26059

Динамическая память

Контрольная

Коммуникация, связь, радиоэлектроника и цифровые приборы

В зависимости от типа ПЗУ занесение в него информации производится или в процессе изготовления или в эксплуатационных условиях путем настройки предваряющей использование ПЗУ в вычислительном процессе. В последнем случае ПЗУ называются постоянными запоминающими устройствами с изменяемым в процессе эксплуатации содержимым или программируемыми постоянными запоминающими устройствами ППЗУ. Функционирование ПЗУ можно рассматривать как выполнение однозначного преобразования kразрядного кода адреса ячейки запоминающего массива ЗМ в nразрядный...

Русский

2013-08-17

17.76 KB

2 чел.

39. Динамическая память

В зависимости от способа хранения информации оперативные запоминающие устройства (ОЗУ) подразделяются на статические и динамические. В статических ОЗУ (Static RAM — SRAM) запоминающими элементами являются триггеры, сохраняющие своё состояние, пока схема находится под питанием и нет новой записи данных.

В динамических ОЗУ (Dynamic RAM — DRAM) данные хранятся в виде зарядов конденсаторов, образуемых элементами МОП-структур. Саморазряд конденсаторов ведёт к разрушению данных, поэтому они должны периодически (каждые несколько миллисекунд) регенерироваться. В то же время плотность упаковки динамических элементов памяти в несколько раз превышает плотность упаковки достижимую в статических RAM.

Регенерация данных в статических ЗУ осуществляется с помощью специальных контроллеров. Разработаны также ЗУ с динамическими запоминающими элементами, имеющие внутреннюю встроенную систему регенерации, у которых внешнее поведение относительно управляющих сигналов становится аналогичным поведению статических ЗУ. Такие ЗУ называются квазистатическими.

В целом динамические ЗУ характеризуются наибольшей информационной ёмкостью и невысокой стоимостью, поэтому именно они используются как основная память ЭВМ.

40. Постоянные ЗУ. Основные параметры некоторых микросхем памяти

Постоянные ЗУ в рабочем режиме ЭВМ допускают только считывание хранимой информации. В зависимости от типа ПЗУ занесение в него информации производится или в процессе изготовления, или в эксплуатационных условиях путем настройки, предваряющей использование ПЗУ в вычислительном процессе. В последнем случае ПЗУ называются постоянными запоминающими устройствами с изменяемым в процессе эксплуатации содержимым или программируемыми постоянными запоминающими устройствами (ППЗУ).

Постоянные ЗУ обычно строятся как адресные. Функционирование ПЗУ можно рассматривать как выполнение однозначного преобразования k-разрядного кода адреса ячейки запоминающего массива ЗМ в n-разрядный код хранящегося в ней слова.

По сравнению с ЗУ с произвольным обращением, допускающим как считывание, так и запись информации, конструкции ПЗУ значительно проще, их быстродействие и надежность выше, а стоимость ниже. Это объясняется большей простотой ЗЭ, отсутствием цепей для записи вообще или, по крайней мере, для оперативной записи, реализацией неразрушающего считывания, исключающего процедуру регенерации информации.

Одним из важнейших применений ПЗУ является хранение микропрограмм в микропрограммных управляющих устройствах ЭВМ. Для этой цели необходимы ПЗУ значительно большего, чем в ОП, быстродействия и умеренной емкости (10 000 - 100 000 бит).

Постоянные ЗУ широко используются для хранения программ в специализированных ЭВМ, в том числе в микроЭВМ, предназначенных для решения определенного набора задач, для которых имеются отработанные алгоритмы и программы, например в бортовых ЭВМ самолетов, ракет, космических кораблей, в управляющих вычислительных комплексах, работающих в АСУ технологических процессов. Такое применение ПЗУ позволяет существенно снизить требования к емкости ОП, повысить надежность и уменьшить стоимость вычислительной установки

Очень широко ПЗУ используются в универсальных ЭВМ всех классов для хранения стандартных процедур начальной инициализации вычислительной системы и внешних устройств, например BIOS в PC фирмы IBM. Программное обеспечение контроллеров интеллектуальных внешних устройств ЭВМ обычно также хранится во встроенных ПЗУ.

На рис. 3.8 приведена схема простейшего ПЗУ со структурой типа 2D. Запоминающий массив образуется системой взаимно перпендикулярных линий, в пересечениях которых устанавливаются ЗЭ, которые либо связывают (состояние 1), либо не связывают (состояние 0) между собой соответствующие горизонтальную и вертикальную линии. Поэтому часто ЗЭ в ПЗУ называют связывающими элементами. Для некоторых типов ЗЭ состояние 0 означает просто отсутствие запоминающего (связывающего) элемента в данной позиции ЗМ.

Дешифратор ДШ по коду адреса в РгА выбирает одну из горизонтальных линий (одну из ячеек ЗМ), в которую подается сигнал выборки. Выходной сигнал (сигнал 1) появляется на тех вертикальных разрядных линиях, которые имеют связь с возбужденной адресной линией. В зависимости от типа запоминающих (связывающих) элементов различают резисторные, емкостные, индуктивные (трансформаторные), полупроводниковые (интегральные) и другие ПЗУ.

В настоящее время наиболее распространенным типом являются полупроводниковые интегральные ПЗУ.

^ Полупроводниковые интегральные ПЗУ имеют все те же достоинства, что и полупроводниковые ЗУ с произвольным обращением. Более того, в отличие от последних они являются энергонезависимыми. Постоянные ЗУ имеют большую емкость на одном кристалле (в одном корпусе интегральной микросхемы). Положительным свойством интегральных ПЗУ является то, что некоторые типы этих устройств позволяют самому потребителю производить их программирование (занесение информации) в условиях эксплуатации и даже многократное перепрограммирование.

По типу ЗЭ, устанавливающих или разрывающих связь (контакт) между горизонтальными и вертикальными линиями, различают биполярные и МОП-схемы ПЗУ. Биполярные ПЗУ имеют время выборки 3-5 нс. Постоянные ЗУ на МОП-схемах имеют большую емкость в одном кристалле (корпусе), но и меньшее быстродействие: время выборки 10-15 нс.

По важнейшему признаку – способу занесения информации (программированию) различают три типа интегральных полупроводниковых ПЗУ:

Программирование в процессе изготовления путем нанесения при помощи фотошаблонов в нужных потребителю точках контактных перемычек.

Программирование путем выжигания перемычек или пробоя p-n переходов для уничтожения или образования связей между горизонтальными и вертикальными линиями (одноразовое программирование), которое может осуществить сам пользователь с помощью специального программатора.

Электрическое перепрограммирование, при котором информация заносится в ЗМ электрическим путем, а стирание информации, необходимое для изменения содержимого ПЗУ, выполняется воздействием на ЗМ ультрафиолетовым излучением или электрическим путем (многократное программирование). Время программирования для обоих типов ППЗУ примерно одинаково и составляет около 30-100 с на 1 мегабит памяти.

Программируемые фотошаблонами и выжиганием ПЗУ могут строиться на основе как биполярных, так и МОП-схем. Перепрограммируемые ПЗУ используют только МОП-схемы, способные хранить заряды.


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

9219. Перекрестная резистентность 29.14 KB
  Перекрестная резистентность При такой резистентности увеличивается устойчивость к другому стрессовому фактору (например: закаливание). Перекрестная сенсибилизация Снижение реакции к другому действующему фактору (например: оклиматизация). Болезни стр...
9220. Патофизиология лейкопоэза 28.04 KB
  Патофизиология лейкопоэза Костный мозг находится во всех плоских костях, головках трубчатых костей. Стволовые клетки. Имеет 3 класса: полипотентная стволовая клетка. Относительно унипотентная - клетки предшественницы лимфопоэза и ми...
9221. Патофизиология эритропоэза 27.36 KB
  Патофизиология эритропоэза ОЦК: у женщин - 6,5-7% от массы тела у мужчин 7-7,5% Гематокрит: 0,36-0,46 - соотношение между клеточной и жидкой частью крови Объем циркулирующей крови: в пределах нормы - нормоволемия, при уменьшении...
9222. Анемии Анемии вследствие нарушения кровообразования 27.46 KB
  Анемии Анемии вследствие нарушения кровообразования Железодефицитные анемии. Причины дефицита железа: менструальные потери, лактации, беременность, растущий ребенок, подросток, поражение желчно-кишечного тракта. Проявления сидеропении Синдром сидеро...
9223. Опухолевый рост типический патологический процесс 27.25 KB
  Опухолевый рост Опухоль (новообразование) - типический патологический процесс. Возникает под действием канцерогена. Проявляется патологическим разрастанием структурных элементов ткани, не связанным с общим обменом веществ. Характеризуется атипизмом ...
9224. Стадии канцерогенеза (патогенез опухолей) 24.15 KB
  Стадии канцерогенеза (патогенез опухолей) Инициация (мутация) - превращение здоровой клетки в опухоль Промоция Опухолевая прогрессия (если опухоль злокачественная) Гемобластозы Правила опухолевой прогрессии Фулдаса-Воробьев...
9225. Воспаление - типический патологический процесс. 28.01 KB
  Воспаление Воспаление - типический патологический процесс. Возникает в ответ на действие патогенных (флогогенных) факторов Проявляется в идее комплекса местных и общих реакций, сформировавшихся в ходе эволюции в качестве защитных ме...
9226. Местные (кардиальные) признаки воспаления 28.84 KB
  Местные (кардиальные) признаки воспаления Жар (calor) - связан с притоком теплой артериальной крови в очаг воспаления, изменение обмена веществ в самом очаге воспаления, в связи с повреждением мембраны разобщается окислительно фосфорилировани и...
9227. Лихорадка (Febris) 30.48 KB
  Лихорадка (Febris) Термин лихорадка один из самых древних, раньше обозначал любое повышение температуры тела. Современные представления стали возможны благодаря нескольким учениям: Учение Мечникова о воспалениях - изучал в эволюционном пл...