводов, изготовленных в едином технологическом процессе. В результате этого процесса на одном кристалле одновременно создается несколько тысяч транзисторов, конденсаторов, резисторов и диодов, до 3500. Размеры отдельных элементов микросхемы могут быть 2—5 мкм, погрешность при их нанесении не должна превышать 0,2 мкм. Микропроцессор современной ЭВМ, размещенный на кристалле кремния размером 6х6 мм, содержит несколько десятков или даже сотен тысяч транзисторов.

Однако в технике применяются также полупроводниковые приборы без р-п перехода. Например, терморезисторы (для измерения температуры), фоторезисторы (в фотореле, аварийных выключателях, в дистанционных управлениях телевизорами и видеомагнитофонами).


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

80355. ОСОБЛИВІ ПОРЯДКИ КРИМІНАЛЬНОГО ПРОВАДЖЕННЯ 81.85 KB
  Кримінальне провадження на території дипломатичних представництв консульських установ України, на повітряному, морському чи річковому судні, що перебуває за межами України під прапором або з розпізнавальним знаком України, якщо це судно приписано до порту, розташованого в Україні.
80358. Засоби, що використовуються під час проведення негласних слідчих (розшукових) дій 34.92 KB
  Засоби що використовуються під час проведення негласних слідчих розшукових дій 1. Поняття та зміст засобів що використовуються під час проведення негласних слідчих розшукових дій В науці неодноразово досліджувались певні засоби які використовуються для боротьби зі злочинністю їх суть та роль у вирішенні слідчооперативних завдань. Водночас засоби що використовуються під час проведення негласних слідчий розшукових дій як узагальнююча наукова категорія не досліджувались. Такий погляд на засоби ОРД зберігається у вітчизняній науці...
80359. Маркетинговое исследование О‎О‎О Автосеть 31 399 KB
  Маркетинговые исследования играют центральную роль в системе современного маркетинга. Маркетинговые исследования являются средством оберегания предпринимателя от таких губительных ошибок, как производство товаров ограниченного спроса или ориентация на потребителей не заинтересованных в данной продукции, неудачный выбор канала сбыта и т.д.
80360. ЗАСАДИ КРИМІНАЛЬНОГО ПРОЦЕСУ 92.37 KB
  Поняття, значення і класифікація засад кримінального провадження. Конституційні засади кримінального провадження. Спеціальні засади кримінального провадження та їх характеристика.
80361. Фіксація ходу і результатів негласних слідчих дій 31.9 KB
  Фіксація ходу і результатів негласних слідчих дій. Поняття фіксації негласних слідчих розшукових дій Згідно з КПК України слідчий має право негласно виявляти та фіксувати сліди тяжкого злочину документи та інші предмети що можуть бути доказами про злочин чи особу яка його вчинила. Негласне виявлення та фіксування слідів тяжкого злочину полягає у здійсненні працівником міліції комплексу негласних слідчих розшукових дій для безпосереднього пізнання і сприймання властивостей стану характерних ознак і звязків обєктів матеріального...
80362. Зняття інформації з транспортних телекомунікаційних мереж 37.48 KB
  Зняття інформації з транспортних телекомунікаційних мереж. Організаційноправові засади зняття інформації з транспортних телекомунікаційних мереж Зняття інформації з транспортних телекомунікаційних мереж мереж що забезпечують передавання знаків сигналів письмового тексту зображень та звуків або повідомлень будьякого виду між підключеними до неї телекомунікаційними мережами доступу є різновидом втручання у приватне спілкування яке проводиться без відома осіб які використовують засоби телекомунікації для передавання інформації на...
80363. АРХІТЕКТУРА ТЕАМ FOUNDATION SERVER 237 KB
  У TFS використана логічна трирівнева архітектура, що розділяється на клієнтський рівень, а також рівні додатків і даних. Клієнти TFS взаємодіють з рівнем додатків за допомогою різних веб-cлужб. У свою чергу, рівень додатків підтримується різними базами даних на рівні даних.