26054

Эмитерно-связанная логика(ЭСЛ)

Доклад

Коммуникация, связь, радиоэлектроника и цифровые приборы

Он состоит из двух транзисторов в коллекторную цепь которых включены резисторы нагрузки RК а в цепь эмиттеров обоих транзисторов общий резистор Rэ по величине значительно больший Rк. На вход одного из транзисторов подаётся входной сигнал Uвх а на вход другого опорное напряжение Uоп. Схема симметрична поэтому в исходном состоянии Uвх=Uоп и через оба транзистора протекают одинаковые токи. При увеличении Uвх ток через транзистор VT1 увеличивается возрастает падение напряжения на сопротивлении Rэ транзистор VT2 подзакрывается и ток...

Русский

2013-08-17

14.42 KB

5 чел.

19. Эмитерно-связанная логика(ЭСЛ).

Основой эмиттерно-связанной логики (ЭСЛ) является быстродействующий переключатель тока (Рисунок 14,а). Он состоит из двух транзисторов, в коллекторную цепь которых включены резисторы нагрузки RК, а в цепь эмиттеров обоих транзисторов — общий резистор Rэ, по величине значительно больший Rк. На вход одного из транзисторов подаётся входной сигнал Uвх, а на вход другого — опорное напряжение Uоп. Схема симметрична, поэтому в исходном состоянии (Uвх=Uоп) и через оба транзистора протекают одинаковые токи. Через сопротивление Rэ протекает общий ток IО.

При увеличении Uвх ток через транзистор VT1 увеличивается, возрастает падение напряжения на сопротивлении Rэ, транзистор VT2 подзакрывается и ток через него уменьшается. При входном напряжении, равном уровню лог «1» (Uвх=U1), транзистор VT2 закрывается и весь ток протекает через транзистор VT1. Параметры схемы и ток I0 выбираются таким образом, чтобы транзистор VT1 в открытом состоянии работал в линейном режиме на границе области насыщения.

При уменьшении Uвх до уровня лог. «0» (Uвх=U0), наоборот, транзистор VT1 закрыт, а транзистор VT2 находится в линейном режиме на границе с областью насыщения.

Высокое быстродействие ЭСЛ обусловлено следующими основными факторами:

1 Открытые транзисторы не находятся в насыщении, поэтому исключается этап рассасывания неосновных носителей в базах.

2 Управление входными транзисторами осуществляется от эмиттерных повторителей предшествующих элементов, которые, имея малое выходное сопротивление, обеспечивают большой базовый ток и, следовательно, малое время открывания и закрывания входных и опорного транзисторов.

3 Малый логический перепад сокращает до минимума время перезарядки паразитных емкостей элемента.

Все эти факторы в комплексе обеспечивают малое время фронта и среза выходного напряжения элементов ЭСЛ.

Для ЭСЛ характерны следующие средние параметры: Uпит=–5В; U1=–(0,7–0,9)В; U0=–(1,5–2)В; tЗД.ср=3–7 нс; Pпот=10–20 мВт.

Перспективными считаются серии К500 и К1500, причём серия К1500 относится к числу субнаносекундных и имеет время задержки распространения менее 1 нс.


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

82524. Дидактические игры и упражнения, направленные на развитие мышления у детей с умственной отсталостью дошкольного возраста 100.5 KB
  Педагог просит ребенка отнести на один стул такие указательный жест а на другой – такие. Педагог дает одному из детей коробку с круглой прорезью а другому с квадратной и ставит условие: отобрать сразу все что можно протолкнуть в данную коробку. Если он выбирает правильно например шары но берет не все а только один или два шара педагог напоминает ему что нужно взять все такие указывает на шары. После того как дети отберут и бросят в прорези коробок нужные формы педагог подводит итог: Правильно Таня собрала все шары и...
82525. Игры для развития мышления и воображения у детей дошкольного возраста с нарушением слуха 88.5 KB
  Педагог просит: Достань тележку. Если ребенок вытянул тесьму то педагог вставляет ее снова обязательно за экраном. Если все же ребенок не сумел сделать сам педагог медленно показывает. Педагог предлагает детям выложить из своих фишек узоры по картинке.
82526. Развитие мышления на уроках русского языка 96.5 KB
  Ход проведения: детям были даны карточки с нижеприведёнными упражнениями. Ход проведения: на уроке идёт беседа об известных модельерах анализируются модели одежды созданные ими. Ход проведения: детям говорится что им сейчас будут зачитываться слова и они должны в уме переставить буквы наоборот и тут же записать в тетрадь получившийся результат. Ход проведения: на доске зарисовывается схема.
82527. Развитие памяти и мышления у детей с ОВЗ на занятиях по дополнительной образовательной программе «Я все умею делать сам, что не умею, научусь!» 38 KB
  Ведущий: Дети сейчас я прочитаю вам стихотворение Корнея Чуковского Путаница. Ведущий перед игрой проводит короткую беседу уточняя понимание детьми слов профессия действия. Ведущий. Ведущий.
82531. Память. Виды памяти 72.5 KB
  Виды памяти Память – психический познавательный процесс направленный на запечатление сохранение воспроизведение и забывание той или иной информации. В структуре памяти можно выделить четыре относительно самостоятельных процесса: запоминание воспроизведение сохранение и забывание усвоенной ранее информации. Запоминание процесс памяти обеспечивающий удержание материала путём связывания новой информации с прошлым опытом. Запоминание Механическое зубрёжка Осмысленное логическое...
82532. Особенности памяти у детей с задержкой психического развития (ЗПР) 25.5 KB
  У детей с психофизическим инфантилизмом наблюдаются: уменьшение объема и скорости запоминания; неумение рационально организовать и контролировать свою работу; преобладание зрительной памяти над слуховой; У детей с ЗПР соматогенного генеза отмечается недоразвитие кратковременной памяти проявляющееся в снижении скорости запоминания в медленном нарастании продуктивности запоминания снижении объема памяти. У детей с ЗПР церебральноорганического генеза наблюдаются разнообразные нарушения памяти: повышенная тормозимость следов под...