26059

Динамическая память

Контрольная

Коммуникация, связь, радиоэлектроника и цифровые приборы

В зависимости от типа ПЗУ занесение в него информации производится или в процессе изготовления или в эксплуатационных условиях путем настройки предваряющей использование ПЗУ в вычислительном процессе. В последнем случае ПЗУ называются постоянными запоминающими устройствами с изменяемым в процессе эксплуатации содержимым или программируемыми постоянными запоминающими устройствами ППЗУ. Функционирование ПЗУ можно рассматривать как выполнение однозначного преобразования kразрядного кода адреса ячейки запоминающего массива ЗМ в nразрядный...

Русский

2013-08-17

17.76 KB

2 чел.

39. Динамическая память

В зависимости от способа хранения информации оперативные запоминающие устройства (ОЗУ) подразделяются на статические и динамические. В статических ОЗУ (Static RAM — SRAM) запоминающими элементами являются триггеры, сохраняющие своё состояние, пока схема находится под питанием и нет новой записи данных.

В динамических ОЗУ (Dynamic RAM — DRAM) данные хранятся в виде зарядов конденсаторов, образуемых элементами МОП-структур. Саморазряд конденсаторов ведёт к разрушению данных, поэтому они должны периодически (каждые несколько миллисекунд) регенерироваться. В то же время плотность упаковки динамических элементов памяти в несколько раз превышает плотность упаковки достижимую в статических RAM.

Регенерация данных в статических ЗУ осуществляется с помощью специальных контроллеров. Разработаны также ЗУ с динамическими запоминающими элементами, имеющие внутреннюю встроенную систему регенерации, у которых внешнее поведение относительно управляющих сигналов становится аналогичным поведению статических ЗУ. Такие ЗУ называются квазистатическими.

В целом динамические ЗУ характеризуются наибольшей информационной ёмкостью и невысокой стоимостью, поэтому именно они используются как основная память ЭВМ.

40. Постоянные ЗУ. Основные параметры некоторых микросхем памяти

Постоянные ЗУ в рабочем режиме ЭВМ допускают только считывание хранимой информации. В зависимости от типа ПЗУ занесение в него информации производится или в процессе изготовления, или в эксплуатационных условиях путем настройки, предваряющей использование ПЗУ в вычислительном процессе. В последнем случае ПЗУ называются постоянными запоминающими устройствами с изменяемым в процессе эксплуатации содержимым или программируемыми постоянными запоминающими устройствами (ППЗУ).

Постоянные ЗУ обычно строятся как адресные. Функционирование ПЗУ можно рассматривать как выполнение однозначного преобразования k-разрядного кода адреса ячейки запоминающего массива ЗМ в n-разрядный код хранящегося в ней слова.

По сравнению с ЗУ с произвольным обращением, допускающим как считывание, так и запись информации, конструкции ПЗУ значительно проще, их быстродействие и надежность выше, а стоимость ниже. Это объясняется большей простотой ЗЭ, отсутствием цепей для записи вообще или, по крайней мере, для оперативной записи, реализацией неразрушающего считывания, исключающего процедуру регенерации информации.

Одним из важнейших применений ПЗУ является хранение микропрограмм в микропрограммных управляющих устройствах ЭВМ. Для этой цели необходимы ПЗУ значительно большего, чем в ОП, быстродействия и умеренной емкости (10 000 - 100 000 бит).

Постоянные ЗУ широко используются для хранения программ в специализированных ЭВМ, в том числе в микроЭВМ, предназначенных для решения определенного набора задач, для которых имеются отработанные алгоритмы и программы, например в бортовых ЭВМ самолетов, ракет, космических кораблей, в управляющих вычислительных комплексах, работающих в АСУ технологических процессов. Такое применение ПЗУ позволяет существенно снизить требования к емкости ОП, повысить надежность и уменьшить стоимость вычислительной установки

Очень широко ПЗУ используются в универсальных ЭВМ всех классов для хранения стандартных процедур начальной инициализации вычислительной системы и внешних устройств, например BIOS в PC фирмы IBM. Программное обеспечение контроллеров интеллектуальных внешних устройств ЭВМ обычно также хранится во встроенных ПЗУ.

На рис. 3.8 приведена схема простейшего ПЗУ со структурой типа 2D. Запоминающий массив образуется системой взаимно перпендикулярных линий, в пересечениях которых устанавливаются ЗЭ, которые либо связывают (состояние 1), либо не связывают (состояние 0) между собой соответствующие горизонтальную и вертикальную линии. Поэтому часто ЗЭ в ПЗУ называют связывающими элементами. Для некоторых типов ЗЭ состояние 0 означает просто отсутствие запоминающего (связывающего) элемента в данной позиции ЗМ.

Дешифратор ДШ по коду адреса в РгА выбирает одну из горизонтальных линий (одну из ячеек ЗМ), в которую подается сигнал выборки. Выходной сигнал (сигнал 1) появляется на тех вертикальных разрядных линиях, которые имеют связь с возбужденной адресной линией. В зависимости от типа запоминающих (связывающих) элементов различают резисторные, емкостные, индуктивные (трансформаторные), полупроводниковые (интегральные) и другие ПЗУ.

В настоящее время наиболее распространенным типом являются полупроводниковые интегральные ПЗУ.

^ Полупроводниковые интегральные ПЗУ имеют все те же достоинства, что и полупроводниковые ЗУ с произвольным обращением. Более того, в отличие от последних они являются энергонезависимыми. Постоянные ЗУ имеют большую емкость на одном кристалле (в одном корпусе интегральной микросхемы). Положительным свойством интегральных ПЗУ является то, что некоторые типы этих устройств позволяют самому потребителю производить их программирование (занесение информации) в условиях эксплуатации и даже многократное перепрограммирование.

По типу ЗЭ, устанавливающих или разрывающих связь (контакт) между горизонтальными и вертикальными линиями, различают биполярные и МОП-схемы ПЗУ. Биполярные ПЗУ имеют время выборки 3-5 нс. Постоянные ЗУ на МОП-схемах имеют большую емкость в одном кристалле (корпусе), но и меньшее быстродействие: время выборки 10-15 нс.

По важнейшему признаку – способу занесения информации (программированию) различают три типа интегральных полупроводниковых ПЗУ:

Программирование в процессе изготовления путем нанесения при помощи фотошаблонов в нужных потребителю точках контактных перемычек.

Программирование путем выжигания перемычек или пробоя p-n переходов для уничтожения или образования связей между горизонтальными и вертикальными линиями (одноразовое программирование), которое может осуществить сам пользователь с помощью специального программатора.

Электрическое перепрограммирование, при котором информация заносится в ЗМ электрическим путем, а стирание информации, необходимое для изменения содержимого ПЗУ, выполняется воздействием на ЗМ ультрафиолетовым излучением или электрическим путем (многократное программирование). Время программирования для обоих типов ППЗУ примерно одинаково и составляет около 30-100 с на 1 мегабит памяти.

Программируемые фотошаблонами и выжиганием ПЗУ могут строиться на основе как биполярных, так и МОП-схем. Перепрограммируемые ПЗУ используют только МОП-схемы, способные хранить заряды.


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

19698. Творческий путь Лескова 30 KB
  Творческий путь Лескова. Н. С. Лесков 18311895 известен прежде всего как прозаик автор множества романов повестей рассказов. Однако свой творческий путь он начал с публицистики. Будучи выходцем из семьи небогатого орловского чиновника Лесков рано поступил на службу в Ор...
19699. Своеобразие поэтики Лескова 43.5 KB
  Своеобразие поэтики Лескова Что касается собственного творчества писатель шел против течений. Он любит жанры новеллы и анекдота в основе которых новость неожиданность т.е. то что вступает в противоречие с привычным взглядом на вещи. Лесков стремился не
19700. Творческий путь Достоевского. Поэтика романов 33.5 KB
  Творческий путь Достоевского. Поэтика романов. Достоевский учился в Инженерном училище. Там Достоевский начал писать трагедии от которых сохранились только названия: Борис Годунов и Мария Стюарт. Настоящий дебют в литературе повесть в письмах иногда называет
19701. Преступление и наказание 35 KB
  Преступление и наказание Достоевский анализирует больную психику описывает людей в состоянии нравственной и умственной одержимости. Герои переживают внутреннюю катастрофу. Психологизм скрытый и явный: внутренний монолог перетекающий в своеобразный внутре
19702. Ф.М. Достоевский «Идиот» 32.5 KB
  Ф.М. Достоевский Идиот Позиция Достоевского в общественной борьбе его эпохи чрезвычайно сложна противоречива трагична. Писателю нестерпимо больно за человека за его искалеченную жизнь поруганное достоинство и он страстно ищет выход из царства зла и насилия в ми...
19703. Роман Достоевского «Бесы», его проблематика и поэтика. «Бесы» как роман-предупреждение 49 KB
  Роман Достоевского Бесы его проблематика и поэтика. Бесы как романпредупреждение. Начиная работу над Бесами 18701871 Д. намеревался создать полит.памфлет обращенный против западников и нигилистов. Несостоятельность их теоретической программы гибельность практ
19704. «Братья Карамазовы»: проблема замысла, место глав «Бунт» и «Великий Инквизитор» в романе 33 KB
  Братья Карамазовы: проблема замысла место глав Бунт и Великий Инквизитор в романе. В романе мы видим целую галерею образов. Отец и сыновьяэто разные стороны русского характера. Фёдор Павлович отец братьев Карамазовых. Это человек прошлого бывший крепостник о
19705. Творческий путь Толстого 40 KB
  Творческий путь Толстого Толстой происходил из знатной дворянской семьи. Толстой родился в родовом имении Ясная Поляна в Тульской губернии. в 1844 г. поступил в Казанский университет где учился сначала на восточном факультете затем на юридическом. В студенческие годы
19706. Поэтика ранних произведений Толстого 33.5 KB
  Поэтика ранних произведений Толстого. Как и все произведения Л.Н.Толстого трилогия Детство. Отрочество. Юность явилась по сути воплощением большого количества замыслов и начинаний. В ходе работы над произведением писатель тщательно оттачивал каждую фразу каждую ...